【产品】速率高达1600Mbps的SDRAM,存储设备的福音

——容量达1G,兼容DDR3 DRAM的关键特性,保障数据的高效稳定传输


全球性专业RAM供应商——Alliance Memory推出了一款第三代双倍数据率(DDR3)同步动态随机存取存储器(SDRAM)——AS4C128M8D3。该款存储器具有8bit位宽,共128M存储单元,在使用过程中,芯片的内存组织形式为8banks×16Mb×8I/Os,容量达1Gb。该SDRAM作为DDR3类存储器,采用最新的双倍数据率架构设计,兼容DDR3 DRAM的关键特性


图1:AS4C128M8D3实物图


AS4C128M8D3由一对外部提供的差分时钟来实现所有控制和地址输入的同步,最高时钟频率可达800MHz,从而避免不必要的等待周期,减少了数据存储时间。同时,在差分时钟(CK上升沿和CK下降沿)的交叉点处锁存输入信号,当以每个数据I/O管脚计算数据传输速率时,该存储器最高速度可达1600Mbps。此外,该款DDR3芯片所有I/O接口以源同步的方式与一组双向选通信号(DQS和DQS#)同步,并采用完全同步操作,支持JEDEC时钟抖动规范,能够有效的保障数据传输的稳定性


AS4C128M8D3采用78-ballFBGA封装,封装尺寸仅为8mm x 10.5mm x 1.2mm,工作电压为+1.5V ± 0.075V。其内存芯片分为三种,BCN是商业级产品,提供工作温度范围为0~95℃;BIN是为工业级应用而设计,工作温范围为-40~95℃;BAN针对汽车级应用,工作温度范围为-40~105℃。三种芯片的数据传输速率均为1600Mbps/pin。AS4C128M8D3大容量、小尺寸和宽工作温度范围的特点,保障其在医疗、工业、汽车和通信等领域均有极大应用空间。
 
主要特性:
JEDEC标准兼容

电源电压:+1.5V±0.075V

完全同步操作

支持JEDEC时钟抖动规范

内部流水线架构

支持自动刷新和自我更新

支持OCD校准

支持动态ODT

符合RoHS要求

工作温度范围

--商业级(0〜95°C)

--工业级(-40〜95°C)

--汽车级(-40~105℃)

可编程模式和扩展模式寄存器

差分时钟:CK & CK#

双向单/差分数据选通:DQS和DQS#

预充电和主动断电

快时钟频率:800MHz

2017-01-10    世强
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