半桥驱动电路

Intersil EL7661直流稳定的半桥驱动电路应用笔记（AN1093）

【经验】KMR高压滤波电容在中大功率开关电源驱动电路的LLC电路上的应用

我司所有中大功率开关电源驱动电路 基本上采用LLC谐振半桥转换器，可以实现高效率、低电磁干扰、功率密度大，所以这种LLC拓扑电路已经大量应用在工业级和伺服器大功率开关电源。 建议采用NIPPON CHEMI-CON（黑金刚）450V /150µF _±20% KMR系列高压滤波电容。因为黑金刚电容特殊的串联结构适合于高电压滤波。

【产品】完全集成高压自供电半桥电机驱动器BridgeSwitch，效率可达98%

Power Integrations推出的BridgeSwitch系列集成半桥可大幅简化应用于两相或三相PM电机或BLDC电机驱动器的高压逆变器开发和生产。占板面积较小的薄型表面贴装封装可增大爬电距离，并通过印刷电路板实现两个功率FREDFET的散热。

【经验】Si823x系列数字隔离器助力实现简单可靠的高速半桥驱动方案

传统的普通光耦隔离型驱动电路开关速度慢，延时长，已不适用变换器的要求。磁隔离虽然效果良好，但电路复杂，需要占用大量的电路空间，不符合功率密度的要求。Silicon labs推出的半桥驱动si823x数字隔离器内部集成两路完全独立的驱动，转换速率快，高共模抑制比使驱动方案变得简单可靠。

【产品】2A峰值高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器，仅需10ns的升降时间驱动1nF的负载

Renesas的子公司intersil推出ISL2100A和ISL2101A高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器IC，基于HIP2100/ HIP2101半桥驱动器改进，具有数MHz电路的快速传播时间，适用于电信半桥/全桥转换器、双开关正激变换器、有源箝位正激变换器、D类音频放大器

在设计电动汽车充电桩功率电路时，希望可以实现半桥驱动，并保证控制电路和功率电路隔离，请问哪款IC可以满足要求？

充电桩功率模块的驱动电路设计，要实现半桥驱动需要选择双路输出、带隔离的驱动IC。建议选择Silabs隔离驱动Si8235，可以实现上下管独立驱动，原副边隔离电压高达5KV，输出驱动PWM信号开关频率可以达到8MHz，最高可以应用在DC1500V的功率系统中。

【产品】用于半桥/全桥拓扑、驱动电流高达1A的FET驱动器

ISL83202renesas的子公司intersil推出一款中频H桥FET驱动器，具有1A（典型值）峰值驱动电流，能独立驱动半桥或全桥拓扑电路，可用于驱动中压应用中的高边和低边N沟道MOSFET。 ISL83202针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化，可实现简单而灵活的基于电桥的设计，典型应用如图2所示。ISL83202驱动器典型的输入至输出传播延迟低至25ns，且上升/下降时间较短，在

UBA2211 驱动CFL的半桥功率集成电路 产品数据手册

【产品】内部集成H桥驱动电路的GC518有刷直流马达驱动电路

上海国芯推出的GC518有刷直流马达驱动电路为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部集成了采用N 沟和P 沟功率MOSFET 设计的H 桥驱动电路，适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。

Si8273、Si8274和Si8275隔离式栅极驱动器的高侧/低侧驱动电路和双驱动电路设计

Si827x是Silicon Labs推出的具有高瞬态抗扰性的隔离式栅极驱动器，具有良好共模瞬变抗扰度（200kV/μs）和闩锁抑制能力（400kV/μs），适用于具有快速开关和潜在噪声的电源系统，是驱动隔离MOSFET、IGBT、SiC（碳化硅） FET 和GaN（氮化镓） FET的理想选择。本文介绍Si827x中的Si8273、Si8274和Si8275设计​的高侧/低侧驱动电路和双驱动电路.

