Si87xx是业界第一个基于CMOS工艺的，与光耦完全引脚兼容的容耦隔离产品。对比光耦类的隔离产品有何优势？
Si87xx与光耦对比性能和可靠性优势如下：1、耐高温、老化、正向电流的影响；2、失效率低10倍，使用寿命更长；3、较高的瞬态抑制>50kv/μs（典型）；4、更低的功耗与前向二极管的输入电流。
数字电源项目中，想做一款隔离驱动设计，驱动两颗MOSFET做半桥驱动拓扑设计，要求驱动隔离器件的输出电流至少为1A，请问是否有合适型号推荐？
推荐Si8233BD-D-IS驱动隔离容耦，其最高输出电流为4A，安全隔离电压为5kvrms，SOIC-16宽体封装，内置两个独立的隔离容耦，并自带UVLO欠压锁定保护功能，整体设计简易
轨道交通门机控制选用Silicon Labs隔离驱动容耦SI8230BD-D-IS驱动半桥MOSFET，在实际测试输入输出信号波形，发现输出波形和输入波形相比，沿的陡峭度不够，一般是由什么原因引起的？
通过检查电路图，发现输出电路有10μF接地电容，怀疑电容值过大将一部分输出电压用于充电，导致输出波形沿的陡峭度不够，建议将电容值改小测试。
【方案】15kW电梯变频一体机优选器件方案
方案包括采用先进的电容耦合和OOK调制技术实现电容隔离技术的总线隔离器，0.25um CMOS技术工艺保证了在电梯变频一体机产品中使用隔离器的可靠性。
AC耦合和DC耦合区别？为什么有些ic可以两种耦合方式都支持
AC耦合就是通过隔直电容耦合，去掉了直流分量，DC耦合就是直流、交流一起过，并不是去掉了交流分量。至于两种耦合方式都支持的IC，具体以芯片的规格介绍为准
在半桥驱动上，有没有高边和低边集合在一起的双通道隔离驱动芯片？
推荐双通道隔离驱动芯片Si8235BD，它采用电容耦合技术，具有高隔离耐压功能，并且高边和低边驱动集成一体，输出电流达4A，适合半桥驱动应用。
充电桩控制系统内部的SPI和CAN等通讯隔离，需要多路双向的隔离芯片，要求高速且高隔离耐压，有合适的推荐吗？
推荐高速隔离通讯容耦Si8663BD，它集成6路隔离通道，正反各三通道，速度达10MBd甚至更高，工作绝缘达到1200V，适合高压系统间的SPI即CAN等通讯隔离应用。
在充电桩CAN通信电路设计中，需要使用隔离器件将内部通信电路与外界进行电气隔离，同时电路中没有隔离电源供外部电路使用，有没有合适的隔离产品进行推荐，可以满足电气 隔离并且无需额外的隔离电源？
目前CAN通信电路在与外界进行通讯时，为了保证电气绝缘和信号隔离，均需要隔离器件。实现隔离有三种方式：光耦隔离、磁耦隔离和容耦隔离。其中容耦隔离方式具有信号传输 速率快（最高150Mbps）、绝缘耐压更大、集成度更高等优势，适用于CAN通信电路。推荐使用Silicon Labs的Si88xx系列隔离产品，其自带反激电源控制，通过 外接反激变压器和阻容器件可实现隔离电源功能，从而满足电气隔离且无需额外的隔离电源的需求。
目前使用的驱动隔离芯片是东芝光耦TLX-9304，请问是否有替换芯片？
推荐Si8261BCD-C-IS，可进行功能替换。Si8261BCD-C-IS是容耦隔离，使用SiO2作为电介质，供电电压5V到30V，带低电压钳位保护，通过 AEC-Q100汽车级认证，具有很高的可靠性。
在设计小功率双向充电设备时，功率器件选用单管IGBT，开关频率运行在30kHz，请帮忙推荐合适的单管IGBT驱动？
单管IGBT运行在30kHz开关频率，建议选用Silicon Labs容耦隔离驱动Si8233BD，该驱动原副边耐压5kV，驱动电流4A，可支持4MHz以下的开关频率，封装 紧凑，非常适用于小功率IGBT单管的驱动。
在设计一款升压电源，功率器件选用的coolmos，希望选择一款传输速率较高的隔离驱动，可以满足coolmos的开关频率，同时封装兼容ACPL-341？
coolmos的开关频率一般可以达到100kHz，常规的驱动光耦传输速率不能满足需求。推荐使用Silicon Labs的隔离驱动Si8261BCD-C-IS，其驱动电流可达 到4A，传输方式采用容耦隔离，传输速率可以达到更高，满足coolmos驱动能力。
在设计一款高性能伺服驱动器时，为了提高开关频率、减小驱动器体积，采用了SiC MOSFET作为功率器件，请问如何设计驱动电路实现SiC MOSFET的驱动？
SiC MOSFET作为一种新型功率器件，其开关频率可以做到200KHz，这给其驱动电路带来新的需求。传统的驱动光耦由于其传输延时的特性，不能满足SiC MOSFET的驱动要求，推荐使用silabs的容耦驱动Si8233，其传输速率可达到150Mbps，完美实现SiC MOSFET的高频驱动。
时钟发生器Si5341的IN端输入来自FPGA的差分时钟输出LVDS信号，输出差分类型是DIFF_SSTL15（Bank是1.5V供电），请问怎样设计匹配电路？
DIFF_SSTL15差分信号输出I/O来自FPGA，FPGA的这个I/O口做了内部上拉，且有内部BUFFER，驱动能力较强，要实现匹配，SSTL与Si5341输入接口之间需要增加一个50欧姆电阻和0.1uF电容进行阻容耦合，输出电容在布线时建议靠近Si5341芯片。
数字隔离芯片Si8663采用了哪种隔离技术？有哪些特点？
