射频放大器

【应用】中等功率微波放大器CHA3396-QDG用于低轨通信卫星终端末级驱动放大器，增益高达22dB

在低轨卫星通信系统中，负责为最终用户提供数据业务的设备是地面终端，其发射频率是KA波段27-30GHz，发射功率通常在10W左右，末级发射一般需要驱动放大器和功放两级，在这里推荐UMS公司的中等功率微波放大器CHA3396-QDG作为驱动放大器，该器件工作频率27-33.5GHz，输出1dB压缩点19dBm，增益22dB，可用于低轨卫星系统终端发射末级驱动放大器应用。

【选型】射频驱动放大器AWG2023，功耗低、增益高，助力5G微型直放站射频通道设计

随着5G通信时代的到来，微型直放站是系统盲点的重要补充设备。微型直放站由于功能比较简单，只是实现透传作用，因此对射频放大器只要求功耗低、增益高、应用简单。ASB公司推出了DC-4000MHz工作频率的驱动放大器AWG2023，20dB典型增益、3.3V低工作电，是5G微型直放站驱动放大器的优秀选择。

【产品】集成射频滤波器功能、增益带宽1MHz的运算放大器AO321，轨到轨输入/输出

AO321是创瑞科技(AiT)公司推出的一款增益带宽1MHz，压摆率低至0.6V/us集成RF滤波器功能的单通道运算放大器，它可以在低压低噪声系统中提供很好的产品性能。AO321运算放大器采用单电源供电，供电范围为2.1V-5.5V，可以满足目前常见的3.3V和5V供电系统产品，输入偏置电流低至1pA及失调电压3.5mV。

【选型】射频收发芯片应用上选择低噪声放大器CHA1294-QAG，具有高增益、低噪声的优异特性

UMS公司生产的CHA1294-QAG低噪声放大器，工作频率范围31~43.5GHz，噪声系数典型值2.5dB,线性增益典型值为14.0dB，是36-44GHz极高频段毫米波通讯系统中RF收发芯片的低噪声放大器的理想选择。

【选型】低插入损耗且强耐压能力的UBZ、UBL、XBL三系列射频电容器，为宽带微波/毫米波放大器提供解决方案

宽带放大器是指上限工作频率与下限工作频率之比甚大于 1的放大电路，并连接起来构成应用于微波（甚至毫米波）频段的功能电路。本方案推荐EXXELIA的射频电容器——UBZ、UBL、XBL，三系列产品符合均RoHS标准，是环境友好型器件，主要应用于光电子/高速数据传输、宽带测试设备和应用、宽带微波/毫米波放大器和振荡器等领域，尤其为宽带微波/毫米波放大器提供高性价比的解决方案。

【产品】3.3V供电、30-4000MHz工作频段的射频放大器AWG2017，5G微基站低功耗放大器的最佳选择

针对微基站射频放大器应用，传统的射频放大器都采用5V工作电压，为了降低功耗，就必须在保证性能的前提下降低工作电压。ASB公司推出了可以在3.3V电压下工作的射频放大器AWG2017，工作频段30-4000MHz，增益17dB，输出1dB压缩点18dBm，封装,SOT-89，是移动通信低功耗放大器的最佳选择。

【应用】电感值低至1nH、自谐振频率高达12.7Ghz的射频电感0402ASM在5G射频放大器上的应用

在射频电路设计中，射频电感是非常重要的元件之一，广泛应用于电路调谐、阻抗匹配、高通和低通滤波器设计，特别是在放大器或功率放大器的匹配电路设计中，扮演着重要角色，一个好的电路设计，能够保证良好的电磁兼容与电路匹配，能够最大程度上发挥放大器的性能潜力。Fastron推出的0402ASM系列绕线电感，电感值低至1nH，自谐振频率高达12.7Ghz，能够完美应用于SUB-6G的5G应用。

高频小信号放大器通常是指接收机中混频前的射频放大器和混频后的中频放大器。由于来自接收天线的信号既有中心频率很高（几百kHz到几百MHz）而频谱宽度相对较窄（几kHz到数十MHz）的已调有用信号，又有不同中心频率的已调无用信号和干扰信号，因此要求高频放大器应具有一定形状的频率选择特性。 那么在针对产品设计中，对高频小信号放大器有哪几方面要求？

【产品】专为太空应用的三级功率放大器CHA6551-99F，射频带宽范围为17-24GHz

CHA6551-99F是UMS推出的一款专为太空应用设计的高线性功放，该产品射频带宽范围为17-24GHz，是输出功率为2.5W的三级功率放大器。CHA6551-99F采用0.15μm GaAs pHEMT工艺生产制造，广泛应用于太空、国防以及电信系统中。