【产品】NPN型数字晶体管DTC114W​系列，为逆变器电路、接口电路和驱动电路提供最佳解决方案

罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件等应用的主要供应商之一。近期其推出了NPN型的DTC114W​系列数字晶体管（DTC114WM、DTC114WUA），与 DTA114W系列PNP型数字晶体管互补配对。其内置偏置电阻，可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路和只需要设置on/off条件进行操作，使工程师设计电路更容易，是逆变器电路、接口电路和驱动电路等领域的理想选择。

【产品】增强型硅PNP开关晶体管CMPT2907AE，为开关应用，接口电路和驱动电路而设

CENTRAL SEMICONDUCTOR推出CMPT2907AE是一种采用SOT-23表面贴装封装的硅PNP开关晶体管，该晶体管是CMPT2907A的增强版本。为开关应用，接口电路和驱动电路应用而设计。主要用于接口电路,驱动电路，最有高性能等特性。

【产品】可用于三相BLDC电机驱动的半桥驱动器，具备睡眠模式

Renesas公司推出的半桥驱动器HIP2103和HIP2104,适用于新一代BLDC以及传统电机驱动应用，额定电桥电压高达50V，超低静态电流，其欠压锁定在4.2V。

【产品】SPI总线用汽车级6通道半桥驱动BD16939EFV-C和BD16936EFV-M

ROHM的汽车级半桥驱动BD16939EFV-C和BD16936EFV-M，具有6通道半桥驱动，可以直接驱动小型有刷直流电机。每通道都有高电平，低电平，高阻态三种驱动模式。可以实现高可靠性，低功耗降低系统成本。适用于汽车电子,HVAC,车门,后视镜等。

【经验】单片机做LCD驱动时该如何选择驱动电路?

本文介绍采用瑞萨R7F0C019单片机来自行驱动LCD驱动如何选择驱动电路的设计经验。

【产品】抗辐射型高频半桥驱动器IS-2100ARH和IS-2100AEH，1.5A峰值输出电流

Renesas（瑞萨电子）是全球十大半导体芯片供应商之一，也是高级半导体解决方案的首选供应商。由Renesas推出的IS-2100ARH和IS-2100AEH抗辐射高频半桥驱动器IC，具有高频、130V半桥N沟道MOSFET驱动能力，功能类似于工业标准2110类型，非常适用于高频开关电源、感应负载的驱动器和直流电机驱动器等应用领域。

【产品】全新汽车级100V半桥驱动器，为12V-48V汽车混合动力系统的双向电源控制器MOSFET提供安全驱动

2018年11月7日，瑞萨电子宣布推出全新汽车应用级的100V、4A 半桥N-MOSFET系列驱动器。 ISL784x4系列半桥驱动器是首个将栅极电压检测的自适应死区时间控制与独立的源电流和灌电流驱动控制相结合的驱动器产品。高度集成的 ISL78424、ISL78434和ISL78444在同类产品中拥有多项最佳的特性，适用于48V轻混合动力汽车和汽车音频放大器。

【产品】低待机电流 的GC4708有刷直流马达驱动电路

上海国芯推出的GC4708为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。该电路具备较宽的工作电压范围（从2V 到7.5V），最大持续输出电流达到0.8A，最大峰值输出电流达到1.5A。

【经验】SI828x隔离栅极驱动器为MOSFET和IGBT驱动电路提供设计方案

I828x系列产品是Silicon Labs推出的隔离栅极驱动器，具备故障检测和保护功能，具备去饱和检测保护，米勒钳位等功能，大部分产品（除SI8286外）都具有3个独立输出引脚（开通引脚，关断引脚，米勒钳位引脚）。本文介绍驱动原理，分析驱动波形，设计SI828x的驱动电路。

【产品】SPI总线用汽车级8通道半桥驱动器BD16938EFV-C

ROHM的汽车级半桥驱动BD16938EFV-C，可以直接驱动小型有刷直流电机。每通道都有高电平，低电平，高阻态三种驱动模式。MCU可以通过16位的SPI总线控制器直接驱动。HTSSOP-B28小型封装，具有高边0.8欧姆，低边0.6欧姆的超低开通阻抗，输出电流1A，最大耐压可达40V。可以实现高可靠性，低功耗降低系统成本。

【应用】带输出使能控制功能的半桥驱动器OC3001在半桥MOSFET驱动方面的应用

国产品牌欧创芯公司的半桥驱动器OC3001，OC3001是一个12V MOSFET驱动器，经优化后用来驱动高边和低边功率MOSFET。该驱动器能够驱动3nF负载，只有25ns传播延迟及30ns的转换时间。工作电压范围宽(VDD最高可达18V)，优化高低侧MOSFET栅极驱动电压以获得最佳效率。

