计算芯片

【经验】如何测试并计算FM/AM音频广播接收芯片Si4730的音频输出幅度？

Si4730是Silicon Labs推出的一款FM/AM音频广播接收芯片，在消费类收音机市场上得到了广泛的应用。最近有客户在应用的过程中反馈AM的音量小于7dB。本文以该问题为例来分享一下音频输出的强度应该怎样测试和计算。

国内第一的EEPROM存储器品牌聚辰半导体（Giantec）授权世强，增加音圈马达驱动芯片、智能卡芯片等选择

近日，全球第三大、国内第一的EEPROM存储器供应商聚辰（688123.SH）与世强硬创电商达成合作，成为世强代理的第246家供应商。聚辰半导体是一家致力于模拟数字芯片的研发设计的公司，目前拥有EEPROM、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条主要产品线。聚辰EEPROM存储器包括I2C、SPI和Microwire等标准接口系列，以及应用于计算机和服务器内存条的SPD/SPD+TS（温度传感器）系列。

【经验】蓝牙SOC芯片EFR32中Bootloader GBL升级文件CRC计算方式

Silicon Labs公司的蓝牙SOC芯片EFR32为低功耗物联网设备终端提供了理想的设计思路。本文根据实际客户在开发中的需求，对升级文件GBL的校验作深入分析，帮助开发者加深对升级文件的理解。

【经验】如何计算PWM控制芯片AP205B匹配的变压器原边电感量

现如今很多产品如白色家电或者其他的智能家居，一般供电都是市电220VAC给设备供电，所以在这些产品内部都会有一个AC转DC的过程，这个时候就要用到AC-DC的PWM控制芯片，而往往使用这种芯片就要匹配一个变压器。笔者涉及项目的参数为AC输入85-265VAC，输出电压12V/1A，采用的AC-DC PWM控制芯片为伊凡微AP205B，本文主要介绍变压器的原边电感量的计算方式。

【经验】如何计算PWM控制芯片AP205B匹配变压器的原边电感匝数

现如今很多产品如白色家电或者其他的智能家居，一般供电都是市电220VAC给设备供电，所以在这些产品内部都会有一个AC转DC的过程，这个时候就要用到AC-DC的PWM控制芯片，而往往使用这种芯片就要匹配一个变压器。笔者涉及项目的参数为AC输入85-265VAC，输出电压12V/1A，采用的AC-DC PWM控制芯片为伊凡微AP205B，本文主要介绍变压器的原边电感匝数计算方式。

有没有带矢量和计算漏电功能的三相四线计量芯片，烦请推荐。不一定非要要求计量芯片，只要能实现矢量和计算漏电的芯片就行，计量可以独立再弄一颗芯片。

世强代理的相关功能的有芯海的计量芯片：高精度免校准电能计量芯片CSE7761的漏电保护设计，可支持单芯片两路计量，可以实漏电检测，电量计量等：https://www.sekorm.com/doc/1937177.html

瑞萨高性能系统级芯片（SoC）R-Car M3被大陆集团用于其车身高性能计算机

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团于2020年7月7日宣布，大陆集团（Continental）在其第一代车身高性能计算机（HPC）中采用了瑞萨高性能系统级芯片（SoC）R-Car M3。HPC作为车载计算平台，提供对车辆系统的集中控制，并配备安全网关功能以实现云连接。

【经验】基于SGM66097升压电源芯片的电感值如何计算及设计选型

SGMICRO圣邦微的SGM66097是一款优秀的升压电源芯片，在光模块产品中有广泛应用，在Boost电源中的电感值计算是比较重要的部分，本文通过图文给大家分析基于SGM66097的升压电源的电感设计选型计算。

【经验】以SGM66099为例分析升压电源芯片的电感值计算

圣邦微的SGM66099是一款优秀的升压电源芯片，在电池供电的无线产品供电及光模块产品中有广泛应用，在Boost电源中的电感值计算是比较重要的部分，本文通过图文给大家分析基于SGM66099的升压电源的电感设计选型计算。

【经验】根据电源IC的功率损耗进行热计算的方法

本文将介绍根据求得的电源IC的功率损耗进行热计算的方法，并判断在实际使用条件下是否在最大额定值范围内。原本之所以求损耗（效率），是为了确认最终IC芯片和晶体管芯片的结温Tj未超出最大额定值，并确认电源电路在要求条件下准确且安全地工作。

【经验】如何计算汽车级LDO R1524x系列的温升

RICOH推出的汽车级LDO R1524x芯片，基于CMOS技术的超低功耗(自身消耗电流2.2uA,待机电流只有0.1uA)电压调节器，本文介绍该系列的温升计算公式。

【经验】8bit MCU C8051F330的ADC偏移误差计算方法

C8051F330是Silicon Labs公司推出的8 bit精密混合信号MCU，该MCU集成的转换速率可达200ksps 10位 ADC，在光模块和BLDC换向检测中都有用到，但我们在芯片手册中，会看到ADC有一个参数指标Offset Error(偏移误差)，本文将介绍该参数是如何计算的。