【产品】采用零失真™技术的射频放大器，比GaAs技术等射频半导体更有优势

IDT射频放大器产品系列不论在差分或单端输入阻抗的条件下都可提供不同增益、噪声和线性特性。与简单增益放大器模块相比，该产品采用零失真™技术，以非常低的电流消耗来实现较大的三阶截取点(IP3)。此外，射频放大器具有多个输入和输出端口，并且其内置宽带巴隆可支持宽带应用。为了保证设备工作可靠，产品的SiGe放大器模块使用无源集成设备(IPD)并且采用高容量QFN封装。

【产品】1400MHz至6000MHz频段内具有单端输入/差分输出的高增益射频放大器F1129

IDT（Renesas收购）推出的F1129产品系列是在1400MHz至6000MHz频段内具有单端输入/差分输出的高增益射频放大器。每个F1129系列型号都采用2mm x 2mm，12-pin DFN封装，具有单端50Ω输入阻抗和差分50Ω或100Ω输出阻抗，便于集成到信号路径中。

【产品】600MHz~4200MHz的SiGe高增益宽带射频放大器​F0424，适用于发射机和接收机应用

F0424是IDT（Renesas收购）推出的一款工作频率范围在600MHz~4200MHz之间的SiGe高增益宽带射频放大器。 其兼具低噪声系数（NF）和高线性度性能特性，适合应用于发射机和接收机应用中。该产品支持5V或3.3V单电源供电，额定供电电流ICC为70mA。当采用5V供电时，F0424在2600MHz频率时可提供17.3dB的增益、+40dBm的OIP3和2.3dB的噪声系数。

【产品】1800MHz~5000MHz，16 QFN封装的高增益，两级射频放大器F1478

IDT（Renesas收购）推出的F1478是一款高增益，两级射频放大器，可设计工作在1800MHz至5000MHz频率范围内。 在供电电压5V且偏置电流为140mA的条件下，F1478可在3550MHz下提供29.6dB增益和1.8dB的噪声系数，同时其OIP3可达+37.3dBm，OP1dB为25.5dBm。

【产品】4.75-5.25V输入电压的差分输入/单端输出射频放大器

F1423和F1429是IDT公司推出的两款差分输入射频放大器，两款放大器的输入电压均相同（4.75-5.25V），均采用相同的VFQFPN封装，二者均可采用5V的单电源供电。F1423可在2000MHz频率时提供13.1dB的增益和41.8dB的OPI3和5.1dB的噪声参数，具有50ohm的差分频率输入和单端射频输出阻抗。主要应用于射频应用

【产品】零失真（Zero-Distortion™）技术射频放大器F1420/F1421，可实现高OIP3和极低的电流消耗

F1420/F1421是瑞萨电子旗下IDT公司推出的高增益和高线性度的射频放大器，采用创新的零失真技术，可实现高OIP3和极低的电流消耗，其线性度更好，失真更低，比起简单的增益放大器具有更多的优良性能，广泛的应用于各种通信基站和公共安全设施。

ASB RF模块种类丰富，涵盖LNA、PAM、PLL合成器、混合放大器

ASB是领先的MMIC电路和射频模块的设计和生产商，拥有与SiGe器件和电路核心技术相关的多项专利。其推出的RF模块种类丰富，包括内部匹配SMD型LNA（低噪声放大器）、PAM（中功率放大器）、PLL合成器、混合放大器等模块。ASB RF模块适合用于通信，广播CATV，汽车（天线），SatCom，军工等领域。

【选型】MGA30689停产的救星——射频增益放大器AWG2015，无需更改LAYOUT

ASB公司的AWG2015，覆盖范围从30MHz到4000MHz，在900MHz的增益的典型值为15.2dB，略大于MGA-30689的14.3dB，在2000MHz增益为14.9dB,非常接近于MGA-30689在1950MHz的14.6dB，而且两者的封装都是SOT89封装，都是做了50欧姆匹配的，无需外部匹配，两者可以直接替代，且无需重新layout，可兼容替换MGA-30689。

【经验】可pin to pin替换MGA-30489的驱动放大器ASW311，助力提高射频系统线性指标

在无线通信射频系统中，驱动放大器是比不可少的器件。博通的驱动放大器MGA-30489已经在行业内存在大量应用，但目前已经停产。ASB公司推出了宽带驱动放大器ASW311，可以pin to pin替换博通的MGA-30489。

扩充RF MMIC、高功率放大器、射频模块，世强代理ASB

世强与领先的MMIC电路和射频模块的设计和生产商——ASB签约，进一步扩充RF MMIC、高功率放大器、射频模块等产品线，为通信、广播CATV、汽车（天线）、SatCom等领域客户提供更多选择。

【应用】Exxelia高Q陶瓷电容为射频功率放大器提供降低发热方案，提高可靠性

当前无线通信基础设备的核心要求就是小型化，高效率、低功耗，低损耗电容器件是设计高效率射频功率放大器不可或缺的因素。针对射频功率放大器低损耗电容应用，世强代理Exxelia公司推出了高Q射频陶瓷电容SHL/SHS/SHF系列，采用优势NPO介质，具有超低等效串联电阻（ESR），能够改善传输特性满足功放效率要求。