【产品】60V，1A/2A峰值，4V低电压锁定，半桥驱动器HIP2103/4评估板HIP2103-4DEMO1Z

HIP2103-4DEMO1Z是一款通用电机驱动板，板上带有微控制器，用于评估HIP2103和HIP2104的功能。驱动板支持三种电机驱动拓扑结构：3相BLDC电机，传统有刷直流电机的全桥和半桥驱动。霍尔效应转子位置传感器用于控制BLDC拓扑的切换顺序（有刷直流电机不需要）。

【产品】带SPI控制的汽车级6ch半桥驱动器BD16939AEFV-C，三模式输出控制

ROHM公司推出的带SPI控制的汽车级6ch半桥驱动器BD16939AEFV-C，可直接驱动小型DC有刷电机，能够以High输出、Low输出、Hi-Z输出等3种模式独立控制各输出。通过16bit 串行接口（SPI）可从外部MCU进行控制。实现了高耐压（最大额定40V）、低导通电阻、小型封装，有助于实现整机的高可靠性、低功耗、低成本化。

【经验】隔离驱动器Si8261做驱动电路设计时的阈值电压选取原则

目前的驱动电路的设计考虑较多的是驱动电压幅值或者驱动能力即驱动的峰值电流问题，但是作为一些做驱动电路设计的工程师而言，有时会忽略副边的欠压保护问题。本文主要介绍用Silicon Labs的Si8261系列隔离驱动器做驱动电路设计时的阈值电压选取原则。

【经验】一文教你通过数据手册相关参数计算半桥驱动上下桥臂死区时间

在做半桥驱动设计过程中，经常困扰我们的是如何设置上下桥臂开关的死区时间。本文以实际项目中使用TGBT驱动光耦为Renesas PS9031，IGBT模块为Vincotech V23990-P704-F-PM为例，介绍如何通过产品数据手册计算死区时间。

【经验】IGBT驱动电路中如何测试隔离驱动IC门极输出电流极限能力？

IGBT驱动电路设计的优劣、驱动参数设置是否合理，关系到IGBT能否长期稳定的工作。本文我们就以PI隔离驱动（SID1182K）为例，介绍在实际的IGBT驱动电路中如何测试驱动IC门极输出电流极限能力。

【产品】用于驱动电路的PNP型通用双极性晶体管2SAR586J，符合RoHS标准

2SAR586J是ROHM最新推出的用于驱动电路的PNP型通用双极性晶体管，产品具有低集电极-发射极饱和电压，符合工业级温度要求，集电极电流为-5A，符合RoHS标准，主要用于低频放大器。

【产品】可独立控制的三路半桥集成驱动芯片AT8325，可输出5.5A峰值电流

中科微推出的AT8325是一款包含三路半桥且可独立控制的驱动芯片，用于驱动一个三相直流无刷电机，或驱动螺线管等其它负载。每路半桥高、低边均配置N通道功率MOSFET，可输出5.5A峰值电流。低边MOSFET的源端，即芯片的功率地可选择接检流电阻到地，以检测输出电流。

【应用】ShinDengen基于MOSFET和驱动IC的电动自行车的电机驱动电路设计参考

电动自行车，作为人们短途出行的首选，是主要由电机驱动的绿色环保型交通工具。本文将基于ShinDengen公司的MOSFET以及驱动IC，简述电动自行车的驱动电路设计，为电动自行车的实际应用提供可行性设计方案。

扩充电源管理IC、运放、比较器、音频功放、驱动电路等产品，世强代理上海国芯

世强进一步扩充电源管理、锂电充电、马达驱动、LED驱动、触摸传感器、运算放大器、音频功率放大器等产品，与上海国芯集成电路设计有限公司（以下简称上海国芯）签署代理协议。此后，上海国芯的产品均可在世强元件电商购买，保障低价、100%正品、低至1只的快速采购，同时上海国芯的技术资料和技术支持服务，也可免费在世强元件电商获取。

