线性光耦输出为连续变化的模拟电压，普通光耦输出为高低电平。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-01-10
DC-DC，LDO及电平转换推荐国产圣邦微。其他的暂时没有国产的器件，但是有Silicon labs的容隔离芯片，比光耦的通信速率更快，CMTI更高；二极管有京瓷和新电元的；TVS管有littelfuse的，性能优于国产。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-09-19
电容一般起到隔直流、通交流和滤波作用，光耦原边并联电容不会导致光耦失效的。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-03-12
引线式电容无论是体积和容值以及耐压都可以做的更大。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-13
这个问题在datasheet P6 table6里有表述。VAIP、VAIN对GNDA范围为：-0.5~ VDDx+0.5V，其中VDDx代表输入电压和输出电压VDDA和VDDB，范围均为3V~5.5V，即VAIP、VAIN对GNDA范围为:-0.5V~6V（Max）。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-06-29
目前CAN通信电路在与外界进行通讯时，为了保证电气绝缘和信号隔离，均需要隔离器件。实现隔离有三种方式：光耦隔离、磁耦隔离和容耦隔离。其中容耦隔离方式具有信号传输
速率快（最高150Mbps）、绝缘耐压更大、集成度更高等优势，适用于CAN通信电路。推荐使用Silicon Labs的Si88xx系列隔离产品，其自带反激电源控制，通过
外接反激变压器和阻容器件可实现隔离电源功能，从而满足电气隔离且无需额外的隔离电源的需求。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-12-25
coolmos的开关频率一般可以达到100kHz，常规的驱动光耦传输速率不能满足需求。推荐使用Silicon Labs的隔离驱动Si8261BCD-C-IS，其驱动电流可达
到4A，传输方式采用容耦隔离，传输速率可以达到更高，满足coolmos驱动能力。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-05-02
SiC MOSFET作为一种新型功率器件，其开关频率可以做到200KHz，这给其驱动电路带来新的需求。传统的驱动光耦由于其传输延时的特性，不能满足SiC
MOSFET的驱动要求，推荐使用silabs的容耦驱动Si8233，其传输速率可达到150Mbps，完美实现SiC MOSFET的高频驱动。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-03-31
光耦容易坏，主要有以下4个原因，请逐一排查：1、首先要查清是原边容易坏、还是副边容易坏；2、要注意工作电压，是否超标了？或，是否在干扰源，容易产生浪涌等高压、致光耦损坏？3、光耦的输入侧，其实就是发光二极管，限流电阻是否选小了？4、光耦的输出侧，相当于三极管，其通过电流能力也有限制，此处是否超标？
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-17
SHARP的PC929光耦隔离驱动芯片是SOP-14封装，14pin设计不与其他产品pin-pin兼容，市面上几乎找不到可pin-pin替代的产品。PC929驱动光耦同时因停产原因，建议改动设计，其设计缺点总结如下：1、PC929不具备软关断功能，保护时关闭IGBT会引起母线电压大幅度上升，对IGBT造成过压损耗，实际设计时需要额外的保护设计，增加设计成本。2、PC929故障反馈端FAULT
PIN内部是没有保护功能的，实际设计时需要一颗额外的外部光耦做信号隔离完成故障信号的反馈，也会增加设计成本。总之，PC929的封装决定了没有完全兼容的设计产品，同时因其设计的不完美，需要额外的补偿电路设计增加设计成本的同时，也会增大功率驱动电路的体积，估计这些也是该光耦走向停产的原因。3、PC929产品特点补充：峰值驱动电流最大为0.4A，工作温度为-20℃~80℃，没有集成米勒钳位功能、没有集成欠压保护、过流保护反馈信号pin内部没有集成高速低衰减反馈光耦、无IGBT软关断功能等 针对非pin to pin替代，推荐世强代理的Siliconlabs SI8286和Renesas PS9402，两者的设计优势如下：1、SI8286容耦隔离驱动芯片不带软关断功能，SOIC-16封装，峰值输出电流为4A（直接驱动更大功率的IGBT，评估可以省略外部推挽，缩小P板体积），工作温度-40℃~125℃（在高温环境下工作稳定，衰减小），集成欠压保护、IGBT过流保护、具有过流保护反馈信号、不具有IGBT软关断&米勒钳位功能。