【产品】容量、速度吊炸天的DDR3L存储器 可实现高速存取

2017-01-07 世强

——4Gb容量,数据率高达1600Mbps/pin,供电电压1.35V


AS4C256M16D3L是Alliance Memory推出的第三代低电压版双倍数据率(DDR3L)同步动态随机存储器,容量高达4Gb,数据位宽为16bit,内部可划分为8个bank。该存储器采用+1.35V供电,可有效降低芯片功耗,同时也可兼容+1.5V供电,保证了对现有系统的兼容性。

AS4C256M16D3L可实现高速存取。该款DDR3L存储器最高时钟频率为800MHz,采用双倍数据率架构,在时钟上升沿和下降沿均可实现数据锁存,因此最高数据率可达1600Mbps/pin。同时AS4C256M16D3L符合JEDEC时钟抖动要求,确保了数据传输过程的可靠性。AS4C256M16D3L将预缓存区大小从DDR2的4n提升到8n,大幅提升了数据存取的效率。此外,AS4C256M16D3L采用Fly-by拓扑结构有效降低了容性负载,可实现更高数据率传输。此外, AS4C256M16D3L支持ZQ校准和动态ODT以及输出驱动阻抗控制,可在运行过程中定期对终端电阻和输出驱动器进行校准,补偿运行过程中温度变化和电压漂移造成的信号波动,使信号完整性表现更佳,保证传输速度。


AS4C256M16D3L采用96锡球的FBGA封装,尺寸9mm x 13mm x 1.0 mm(12BCN和12BIN版本为1.2mm厚度),符合JEDEC标准要求,并且汽车版满足AEC-Q100标准要求。该款DDR3L存储器适用于需要高存储带宽的场景,如高性能PC设备、高清视频解码器、数据采集器等。

AS4C256M16D3L的特点:
容量4Gb(32Mbit x 16I/Os x 8 bank)

最高时钟频率800MHz

单引脚最高数据率1600Mbps

符合JEDEC时钟抖动要求

采用8n-bit预存取架构

支持Fly-by拓扑结构,支持写入均衡

支持ZQ校准

动态ODT

支持输出驱动阻抗控制

供电电压+1.35V,兼容+1.5V供电

符合JEDEC标准

符合AEC-Q100标准(-12BAN)

采用96球FBGA封装,尺寸9mm x 13mm x 1.0 mm(12BCN和12BIN版本为1.2mm厚度)

工作温度范围:0℃~+95℃(-12BCN)或-40℃~+95℃(-12BIN)或-40℃~+105℃(-12BAN)

相关元件供应 以下元器件世强均有代理,采购服务热线:40088-73266

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