【应用】采用法兰式封装的31A10061005F射频功率电阻，射频大功率放大器功率分配电路应用的最佳选择

EMC RFLABS公司推出了31A10061005F射频功率电阻，采用法兰式封装，保证了电阻和散热基板的紧密接触，提高散热效率，同时多种电阻阻值精度可选，具有10W的连续波额定功率容量，特别适用于射频功率放大器的功率分配电路应用。

【产品】三款集电极电流仅0.02mA的NPN型硅晶体管，专用于射频放大器

2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF硅晶体管是AUK（KODENSHI收购）公司推出的一系列性能优异的NPN型硅晶体管，电流变换频率高，特征频率fT为550MHz，共基极输出电容小Cob=1.4pF，响应速度快，可用于射频放大器。

【产品】噪声系数仅为2.5dB的K波段低噪声放大器CHA2441-QAG，22 GHz~26GHz射频应用的首选

UMS公司推出的K波段低噪声放大器CHA2441-QAG，采用SMD无铅封装的GaAs单片微波集成IC，能够为22 GHz~26GHz的射频信号提供25.5dB的增益，其噪声系数仅为2.5dB。

【产品】两级高功率射频放大器CHA7114-99F，功率附加效率超过40％，专为X波段应用而设计

UMS公司推出的CHA7114是一款专为X波段应用而设计的单片两级GaAs高功率放大器，能为8.5GHz-11.5GHz的高频信号提供20dB的标称增益，工作在@ 4dBcp @ 25°C时能提供典型值为8W的输出功率，以及超过40％的功率附加效率，并具有优良的温度范围特性。

【应用】高性能SGM48002XS8G/TR双路驱动器可替换MADR-007097-000100，用于驱动两路射频放大器

圣邦微推出的SGM48000双路驱动芯片已得到数位工程师的应用，实现了国产化替代，本文分享SGM48002XS8G/TR用于替换MADR-007097-000100在某通信系统中实际案例，用于驱动两路射频放大器，实现两路放大器的加电切换。

【产品】25 dB小信号增益射频功率放大器，结温高达225℃

Wolfspeed隶属Cree（科锐）公司，是碳化硅功率器件和氮化镓射频功率等应用的宽带隙半导体产品的行业领导者。近期WolfSpeed公司推出了CMPA55850XXF（CMPA5585025F、CMPA5585030F）系列的高性能射频功率放大器，是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。

【产品】1-2GHz最新L波段GaAs低噪声射频放大器CHA3801-FAA，具有28dB线性增益

2018年10月31日，CHA3801-FAA是UMS推出的一款L波段GaAs低噪声射频放大器，其噪声系数仅为1.5dB，增益高达28dB。该型号具有三种功耗模式，可控制功耗与性能平衡，同时具有可禁用的输入保护功能。广泛应用在商业航空航天、军事通信、商用通信系统等领域。

【产品】17-22GHz全新4级GaAs中功率射频放大器CHA4253-FAA，P1dB为23.5dBm

2018年10月31日，UMS推出的CHA4253-FAA是一款4级GaAs中功率射频放大器，其P1dB为23.5dBm，增益为26dB，广泛应用在商业航空航天、军事、商用通信系统等领域。CHA4253-FAA使用0.15μm pHEMT工艺制程制造，并采用密封式SMD封装，仅有的6x6mm2封装面积不仅能够有效提升系统集成度，同时其先进的制造工艺确保了该芯片组成的系统具有高可靠性和鲁棒性。

【产品】用于5~21GHz频段的CHA3664-QAG GaAs射频放大器，线性增益15dB，输出功率值为19.5dBm

CHA3664-QAG是UMS公司推出的一款GaAs射频放大器，适用于5-21GHz频段，线性增益典型值为15dB，其具有较宽的频段和较高的增益，增益平坦度较好；输出功率典型值为19.5dBm，饱和输出功率的典型值为20.5dBm，漏极电流ID典型值为120mA，漏极电压典型值为5V，采用功率pHEMT工艺制造，能够有效提高器件的温度稳定性，改善输出伏安特性，适用于从军事到商业的各种应用通讯系统。

【产品】25V/10mA插针封装硅N沟道JFET 2N1919，适用于射频放大器和混频器

Central Semiconductor公司推出了一种用于射频放大器和混频器应用的硅N沟道JFET 2N1919，其漏源电压和门源电压都为25V，额定漏极电流为100mA。硅N沟道JFET 2N1919具有低阻抗、低功耗和低保持电压的优点，其功耗只有360mW，低的功耗可减少发热量，降低热故障率。

【选型】Keysight（是德科技）射频和微波放大器选型指南

是德科技微波信号放大器宽带性能高达50 GHz，取代了几个窄带放大器，简化了测试设置，优化了测试系统的工作范围；卓越的噪声系数和高增益，显著降低了整个测试系统的噪声系数；高输出功率，提高测量可用功率。