2、PS9402带智能保护的光耦隔离驱动芯片，SOIC-16封装，峰值输出电流为2.5A（直接驱动更大功率的IGBT，评估可以省略外部推挽，缩小P板体积），工作温度-40℃~110℃（在高温环境下工作稳定，衰减小），集成欠压保护、IGBT过流保护、具有过流保护反馈信号、具有IGBT软关断&米勒钳位功能。SI8286和PS9402最大的差异是：SI8286不具有软关断功能，而PS9402具有；同时PS9402可pin to pin兼容ACPL-332J/ACPL-330J，后期设计不会出现单一source状况。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-20
本方案通过采用高集成IGBT PIM模块、小体积SO8封装霍尔电流传感器芯片、6通道通信隔离容耦以及其他相关联的元器件，可实现系统的紧凑型设计。同时，大部分物料为世强常备库存，价格较同类产品低10%以上，有效降低系统成本。
优选器件方案
发布时间 : 2018-06-12
为了避免CAN控制器和CAN收发器的电气不一致，需在二者之间加隔离芯片。传统的CAN隔离使用光耦较多，也推荐使用Silicon Labs的容隔离Si8621。与传统光耦隔离相比，采用Si8621隔离芯片设计的电路功耗低，数据传输速率高，时序精度高，瞬态共模抑制比优，信号传输方向灵活，硬件电路简单。在CAN总线接入端与地之间分别反接两个保护二极管，如果CAN总线上有较高的负电压，通过二极管的短路起到一定的过压保护作用。收发模块连接的CAN总线两端并联了一个电阻，这个电阻作为数据收发终端对总线起了阻抗匹配的作用，防止数据在线端被反射，影响数据传输。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-03-12
世强有代理silicon labs高速容耦隔离芯片，为集成多通道高速数字隔离芯片，支持通道数量1~6路，支持最高速率可达150MBd，推荐型号为SI86xx，建议选择集成通路更多的型号，可节省大量的PCB空间，同时也可大幅降低设计成本。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-05-31
推荐高速隔离通讯容耦Si8663BD，它集成6路隔离通道，正反各三通道，速度达10MBd甚至更高，工作绝缘达到1200V，适合高压系统间的SPI即CAN等通讯隔离应用。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-03-07
一般通过串联固定电阻,用示波器测试电压的方法测试光耦导通电流
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-01-24
光耦的主要选型参数是输入端正向电压,正向电流,输入输出电流传输比和隔离电压
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-01-24
世强代理的品牌RENESAS这边有光耦类的产品，包括通讯光耦及隔离驱动光耦。目前这几款光耦： PS9531L3、 PS9031、 PS9402是主推的，并且有大量备货，数据手册可通过世强元件电商APP搜索下载。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-30
容性触摸按键，有着“酷炫、方便、功能强大”等优点，不仅手机，就连微波炉，油烟机，空气净化器等等正大面积得到应用。
设计经验
发布时间 : 2017-11-15
推荐Si8220DD-D-IS容耦隔离驱动器，阈值电压UVLO+为12.5V（同TLP350），绝缘耐压5.0 kVrms（而TLP350为
3.75kVrms），工作温度–40℃~ +125 °C（而TLP350为-40℃~100℃），同时有通过加强绝缘认证（IEC 60950-1,IEC
61010-1,IEC 60601-1，VDE EN 60950-1），可满足设计需求。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-09-28
容性触摸按键使用寿命基本等同芯片的寿命，只要芯片可以用，它就可以工作。可应用于墙壁开关、电磁炉、油烟机、工业控制面板等。
设计经验
发布时间 : 2017-11-06
