【产品】输出功率为2W的HPA，可控增益范围达15dB

CHA6356-QXG可在21.2-23.6GHz的频率范围内提供2W的功率放大输出，具有增益控制、功率检测功能。

【产品】200W超大功率LDMOS FET，为Doherty蜂窝功放而生

PTFC262157SH工作频率为2620~2690MHz，具有典型的单载波WCDMA性能，集成ESD保护。

【产品】专为WCDMA基站而生的80W LDMOS FET

PTAC210802FC采用英飞凌先进的LDMOS制造工艺，热增强型无耳法兰封装。

【产品】2-8GHz射频高功率放大器，输出功率37.5dBm

CHA6015-99F是UMS的一款射频高功率放大器，可输出37.5dBm的功率，线性增益可达18.5dB，能覆盖2-8GHz的频率范围。该产品专为国防应用而设计，同时也能够广泛应用于微波系统中。

【产品】L至Ka波段HPA最全选型，频率覆盖2-40GHz

UMS是一家全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商，本文介绍了UMS的功率放大器，工作频率覆盖2-40GHz，饱和输出功率高达42.5dBm，适用于雷达系统中的信号源。

28v供电，10w频点1.6g功放管有没有推荐？

推荐Infineon的LDMOS晶体管PTFA220121M，其28V供电，900-2200MHz的工作频率，CW信号为12W输出，完全符合要求。

【产品】输出功率达33dbm，能让雷达覆盖率提升4倍的放大器

CHA6652-QXG是UMS推出的一款射频放大器，其输出功率可达33dbm，在同天线水平等级下，可将雷达覆盖率提升4倍以上。

【产品】350W高功率射频晶体管，L波段功率放大器首选

英飞凌半导体公司推出的一款适用于1200-1400MHz频段的大功率LDMOS —PTVA123501EC。该器件输出功率可达350W，功率增益高达17dB，适用于L波段的高功率放大器应用，尤其是L波段雷达功率放大器。

【产品】2.5W高功率放大器，适合K波段卫星通信应用

CHA6362-QXG内置三级GaAs高功率电路，工作频率范围为17.7-19.7GHz。

【产品】37-40GHz高功率放大器，K波段卫星通信应用首选

CHA6194-QXG饱和输出功率31dBm，增益为20dB，拥有增益控制、功率检测功能。

【产品】全新GaN高功率晶体管，利于功放模块的小型化设计

选择具有优异热性能的高功率射频晶体管，工业放大器才能更“长寿”。

【产品】这款模拟可变增益放大器堪称微波领域的一颗强心剂

CHA3024内部集成LNA，以高可靠性和高一致性的优点，在ODU市场得到广泛的应用。

【产品】输出功率2.5W的微波放大器 静电防护能力更强

CHA6550-QXG是一款输出2.5W高功率的放大器，它内部集成了功率检测以及静电保护功能，与同类器件相比，在微博通信、卫星通信等的静电等级防护上有了很大的提升。

卫星接收机需要12-14.5GHz的VGA，要求最大增益15dB，P-1dB大于16dBm，请推荐合适器件。

推荐CHA3024-QGG，该宽频带VGA，覆盖2-22GHz，最大增益15dB，P-1dB为18dBm。

【产品】30W LDMOS FET，漏极效率可达45%

PTAC260302FC采用热增强型无耳法兰封装，具有出色的耐高温能力，适用于多标准蜂窝功率放大器。

【产品】700W射频功率晶体管，降低功耗和成本的必备武器

PTVA127002EV采用英飞凌先进的LDMOS工艺制造，在功率增益高达16dB的情况下，能量转换效率仍能达到56%，极大地降低了功率消耗和冷却成本，广泛应用于1200-1400MHz功率放大器。