数字隔离芯片Si8663采用的是电容隔离技术，以专利CMOS隔离技术为基础，输入信号通过高频调制，通过电容耦合到输出端，进行解调得到输出信号。具有5kVRMS的隔离、传输共模抑制比高达50kV/us、高集成度等特点。
通用变频器项目中在用TLP350隔离光耦，UVLO+阈值电压typ12.5V，为降低设计成本，想选择一款具备加强绝缘特性、性能参数相当的隔离驱动器，请问是否有合 适型号推荐？
推荐Si8220DD-D-IS容耦隔离驱动器，阈值电压UVLO+为12.5V（同TLP350），绝缘耐压5.0 kVrms（而TLP350为 3.75kVrms），工作温度–40℃~ +125 °C（而TLP350为-40℃~100℃），同时有通过加强绝缘认证（IEC 60950-1,IEC 61010-1,IEC 60601-1，VDE EN 60950-1），可满足设计需求。
变频器电机相电流检测方案采用电流检测电阻R（SENSE）+HCPL-7840电流检测光耦实现，想更换一款可pin to pin替代HCPL-7840的隔离器件，请问是否有合适型号推荐？
推荐Si8920BC-IP隔离容耦，有SOIC-16宽体封装和DIP8表面封装两种选择，其中DIP8封装可pin to pin替代HCPL-7840，产品特点如下：1、低压差分输入范围：±200mv；2、低信号延迟：仅0.75μs；3、输入失调电压0.2mv；4、增益误差<0.5%；5、卓越的漂移规格：1 μV/°C失调漂移、60 ppm/°C温度漂移；6、全数值范围内非线性误差：0.1%；7、高共模抑制75kv/μs；8、工作温度：-40℃~ +125℃；9、通过AEC-Q100认证。
集成运放输出不稳定怎么办？
不稳定的原因有：没有按集成运放使用说明中推荐的相位校正电路和参数值进行校正 电源退耦不好。退耦时除在电源端加接大电容外，还应并接瓷片小电容。电路连接时的分布电容影响。连接电路时，尽量减小分布电容，尤其应注意使集成运放的“+”输人端远离它的输出端。集成运放负载电容过大的影响。为消除自激振荡，就应减小负载电容，或在集成运放输出端外加输出功率更大的、高频响应更好的输出级电路。集成运放同相输入端接地电阻太大。解决的简便方法是在同相端对地电阻上并接电容，以形成高频旁路。集成运放输出端与同相端和调零端存在寄生电容。通常在低频电路中，不易出现自激，而在宽带放大器中，应注意消除寄生电容耦合。
轨道交通门控系统中，电机开关电源选用TLP-291-4（4路通信隔离），用量4颗，用于16路开关信号隔离，考量设计成本costdown，想更换多通道通信隔离产品，请问是否有合适型号推荐？
推荐Si8660BC-B-IS1 6路通信隔离容耦，使用3颗替换原设计中的4颗TLP-291-4即可。其中Si8660BC-B-IS1 隔离速率高达150Mbps，3.75kv安全隔离电压，工作温度–40℃ ~ 125 °C，主要特点如下：1、不需要启动初始化；2、宽的供电电压范围：2.5V~5.5V；3、在150 °C 可以达到60年以上的平均无故障时间；4、在5V供电电压下，1.6 mA/ch @ 1 Mbps，为业界最低功耗，比光耦低5倍；5、施密特触发器的输入；6、最好的时序特性，延迟降低3倍（<13ns），抖动降低2倍（<350ps）；7、通过了UL，CSA 和VDE 认证。
高压变频器控制板CAN总线通信隔离使用10MBd 6N137做通信隔离，为了降低成本，需要一款可pin to pin替代的通信隔离产品，是否有合适型号推荐？
推荐Si8716BC-A-IP 15MBd高速隔离容耦，具有多种封装选择SOIC-8、DIP8、SDIP6（SO-6拓展封装），支持模拟输入逻辑输出，2.5V到5.5V逻辑输出，可pin to pin替换6N137高速通信光耦。其产品特点如下：1、原边低输入电流IF：6mA（典型值）；2、宽范围副边VDD工作电压：2.5V~5.5V逻辑输出；3、更低的传输延迟仅为30ns；4、可达5000 VRMS安规隔离电压；5、具有高共模抑制能力>50kV/μs，VCM=1500V；6、具有10KV涌浪电压承受能力；7、宽温度工作范围：-40°C ~ +125°C。
伺服一体机（多轴系统）的功率器件选用IPM，之前选型时选择ACPL-P480，后基于低成本考量，想选择一款可替代的隔离方案，是否有合适IPM隔离器件推荐？
推荐Si8715BD-A-IS高速隔离容耦，具有多种封装选择SOIC-8、DIP8、SDIP6（SO-6拓展封装），支持模拟输入逻辑输出，2.5V到5.5V逻辑输出，可pin to pin替代ACPL-P480。其产品特点如下：1、原边低输入电流IF：6mA（典型值）；2、宽范围副边VDD工作电压：2.5V~5.5V逻辑输出 ；3、更低的传输延迟仅为30ns ；4、可达5000 VRMS安规隔离电压；5、具有高共模抑制能力>50kV/μs ，VCM=1500V；6、具有10KV涌浪电压承受能力； 7、宽温度工作范围：-40°C ~ +125°C ；另外如果是多通道数字隔离方案，推荐Si8660BD-B-ISR，可替换6pcs ACPL-P480，这样会使设计的性价比更好。
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