以简单的四脚光耦为例，里面集成发光二极管和光敏三极管，方法一：采用比较法测试，拆下怀疑有问题的光耦，用万用表测量其内部二极管、三极管的正反向电阻值，用其与好的光耦对应脚的测量值进行比较，若阻值相差较大，则说明光耦已损坏。 方法二、假设1脚为二极管正极，在1，2两脚串连一个LED灯并连上低压电源。在另一端量测电阻值，有值。断开电源后无穷大则代表光耦是好的。否则是坏的。另外光耦的原理是在输入端导通时，内部产生强光给内部三极管（可以想象为NPN型三极管）使之导通。注意搭电路测试时输出端要有上拉电压才能保证信号传输。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-05
本方案所选器件，具有容性检测灵敏度高、安装方便、功耗低、性价比高的优点，可为用户带来安装简单、操作体验好、系统成本低等实实在在的好处。
优选器件方案
发布时间 : 2017-11-22
Si8715BD-A-ISR是Silicon Labs推出的15MBd SDIP6封装的高温数字CMOS容耦隔离器，由于其基于Silicon Labs独有专利的CMOS隔离工艺，其隔离电压可达5.0 kVrms，另外通过汽车级AEC-Q100认证，工作温度范围可达-40°C至125°C。可pin to pin替换业内常用的隔离光耦ACPL-P480。
设计经验
发布时间 : 2018-05-17
基于CMOS工艺的栅极驱动光耦提供了比传统光耦驱动器可观的性能和可靠性收益，电源设计不在难。
厂牌及品类
发布时间 : 2016-05-27
光耦PS9402是一款经典的IGBT驱动智能保护光耦，该光耦具有软关断功能。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-24
在智能锁上，因空间狭小且EFM8SB10容性检测非常灵敏，因此，射频对容性触摸的干扰，不可避免，但可以参考如下方法消除干扰：
1、观察干扰数据特征，可以通过用数字滤波的方式，将干扰去掉；
2、在现实中，在对智能锁的操作上，按键操作与刷卡操作，一般不会同时进行，因此，当划卡时，可以根据需要，停止容性触摸按键操作。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-01-30
世强这边没有代理东芝的光耦产品，不过我们RENESAS有光耦产品如PS9531，PS9402,PS9031等。另外SILICON LABS的电容隔离产品，如SI87XX和SI826X系列产品，具有高速、高可靠性、高隔离性能及长寿命等优势特性，可以替换光耦。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-05
世强代理的罗杰斯板材中，常用的适合埋阻的高频板材有CLTE，RT/duriod 6202等，详见下图。rogers板材暂时不提供埋容铜箔。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-05-25
Si871x/2x速度最高15Mbps，失效率比光耦低10倍。
新产品
发布时间 : 2017-01-12
光耦在使用中需要注意事项如下：1、 首先需要注意的是光耦的工作条件，比如供电电压和输入电流不能超过其最大值。2、 光耦直接用于隔离传输模拟量时，要考虑光耦的非线性问题；3、光耦隔离传输数字量时，要考虑光耦的响应速度问题；4、如果输出有功率要求的话，还得考虑光耦的功率接口设计问题。光耦失效一般有以下几种：1、 点胶工艺控制不佳导致胶开裂、起皮；2、光耦内部材料间热膨胀系数不匹配；3、 塑料和内部有机胶吸潮发生“爆米花效应”；4、内部沾污或水解氯导致腐蚀产生；5、外部电路异常导致光耦失效。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-13
PS9402是一款性价比极高的内置IGBT保护的门极驱动光耦。
新产品
发布时间 : 2017-05-18
世强代理的Silicon Labs（芯科）的有车规级容隔离高速隔离器。可到世强元件电商平台搜索相关资料内容。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-27
隔离目前主流的方案包括光耦隔离、磁隔离和电容隔离，不同的隔离方式对应不同的应用。光耦隔离技术成熟、应用广泛但存在光衰，寿命受限等问题；磁隔离传输速率高但容易受电磁干扰；电容隔离传输速率高、寿命长，是目前高速隔离较为理想的方式。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-05
隔离方案有电容容隔离、变压器磁隔离、光耦隔离等方式。光耦隔离的优势是信号单向传输，输入端与输出端完全实现电气隔离，输出信号对输入端无影响，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-16
SiC MOS管的开关频率一般比较高，在该电路中应用于50kHz，常规的驱动光耦不能满足其传输速率要求。推荐采用Silicon Labs的容耦驱动，传输速率快，信号延迟小，
