达林顿阵列

【产品】内设过压保护电路的达林顿晶体管阵列电路ULN2003L，峰值涌入电流达600mA

上海国芯推出的ULN2003L是高压、大电流达林顿晶体管阵列单片集成电路。适用于工业及民用各类灯具，继电器及打印机撞针的驱动。采用DIP16和SOP16封装形式。内设过压保护电路，防止由感应负载引入的过压损害；输入阻抗为2.7kΩ，可与使用5V电压 的TTL或CMOS逻辑电路配合使用。

【产品】输出工作电压可达50V的达林顿晶体管阵列集成电路ULN2003A，峰值浪涌电流达600mA

上海国芯推出的ULN2003A是高压、大电流达林顿晶体管阵列单片集成电路，内置过压保护电路，可防止由感性负载带来的过压损坏，峰值浪涌电流达600mA，可驱动白炽灯，输入阻抗为2.7KΩ，可与使用5V电压的TTL或CMOS逻辑电路配合使用。

【产品】DIP16和SOP16封装的达林顿晶体管阵列电路ULN2003M，输出工作电压可达40V

上海国芯推出的ULN2003M是高压、大电流达林顿晶体管阵列单片集成电路。适用于工业及民用各类灯具，继电器及打印机撞针的驱动。峰值涌入电流达600mA，可以驱动白炽灯；输入阻抗为2.7kΩ，可与使用5V电压的TTL或CMOS逻辑电路配合使用。

【产品】八NPN达林顿晶体管，适合逻辑接口电平数字电路和较高的电流/电压

上海国芯推出的ULN2803内部集成了8个NPN达林顿晶体管，连接的阵列，非常适合逻辑接口电平数字电路（例如TTL，CMOS或PMOS上/ NMOS）和较高的电流/电压，如电灯，电磁阀，继电器，打印机或其他类似的负载。广泛应用于计算机，工业和消费类产品中。所有设备功能由集电极输出和钳位二极管瞬态抑制。该ULN2803是专为符合标准TTL而制造。采用SOP18封装。

【产品】高压、大电流达林顿晶体管阵列单片集成电路ULN2003

上海国芯推出的ULN2003是高压、大电流达林顿晶体管阵列单片集成电路。适用于工业及民用各类灯具，继电器及打印机撞针的驱动。采用DIP16封装形式。

ULN2003 达林顿晶体管阵列电路 数据手册

有没有像uln2003的这种pnp型达林顿管阵列器件

没有和ULN2003这种完全一样的器件，可以看一下SILICON LABS的SI8660数字隔离器https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/si8660以及Intersil(Renesas收购)的HFA3096，HFA3135超高速三极管阵列是否可以用。

达林顿晶体管阵列电路 应用方案

【产品】适合用于电机驱动、LED驱动、电磁阀驱动以及低边开关的7路达林顿晶体管阵列

ROHM推出的BA12003DF-Z、BA12004DF-Z是其推出的两款晶体管阵列，将达林顿结构的NPN晶体管7电路集成在一块芯片中，每个电路中都内置有用于吸收输出浪涌的钳位二极管，适合用于电机驱动、LED驱动、电磁阀驱动以及低边开关等场合。

【选型】KODENSHI AUK（可天士）光敏二极管/晶体管、发光二极管、位置检测元件选型指南

KODENSHI（可天士）公司主要生产发光二极管、受光二极管、三极管、光电池、Encoder模块、光耦、红外遥控接收头、光电IC、IrDA、PDIC、光通讯产品、汽车电子产品等产品。其高精度、高灵敏度的一体化编码器模块（AB相位阵技术）、粉尘传感器、材质传感器，产品性价比高、可定制化，在编码器、颗粒物检测、材质检测方面的应用表现亮眼。

【产品】内置7个电路的单片IC晶体管阵列，反向电流IR最大值仅50µA

BA12003B ，BA12003BF，BA12004B ，BA12004BF是Rohm（罗姆）半导体公司推出的单片IC晶体管阵列，它将达林顿结构的NPN晶体管7电路集成在一块芯片中。每个电路中都内置有用于吸收输出浪涌的钳位二极管。该款产品拥有低漏电流、低正向电压、高电流增益、低损耗功率等优势，可用于电机驱动器、LED驱动器、电磁阀驱动器、低侧开关等应用。