【射频微波器件合辑】射频衰减器|负载|开关|移相器|振荡器

射频微波资讯大合集：GaN晶体管，射频放大器，EMC负载，大功率电桥，低插损电桥，温度补偿衰减器，高频宽带放大器，固定衰减器，移相器，压控振荡器。

24G雷达收发一体芯片，无人机防撞利器！

UMS推出24G雷达收发一体芯片CHC2442-QPG，具有体积小、速度快，受环境的影响小等优势，拥有业界唯一的GaAs工艺，出货量全世界第一！

【产品】导热性高遇上成本低的层压板，终于等到你！

RT/duroid 6035HTC是陶瓷填充的聚四氟乙烯组分高频电路材料，专为大功率射频微波应用设计。

Avago 射频放大器ACPM-7777数据手册

Avago 射频放大器ACPM-7717数据手册

Avago 射频放大器ACPM-7800数据手册

Avago 射频放大器ACPM-7617数据手册

Avago 射频放大器ACPM-7620数据手册

Keysight 射频放大器技术资料

塔顶放大器优质选型推荐；低噪声、高增益…你最想要啥？

本文就针对塔顶放大器部分组件的选型，推出UMS系列产品方案，包括：大功率射频发射机放大器和低噪声接收机前端放大器。

【方案】新型微波炉射频模块优选器件方案

大功率功放管PXAC243502FV，采用28V供电，输出功率高达350W，产品设计余量大；大功率衰减器33A702630.00F，能承受功率高，衰减值高达30dB，简化了设计；高频板材RO4350B插损低至0.0031，发热低，性价比高，使得产品可靠性更好。