满足50kHz开关频率要求。同时，SiC MOS管驱动电压要求正电压≥18V，所以需要给该驱动设计+18V/-4V供电电压，以保证SiC MOS管的饱和导通和可
靠关断。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-03-13
隔离耦合器件及放大器合辑资讯大合集：低功耗放大器，光耦隔离放大器，瑞萨光耦，门极驱动光耦，逆变器,数字隔离器。
专题合辑
发布时间 : 2017-06-20
TT electronics发布的新型1900薄型DIP封装电阻器系列，绝对容差为±0.1％，容差一致性为±0.05％，绝对温飘为±15ppm/℃，温飘一致性为±5ppm/℃。IRC 1900系列薄型封装在零件的安装中确保使用寿命具有出色的持续性能。
新产品
发布时间 : 2018-02-01
单管IGBT运行在30kHz开关频率，建议选用Silicon Labs容耦隔离驱动Si8233BD，该驱动原副边耐压5kV，驱动电流4A，可支持4MHz以下的开关频率，封装
紧凑，非常适用于小功率IGBT单管的驱动。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-06-29
DSLP偏压系列SOT23-6 SIDACtor®保护晶闸管，具有容性负载特性，还提供高达35A（8/20μs）的稳定浪涌额定值，是高带宽应用的理想选择。
新产品
发布时间 : 2016-08-18
在伺服控制器设计中进行光耦选型，需要考虑其输出驱动能力、开通关断时间以及门极瞬态输出电流等参数。
器件选型
发布时间 : 2017-06-06
可以采用移相触发的方式，通过光耦把脉冲信号，输出到可控硅的门极，控制可控硅的开通角度，从而实现调压控制。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-17
TT Electronics推出CHC系列的绝对容差±0.1%，噪声小于-25dB，采用TaNFilm®工艺，终端符合RoHS标准，适用于高度可靠性，稳定性，准确性和低噪声的应用中。
新产品
发布时间 : 2018-02-25
TT Electronics近日发布了全新的4kV高压芯片电阻器系列，容差低至0.5％，连续电压高达3kV，过载电压高达4kV，为精密与信号处理应用提供了极高水平的可靠性和稳定性。新的HVC系列电阻器使用了先进的金属膜技术，为精密与信号处理应用提供了极高水平的可靠性和稳定性。
新产品
发布时间 : 2018-02-01
推荐Si8920BC-IP隔离容耦，有SOIC-16宽体封装和DIP8表面封装两种选择，其中DIP8封装可pin to pin替代HCPL-7840，产品特点如下：1、低压差分输入范围：±200mv；2、低信号延迟：仅0.75μs；3、输入失调电压0.2mv；4、增益误差<0.5%；5、卓越的漂移规格：1 μV/°C失调漂移、60 ppm/°C温度漂移；6、全数值范围内非线性误差：0.1%；7、高共模抑制75kv/μs；8、工作温度：-40℃~ +125℃；9、通过AEC-Q100认证。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-06-08
EFM32系列芯片支持容性信号检测，并且LESENSE接口还支持感性(LC)和一般的模拟传感器。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-11-29
互锁电路不能使用Si8712替换光耦。Si8712可以承受的反向电压小于0.3V。如果使用Si8712替换光耦，器件会因为无法承受反向电压而损坏。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-28
在驱动光耦内部输出端有一对mos管，作用是增大光耦的驱动电流。在光耦输出高电平时，随着IGBT的栅极电容持续充电，驱动电流也在不断变化，此时光耦内部的MOS管压降也在不断变化。在设计驱动光耦副边电源电压值时，要根据光耦Datasheet给出的驱动，充分考虑驱动电流在极限值时的MOS管压降，保证此时的输出驱动电压高于+15V，IGBT工作在深度饱和状态。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-11-08
RENESAS推出的PS9031 IGBT驱动光耦， 驱动输出电流上能达到2.5A，共模抑制比CMTI达50KV/us，信号传输延时时间为175ns，工作温度可达-40℃-125℃。
新应用
发布时间 : 2018-03-08