【产品】具备较宽的工作电压范围的遥控汽车专用单芯片马达驱动电路GC7168RX

上海国芯推出的GC7168RX 是为遥控汽车等玩具设计的专用单芯片解决方案，该芯片将传统方案的 RX2 接收解码芯片以及马达驱动芯片整合为单一芯片。芯片内部集成两路H桥驱动电路，可同时驱动转向电机以及前进后退电机。其中 2 通道用于驱动转向电机，最大持续输出电流达到 0.8A，最大峰值输出电流达到 1.5A。

【选型】针对LED驱动电路滤波应用的引线型铝电解电容器件选型方案

在LED灯的驱动电路中，输出整流滤波电路需要足够大容量的电容来维持电路的稳定性和输出电流的平滑性，经济型的大容量电容通常选择铝电解电容。因此LED系统中要求铝电解电容具有长寿命、耐纹波电流大和耐高温的特性。针对LED驱动电路滤波应用，推荐NIPPON CHEMI-CON（黑金刚）的KY/KZN/KYB系列，可以满足LED驱动电路输出滤波电解电容低ESR、小体积、价格等方面的不同需求。

隔离全桥驱动电路

【产品】汽车用3通道半桥驱动器BD16933EFV-C，可直接驱动紧凑型直流有刷电机

ROHM公司推出一款用于汽车应用的3通道半桥驱动器BD16933EFV-C。 它可以直接驱动紧凑型直流有刷电机，每个输出可以采用三种模式控制（高电平、低电平和高阻抗）。MCU可以通过16位串行接口（SPI）控制驱动器。

【经验】光耦隔离驱动器PS9031做驱动电路设计时常见的欠压保护阈值问题分析

Renesas推出的光耦隔离驱动器PS9031具有2.5A的峰值驱动电流，5KV的隔离电压，作为驱动电路的设计者来说是一款高性价比的驱动芯片。本文将介绍PS9031作为驱动电路设计时供电电压的选取原则。

【选型】如何选取合适的车载IGBT驱动电路栅极电阻？

在车载IGBT应用中，驱动电路的栅极电阻不仅影响IGBT的动态范围，同时影响系统的成本和可靠性。。Firstohm第一电阻针对车载电子应用推出了MELF圆柱形贴片电阻MM（V）系列，强化了机械结构、抗震、耐热冲击，具有优良的气流散热性能和长期稳定性，是车载IGBT驱动电路栅极电阻的最佳选择。

【产品】小尺寸高效率的eGaN®FET优化半桥电路开发板

EPC9201/3开发板是EPC公司推出的一款eGaN®FET优化半桥电路开发板。该开发板的输入电压可为20V或60V，切换节点输出电压为30V或80V，切换节点输出电流为40A或20A，高边PWM逻辑输入电压阈值最小为3.5V，最大为6V，最小输入脉冲宽度为60ns；低边PWM逻辑输入电压阈值最小为0V，最大为1.5V，最小输入脉冲宽度为200ns。性能较为强大。

【产品】带有集成解码器的32通道驱动电路,可将解决方案尺寸降低50％

Intersil的ISL72813SEH使用专有的PR40绝缘体上硅工艺技术制造的，以减轻单一事件的影响，具有辐射硬化，高电压，大电流等特性

【经验】在电力电子设备中IGBT驱动电路的隔离技术对比分析

IGBT在电力电子设备中的功能主要是弱电信号控制强电，实现电压和电流变换。为实现电平转换已经避免强电侧对控制电路的干扰，通常需要在控制侧与强电侧之间增加隔离驱动电路，常见的隔离技术有以下几种：1、 光耦隔离PS9402；2、脉冲变压器隔离2SC0435；3、无磁芯变压器隔离SID1182K；4、电容隔离Si8285。

【应用】具有8级调光的LED闪光驱动电路SGM37891A应用于小功率激光驱动

利用圣邦微LED闪光驱动电路SGM38791A作为小功率激光驱动恒流源，锂电池供电，8级恒流可调（8级电流依次为60mA，70mA, 85mA, 110 mA ,140 mA ,170 mA ,225 mA ,285 mA ） ,无需升压电路，减少系统成本的同时避免了开关电磁干扰，控制简单方便，电路设计简单。

