隔离、电流传感、IGBT驱动光耦，成本降低 10%，技术成熟可靠，全面替代传统光耦。
完美替代A牌光耦,价格低10%。2.5A驱动电流，高达50 kV/μs MIN的共模抑制比，抗电磁干扰能力更强，更宽温度范围-40~110/125℃，5000V隔离电压。
|
|
|
【方案】高安全性地铁屏蔽门门机驱动控制器优选器件方案
本方案通过采用隔离电源芯片、隔离驱动容耦、高精度隔离电流检测放大器、集成 6 通道的通信隔离容耦、以及其他相关联的元器件，可实现系统的高安全性。
目前使用的驱动隔离芯片是东芝光耦TLX-9304，请问是否有替换芯片？
推荐Si8261BCD-C-IS，可进行功能替换。Si8261BCD-C-IS是容耦隔离，使用SiO2作为电介质，供电电压5V到30V，带低电压钳位保护，通过 AEC-Q100汽车级认证，具有很高的可靠性。
能不能推荐些国产器件,比如光耦，DC-DC，LDO，电平转换，二极管/TVS等。
DC-DC，LDO及电平转换推荐国产圣邦微。其他的暂时没有国产的器件，但是有Silicon labs的容隔离芯片，比光耦的通信速率更快，CMTI更高；二极管有京瓷和新电元的；TVS管有littelfuse的，性能优于国产。
电流检测容耦Si8920BC-IP的datasheet上面只提到了AIP AIN的差分输入范围在+/-200mv之间，AIP AIN相对于GNDA的范围是多少？
这个问题在datasheet P6 table6里有表述。VAIP、VAIN对GNDA范围为：-0.5~ VDDx+0.5V，其中VDDx代表输入电压和输出电压VDDA和VDDB，范围均为3V~5.5V，即VAIP、VAIN对GNDA范围为:-0.5V~6V（Max）。
光耦容易坏，有哪些原因？
光耦容易坏，主要有以下4个原因，请逐一排查：1、首先要查清是原边容易坏、还是副边容易坏；2、要注意工作电压，是否超标了？或，是否在干扰源，容易产生浪涌等高压、致光耦损坏？3、光耦的输入侧，其实就是发光二极管，限流电阻是否选小了？4、光耦的输出侧，相当于三极管，其通过电流能力也有限制，此处是否超标？
在充电桩CAN通信电路设计中，需要使用隔离器件将内部通信电路与外界进行电气隔离，同时电路中没有隔离电源供外部电路使用，有没有合适的隔离产品进行推荐，可以满足电气隔离并且无需额外的隔离电源？
目前CAN通信电路在与外界进行通讯时，为了保证电气绝缘和信号隔离，均需要隔离器件。实现隔离有三种方式：光耦隔离、磁耦隔离和容耦隔离。其中容耦隔离方式具有信号传输 速率快（最高150Mbps）、绝缘耐压更大、集成度更高等优势，适用于CAN通信电路。推荐使用Silicon Labs的Si88xx系列隔离产品，其自带反激电源控制，通过 外接反激变压器和阻容器件可实现隔离电源功能，从而满足电气隔离且无需额外的隔离电源的需求。
在设计一款升压电源，功率器件选用的coolmos，希望选择一款传输速率较高的隔离驱动，可以满足coolmos的开关频率，同时封装兼容ACPL-341？
coolmos的开关频率一般可以达到100kHz，常规的驱动光耦传输速率不能满足需求。推荐使用Silicon Labs的隔离驱动Si8261BCD-C-IS，其驱动电流可达 到4A，传输方式采用容耦隔离，传输速率可以达到更高，满足coolmos驱动能力。
在设计一款高性能伺服驱动器时，为了提高开关频率、减小驱动器体积，采用了SiC MOSFET作为功率器件，请问如何设计驱动电路实现SiC MOSFET的驱动？
SiC MOSFET作为一种新型功率器件，其开关频率可以做到200KHz，这给其驱动电路带来新的需求。传统的驱动光耦由于其传输延时的特性，不能满足SiC MOSFET的驱动要求，推荐使用silabs的容耦驱动Si8233，其传输速率可达到150Mbps，完美实现SiC MOSFET的高频驱动。
PC929驱动光耦，可以用什么替代，最好是pin对pin的