选用了EFM8SB10F8做容性触摸按键，这的确属于模拟功能。容性触摸通道都要配置为模拟口，但容性触摸外设不需要参考电压，因此，也不需要VREF脚的参考电压。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-29
驱动光耦Si8715BD-A-IS为高电平输入高电平输出方式，不带反向功能，其VDD供电电压范围为2.5到5.5V，共模抑制比可以达到50kV/μs，速度可以达到15 Mbps，延迟时间是30 ns，经过AEC-Q100车规级认证，工作温度范围–40 to +125 °C，2.5kVRMS隔离，封装DIP8/GW。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-24
TT Electronics推出的CHC精密系列陶瓷球栅阵列电阻，采用陶瓷BGA封装，绝对容差为±0.1％，阻值范围为10Ω~100KΩ，符合RoHS标准，非常适合要求高度可靠性、稳定性、准确性以及低噪声的应用使用。
新产品
发布时间 : 2018-03-04
因为Renesas PS9031 IGBT驱动光耦体积比TL152尺寸小，可以同时把两个光耦设计到一个位置上。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-02-06
正常情况下当光耦PS9031-Y-V-F3-AX的输入侧发光二极管导通时，光耦内部的推挽输出MOS上管是导通的。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-08-26
光耦PS9402和光耦ACPL-330J不可以做到pin to pin替换，首先从驱动能力来讲，330J驱动能力是1A，PS9402是2.5A；其次FAULT管
脚复位方式不一样，330J是自动复位的。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-07-29
当选用EFM8SB10F8做容性触摸按键时，如果要实现快速检测容性通道、判断有无按键按下，可按如下操作：
1、在EFM8SB10F8寄存器CS0CF中，将 CS0MCEN位置1，即实现了内部绑定；
2、执行转化，比较有按键按下同无按键按下的值的区别，判断是否有按键按下；
3、需要注意的是，当判断有按键按下后，如果需要逐一检测开启的容性触摸通道，要将 CS0MCEN位清0，以解除绑定。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-29
在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-05-28
选用8位MCU EFM8SB10F4G做容性触摸按键，在容性触摸按键采集的时候，如果数据跳动大，即噪声大的处理方式，具体如下：
1、首先检查是什么原因造成的，如果是硬件，先看是否可以通过修改硬件的方式来避免，如何可以，则优先从硬件源头来解决；
2、如果通过硬件无法解决的，或者噪声不是太大的，可以通过去极值、过采样求平均等数字滤波方式来去除。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-29
在使用EFM8SB10F4做容性触摸按键时，在容性触摸按键采集的时候，会收到旁边的状态灯干扰，去除干扰的措施如下：
1、如果后续改板，数据线尽量远离按键区；
2、如果避免不了的，请尽量在数据为单一状态下，即在数据为1的时候，或数据为0的时候采样；
3、如果无法实现在数据为单一状态下采样的，在数据线不同状态下采样后，要将采样的数据根据数据线的不同状态进行修正。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-29
世强代理有Renesas的驱动光耦PS9031（可替代ACPL-W34x）、PS9531（可替代ACPL-T350）、PS9402（可替代ACPL-33xJ）等。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-02
驱动光耦PS9031具有以下特点，2.5A驱动电流，高达50 kV/μs MIN的共模抑制比，抗电磁干扰能力更强，更宽温度范围-40~125℃，低成本，高可靠性。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-03-31
PS9031是目前市场上性价比最高的光耦隔离驱动器，其隔离电压最高可达5KV，能持续在高温环境下工作，因此在工业领域的得到了广泛的应用。
新产品
发布时间 : 2016-11-02
可控硅模块是通过电流加在栅极实现触发导通的，光耦实现的是电气隔离功能，单向可控硅实现触发电流的通断控制。在触发时，采用脉冲驱动光耦，实现单向可控硅的导通，从而触发可控硅模块。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-01-29