【经验】如何采用Intersil晶体管阵列I设计高增益低噪声射频放大器

Intersil（Renesas收购）公司推出的ISL73096RH，ISL73127RH和ISL73128RH三种晶体管阵列均采用互补双极键合晶圆绝缘体上硅（SOI）技术制造，称为UHF-1。本方案主要介绍如何设计采用这些特色晶体管阵列的射频放大器，并且提供匹配（800 MHz至2500 MHz）高增益低噪声放大器和10 MHz至600 MHz宽带反馈放大器的完整设计步骤。

【产品】1pF~10,000pF军工级功率型RF电容器，适用于射频功率放大器

EXXELIA设计生产的CL系列高压功率型RF电容，专为应对大功率射频信号处理。其具有突出的电流、电压以及功率特性。结合低ESR/ESL、高Q值等优势，适用于直流阻断，匹配网络，调谐和耦合等应用电路，广泛应用于射频功率放大器，工业（等离子室），医疗（MRI线圈）等领域。

Avago 射频放大器ACPM-7788数据手册

【产品】适用于射频放大器和混频器的高增益PNP-硅射频晶体管模CP681

Central 推出的CP681 PNP-硅射频晶体管模，TA=25℃时，集电极电压最大20V，连续的集电极电流最大50mA，最适用于射频放大器和混频器等应用领域。

Avago 射频放大器ACPM-5005-TR1成分表（PEIS）

【产品】高输出驱动CMOS运算放大器SGM8558系列，无线耳机射频功率放大器偏置控制的理想选择

SGM8558系列是SGMICRO公司推出的运算放大器，具有高输出驱动能力、高压摆率、低噪声、低输入偏置电压等特点。该系列器件可以驱动典型的耳机电平（32Ω），并在无线耳机应用中偏置RF功率放大器。

【技术大神】运用微带线进行UMS氮化镓射频大功率放大器匹配设计

UMS的CHK025-SOA是一款性能非常强大的射频功率放大器，工作频段可以达到0~5GHz，在CW波的工作条件下，最高输出功率典型值可以达到35W，线性增益典型值可以达到16dB。

【产品】射频功率放大器PTFB181702FC，专应用于1805MHz–880MHz频段多标准蜂窝功率放大器

PTFB181702FC是一款170W的热增强型高功率的射频功率放大器，工作频率可达1805 - 1880 MHz，适合多标准蜂窝功率放大器应用。

【产品】工作频率范围为900MHz-2700MHz的高频射频放大器PTFC270101M，针对多标准蜂窝网络功率放大应用

PTFC270101M的工作频率范围为900MHz-2700MHz，具有20.5dB的增益，助力高精度模拟电路设计。

Keysight（是德科技） 射频放大器技术资料

【产品】采用先进的LDMOS工艺制造的射频放大器PTFA220041M，适用于700MHz-2200MHz频段

PTFA220041M适用于700MHz-2200MHz频段，增益为19dB，小体积为实现PCB板的小型化设计提供了便利。具有出色的热稳定性能和非常高的可靠性

【产品】采用了小型的注塑封装射频功率放大器PTFC270051M，适用于高密度集成电路

Infineon公司推出了主要针对射频功放应用的5W射频LDMOS FET，型号为PTFC270051M，是一款优秀的低功率高增益射频放大器

【产品】集成ESD保护的PTFA220121M射频放大器，专为700MHz-2200MHz频段应用而特殊设计

PTFA220121M是为700MHz-2200MHz频段应用而特殊设计的，具有16dB的增益，基板面积小，适用于高密度集成电路

【产品】240W，746~821MHz射频功率放大器PTVA082407NF，结节温度高达225℃

Infineon的PTVA082407NF是一款240W射频功率放大器（LDMOS FET），具有单端设计和输入匹配的特点，适合746 MHz到821 MHz的工作频率范围内使用。

【产品】功率高达480W的射频功率放大器PTRA094808NF

英飞凌PTRA094808NF是一款高功率的射频功率放大器( LDMOS FET )，可达480W，具有优秀的散热性能和出色的可靠性

【产品】工作频段2620MHz-2690MHz，280W输出功率18dB增益的射频放大器晶体管

INFINEON的PTFC262808FV可广泛应用于2620MHz-2690MHz频段的功率放大器中，具有18dB的增益。集成ESD保护，人体模型1C，轻松应对恶劣环境

【产品】320W,28V,920-960MHz的射频功率放大器PTFB093608SV

PTFB093608SV是Infineon推出的一款320W射频功率放大器，专业用于920MHz~960MHz频段的多标准蜂窝功率放大应用，具备输入输出匹配特性，采用带有无耳法兰的热增强封装，具有高增益特性，以优秀的热性能和卓越的稳定性而著称。

【产品】275W,48V,733-805MHz的热增强型射频功率放大器PTRA083818NF

PTRA083818NF是Infineon推出的一款275W射频功率放大器，采用Infineon先进的LDMOS工艺制造，具有出色的散热性能和非常高的可靠性，广泛应用于733MHz~805MHz频段的多标准蜂窝功率放大器中，具有出色的稳定性，其可承受10：1的输出电压驻波比。

