【产品】导通阻抗5.3mΩ的MOSFET,简化大功率系统中的热设计

2017-08-13 Shindengen (世强编辑整理)

P60B6SN是新电元推出N沟道功率MOSFET具有大功率、低损耗、高频率的特点。P60B6SN的漏-源电压最大为60V,漏极直流电流最大为60A,尤其适合大功率的驱动应用。


P60B6SN的静态漏极-源极导通阻抗典型值为5.3mΩ,在工作电流相同的情况下,更低导通阻抗可以带来更小的损耗,不仅提升了效率,而且减小了自身发热,简化了大功率系统中的热设计。


P60B6SN输入电容典型值2780pF,输出电容典型值370pF,反向传输电容典型值180pF,低寄生电容可实现高速的开关功能。同时P60B6SN总栅极电荷Qg典型值为55nC,在高驱动频率下,更低的总栅极电荷可显著降低开关损耗,提升电源效率。


P60B6SN的栅源阈值电压典型值为3V,低控制电压简化了数字驱动控制电路的设计。P60B6SN的最高结温为150℃,最小结壳热阻仅2℃/W,在大功率应用或高温应用环境中稳定性更高。此外,P60B6SN采用SMD封装,尺寸为10.0mm×6.6mm×2.3mm,贴片封装不仅利于产品小型化设计,同时可使大批量焊接加工具有更高效率。


P60B6SN的特点:

 N沟道功率MOSFET

 漏-源电压最大为60V

 漏极直流电流最大60A

 栅极阈值电压典型值3V(ID=1mA,VDS=10V)

 静态漏极-源极导通阻抗典型值5.3mΩ(ID=30A,VGS=10V)

 总栅极电荷Qg典型值55nC(VDD=48V,VGS=10V,ID=60A)

 输入电容典型值2780pF,输出电容典型值370pF,反向传输电容典型值180pF(VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz)

 最高结温150℃,结壳热阻最大2℃/W

 SMD封装,尺寸10.0mm×6.6mm×2.3mm


P60B6SN的应用:

 功率因数校正(PFC)

 替代能源逆变器

 固态照明(SSL)


相关技术文档:
Shindengen P60B6SN 功率MOSFET数据手册 详情>>>


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