【应用】250W大功率LDMOS，新型射频微波炉别错过

大功率晶体管PXAC243502FV以其大功率、高效率和低热阻的特性，是新型射频微波炉核心热源的最佳选择。

【应用】射频炉？LDMOS扮演重要角色的微波炉革命！

“妇女解放者”传统微波炉功能有限、缺点多多，微波炉终结者：射频炉，射频半导体替代磁控管。

【产品】7-11G超宽带低噪放，噪声系数仅1dB！

CHA1010-99F是一款UMS推出的超宽带低噪放大气，线性增益32dB，可广泛应用于各类专业及商业通信系统中。

【产品】输出功率1400W的GaN晶体管，耐热性射频功率放大器

Infineon推出GaN的晶体管 GTVA101K42EV，漏极效率高达68%，具有输入匹配和高效率的优点。

【产品】18-31GHz三级自偏置低噪声放大器，噪声系数2.5dB

UMS的CHA2069-99F是18-31GHz的三级自偏置宽频带单片低噪声放大器，功耗低，高增益同时保证信号质量。

【产品】5.5-11GHz中功率单片微波PA，专为商业通信系统设计

UMS的CHA4250-QDG是5.5-11GHz中功率放大器，pHEMT工艺制造，耐温，较适用于汽车电子，回波损耗低，成本低。

【产品】24.5-29.5GHz可变增益15dB的四级单片低噪声放大器

CHA2293是UMS的24.5-29.5GHz可变增益的高增益四级单片低噪声放大器，pHEMT工艺制造，噪声3dB，放大性能好。

【产品】5.8-17GHz宽频低噪声低功率放大器，增益高达21dB

CHA3666-QAG两级自偏置宽带单片低噪声放大器采用标准pHEMT工艺制造，使用QFN贴片型无引脚封装，集成两级低噪声放大器。

【产品】7-13GHz的两级单片40mA微波PA，噪声系数仅为2dB

UMS的CHA2063a是7-13GHz单晶低功耗低噪声放大器，增益高达19dB，适用于雷达接收机。

【产品】频率范围13-15.5GHz的四级单片PA，可输出2W以上

CHA6252-QFG为四级单片GaAs高功率IC，可输出高于2W功率，温度性能好。

【产品】55-60GHz低噪声中功率高灵敏度放大器-GaAs微波芯片

CHA2157-99F两级低噪声中功率放大器， HEMT工艺制造，适用于微弱接收信号的前级放大，灵敏度高。

【产品】增益达30dB的功率放大器，频率高至1000MHz

PTMA080152M V1具有出色的可靠性和热稳定性，适合700MHz~1000MHz频率范围内的宽带驱动应用。

【产品】频率达33.5GHz的模拟可变增益放大器，适用于Ka波段通信系统

CHA3396-QDG内置三级放大电路，在27-33.5GHz的频率范围内增益达22dB。

【产品】70W GaN功率管，适用于多标准蜂窝功率放大器

GTVA220701FA的适用频率范围为1805~2170MHz，工作电压为50V。

【产品】180W！适合射频功率放大应用的大功率LDMOS

PTFB091802FC采用双路设计，工作频率范围为920MHz~960MHz，支持宽带内输入/输出匹配。

【产品】150W大功率LDMOS 放大管，为RF放大而生

PTFA041501E/F工作频率范围为420MHz~500MHz，输出驻波达10:1。

【产品】功率达220W的LDMOS，适合多标准蜂窝网功放应用

PXFC192207FH工作频率范围为1805MHz~1990MHz，支持宽带内的输入和输出匹配。

【产品】热增强型340W大功率GaN HEMT，射频功率放大应用必备

GTVA263202FC是一款340W大功率GaN高电子迁移率晶体管，可有效解决了散热问题，保证了系统的稳定性。

【产品】输出功率55W的射频LDMOS，助力蜂窝功率放大应用

采用增强型散热设计和ESD保护功能，为应用带来更高可靠性。

【产品】业界领先的17dB线性增益和2dB噪声系数驱动放大器

CHA4220-QGG是UMS的一款0.5-20GHz分布式驱动放大器，拥有业界领先的17dB线性增益和低至2dB的噪声系数，及出色的输出功率，专为宽频应用而设计，如电子战、Ku波段点到点的广播和测试仪器等。

【产品】大功率射频GaN晶体管，漏极效率=70％

GTVA107001EC同比LDMOS功率管，尺寸小，利于功放模块的小型化设计​。

【产品】频率高达2170MHz的LDMOS，移动通信系统首选

PXAC210552ND采用热增强型无耳法兰封装，适用于多标准蜂窝功率放大器。

【产品】用于蜂窝设施的2300至2400MHz射频功率放大管

英飞凌​推出专为2300至2400 MHz频段内的蜂窝放大器应用而设计，功率高达140W的PTFB241402F 。

【产品】频率高达860MHz的LDMOS，功率放大器不二之选

PTVA043502邻道功率抑制比高达-29.5dBc，采用热增强型法兰封装。

【产品】功率从25W到280W，GaN晶体管效率高达75%

GTVA261701FA输出功率170W，应用于多标准蜂窝功率放大器等。

【产品】栅极长度达0.25μm，基于GaN的中功率放大器

CHA6710-99F设计用于广泛的应用，包括国防和商业通信系统。

【产品】5.5-86GHz下变频器，噪声系数低至1.7dB

UMS推出了其领先的下变频器系列，其工作频率覆盖C至W波段。

【产品】600W级射频高电子迁移率GaN晶体管

GTVA126001EC是英飞凌采用GaN工艺推出的一款600W级射频高电子迁移率晶体管，工作频率范围为1200MHz~1400MHz，并且在工作频带内可支持输入匹配。

【产品】这款400W级GaN射频晶体管漏极效率可达70%

GTVA104001FA是英飞凌推出的射频高电子迁移率晶体管，工作频率范围为960MHz~1215MHz，可在工作频段内支持输入匹配。

【产品】大功率射频放大应用就选此208W级LDMOS FET

PTRA094252FC工作频率范围为746MHz~960MHz，宽带内部输入匹配。

【产品】L至Q波段模拟衰减器选型全攻略

该系列模拟衰减器采用MESFET工艺制造，工作频率覆盖DC~-45GHz，可用于L至Q波段。

【产品】蜂窝功率放大应用必备——300W级射频LDMOS

PTVA093002ND采用增强型散热封装，热阻低至0.35℃/W。

【产品】S至K波段RF收发组件，内部集成多种功率器件

UMS推出的S至K波段雷达、射频微波系列RF收发组件，可收发2~24.5GHz信号。

【产品】基于PHEMT工艺的MPA，微波应用的一股泥石流

MPA具有高一致性、高可靠性的优势，可大大降低了系统成本。

【产品】HPA+Driver高线性，可兼容最新的DPD方案

具有领先的GaAs、GaN、GeSi工艺，最高达到200W的输出功率的MMIC供应商UMS，提供 HPA+Driver高可靠性、高线性，可兼容最新DPD的方案。

噪声系数低至1.45dB的LNA，专为空间应用及微波系统设计

CHA3801-99F是UMS的一款L波段低噪声放大器（LNA），噪声系数低至1.45dB，专为空间应用而设计，也能够应用于微波系统中。

面向商业通信设计，2~4GHz单片可变增益功放集成电路

CHA4102-QEG为UMS推出的一款单片可变增益功率放大集成电路，具有20dB的线性增益，最高能输出23.5dBm的功率。无论是商业通信系统，还是要求更为苛刻的军工领域应用，CHA4102-QEG都能胜任。

【新】防撞雷达探测距离太长？ 这款K波段放大器可以帮到您

UMS针对汽车24GHz毫米波雷达系统推出了一款K波段中等功率放大器，型号为CHA3395-QDG。其采用GaAs 0.25um pHEMT工艺，内部集成了三个放大器，且可以提供24dB的增益和20dBm的饱和输出功率。