【产品】280W/48V热增强型高功率射频LDMOS功率放大器PTRA082808NF

PTRA082808NF是Infineon推出的一款280W射频功率放大器，采用Infineon先进的LDMOS工艺制造，具有出色的散热性能和非常高的可靠性，广泛应用于790MHz~820MHz频段的多标准蜂窝功率放大器中。

【产品】1805~1880MHz英飞凌射频功率放大器，最高功率可达380W

PXFC193808SV是一款适用于1805MHz-1880MHz频段高增益的绿色放大器，采用无耳法兰封装，具备卓越的耐热性和可靠性

Infineon（英飞凌）第一代中等功率射频放大器

【产品】功率可达到150W的射频功率放大器，可用于大功率RF放大

Infineon推出的PXFC191507FC应用Class AB架构，采用单载波设计，具有高邻道功率抑制比，是一款出色的大功率射频放大器

【产品】预失真线性化器ISL5239，帮助提高功率放大器效率并降低功率放大器成本

Renesas的ISL5239是一款预失真线性化器。输入/输出接口能够达到125MHz采样率和20MHz信号带宽,对于20MHz带宽的信号具备抑制5阶互调失真能力，该带宽特别适合UMTS和CDMA2000的3G移动通讯基站设计的应用；另外，该芯片内部的记忆效应和温度效应补偿接口，可以对外部射频PA进行动态补偿；内置I/Q均衡器用于对外部模拟调制电路对I/Q的幅度和相位不均衡失真进行补偿。

【产品】1805-2170MHz输出功率可达55W级LDMOS射频功率放大器PXAC210552FC

Infineon（英飞凌）公司推出的LDMOS射频功率放大器PXAC210552FC是一款为1805MHz-2170MHz频段应用而特殊设计的，具有17.2dB增益的放大器，采用非对称Doherty设计。

【产品】190W射频功率放大器PTAB182002FC，工作频率范围1805MHz~1880MHz

Infineon公司推出了一款适用于高频率应用的190W射频功率放大器（LDMOS FET）——PTAB182002FC。该款射频功率放大器（LDMOS FET）工作频率范围为1805MHz至1880MHz, 不仅具有出色的稳定性，同时其具有良好的散热性能，适合多标准蜂窝功率放大器应用。

【产品】330W射频功率放大器，专为746MHz至768MHz频段的多标准蜂窝功率放大器

Infineon公司现已推出一款型号为PTRA093302FC的330W的射频功率放大器（LDMOS FET） ，元件特性包括双路径设计、输入匹配、高增益和热增强包装与无耳法兰。为746MHz至768MHz频段内的多标准蜂窝功率放大器应用而设计。

【产品】240W大功率射频功率放大器，适于869 MHz-960 MHz多标准蜂窝功率放大器

Infineon公司针对多标准蜂窝功率放大器应用推出了一款大功率射频功率放大器（LDMOS FET），其型号为PTVA092407NF。该器件具有单端设计和输入匹配，输出功率达240W, 使用Infineon公司先进的48-V LDMOS制造工艺 ，芯片内部集成ESD保护，可使芯片更加安全，且满足人体模型2级（根据ANSI / ESDA /JEDEC JS-001）。

【产品】415W/48V低热阻射频功率放大器，用于925–960 MHz频段多标准蜂窝功率放大器

Infineon推出的PTRA093818NF是一款415W射频功率放大器（RF LDMOS FET） 。该射频功率放大器具有输入匹配、高增益和采用无耳法兰、热增强封装等特点，采用Infineon先进的LDMOS工艺制造，广泛应用925MHz~960MHz频段的多标准蜂窝功率放大器中， 同时集成ESD保护，采用无铅封装，符合RoHS标准。

中科微（ZKMICRO）AT2659S L1频段卫星导航射频前端低噪声放大器芯片说明书

AT2659S 是一款具有低功耗、高增益、低噪声系数的低噪声放大器（LNA） 芯片，支持L1频段多模式全球卫星定位，可以应用于北斗二代、GPS、伽利略、 Glonass等GNSS导航设备中。

【产品】热增强型射频LDMOS功率放大器PTFC260202FC，为2495MHz-2690MHz频段应用而特殊设计

INFINEON的PTFC260202FC是一款应用于2495MHz-2690MHz频段的10W级低功率RF FET，性能稳定可靠性高。

【产品】热增强型高功率射频LDMOS功率放大器PXAC213308FV，无需外围匹配电路即可实现宽带的输入输出匹配

INFINEON的PXAC213308FV具有宽带内输入输出匹配的特性，同时采用非对称Doherty设计，是一款兼具出色效率及超低热阻的大功率射频放大器

【产品】75W级射频LDMOS放大器，用于2496MHz-2690MHz频段多标准蜂窝网络功率放大应用

INFINEON的PXAC260622SC采用非对称Doherty设计，无需外围匹配电路即可实现宽带的输入输出匹配。可广泛应用于2496MHz-2690MHz频段，具有15.8dB的增益