【产品】专为谐振式无线电源传送应用而设计的eGaN半桥功率集成电路

EPC推出全新EPC2107及EPC2108 eGaN®功率集成电路包含单片半桥式器件及集成式自举功能，专为符合无线充电联盟（A4WP）第二及第三级规范的解决方案而设。此外，为了让客户容易对氮化镓元件进行评估，EPC也提供开发板及包含发射器及接收器的无线电源传送解决方案。

【应用】固态继电器CPC1705Y助力IGCT驱动电路故障检测，极低0.09Ω导通电阻、3.25A大负载电流

IGCT（集成门极换流晶闸管）是一种比较理想的MW级功率中高压半导体开关器件，由于IGCT是一种电流控制型器件，其驱动控制比较复杂，因此在驱动故障检测需要做到更高可靠性，IXYS（Littelfuse收购）针对这一应用推出了低干扰、大电流固态继电器产品CPC1705Y，本文将结合变流器产品讨论一下CPC1705Y在驱动电路故障检测中的应用。

【应用】高速精密比较器SGM8740协同驱动电路SGM48000应用于B超信号强回音判断

B超检查是超声波检查的一种方式,用超过20000Hz的信号对身体需检测部位发射，被检查部位如发生病变占位，身体对超声波回波强弱会与周边部位不同，回波信号与高速精密比较器进行比较，可以明显把强回音信号鉴别出来。SGMICRO的高速精密比较器SGM8740传播延迟仅45ns，输入失调电压仅0.9mV,非常适合对强回波监测。

【产品】采用TO-247-4L封装和半桥电路的SiC MOSFET的评估板P02SCT3040KR-EVK-001

本文介绍了P02SCT3040KR-EVK-001这一款ROHM推出的用于采用TO-247-4L封装和半桥电路的SiC MOSFET的评估板，该评估板需要几个外部电源和输入信号源。

【产品】600V,12A的共阴极二极管，适用于电机驱动电路

PI X系列的LXA12T600C的VRRM为600V, QRR为71nC， IRR为3.1A，多用于PFC升压二极管，电机驱动电路。

【经验】英诺赛科65W PD快充驱动电路以及PCB layout设计指导

英诺赛科65W PD快充产品中使用650V 130mΩ GaN FET作为主功率开关器件，由于开关频率较高，较快的开关速度势必会带来较高的dv/di,di/dt，需要我们从驱动电路以及PCB layout上做较多考量，本文就驱动电路以及PCB layout设计提出一些建议。

Firstohm圆柱型贴片电阻SFP(V)及MM(V)，IGBT驱动电路中门级电阻的最佳选择

第一电阻（Firstohm）的SFP(V)及MM(V)圆柱型贴片电阻，符合AEC-Q200 规范，是IGBT驱动电路中门级电阻的最佳选择。IGBT驱动器中门级电阻的主要作用在于消除门级振荡、转移驱动器的功率损耗及调节功率开关器件的通断速度，选取合适的门级电阻不仅影响了IGBT 的动态性能，同时也影响系统的成本和可靠性。

【产品】国产有源蜂鸣器驱动电路CP2312，无需接任何外围元器件、直接连接蜂鸣器就能工作

上海国芯CP2312为内置振荡有源蜂鸣器驱动电路。不需要接任何外围元器件，直接连接蜂鸣器就能工作。电路内置频率微调，保证电路的频率一致性。封装形式：SOT-23。

【经验】高功率脉冲VCSEL传感器驱动电路设计方法

新亮智能的VCSEL传感器元件，具有脉冲电路设计简单及便于操作的优势。本文介绍高功率脉冲VCSEL传感器驱动电路设计方法。

【应用】分流电阻GMR100用于车载电机驱动电路，具有小尺寸，高功率，散热好的优势

在车载电机驱动电路中，分流检测电阻是必不可少的控制部件，一般要求具有小尺寸、大功率、满足汽车级温度的特性。针对车载电机分流电阻应用，ROHM罗姆半导体公司推出了GMR100系列低阻值分流电阻器，2512封装，具有高散热性、低TCR、薄型化的特性，适用于车载电机驱动电路检测电阻应用。

【应用】基于SID11x1K设计的两种门极驱动电路，分别使用电阻和二极管进行退饱和检测

SID11x1K是PI公司推出的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器，利用PI创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘，其8A峰值输出驱动电流可直接驱动600A（典型值）的开关器件，而无需使用外置推动级。本文主要介绍基于SID11x1K设计的两种门极驱动电路。