【产品】100V/5A互补硅功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用

Central推出的CZT122，CZT127器件是采用表面贴装封装制造的互补型硅功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用而设计。CZT122为NPN硅功率达林顿晶体管，而CZT127为PNP硅功率达林顿晶体管。集电极持续工作电流最大额定值可达5.0A，集电极峰值工作电流最大额定值为8.0A，基极持续工作电流最大额定值为120mA。

【产品】专为音频放大器应用设计的PNP/NPN硅互补中功率达林顿晶体管

Central推出的MJE700T，MJE800T系列器件是硅互补中功率达林顿晶体管，采用TO-220直插式封装，专为音频放大器应用而设计，作为互补输出器件。MJE700T系列为PNP中功率达林顿晶体管，包含MJE700T、MJE701T、MJE702T以及MJE703T。而MJE800T系列为NPN中功率达林顿晶体管，包含MJE800T、MJE801T、MJE802T以及MJE803T。

【产品】具有极高增益的NPN型达林顿晶体管BCV47

Central推出的BCV47 NPN型达林顿晶体管，采用表面安装，由外延平面工艺制造，具有极高增益，尤其适用于需要高增益的应用领域。其功耗最大为350mW，可以满足用户设计对低功耗的要求。该系列产品有宽的工作温度范围-65˚C~+150˚C，可以很好地适应不同的温度环境。其集电极连续电流为500mA。

【产品】放大系数达1000的互补硅功率达林顿晶体管，专为通用放大器和低速开关应用

Central推出的TIP140系列和TIP145系列器件是由外延基极工艺制造的互补硅功率达林顿晶体管，专为需要高增益的通用放大器和低速开关应用而设计。具有耐压高、持续工作电流大、增益高等特点。TIP140系列NPN硅功率达林顿晶体管包含TIP140，TIP141，TIP142。TIP145系列PNP硅功率达林顿晶体包含TIP145，TIP146，TIP147。

【产品】具有350V达林顿晶体管的低电压误差放大器，LED灯泄放控制电路的理想选择

全球电路保护领域的领先企业Littelfuse的子公司IXYS推出了一款具有350V达林顿晶体管的低电压误差放大器——IX9915。该低电压误差放大器在一个封装中集成了一个误差放大器、一个精密基准以及一个350V达林顿晶体管。在工作温度范围内，内部误差放大器可在1.3V至12.5V电压范围内工作，内部的达林顿晶体管的击穿电压为350V。

【产品】100V/2.0A硅互补功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用而设计

CJD112（NPN）和CJD117（PNP）是CENTRAL半导体公司推出的两款表面安装硅互补功率达林顿晶体管，其具有高电压、高电流、低功耗等特点。功率达林顿晶体管CJD112和CJD117采用了DPAK表面贴装封装，专为低速开关和放大器应用而设计。

【产品】表面贴装硅高压NPN达林顿晶体管CZTA27，可用于-65°C~+150°C较苛刻环境中

Central的CZTA27是一种硅NPN达林顿晶体管，由外延平面工艺制造，表面封装环氧树脂成型，适用于要求极高增益和高电压的应用场合。该产品操作和储存结范围大：-65°C 到 +150°C，耐温程度高可以广泛的运用于较苛刻的产品环境当中。产品运用弹性大，安全系数高，同时保证达林顿管的工作效率。

【产品】IDT可用于5G、卫星通信和雷达相位阵列应用的相位阵列波束形成器

IDT（Renesas收购） 的相位阵列波束形成 IC 能为 5G、卫星通信和雷达应用提供低成本的新一代系统解决方案。每个波束形成 IC 都包括多个独立控制的有源通道，满足电子扫描阵列天线 (ESA) 的元素级波形塑造要求。紧凑型 IC 提供平面 BGA 或 QFN 封装，能实现极小化相位阵列天线，元素间隔 λ/2。