SHARP的PC929光耦隔离驱动芯片是SOP-14封装，14pin设计不与其他产品pin-pin兼容，市面上几乎找不到可pin-pin替代的产品。PC929驱动光耦同时因停产原因，建议改动设计，其设计缺点总结如下：1、PC929不具备软关断功能，保护时关闭IGBT会引起母线电压大幅度上升，对IGBT造成过压损耗，实际设计时需要额外的保护设计，增加设计成本。2、PC929故障反馈端FAULT PIN内部是没有保护功能的，实际设计时需要一颗额外的外部光耦做信号隔离完成故障信号的反馈，也会增加设计成本。总之，PC929的封装决定了没有完全兼容的设计产品，同时因其设计的不完美，需要额外的补偿电路设计增加设计成本的同时，也会增大功率驱动电路的体积，估计这些也是该光耦走向停产的原因。3、PC929产品特点补充：峰值驱动电流最大为0.4A，工作温度为-20℃~80℃，没有集成米勒钳位功能、没有集成欠压保护、过流保护反馈信号pin内部没有集成高速低衰减反馈光耦、无IGBT软关断功能等 针对非pin to pin替代，推荐世强代理的Siliconlabs SI8286和Renesas PS9402，两者的设计优势如下：1、SI8286容耦隔离驱动芯片不带软关断功能，SOIC-16封装，峰值输出电流为4A（直接驱动更大功率的IGBT，评估可以省略外部推挽，缩小P板体积），工作温度-40℃~125℃（在高温环境下工作稳定，衰减小），集成欠压保护、IGBT过流保护、具有过流保护反馈信号、不具有IGBT软关断&米勒钳位功能。2、PS9402带智能保护的光耦隔离驱动芯片，SOIC-16封装，峰值输出电流为2.5A（直接驱动更大功率的IGBT，评估可以省略外部推挽，缩小P板体积），工作温度-40℃~110℃（在高温环境下工作稳定，衰减小），集成欠压保护、IGBT过流保护、具有过流保护反馈信号、具有IGBT软关断&米勒钳位功能。SI8286和PS9402最大的差异是：SI8286不具有软关断功能，而PS9402具有；同时PS9402可pin to pin兼容ACPL-332J/ACPL-330J，后期设计不会出现单一source状况。
有光耦类的元器件有吗？
世强代理的品牌RENESAS这边有光耦类的产品，包括通讯光耦及隔离驱动光耦。目前这几款光耦： PS9531L3、 PS9031、 PS9402是主推的，并且有大量备货，数据手册可通过世强元件电商APP搜索下载。
Can接口保护方案有推荐的吗？该方案需要用到光耦吗？
为了避免CAN控制器和CAN收发器的电气不一致，需在二者之间加隔离芯片。传统的CAN隔离使用光耦较多，也推荐使用Silicon Labs的容隔离Si8621。与传统光耦隔离相比，采用Si8621隔离芯片设计的电路功耗低，数据传输速率高，时序精度高，瞬态共模抑制比优，信号传输方向灵活，硬件电路简单。在CAN总线接入端与地之间分别反接两个保护二极管，如果CAN总线上有较高的负电压，通过二极管的短路起到一定的过压保护作用。收发模块连接的CAN总线两端并联了一个电阻，这个电阻作为数据收发终端对总线起了阻抗匹配的作用，防止数据在线端被反射，影响数据传输。
【方案】低成本小型化7.5KW伺服驱动器优选器件方案
本方案通过采用高集成IGBT PIM模块、小体积SO8封装霍尔电流传感器芯片、6通道通信隔离容耦以及其他相关联的元器件，可实现系统的紧凑型设计。同时，大部分物料为世强常备库存，价格较同类产品低10%以上，有效降低系统成本。
请简述光耦测试方法
以简单的四脚光耦为例，里面集成发光二极管和光敏三极管，方法一：采用比较法测试，拆下怀疑有问题的光耦，用万用表测量其内部二极管、三极管的正反向电阻值，用其与好的光耦对应脚的测量值进行比较，若阻值相差较大，则说明光耦已损坏。 方法二、假设1脚为二极管正极，在1，2两脚串连一个LED灯并连上低压电源。在另一端量测电阻值，有值。断开电源后无穷大则代表光耦是好的。否则是坏的。另外光耦的原理是在输入端导通时，内部产生强光给内部三极管（可以想象为NPN型三极管）使之导通。注意搭电路测试时输出端要有上拉电压才能保证信号传输。
请推荐一个高速光对管，速度越高越好。
世强有代理silicon labs高速容耦隔离芯片，为集成多通道高速数字隔离芯片，支持通道数量1~6路，支持最高速率可达150MBd，推荐型号为SI86xx，建议选择集成通路更多的型号，可节省大量的PCB空间，同时也可大幅降低设计成本。
充电桩控制系统内部的SPI和CAN等通讯隔离，需要多路双向的隔离芯片，要求高速且高隔离耐压，有合适的推荐吗？
推荐高速隔离通讯容耦Si8663BD，它集成6路隔离通道，正反各三通道，速度达10MBd甚至更高，工作绝缘达到1200V，适合高压系统间的SPI即CAN等通讯隔离应用。
我要提问
世强元件电商
最好的电子研发服务平台
- 领先国内半年新元件/新技术/新方案
- 全品类覆盖数百个原厂资料
- 正品低价/供货保障
- 大量现货，支持快速购买
下载世强元件电商APP工程师创新研发的神器
知、选、研、用一站式服务