【应用】PJD40N04 N沟道增强型MOSFET在汽车车窗电机驱动电路的应用

panjit(强森)公司生产的N沟道增强型MOSFET— PJD40N04，导通电阻最大12mΩ（VGS=10V，ID=20A），并具有高开关速度和合适的电气参数值，适合做为车窗电机的驱动电路主功率器件。

【经验】恒流、恒压、浮充直流充电桩功率模块控制和驱动电路设计的仿真测试

本项目旨在证明Silicon Labs公司隔离栅极驱动器Si826x/Si823x在充电桩市场的应用。介绍基于隔离驱动器Si826x/Si823x模块的直流充电桩功率模块的设计方案，选用隔离型全桥DC/DC拓扑，采用数字移相控制策略，应用ZVS软开关技术，输出电压连续可调。

【选型】Firstohm的SFP(V)系列MELF电阻成功替代VISHAY的MMA用于驱动电路高压采样，高可靠、交期好

在汽车驱动电路高压采样部分,通常是需要用MELF电阻来进行电压采样，其主要原因是因为MELF电阻相比普通贴片电阻，其圆形结构让MELF电阻表面可以更大，其散热效果更好，也能承受更大的耐压。Firstohm的SFP(V)系列产品，其交期和价格相比VISHAY都有很大的优势。

【产品】多功能单相全波风扇电机驱动器BD61250MUV，可驱动外部MOSFET组成的单相H桥输出电路

全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了一款多功能单相全波风扇电机驱动器——BD61250MUV。该芯片属于预驱动器IC，用于驱动由外部MOSFET组成的单相H桥输出电路。该芯片供电电压输入端和驱动器输出的额定电压为40V，可以在不使用降压电路的情况下采用24V电源供电。

【产品】反向恢复时间trr小于75ns的超快恢复整流二极管BYG23T，适用于MOSFET驱动电路

Diotec（德欧泰克）生产的超快恢复整流二极管BYG23T，反向恢复时间trr小于75ns(IF=0.5A)，峰值重复正向电流IFRM为3A，适合作为自举二极管应用在MOSFET驱动电路中。

【应用】如何实现IGBT驱动电路的可靠设计？

Renesas推出的小体积、高隔离能力驱动光耦PS9031，其输出电流能力高达2.5A，可以驱动150A以内的IGBT模块。

【应用】基于ADP32数字信号处理器设计的无刷直流电机驱动电路

本文介绍进芯电子的ADP32数字信号处理器在无刷直流电机驱动电路中的应用。使用ADP32片载12位ADC，能完成电机相线电流采样；使用高性能数字信号处理内核进行数字滤波及变换，能快速算出实时转速及最佳换相角；结合16位数字式PWM控制器，能产生高精度3相正交PWM控制信号，形成对无刷流电机的高效精准的控制。

【应用】超快恢复整流二极管BYG23T用于新能源汽车空调压缩机控制器自举驱动电路，反向恢复时间短、正向压降低

自举悬浮驱动电源大大简化了驱动电源设计，只用一路电源即可以完成上下桥臂两个功率开关器件如IGBT的驱动，针对中小功率的电机驱动上运用，如在新能源汽车空调压缩机控制器用自举驱动电路，可节省器件成本以及PCB布局空间。本文推荐使用DIOTEC超快恢复整流二极管BYG23T，反向耐压为1300V，反向恢复时间trr小于75ns，正向压降为小于1.9V。

【产品】基于车规级氮化镓技术的脉冲激光二极管驱动电路板EPC9144，具有1.2纳秒脉宽的脉冲电流驱动激光

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出15 V、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板EPC9144。EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管（eGaN®​ FET）可支持大电流纳秒脉冲的应用，提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28A、脉宽则可低至1.2纳秒，从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。

【选型】国产无锡紫光微Trench MOS助力大功率步进电机驱动电路设计

大功率步进电机的驱动是通过各相有节拍的通断电流来实现的，步进电机转速完全由脉冲频率决定。而功率MOSFET为压控器件，导通压降低、耐压高、导通电流大；导通速度快，且需求的驱动电流小，是步进电机驱动电路的优选器件。无锡紫光微电子有限公司研发生产的Trench MOS为量产产品，耐压VDS范围覆盖20-150V，ID电流范围2-260A（25℃），具有较低导通电阻RDS及导通电荷，可满足客户的选型需求