开关电源有两种控制方式，频率调试和PWM调制，通过光耦进行原副边隔离，将输出电压采样传递到电源IC，从而控制输出不同占空比的PWM波，光耦传递的是电位信号，分原边和副边
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-22
一般小功率继电器既可以用三极管也可以用光耦，由于光耦驱动能力有限，大功率继电器一般用三极管来做。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-25
Melexis单点红外测温产品MLX90614另一种通信模式SMBus下的去耦设计。
设计经验
发布时间 : 2017-07-30
ADI和TI主要采用磁隔离技术，而Silicon labs采用的容隔离技术，相比用集成变压器做磁隔离技术，容隔离成本会更低，同时EMI特性好，CMTI高可达100KV/us，信号传输延时时间更低，传输速率可达150Mbts，同时ilicon labs的产品具有车规级认证，可靠性上更有保障。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-08-13
两种非pin to pin替代PC929隔离驱动解决方案：1、Renesas PS9402隔离驱动光耦，具有过流保护反馈信号、具有IGBT软关断＆米勒钳位等功能；2、Silicon labs SI8286隔离驱动容耦，高峰值输出驱动电流达4A。
设计经验
发布时间 : 2018-04-26
Renesas主推三款驱动光耦PS9031、PS9531、PS9402均具备50KV/μs高共模抑制能力，是低成本高性能的首选。
设计经验
发布时间 : 2018-02-01
瑞萨的驱动光耦PS9031不是轨对轨输出，其输出电平最小为VCC-3.0，典型值为VCC-1.3，最高接近VCC，因此供电电源不能太低。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-12
TT Electronics公司推出的OPI150和OPI153都是光耦隔离器，而OPI155是一款高速光耦隔离器。它们输入到输出隔离电压为±50kVDC，电气隔离为50 kV，是高压隔离的理想选择。
新产品
发布时间 : 2018-03-01
这个应该归类于CAN通讯隔离设计问题，建议改善如下：1、首先，CAN传输线用双绞线，双绞线的绞节越密，则效果越明显。2、其次，进一步可采用屏蔽线，单线屏蔽后再双绞，效果好于双绞线加屏蔽。3、再次，可采用通信隔离处理，推荐选用silicon labs 通信隔离容耦SI8621/SI8622，隔离MCU和CAN收发器。4、最后，可通过修改软件算法提高抗干扰能力。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-05-11
世强代理Kendeil的铝电解电容的最大耐压600V,最大电容达1500000uF
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-22
OPI1268是TT electronics推出的一款具备高速数据传输能力的数字输出高压隔离光耦。主要针对数据传输的高电压隔离、设备电源隔离等应用。其数据传输速率最高可达2MBd，隔离电压可达16kVDC。
新产品
发布时间 : 2016-08-10
以Silicon Labs Si88x系列Digital数字隔离器（集成dc-dc变换器）为例。和传统的光耦器件相比，芯科的数字隔离器尺寸更小，功耗更低，性能更好，稳定性更强。
器件选型
发布时间 : 2018-04-11
如果MOSFET的开关频率在50kHz以下，驱动光耦PS9031-Y-V-F3-AX是可以替代ACPL-W346的，如果频率再往上，用PS9031来驱动会造成信
号丢失。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-31
PS9031是Renesas主推的驱动光耦，可pin to pin替代ACPL-W340。PS9031特点：• 长爬电距离，最小为8mm• 大峰值输出电流，最大可达2.5A，最小为2.0A• 高速转换，最大转换时间为175 ns• UVLO欠压锁定（保护滞后）• 高共模抑制比，可达±50 kV/μs MIN• 工作环境温度：可在最高125℃环境下工作• 无铅无卤素焊接工艺• 安全标准：--UL 认证，UL1577双重保护 --CSA 认证：CA5A，CAN/CSA-C22.2 No.60065，CAN/CSA-C22.2 No.60950-1，强化绝缘--VDE 认证：DIN EN 60747-5-5 （Option）