【产品】2110~2170MH线性功率输出可达到240W的射频功率放大器

Infineon的PTFB212503EL/PTFB212503FL是240W高功率，54%高效率的射频功率放大器LDMOS FET，非常适合于2110-2170MHz移动通信应用。

【产品】32W射频功率放大器LDMOS FET，可应用于2496MHz至2690MHz的多标准移动通信

Infineon的PTFC260362SC是32W高功率，52%高效率的射频功率放大器LDMOS FET，非常适合于2496-2690MHz移动通信应用。

ASB新推线性度高达40dBm的MMIC射频放大器为5G助力——世强硬创沙龙2019

【产品】输出功率高达180W的功率放大器，工作频点1805~1880MHz

Infineon的PXAC182002FC是一款采用非对称Doherty设计的，高增益的小型射频放大器。

【产品】输出功率220W的射频功率放大器PTFA092201E，工作带宽为920MHz到960MHz

Infineon推出的PTFA092201E是一款功率为220W的射频功率放大器，内部匹配适用于EDGE和WCDMA应用的LDMOS FET，工作带宽为920MHz到960MHz，采用先进的LDMOS工艺制造，热稳定性和可靠性水平优异。

【产品】通过RoHS无铅认证的射频功率放大器PTFA080551E，广泛应用于EDGE/CDMA功率应用中

Infineon的PTFA080551E输出功率55W，适用于EDGE和CDMA等功率应用。

Intersil 使用HFA3046/HFA3096/HFA3127/HFA3128晶体管阵列设计射频放大器应用笔记（AN9315.1）

【产品】集放大、衰减、隔离3种状态的可变增益放大器

CHA3512-99F是UMS生产的6-18GHz低噪声数字可变增益放大器，pHEMT工艺制造，噪声7dB，动态范围为20dB。

【产品】80-105GHz、小尺寸GSAS单片低噪声放大器

UMS的CHA1008-99F是一款宽带平衡四级单片低噪声放大器专为毫米波成像应用而设计，可用于商业数字无线电和无线局域网等应用。

【产品】120V/μs高转换速率运算放大器，适用于脉冲放大和数据采集 

Intersil公司的运算放大器HA-2520，HA-2522和HA-2525，可以提供无与伦比的转换速率、带宽和调节时间的组合，还具有低失调电流和高输入阻抗特性。

【产品】耐热增强型180W的GaN晶体管，完美适用大功率射频放大器应用

Infineon新推出GaN晶体管 GTVA311801FA，漏极效率高达50%，提供高效的射频信号放大设计。

【产品】2-8GHz高功率射频放大器CHA6015，输出功率37.5dBm

CHA6015-99F是UMS的一款射频高功率放大器，可输出37.5dBm的功率，线性增益可达18.5dB，能覆盖2-8GHz的频率范围。该产品专为国防应用而设计，同时也能够广泛应用于微波系统中。

【产品】700W射频功率晶体管PTVA127002EV，适用于雷达系统1200-1400MHz功率放大器及通用功率放大器

PTVA127002EV采用英飞凌先进的LDMOS工艺制造，在功率增益高达16dB的情况下，能量转换效率仍能达到56%，极大地降低了功率消耗和冷却成本，广泛应用于1200-1400MHz功率放大器。

【产品】350W高功率射频晶体管PTVA123501EC，L波段功率放大器首选

英飞凌半导体公司推出的一款适用于1200-1400MHz频段的大功率LDMOS —PTVA123501EC。该器件输出功率可达350W，功率增益高达17dB，适用于L波段的高功率放大器应用，尤其是L波段雷达功率放大器。

是德科技使用Keysight（是德科技） E5071C ENA 的独特功能对射频放大器进行测试的先进技术

【产品】数字可变增益放大器最全选型，可广泛应用于射频前端系统

UMS是一家全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商，本文介绍了UMS的数字可变增益放大器，其工作频率覆盖2-4GHz，6-18GHz，动态范围高达39.5dB， 可广泛应用于射频前端系统中。

【产品】输出功率2.5W的微波放大器 静电防护能力更强

CHA6550-QXG是一款输出2.5W高功率的放大器，它内部集成了功率检测以及静电保护功能，与同类器件相比，在微博通信、卫星通信等的静电等级防护上有了很大的提升。

【产品】输出功率达33dbm，能让雷达覆盖率提升4倍的放大器

CHA6652-QXG是UMS推出的一款射频放大器，其输出功率可达33dbm，在同天线水平等级下，可将雷达覆盖率提升4倍以上。

塔顶放大器优质选型推荐；低噪声、高增益…你最想要啥？

本文就针对塔顶放大器部分组件的选型，推出UMS系列产品方案，包括：大功率射频发射机放大器和低噪声接收机前端放大器。

超低热阻+ESD保护，200W高耐热射频管助构功率放大器

英飞凌推出的PTVA102001EA是一款耐热增强型射频管，具有超低的热阻和高结温，自带输入匹配功能，并集成ESD（静电释放）保护装置，为系统的热稳定性提供了有力保障。