【经验】8位单片机EFM8SB1 RTC定时时间计算方法

EFM8SB1系列是Silicon Labs最节能的8位MCU，其在停机模式下的电流只有50 nA，非常适用于对功耗要求高的系统中，可以极大延长电池的使用寿命,该MCU内部有一个功耗极低的32位RTC，保证了MCU在Sleep模式下，进行定时唤醒，并且芯片内部带有32.768k晶体，省去了外接晶振，节约成本。本文重点介绍EFM8SB1系列MCU RTC定时时间计算方法。

Q57 Chipset and 3450 Chipset for Embedded Computing

泰克类脑计算/神经元网络芯片阵列测试方案

ROHM库伦计算芯片BD7220助力BMS电池电量计算

在BMS当中对于电池电量的计算也是至关重要的一环，电量的准确性为人们提供了便利。若客户对于电池电量计算的精确度要求高，且MCU不能满足计算需求时，罗姆（ROHM）BD7220库伦计算芯片就完全能够满足客户的需求。

MCP39F511 Power-Monitoring IC with Calculation and Energy Accumulation

【成功案例】清华大学携手兆易创新于IEDM发表阻变存储器论文，展示了应用于类脑计算芯片的最新研究成果

清华大学携手兆易创新于IEDM发表阻变存储器论文，展示了应用于类脑计算芯片的最新研究成果。他们的研究成果不但对高能效的人工智能芯片提供了理论和器件基础，也同样对高密度阻变存储器芯片的设计产生了重要的意义。在不久的将来，清华大学和兆易创新还将携手开发出更大规模的阻变存储器阵列。

【经验】雾计算时代ZigBee设备是否要外扩MCU？

随着“云计算”的迅速发展，云端处理数据和信息的能力愈来愈强，而物联网对数据的处理能力要求不算太高，但对数据和信息的实时性有一定的要求，因此而提来的“雾计算”则是刚刚兴起。作为物联网中重要成员的Zigbee设备节点，是否遇到了资源瓶颈？

Melexis（迈来芯） MLX81100的功耗计算方法 应用笔记

【经验】简述直流电机控制芯片MLX81100使用外部或内部稳压晶体管的功耗计算方法

本文档旨在说明如果外部稳压晶体管连接到VDD5V引脚或使用内部稳压晶体管时，该如何计算芯片的功耗。功耗等于输入功率减去输出功率，电阻的功耗是电阻的压降乘以流过的电流。

【经验】一文教你如何计算高温下MOSFET漏电流大小

MOSFET的漏电流通常是在Tc=25℃条件下给出，然而实际工作时，不可能一直工作在环境温度25℃条件下，一般工作的温度均会很高如80℃，加上芯片自身的发热可能芯片表面的温度在100℃，那么，高温下MOSFET的输出电流能力是否与25℃下一样呢，本文以RENESAS汽车级MOSFET NP40N10YDF举例说明，揭示如何计算MOSFET高温下的电流值，让研发人员更清楚选择合适规格的产品。

【经验】不带保护隔离驱动芯片的电源功耗如何计算？

工业变频器、伺服电机控制器的设计时，每个工程师一般会考虑每个器件的功耗有多少，那么隔离驱动芯片的电源功耗怎么计算呢？本文以不带保护的隔离驱动芯片Silicon Labs SI826x电源功耗计算做举例说明。

【技术】计算微带线宽度时所需要的电路板材参数介绍

对于Rogers公司推出的TMM微波层压板而言，其不同厚度与类型下的微带线所对应的宽度和有效介电常数都不同。此外，与带状线结构不同，微带线的有效介电常数和阻抗随频率而变化。因此，本文讨论了上述情况中的微带线宽度与有效介电常数设计，旨在帮助工程师更好的设计与挑选产品。

【产品】Renesas推出PCIe® Gen3信号重定时器，专为要求严苛的计算、存储以及通信应用而设计

IDT公司近期推出了8/16通道PCIe® Gen3信号重定时器89HT0808P和89HT0816P，功能强大，包括信号调节功能、高级诊断功能、定制协议功能、高级节能功能以及I2C编程接口，专为要求严苛的计算、存储以及通信应用（2.5Gbps / 5Gbps / 8Gbps）而设计。

【技术】高频层压板上不同宽度的居中带状线特性阻抗的计算方法

Rogers公司推出的RT/duroid高频层压板在各种带状线器件中，其中心线宽可以分成窄带线与宽带线两种情况进行讨论，从而分别设计它的特性阻抗。当满足条件“中心带在地平面居中位置”时，计算带状传输线特性阻抗的闭合公式可以提供精确的设计。

业界领先的IDT SAS/SATA 6G转发器，专为计算、存储和通信的 1.5Gbps 至 6G 应用而优化设计

IDT 可提供 1.5 Gbps 至 6 Gbps 的 SATA 和 SAS 转发器，采用可补偿电缆和电路板走线衰减及 ISI 抖动的 EyeBoost™ 技术，因此可有效扩大连接范围。 这些器件可提供四个或八个通道，每个通道包括输入均衡器和放大器、带干扰滤波器的信号检测以及可编程输出摆幅、摆率和带时延控制的去加重。 所有这些功能均可由用户进行编程，因此可针对具体应用进行优化。