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-07-11
Renesas公司的模拟输出光耦隔离放大器PS8551AL4，具有高共模瞬变抑制（CMTI）、高线性度、高隔离电压和低输入偏置电流等优点，可以用于电流和电压检测。
新产品
发布时间 : 2017-11-27
输出电容的作用是滤除电流纹波使之变得平滑趋于直流的恒流特性。取值大小根据负载额定工作电流而定。一般来讲，500mA工作电流可选择电解电容的容值470uF~1000uF即可。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-03-03
世强代理了SILICON LABS数字隔离器件，与传统光耦相比，它的优势主要有以下4个方面：1、使用寿命长。光耦存在光衰，而SILICON LABS数字隔离器件是基于CMOS工艺、使用的是射频隔离技术，不存在光衰，使用寿命可达60年；2、速率高。SILICON LABS数字隔离器件最高速率高达150Mbps，而普通光耦无法达到；3、功耗低。SILICON LABS数字隔离器件，是基于CMOS工艺，是电压型器件，功耗低，所需驱动电流也很小；4、体积小。SILICON LABS数字隔离器件多采用SO封装，并将多通道集成在一起，相应的，单个通道占用体积非常小。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-16
推荐驱动光耦PS9031，该光耦爬电距离为8mm，驱动峰值电流可以达到2.5A，具有高速开关特性（tPLH，tPHL=175ns MAX），具有欠压锁定功能，共模抑制比可以达到50kV/us，运行环境温度可以达到125摄氏度，无铅认证，封装为贴片型5PIN SOP，工作峰值隔离电压为1130V，通过UL、CSA、VDE安全标准认证。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-12
杂散电容的容值和频率相关，一般不进行单独的测试。如果对系统性能的影响太大，可以通过外部匹配的方式来减少对系统的影响。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-09-15
Kyocera汽车级晶振CX3225(尺寸3.2X2.5mm，频率范围从8MHz到54MHz)及CX2016(尺寸只有2.0X1.6mm，频率范围从16MHz到60MHz)系列产品。频率容差范围可以做到+/-10ppm。
新应用
发布时间 : 2018-01-11
使用Si51210芯片时，在VDD和VSS引脚之间需要增加0.1uF的去耦电容，布板时这个电容尽量放置在靠近芯片VDD的引脚位置，且VDD和去耦电容之间不能布置过孔。另外靠近VDD电源侧也需要增加一个10uF的电容，这个电容靠近外部电源输入端。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-06-13
用于电流检测的光耦PS8352的输入阻抗是450kΩ，其输出阻抗是4Ω。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-03-27
普通光耦传输速度比较慢，推荐使用世强代理的Silicon Labs的数字隔离Si8621和Si8642。Si8621是2通道，150 Mbps速率隔离，Si8642是4通道，1 Mbps速率隔离。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-29
这需要根据产品的需求来确定，继电器输出电流较大，而光耦载流能力小。我们建议推荐Silicon labs品牌的IO数字隔离器SI86XX，超高性价比。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-08
这里推荐三款驱动光耦型号分别是不带保护的PS9531、PS9031和带保护的PS9402。三款驱动电流都为2.5A，驱动1A负载完全没问题。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-17
数字隔离器Si8660的传输延时PWD比光耦受温度影响小，光耦在69 °C 温度条件下，性能变差至6 ns。而Si8660Bx PWD在-40°C 至+125°
C温度范围内低得多，在69°C时偏离3ns ，在+125°C 时偏离也只有4.5ns。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-06-12