【经验】IGBT驱动电路的软关断和有源钳位功能对比分析

IGBT的可靠驱动和保护在大功率变流器运行时至关重要，在IGBT驱动电路设计时通常会集成软关断和有源钳位功能，二者都可以有效降低IGBT的Vce电压尖峰，但其保护功能和应用环境有所差异，本文通过PI公司的隔离驱动SID1182K来对两种保护功能进行对比分析。

【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计

SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。

【经验】桥式电路SiC MSOFET驱动电压尖峰产生原理和对策

桥式电路设计时，在SiC MOSFET开关设计上，不仅会发生栅极电压正电压尖峰，也会发生负电压尖峰，这些尖峰会引起SiC MOSFET应用时误导通和超规损坏等问题。本文桥式电路SiC MSOFET驱动电压尖峰产生原理和对策，并以ROHM的SiC MOSFET来说明。

【产品】符合AEC-Q100标准的汽车级双通道半桥栅极驱动器，驱动电压典型值为11V

罗姆(ROHM)公司推出了一款符合AEC-Q100标准的汽车级双通道半桥栅极驱动器——BD16950EFV-C。由外部MCU通过16位串行外设接口（SPI）控制，通过SPI可以选择半桥控制模式。具有可编程的驱动电流，驱动的电流范围为1mA至31mA，步长为1mA。主要应用于四轮驱动扭矩分配系统、电动车窗升降器、太阳能车顶模块、雨刮器、安全带张紧器、座椅定位等领域。

【产品】5.5~60cm红外测距传感器ORA1M04，集成PSD和LED驱动电路

可天士公司（KODENSHI）设计的ORA1M04是一款红外测距传感器，使用红外LED和位置敏感探测器（PSD）的三角测量系统，传感器本身集成了LED驱动电路和位置敏感探测器信号处理电路，极大的降低了用户使用的难度，可以加快用户的系统的开发速度。该传感器产生的模拟输出取决于与物体的距离，因此非常适合测量与人或物体的距离，最佳检测距离为5.5~60cm。

【应用】导通电阻低至65mΩ的功率MOSFET HP8M51/HP8M31，助力空调电机驱动电路设计

对于空调室内机电路系统而言，本文推荐ROHM提供的HP8M51和HP8M31通用型功率MOSFET，具备低导通电阻、无卤素等优势，可降低导通损耗，对于需要长时间工作的空调系统而言，ROHM的解决方案是降低系统整体功耗的理想选择。

【应用】高亮度500mA电荷泵式LED驱动器，适用于相机闪光灯驱动电路

目前，闪光灯主要采用LED，但LED亮度与正向电流成比例的灵敏关系，使得其无法保证亮度恒定或者效率低下。因此，圣邦微公司跟进市场需求，推出非常适用于相机闪光灯应用的高亮度500mA电荷泵式LED驱动器—SGM3140。

pin to pin替换TI DRV8313的国产三路半桥集成驱动芯片，可降本10%~20%

AT8313是中科微推出的一款三路半桥集成驱动芯片，可以pin to pin替换TI公司的DRV8313。AT8313为6.5-38V，DRV8313为8-60V。因此在同样电压等级8-38V供电电压范围内，两者可以互相替换。AT8313的逻辑供电电压范围更宽，比DRV8313更能抵抗逻辑电纹波，抗干扰能力更强。

【成功案例】压电蜂鸣器低功耗、高声级方案：基于DC-DC升压转换器SGM6601、反相器BU4S584G2的升压驱动电路

基于圣邦微超低功耗DC-DC升压转换器SGM6601和罗姆BU4S584G2反相器的压电蜂鸣器升压驱动电路的设计，可以广泛应用于超声波换能器和压电陶瓷片的升压应用，提高蜂鸣器响度和超声波检测强度。

