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【选型】Infineon 射频大功率器件选型指南

功率高达700W的心GaN功率管,L波段功放器件优选;频段涵盖0-3G,种类齐全,功放首选

【产品】大功率表面贴装射频负载,无惧高温炙烤!

EMC推出了DC到4GHz的全系列大功率射频负载产品——SMT,其采用EMC公司独特的非对称专利技术,通过增加接地面积,有效的改善了器件的散热能力,完美解决因射频负载散热能力不好而造成的负载发热问题。

100W级超大功率射频LDMOS FET

该超大功率射频LDMOS FET工作频率范围为2496~2690MHz, 最大输出功率可达100W,采用非对称设计,主要针对具有多重标准单元的功率放大应用。

让新能源汽车大功率车载充电机走进现实的SiC 器件

电动汽车充电时间长是其发展的一大障碍,随着人们对快速充电的需求越来越高,大功率车载充电机将是未来的一个发展趋势。

厚膜技术型大功率射频负载,散热强不畏“发烧”!

EMC-RFLABS 的SMT系列表面贴型负载则包括功率容量高达240 W,频率最大为4 GHz的各种表贴式负载。

【产品】可靠性为同类器件的2倍,这款大功率晶体管要逆天了!

PTVA047002EV是基于LDMOS工艺的功率晶体管,具有非常高的稳定性和可靠性,适用于小型化的系统设计。

1200V SiC器件,最大功率损耗仅192W!

C2M0080120D额定电压为1200V,额定电流为36A。可以替换现有产品中的Si MOSFET,就能立竿见影地提升产品的效率。

“三合一”功率器件让您的大功率电源设计更简单

flowRPI 1系列产品采用新一代三合一解决方案,将三种拓扑结构集成到一个flow1型外壳中。

大功率MOS管散热材料的应用分析

大功率MOS管通常工作于高功率大电流状态,非常容易损坏,使用时必须选择正确的散热方式以保护好功率MOS管器件。Laird导热硅胶片由于其材质软,填充性能好,减震吸音明显等特点可为MOS管提供良好的保护。

不怕雷击来的更猛烈,先进大功率TVS为重要供电设备保驾护航

Littelfuse的AK系列大功率瞬态抑制二极管器件能够抵御高达15kA(tp=8/20μs)的高能浪涌电流,为重要供电设备保驾护航。

【产品】零开关损耗SiC肖特基二极管,助力大功率电源应用

C4D05120系列是一款大功率SiC肖特基二极管,其连续正向电流最高可达19A,反向重复峰值电压达1200V,反向浪涌峰值电压可达1300V,能满足大功率应用。该器件还具有不受温度影响的开关特效,具有优秀的热性能。

【产品】大功率整流器的福音,600VZ-Rec肖特基二极管

C3D03060是一款Z-Rec碳化硅肖特基二极管,该系列肖特基二极管的反向重复峰值电压可达600V,工作温度为150℃时持续工作电流的均值为3A,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,非常适合设计大功率整流器。

【产品】反向电压1200V的肖特基二极管,大功率整流电路首选

C4D08120A是CREE推出的一款反向重复峰值电压可高达1200V,最大电流为11A的碳化硅肖特基二极管,其工作过程基本无开关转换损耗,主要适用于大功率电源整流设计,比如太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、开关模式电源(SMPS)、AC/ DC转换器以及电机驱动器等。

大功率电源散热设计的PCB板材应用

罗杰斯92ML系列板材92ML是无卤、阻燃型板材,由导热性环氧树脂材料填充陶瓷粉组成。92ML给电源散热设计,尤其是大功率设计提供了良好的解决方案。

1200 V肖特基整流器—低功耗大功率电子设备的福音

CREE推出了一款采用了1200V碳化硅肖特基二极管的整流器--CPW5-1200-Z050B,相比于传统IGBT整流器,具有更低的开关损耗和导通损耗,是低功耗大功率电子设备应用的理想之选。

高速IGBT H5功率模块,大功率隔离设计的绝佳搭档

基于flow1 12mm封装设计的高速IGBT在其内部集成了电容器,可以有效减小设计面积,在大功率隔离设计有极大用武之地!

无线通信重要组件:20 dB大功率LTCC定向耦合器

频率范围在700到1000Hz的定向耦合器D3PV30F的带宽、高定向性和大功率可以满足设计人员在要求高的应用场合的需求。