具体的测试方法可以参考规格书给定的电压，温度及电流值去进行相关CMTI的测试，对于高电平和低电平也可以参考具体的datasheet；具体的测试设备有一家上海公司海悦提供的CMRR2.0测试仪，具体可以参考。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-08
Renesas的驱动光耦PS9402为世强常备库存，供货稳定，出货量大，可pin to pin完美替换ACPL-332J/ACPL-330J。
设计经验
发布时间 : 2017-09-11
推荐Renesas PS9531L3-V-E3-AX驱动光耦，两颗光耦的管脚定义略有不同，驱动光耦HCPL-3120的pin6&pin7均是Vo，而
PS9531的pin6是Vo，而pin7是NC，不影响，可以替代。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-01-15
Renesas PS9531 IGBT驱动光耦输出驱动电流达到2.5A，最小是2A，绝缘电压可以达到5KV，工作隔离电压可以到1130V。
新产品
发布时间 : 2017-09-03
LinkSwitch-HP可在9W~90W的功率范围内提供极为严格CV调节，集成保护以及自动重启功能。
新产品
发布时间 : 2017-06-20
TT公司的OPI1290光耦隔离器的LED波长为890nm，能够在-20℃~+75℃的温度范围内工作
新产品
发布时间 : 2017-12-02
Silicon Labs推出的隔离式栅极驱动器Si8261可替代传统的光耦隔离方案，无论从成本，还是产品可靠性上均更具优势，相信会成为未来主流的高性价比设计方案。
新应用
发布时间 : 2016-09-17
Renesas带IGBT保护的门极驱动光耦PS9402具有2.5A驱动电流，内置IGBT保护功能，通过门极驱动光耦PS9402的DESAT引脚连接到IGBT的C极，实现负载短路保护电路，通过Fault引脚向微控制器发送故障信号实现IGBT的保护。
设计经验
发布时间 : 2018-06-04
8位MCU EFM8SB10F8做容性触摸按键设计时，由于EFM8SB10F8在做容性检测时精度非常高【16位精度、最小1fF分辨率】，对电路非常敏感，因此，对
于未使用的管脚，为了电平稳定，要做接GND处理。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-31
隔离驱动芯片（光耦、容耦、磁耦）的发热主要原因一般集中在副边输出驱动级采用的开关管上，当然，像ACPL-32JT的高发热原因是原边内置开关MOSFET导致的属于
特例，而SI8261副边输出驱动级开关管采用P-MOS+N-MOS设计，P-MOS的内阻相对很大，在高开关频率200KHz下，开通损耗相对更大，发热会很高，同时
参考datasheet中的Figure 7. (SDIP6)，如附件，环境温度与输出功耗关系曲线，在25℃开始出输出功耗衰减，80摄氏度输出功耗衰减接近一半，从
1000mW到500mW，故设计时要考虑降额处理，同时加强芯片散热。
解决办法：
建议客户在SI8261芯片下多铺些铜做散热以改善。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-03-12
对于用8位 MCU EFM8SB10F8做容性触摸开关，在实现低功耗上，可用如下措施：
措施一：通过“工作--休眠--”的功耗模式切换来实现降低平均电流。
EFM8SB10F8有多个工作模式。其中，在活动模式下，功耗仅为88uA/MHz；在休眠模式下，电流仅50nA@sleep with Port Match唤
醒，或600nA@sleep with RTC唤醒。在开关的实际工作中，只是偶尔去操作、不会持续工作，因此，产品可进行：工作-->休眠-->唤醒-->工作
-->休眠-->。。。切换（唤醒时间仅2us），在此产品中，用到的唤醒模式是RTC唤醒，唤醒周期可设为500ms，唤醒一次，工作50us，如此，可获得极低的平均
功耗。
措施二：通过使用EFM8SB10F8内部容性触摸通道绑定功能降低功耗。
在容性触摸开关产品中，会用到容性触摸功能，在MCU唤醒后、检测是否有按键按下时，可以利用EFM8SB10F8容性触摸通道内部绑定功能，只进行一次转换，既可知道
是否有按键按下，从而节约转换时间、节约功耗。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-04
TT公司推出的光耦隔离器HCC240/HCC242（TX/TXV），输入-输出隔离电压最小值为±1.0kVDC，按照MIL-PRF-19500或ESA 5000标准进行加工，适合军事和航空航天应用。
新产品
发布时间 : 2018-02-09
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