【产品】硅NPN达林顿功率晶体管，直流增益可达15K

Central推出的CP230-CZT122，CP230-TIP122和CP230-2N6039都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片，其中，CP230-CZT122和CP230-TIP122参数特性完全一致。它们专为低速开关和放大器应用而设计，具有高耐压、大电流、饱和压降低以及增益系数高等特点。

【产品】60V/500mA表面贴装硅PNP达林顿晶体管，功率损耗最大为2W

CZTA77是Central Semiconductor公司推出的表面贴装硅PNP达林顿晶体管，采用外延平面工艺设计制造，表面材料为环氧树脂，其封装形式为贴片SOT-223

【产品】饱和压降低至0.8V的增强型NPN达林顿晶体管

CMLT6427E是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型NPN达林顿晶体管，它具有的高直流电流增益和低饱和电压，是工业、消费类应用中一个很好的选择，可应用于电机驱动器，继电器驱动器，前置放大器输入应用，电压调节器控制领域。

Melexis（迈来芯）热电堆传感器/传感器模块/阵列/过滤器（RoHS）测试报告（0114043385a 001）

Thermopile Sensor, Sensor Module, Array, Filter 测试报告

【产品】120V/30A高性能NPN达林顿功率晶体管，开关频率为4MHz

CP147-MJ11016芯片是Central Semiconductor公司推出的一款硅NPN达林顿功率晶体管，专为高电流应用而设计。该芯片的工作温度范围为-65-200℃，最大可承受电压为120V，可通过高达30A的电流，性能极为稳定。集电极-发射极电压偏差为3.0V，具有良好的低功耗性能。

【产品】达林顿互补硅功率晶体管CZTA14、CZTA64，专为需要极高增益应用

CENTRAL SEMICONDUCTOR （美国中央半导体公司）推出了两款由外延平面工艺制造的达林顿互补硅功率晶体管 —— CZTA14和CZTA64。它们采用表面贴装的环氧树脂SOT-223封装，专为需要极高增益的应用而设计。该晶体管热阻最大额定值为62.5°C / W，工作和存储结温范围为-65℃至150℃，可以承受极端环境温度并能够正常运行，从而可以保证晶体管具有高可靠性。

【产品】跨阻限幅放大器阵列HXR6204，可应用于并行光链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）

IDT（Renesas收购）推出的HXR6204跨阻限幅放大器阵列是应用于并行光链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）产品系列之一。结合PIN探测器阵列或分立式探测器，产品可用于电信和数据通信应用中高容量、高可用性的光链路设计。 3.3V SiGe器件集成了跨阻前置放大器，限幅后置放大器和用于四个光通道的通用CML输出级。

【产品】硅PNP达林顿功率晶体管裸片，持续工作电流高达30A、耐压可达90-120V

Central推出的CP647-MJ11013、CP647-PMD19K100、CP647-2N6287以及CP647-MJ11015都是硅PNP达林顿功率晶体管裸片，专为高电流应用而设计。具有工作电流大、耐压高、增益高等特点。

【产品】16A工业级硅互补功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用而设计

CJD122（NPN）和CJD127（PNP）是CENTRAL半导体公司推出的表面安装硅互补功率达林顿晶体管，他们具有高耐压、高电流、低饱和压降、低功耗等特点。其采用了DPAK表面贴装封装，专为低速开关和放大器应用而设计。

【产品】32mA，50µs！高电流快速响应的PLCC-2封装型硅光电达林顿管

TT推出的OP580DA是具备塑料无引线芯片载体封装的硅光电达林顿管，具备快速响应时间、广泛的受光角、高电流增益以及良好的低温环境适应性等特性。

【产品】耐压高达200V的硅NPN达林顿晶体管CZT2000，直流放大系数可达3000

Central推出的CZT2000是一款基于外延平面制造工艺，采用SOT-223环氧树脂封装的NPN硅达林顿晶体管，专为需要极高电压和高增益能力的应用而设计。具有高耐压、大电流以及高增益等特点。其集电极-基极电压和集电极-发射极电压的最大额定值均为200V，发射极-基极电压的最大额定值为10V。其集电极连续电流最大额定值为600mA,可满足一般大电流设备的应用需求。