基站应用最爱这款4×4 mm2的宽频RF LDMOS

来自Infineon的PTFC270101M是一款性价比极高的RF LDMOSFET，能够提供出色的增益、高效率和高线性度，以及优秀的热稳定性，能够延长器件的寿命，并有效提高射频应用的功率传输性能。

超低热阻+ESD保护，200W高耐热射频管助构功率放大器

英飞凌推出的PTVA102001EA是一款耐热增强型射频管，具有超低的热阻和高结温，自带输入匹配功能，并集成ESD（静电释放）保护装置，为系统的热稳定性提供了有力保障。

增益高达18.5dB的射频功率放大器，还具有卓越的耐热性！

PTVA102001EA是一款耐热增强型高增益射频功率放大器，不但具有高达18.5dB的高增益，还具有卓越的耐热性，可广泛应用于民用航空电子、雷达、通用放大器等需要高稳定性和耐用性的领域。

高效率射频功率放大器，整体面积仅为4.0mm*4.0mm

PTFC270101M是一款小型化高增益高效率射频功率放大器，具有较小的外形尺寸，同时具备卓越的高增益和高效率，可广泛应用于通用放大器、航空电子、民用电子产品等需要高增益和小尺寸的场合。

基站用推动级LDMOS， 20dB增益时工作效率高达60%

PTFC270051M是一款超宽带5W、10W 推动级LDMOS，广泛应用于通信基站、直放站中作为功放的推动级，也也可应用于Small Cell产品中作为末级功放。

具备高度一致性和可靠性的射频功率晶体管

速来围观：应用于500MHz到1400MHz的高度一致性和可靠性的高功率晶体管产品面世啦！

输出功率超过1000W的LDMOS，兼具出色效率及超低热阻！

千瓦级射频LDMOS FET PTVA101K02EV不仅具有高增益，可满足大功率输出的要求，而且拥有出色的效率及超低热阻。

【产品】适用于功放推动级的5W、10W宽带LDMOS

900MHz-2700MHz的超宽带5W、10W 推动级LDMOS向小型化，高增益演进！尺寸仅为4×4mm！

适用于双载波WCDMA的LDMOS射频功放该具备哪些性能？

LDMOS PTFA220041M采用微型塑料封装，具有极佳的增益、效率和线性度。

单管芯输出功率高达220W的功率放大晶体管

PXFC192207SH具有高度的可靠性和耐用性，28V供电输出200W时可承受10:1驻波比失配，并且内部集成ESD保护。

适用于1200-1400MHz的700W LDMOS

得益于英飞凌先进的LDMOS生产工艺，该器件有高达700W的饱和输出功率，封装却只有41.1×16.6mm，为实现PCB板的小型化设计提供了便利。

功率达28 W的LDMOS，蜂窝放大器应用效率高达62%

大功率LDMOS PTFC210201FC具有优异的热性能和更高的可靠性，尤其适于应用在频带宽度为2110到2179 MHZ的蜂窝放大器中。

适用于960-1215 MHz频段航空器件的200W场效应管

PTVA102001EA主要应用于960-1400MHz宽带范围内的功率放大应用。不但拥有高增益和热增强封装还拥有插销固定法兰。

100W级超大功率射频LDMOS FET

该超大功率射频LDMOS FET工作频率范围为2496~2690MHz， 最大输出功率可达100W，采用非对称设计，主要针对具有多重标准单元的功率放大应用。

覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

PXAC203302FV 采用H-37275-4封装，整体尺寸仅为32.6mm×16.6mm，这为缩小板面积提供了便利。

适用于1930-1995MHz的240W大功率LDMOS

PXAC192908FV采用Push-Pul结构，更适合于高峰均比下的Doherty功放,支持1930-1995MHz频段的各种制式的蜂窝通信。

漏极效率高达52%的150W LDMOS助力TD-LTE基站

该器件采用Push-Pull结构，两路管芯的输出功率分别为60W和90W，非常适用于非对称Doherty功放。

宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放

随着人们对数据速率要求越来越高，直接导致无线通信系统带宽的需求也在逐步增加，也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。

超宽带5W LDMOS，2GHz频段时增益仍高达22dB

该器件具有优秀的增益表现，工作在2GHz频段时，仍然可以实现高达22dB的增益效果。还具有极高的效率，在输入信号频率低于2GHz时，效率超过60%。

射频功放更强大的秘密：4mmX4mm微型LDMOS管

独家揭秘：射频功放更强大的秘密---4mmX4mm微型LDMOS管PTFA220081M！