【经验】怎么选型和设计IGBT驱动电路的门级开通和关断电阻

从ISABELLENHUETTE的产品参数表中可以看出型号有很多，按照IGBT开通和关断电阻的参数要求，选择IGBT开通门级电阻型号为VMS-R005-1.0-U，其中采用4个并联，电阻值达到1.25Ω，功率达到12W；选择IGBT关断门级电阻型号为VMS-R010-1.0-U ，其中采用4个并联，电阻值达到2.5Ω，功率达到12W；完全满足项目中IGBT开通和关断电阻的设计要求。

【应用】智能锁系统直流电机控制方案：单通道H桥驱动器HR9110，集成过温关断保护电路更安全

针对在智能锁系统中的直流电机控制，本文推荐中科微推出的HR9110单通道H桥驱动器IC，可采用1.8V~6.8V的电压供电，连续输出电流1.2A，可提供四种驱动功能。此外，H桥驱动部分采用的是具备低导通电阻（0.3Ω）的PMOS和NMOS，功耗低，并且集成了过温关断保护电路，安全性高。

【应用】1N4148WS小信号开关二极管用于MOSFET驱动电路，具有高速开关、低正向压降等优势

Diotec（德欧泰克）生产的1N4148WS小信号开关二极管，具有非常高的开关速度和较低正向压降，能将栅极输入电容的电荷快速、充分的泄放，加速MOSFET的关闭，在MOSFET驱动电路中广泛应用。

【应用】电机驱动芯片BD63150AFM用于半导体制冷片驱动电路，提供异常检测、输出保护、欠压锁定功能

随着II-VI Marlow（马洛）半导体制冷片在激光、通信、医疗等领域的广泛应用，更多的工程师不断挖掘半导体制冷片的应用，不断拓展丰富其应用领域，充分发挥其制冷、制热和温控方面的优势。本文简单介绍ROHM的驱动芯片BD63150AFM在控制半导体制冷片的应用。

【产品】国产双路全桥式步进电机专用驱动芯片L298N，助力二相和四相步进电机驱动

上海国芯L298N为双全桥式步进电机专用驱动芯片，内部包含4信道逻辑驱动电路，是一种二相和四相步进电机的专用驱动器，可同时驱动2个二相或者1个四相步进电机，工作电压可高达36V，总直流电流可到4A，内置高温保护，逻辑“0”电位输入电压高达1.5V；可驱动36V、2A以下的步进电机，且可以直接通过电源来调节输出电压。

针对消费电子和家用电器的新高压半桥驱动器芯片概念

【经验】汽车级电机控制器MLX81200简化汽车水泵中电机驱动电路设计

Melexis的直流无刷电机驱动芯片MLX81200，集成LIN收发器、可切换传感器接口、FET预驱动器、电流传感器等接口，简化电机驱动设计，增强系统稳定性。同时提供TRUSENSE控制算法，节约开发时间。

【产品】低压三路半桥3A集成驱动芯片AT8310，可驱动一个三相直流无刷电机

中科微的AT8310低压驱动芯片提供三路可独立控制的半H桥驱动，每个半H桥可输出3A峰值电流或2A均方根（RMS）电流输出，每个输出驱动器通道包含采用半H桥配置的N通道功率MOSFET。这个设计将每个驱动器的接地端子接至引脚，以在每个输出上执行电流检测。

【产品】G1V(A)10C单向晶闸管，适用于负离子发生器、直流线路过载保护、HID灯驱动电路

Shindengen（新电元）工业株式会以电力电子技术为主要领域，是日本电源业界的领袖。其型号为G1V(A)10C的晶闸管是新电元推出的一款单向晶闸管，可广泛应用于负离子发生器、直流线路过载保护、HID（高强度放电）灯驱动电路等领域。

【产品】100V、3A源电流/4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器HIP2210、HIP2211

Renesas公司推出的HIP2210和HIP2211是100V，3A源，4A槽高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。

【产品】600V高压半桥门极驱动芯片，用于驱动高速MOSFET和IGBT

IXYS（LITTELFUSE收购）推出的IX21844是一款可用于驱动高速MOSFET和IGBT的高压半桥门极驱动器芯片，可提供1.4A的源电流和1.8A的灌电流，浮动高侧通道可以从公共基准驱动600V N沟道功率MOSFET或IGBT。非常适用于开关电源、电机驱动逆变器、直流/直流转换器、不间断电源（UPS）等应用领域。