【产品】为工业开关应用设计的NPN型达林顿晶体管裸片CP101-BSS52

Central的CP101-BSS52是一种硅NPN小信号达林顿晶体管，专为工业开关应用而设计。该产品具备了很高的承受电流能力，有效地避免了芯片被击穿的情况出现。具有很高的安全性，且不轻易被过高的电压电流影响，这一点使该产品在市场中具有很高的使用率。

【产品】外延基板互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计

中央半导体的2N6294，2N6295，2N6296，2N6297系列器件是互补硅达林顿功率晶体管，采用外延基极工艺制造，专为高增益放大器和中速开关应用而设计。该系列晶体管采用了TO-66封装，此种形式的封装散热性能好，具有NPN和PNP两种类型，温度范围宽。

【产品】100V硅PNP达林顿功率晶体管裸片，专为低速开关和放大器应用

Central推出的CP630-CZT127,CP630-TIP127,CP630-2N6036是硅PNP达林顿功率晶体管裸片，专为低速开关和放大器应用而设计。具有高耐压、高电流、低饱和压降以及放大系数高等特点。集电极持续工作电流最大额定值分别为4/5/5A，峰值集电极电流最大额定值均可达8A，可满足一般大电流设备的应用需求。

【产品】开启时间仅1μs的D44E系列硅NPN达林顿功率晶体管，专为需要高增益的开关和输出应用而设计

Central Semiconductor美国中央半导体公司推出的D44E系列器件是硅NPN达林顿功率晶体管，采用外延基极工艺制造，具有2个集成电阻和1个二极管，专为需要高增益的开关和输出应用而设计。具有电流大、增益高、热阻低等特点。

【产品】专为通用开关应用而设的硅NPN达林顿功率晶体管2N6576、2N6577和2N6578

Central半导体公司推出的2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管，采用TO-3封装形式，占用电路空间小，是专为通用开关应用而设计的。该系列器件的集电极电流IC为15A，其集电极峰值电流ICM为30A，可满足大电流应用的设计需求。

【产品】低电容瞬态抑制二极管阵列，尺寸仅为典型四线路阵列的1/3

Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业，推出了新的小尺寸瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）系列产品，专为保护高速信号引脚而设计。

【产品】高电压达林顿输出的单向输入光电耦合器，电流传输比可达1000％至8000％

LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出了一款具有高电压达林顿输出的单向输入光电耦合器——CPC1301。CPC1301光电耦合器具有低输入电流、高电流传输比、高输出电压和大的电压隔离阻隔等级等优点，使其成为电信、工业和电源控制等多种应用的理想选择。

【产品】专为高增益放大器应用设计的硅NPN达林顿功率晶体管裸片，电流放大系数最小值为10K

Central推出的CP329V-MPSA28和CP329V-MPSA29都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片，专为高增益放大器应用而设计。它们具有高耐压、低饱和压降以及增益系数高等特点。

【产品】TO-3封装互补硅达林顿功率晶体管，具有NPN型和PNP型

CENTRAL推出的2N6282/2N6283/2N6284（NPN型）和2N6285/2N6286/2N6287（PNP型）系列晶体管是互补硅单片达林顿晶体管，采用外延基极工艺制造，专为通用大电流，高增益放大器和开关应用而设计。散热性好，具有较宽的工作温度范围。

【产品】专为高增益放大器应用而设计的硅NPN达林顿功率晶体管裸片，直流放大系数为5-20K

Central推出的CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片，具有相同的机械参数和运用领域。实物如图1所示，专为高增益放大器应用而设计。具有高增益、低压降以及高特征频率等特点。

【产品】PNP型和NPN型互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计

Central推出的2N6298/2N6299（PNP型）和2N6300/2N6301（NPN型）系列器件是由外延基板工艺制造的互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计，有着较宽的温度范围，采用了TO-66封装，有着较好的散热性。

【产品】NPN型硅光敏达林顿三极管PT304R2L，光谱灵敏度为700~1000nm

KODENSHI（可天士）推出的PT304R2L是一款高功率NPN型硅光敏达林顿三极管，采用透明侧视封装，结构紧凑，外形尺寸小，易于安装。其半角值为±40deg，峰值波长的典型值为850nm。

