【产品】900V高频率碳化硅MOSFET面世,助力开关电源!

——采用C3M SiC MOSFET技术,满足高频功率开关需求


功率和射频器件的行业领先者CREE公司近期推出两款新的碳化硅(SiC)MOSFET功率产品——C3M0120090J和C3M0280090J。SiC是一种宽禁带宽度材料,具有相当低的漏电流,并且可耐高压,两款SiC MOSFET的额定工作电压均高达900V,最大漏极电流分别为22A和11A,主要面向功率较高的可再生能源和电池充电器应用


C3M0120090J和C3M0280090J采用了C3M SiC MOSFET技术,包含N沟道增强型工作模式,具有快速开关能力;C3M0120090J的接通延迟时间为12.5ns,上升时间为9ns;断开延迟时间为15ns,下降时间为5ns;C3M0280090J的接通延迟时间为10.5ns,上升时间为6.5ns;断开延迟时间为11ns,下降时间为4ns,在1MHz工作频率下的反向转移电容分别低至3pF和2pF,因此两款SiC MOSFET可满足用户针对高频率开关的需求。


C3M0120090J的导通电阻为120mΩ,C3M0280090J的导通电阻为280mΩ,由于不存在开启电压,所以两款SiC MOSFET都具有极其优越的正向压降和导通损耗;且更能适应在高温环境下工作,它们的工作温度范围为-55°C至+155°C,能够满足大部分应用环境对温度的要求;在从小电流到大电流的宽电流范围内,两款SiC MOSFET都能够实现低导通损耗,经测试,在壳温为25°C,结温为150°C的条件下,C3M0120090J的功率损耗为83W,而C3M0280090J的功率损耗仅为50W。
C3M0120090J和C3M0280090J使用了新的封装——7L D2PAK,带驱动源且具有低阻抗的特点。其主要用于可再生能源、电动汽车蓄电池充电器、高压直流/直流转换器、开关模式电源、照明和感应加热等领域。


产品特征:
最新的C3M SiC MOSFET技术

高反向击穿电压(900V)及低导通电阻(120mΩ和280mΩ)

高速开关及低寄生电容(3pF和2pF)

全新带驱动源的低阻抗封装

快速本征二极管及低反向恢复时间(24ns和20ns)

无卤素,符合RoHS标准


产品优势:
更高的系统效率

更低的冷却要求

更高的功率密度

更快的系统开关频率

2017-01-09    世强
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