【产品】可编程时钟发生器5P49V6967和5P49V6968，适用于高性能消费类、网络、工业、计算和数据通信应用

IDT（Renesas收购）推出的5P49V6967和5P49V6968可编程时钟发生器，采用IDT的第六代可编程时钟技术（VersaClock 6E），频率均由单个参考时钟产生。 适用于高性能消费类、网络、工业、计算和数据通信应用。

【应用】边缘计算与云计算的新融合，完美应对物联网时代安全性和连接性

虽然边缘计算和云计算看似对立，但事实上两者有着融合的趋势，这使得取舍已经不那么重要。在所有这些发生的同时，微处理器(MPU)和微控制器(MCU)的性能也在惊人地增长。具有兆字节闪存和百位千字节内存的200MHz频率范围的MCU已经很常见，如瑞萨电子Synergy S7系列。另外，如瑞萨电子RZ/A系列，同样能够运行Linux的入门级MPU 。

【产品】为计算机和机箱间提供高性能链路的M9048A PCIe台式适配器，适用于具有PCIe扩展插槽的计算机

Keysight推出的M9048A是一款 PCIe 接口卡，适用于具有 PCIe 扩展插槽的计算机。它在外部计算机和 AXIe 机箱之间提供性能极高的链路。该卡具有 Gen 2 x8 PCIe 电缆链路，能够实现高达 4GB/s 的速率。它的操作不受应用软件监测，无需使用软件驱动程序。

【选型】扬杰科技（YANGJIE）TVS芯片（平面低压系列产品）选型指南

TVS芯片（平面低压系列产品）产品特点：平面工艺；超低反向漏电；芯片表面两面蒸镀Ti/Ni/Ag

MELEXIS（迈来芯）新推出传感器标定服务，支持其传感器芯片的编程、程序调试＆烧录，现已开放免费预约

为解决MELEXIS芯片的烧录问题，平台日前上线了MELEXIS（迈来芯）传感器标定和芯片烧录服务。世强的开放实验室配备有MELEXIS烧录和传感器标定工具以及子板，面向所有企业客户免费开放预约使用。

敏源传感（MYSENTECH）芯片PCB封装库文件

业界权威AI芯片目录集《AI芯片技术选型目录》由AIIA正式发布，启英泰伦人工智能语音芯片入选

AIIA 2020年度首批《AI芯片技术选型目录2020年》，共收集22家企业、49款AI 芯片相关产品技术。启英泰伦作为人工智能语音芯片及产品解决方案的行业领先公司，与赛灵思、高通等6家企业共同参与了AIIA DNN benchmark测试。

【应用】可计算天线应用范围的实用小工具

Silicon Labs推出的该射频范围计算器计算精确、快速、简单，这个射频范围计算器是为那些不想处理射频问题的客户提供基于室内外环境的快速合理的射频范围计算方案。

CI100X系列芯片 智能管家固件模组使用说明

Central Semiconductor（中央半导体）CP219晶体管芯片停产通知（PDN01121）

The CP219 transistor die process is discontinued and now classified as End of Life (EOL).

【应用】容隔离芯片SI8622EC-B-IS用在电池检测设备做CAN隔离通讯，成本优于光隔离芯片或磁隔离芯片

目前的电池检测设备在信号通讯时会涉及到CAN通讯，由于涉及到高速通讯及成本的考虑，通常会采用不带隔离的CAN搭配两颗高速光耦或者一颗磁隔离芯片来做CAN的收发信号隔离。针对上述方案，Silicon Labs推出的SI8622EC-B-IS属于容隔离芯片，支持150Mbps的通讯速率，另外在成本上优于光隔离芯片或者磁隔离芯片，利于电池检测设备设计成本降低。

【应用】同步降压DC/DC芯片PL8405应用于伺服机床控制器，转换效率95%，可最大程度的降低芯片功耗以降低芯片温升

采用宝砾微的同步降压DC/DC芯片PL8405用于伺服机床控制器有以下优势：工作电压高达32V，输出电流5A，转换效率可达95%以上，可最大程度的降低芯片功耗以降低芯片温升。可以通过设定FREQ脚的电压来设定芯片工作频率150KHz、300KHz、600KHz或1200KHz，根据工作频率来调整外部电感的感量，以便降低电感体积，节省空间。

【应用】SIC驱动芯片SIC1182K可满足SIC MOS管过流或短路检测设计需求，具有支持150KHz运用的开关频率

设计者们希望在针对SIC MOS管驱动芯片的功能上能够像驱动IGBT的驱动芯片一样，具有Desat过流或短路检测功能，能够在SIC MOS管或者SIC模块进入过流状态时实现检测并做出保护功能。针对该需求，PI推出的SIC1182K能够满足设计对于SIC MOS管的过流状态检测芯片。PI的SIC1182K具有支持150KHz运用的开关频率，8A的峰值驱动电流，可以满足SIC MOS管的运用需求。