【产品】增益高达18.5dB的增强型射频功率放大器PTVA102001EA，采用H-36265-2热增强型封装

PTVA102001EA是一款耐热增强型高增益射频功率放大器，不但具有高达18.5dB的高增益，还具有卓越的耐热性，可广泛应用于民用航空电子、雷达、通用放大器等需要高稳定性和耐用性的领域。

【产品】输出功率为10W的射频功率放大器PTFC270101M，整体面积仅为4.0mm*4.0mm

PTFC270101M是一款小型化高增益高效率射频功率放大器，具有较小的外形尺寸，同时具备卓越的高增益和高效率，可广泛应用于通用放大器、航空电子、民用电子产品等需要高增益和小尺寸的场合。

【隔离耦合器件及放大器合辑】运算放大器、隔离放大器、驱动光耦、逆变器

隔离耦合器件及放大器合辑资讯大合集：低功耗放大器，光耦隔离放大器，瑞萨光耦，门极驱动光耦，逆变器,数字隔离器。

【产品】4通道跨阻限幅放大器阵列，集成跨阻前置放大器、限幅后置放大器

HXR6104跨阻限幅放大器阵列是IDT面向并行光链路市场的光收发阵列（ORTA）系列产品之一。结合PIN探测器阵列或分立探测器，可以为电信和数据通信应用设计高容量、高可用性的光链路。3.3V SiGe设备集成了跨阻前置放大器、限幅后置放大器和用于四个光输入通道的通用CML输出级。

CHA4253AQQG作为可变增益放大器/固定增益放大器/通用固定增益放大器使用应用设计

CHA4253AQQG是UMS公司推出了的一款中等功率放大器。该放大器采用单片集成的封装方式，具备体积小的优点。同时它还具备高输出功率、高增益的优点，比如它能在1dB压缩点处输出高达23.5dBm的功率，且能在工作频率17-21GHz范围内保持24dB的线性增益。它整体的功耗为4V/230mA，具备低损耗的优点。 可应用于太空通信、军事通信系统、24GHz汽车交通雷达等。

【产品】LMR1801xxx-LB系列低噪声CMOS运算放大器，适用于工业设备、传感器放大器等

LMR1801xxx-LB系列是ROHM推出的低噪声CMOS运算放大器，包括LMR1801G-LB和LMR1801HFV-LB，具有低噪声，低输入失调电压和低输入偏置电流的特点， 适用于使用电池供电和使用传感器放大器的设备。

【产品】输入失调电压为5μV的单通道CMOS运算放大器，适用于使用电池供电和使用传感式放大器设备

ROHM推出的LMR1801xxx-LB是单通道CMOS运算放大器，具有低噪声，低输入失调电压和低输入偏置电流。它适用于使用电池供电和使用传感式放大器的设备。其输入失调电压为5μV，输入参考噪声电压密度当f = 10 Hz时为20 nV /√Hz。

运算放大器专家——圣邦微运算放大器、比较器年出货量数十亿颗

圣邦微运算放大器和圣邦微比较器，具有选择面广、性能优异、性价比高等特点，在工业、通信、车载电子系统、医疗、消费类电子产品中有着广泛应用。圣邦微比较器、圣邦微运算放大器年出货量数十亿颗。世强作为圣邦微电子一级分销商，可全线供应圣邦微电子旗下所有产品，如圣邦微比较器、圣邦微运算放大器等。库存丰富，价格具有竞争力，并提供相应解决方案、Demo支持和技术服务。

【应用】三级自偏压宽带单片低噪声放大器CHA2069-99F应用于低轨卫星接收系统次级放大器

低轨卫星通信系统终端设备的接收频率在18-21GHz，为了满足接收系统增益的需求，本文推荐全球领先的GaN/GaAs工艺微波元件供应商UMS公司的三级自偏压宽带单片低噪声放大器CHA2069-99F，该放大器采用裸片封装，内部集成三级放大器，噪声系数2.5dB，增益22dB，可用于低轨卫星接收系统次级放大器。

【产品】输入和输出匹配阻抗为75Ω的宽带线性放大器MMIC，主要应用于CATV系统的光纤接收器，分配放大器等

ASL390,ASL560是ASB公司推出的两款宽带线性放大器MMIC，其分别在5MHz~1.2GHz和5MHz~2.6GHz的宽频率范围内具有高线性度和低噪声的优势。它们分别采用+5V、+8V单电源供电，输入和输出匹配阻抗为75Ω。其应用领域主要有CATV系统的光纤接收器，分配放大器和后端放大器，以及移动无线中继器和BTS。

【产品】50~1000 MHz的低噪音高增益混合放大器模块，可应用于光纤接收器和CATV放大器

ACM34107-1N110A和ACM34104-2N110A是ASB公司推出的两款75 ohm混合放大器模块，具有低回波损耗和高线性度的特性。模块可以通过插头连接器轻松安装在系统板上。产品具有低噪音、高增益以及优秀的CSO和CTB指标，可应用于光纤接收器和CATV放大器。

【产品】1.2 GHz CATV有线电视放大器，主要应用于CATV线性放大器，HFC节点和前端设备1.2 GHz

ASL882、ASL912和ASL920是ASB公司推出的三款GaAs CATV有线电视放大器，三款放大器的工作温范围为-40-85℃，结温温度为150℃，输入电压典型值分别为10.7V、10.7V、10V，满足工业级温度应用需求。三者的典型频率范围均为50-1200MHz。主要应用于CATV线性放大器,HFC节点,前端设备

【产品】单个放大器在1.5MHz带宽下电流仅80uA的轨到轨输出电压反馈放大器

圣邦微的SGM8535/6/7/8具有1.5MHz的增益带宽积，还具有宽输入共模电压范围和输出电压摆幅。

【经验】Silicon Labs高功率D类音频放大器设计性能分享，优势远远超过传统模拟放大器

D类放大器的性能远远超出传统的模拟放大器，其拥有更低的总谐波失真，更小的电路板空间，更高的功率效率和更低的BOM成本。高度集成的栅极驱动器IC可对系统架构和音频性能产生显着的积极影响。集成所有这些特性的解决方案使D类放大器设计者能通过最节省时间和成本的方式设计出产品。Silicon Labs的Si8241/Si8244音频驱动器是首款在单个IC封装中有效集成高功率D类解决方案所需功能的器件。

【产品】由两个独立的高增益运算放大器组成的LM358LS低功耗双运算放大器

LM358LS 是由两个独立的高增益运算放大器组成。可以是单电源工作，也可以是双电源工作，电源的功耗电流与电源电压大小无关。应用范围包括音频放大器、工业控制、DC 增益部件和所有常规运算放大电路。

【产品】4.5~6.5GHz中等功率放大器， 专为C波段应用程序设计的单片双级功率放大器

UMS推出的4.5~6.5GHz中等功率放大器CHA4107-99F，采用pHEMT工艺制造，0.25μm栅极长度，输出功率的典型值为26dB，功率附加效率为35%@3dBc，并具有24.5dB的线性增益，是一款专为C波段应用程序设计的单片双级功率放大器。

【应用】集成D类放大器的数字音频放大器，助力汽车信息娱乐系统

Renesas的子公司Intersil推出的D2-24044数字音频放大器，是一款集成D类放大器的高性能功率级器件，输出功率可高达30W，采用38引脚 Ld HTSSOP封装，具备单独的功率级过载监控、片上温度监控以及警报逻辑输出，被广泛用于汽车信息娱乐系统。

【产品】低功耗rail-to-rail运算放大器LMV358，可在袖珍或便携式立体声收录机中作功率放大器

上海国芯推出的LMV358（双路）是一款rail-to-rail输入、输出电压反馈、低功耗的运算放大器。其拥有较宽的输入共模电压和输出摆幅；最低工作电压可达2.1V，最大工作电压推荐为5.5V。各类袖珍或便携式立体声收录机中作功率放大器。

【产品】40V低功耗抗辐射运算放大器，包含四个超高精度放大器

Renesas的子公司intersil近期推出的ISL70417SEH精密低功耗运算放大器，低失调电压，低IBIAS电流以及低温度漂移特性使其成为要求高DC精度和AC性能应用的理想选择，为用户提供了与同类竞争产品相比更卓越的价值以及灵活性，非常适用于精密有源滤波器、医疗分析仪器、精密电源控制以及工业控制等应用领域。

【经验】运算放大器选型应用全攻略

运算放大器简称“运放”，是调节和放大模拟信号的器件，是多用于做模拟运算的放大器，主要特点是差分输入、单端输出、直流耦合，输入输出工作点都在0V。对于运算放大器，在实际电路中经常遇到供电方式的选择，运放好坏的测试以及如何测试运放的失调电压和偏置电流等问题，本文针对以上问题结合平时的设计经验进行了详细剖析。

【产品】国产音频功率放大器GC2025-12V，适用于各类袖珍或便携式立体声收录机作功率放放大器

上海国芯GC2025为立体声音频功率放大集成电路，适用于各类袖珍或便携式立体声收录机中作功率放放大器。采用DIP16封装形式。

【技术】隔离放大器+多功能栅极驱动器 实现变频器IGBT保护

Silicon Labs公司的隔离放大器提供了保护IGBT免于遭受过电流、过载和过电压情况的有效方法。使用Si8920隔离放大器搭配功能多样的栅极驱动器，如Si828x可以实现高成本效益的充分IGBT保护方案。