【产品】8A/60V硅NPN达林顿功率晶体管裸片, 专为高增益放大器应用而设计

CP127-2N6300是Central Semiconductor推出的一款硅NPN达林顿功率晶体管裸片，专为高增益放大器应用而设计。该产品具有较高的耐压值，集电极-基极电压以及集电极发射极电压均可高达60V，连续集电极电流为8A，峰值集电极电流更是高达16A，可满足一般的大电流的应用需求。

【产品】30V/0.3A的NPN小信号达林顿晶体管，常用于通用开关应用

丽正国际公司推出了一款NPN小信号达林顿晶体管CMBTA13，集电极-基极电压最大为30V，集电极电流最大为300mA，该产品可应用于高灵敏的放大电路中，用来放大非常微小的信号，常被用于通用开关应用，如大功率开关电路等。

【产品】高灵敏度NPN硅光电达林顿晶体管SPT334R-01，具有75mW耗散功率

可天士推出的SPT334R-01是一款高灵敏度NPN硅光电达林顿晶体管。产品采用黑色侧面包装，结构紧凑，易于安装。产品可应用于磁带传感器、光学探测器和光学计数器等领域。

【产品】内置9路PNP达林顿输出的功率IC，专为驱动器应用设计

MTA002是由Shindengen公司推出的一款功率IC，其具有内置9电路（准PNP达林顿输出）、TTL / CMOS兼容输入（低电平有效）、使能功能的特性。主要应用于电磁驱动器，LED显示驱动器中。该功率IC器件的输入电压范围0~7V，输出电压值为60V，输出电流值为2A,反向激发电流值为2A，具有很高的控制性。MTA002功率IC在25℃的指定工作条件下，其保存温度范围为-40-150℃。

【产品】超小尺寸增强型NPN硅达林顿晶体管，直流电流增益最小15k

CENTRAL半导体的CMST6427E NPN硅达林顿晶体管，其采用了SOT-323表面贴装封装。它具有的高直流电流增益和低饱和电压，是工业/消费类应用中考虑高效率和小尺寸的一个不错的选择。

【产品】具备达林顿晶体管输出的双通道单向输入光电耦合器，电流传输比典型值8500％

LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出了一款具有达林顿晶体管输出的双通道单向输入光电耦合器——LDA213。该光电耦合器的电流传输比（CTR）最小值为300％，最大值为30000 %，典型值为8500％。它还具有低功耗、高的输入到输出隔离电压和低输入/输出电容等优点。

【经验】外形一样的红外测温阵列MLX90640和MLX90641要如何区分？

迈来芯的红外测温阵列MLX90640和MLX90641广泛用于门禁测温应用中，MLX90640为32*24的阵列，MLX90641阵列数为16*12，为MLX90640的四分之一，适配不同的产品需求。除了阵列数不同外，两者的电气参数、底层驱动甚至是外形都完全一样 ，之前调试MLX90641程序时混淆使用了MLX90640，导致一直卡在EEPROM读取那里，鼓捣了一天才发觉器件使用错了。

【产品】单通道功耗仅66mW、集成12通道的跨阻限幅放大器阵列HXR5112A

HXR5112A是Renesas旗下IDT公司推出的跨阻限幅放大器阵列，是IDT针对并行光链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）产品系列的成员。 HXR5112A结合PIN探测器阵列或分立式探测器，可以为数据通信应用程序设计高容量、高可用性的光学链路。

【产品】适用于阵列天线的高介电常数吸波材料

吸波材料就成了控制材料介电常数和磁导率的游戏。高介电常数Ɛ1的材料自然也就是我们的选择，Laird ESSOSORB AN就是这样一款高介电常数的吸波材料，其优点是质量轻，价格便宜，适合商业用途。尤其是在阵列天线中使用可以，可提高阵列天线的隔离度，降低天线的后向辐射，优化方向图性能，同时不会大幅增加阵列天线的重量。

【产品】贴片SOD523封装TVS保护阵列TPA5235U，低钳位电压

贴片TVS保护阵列TPA5235U是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的普通容值静电保护器件。TVS保护阵列TPA5235U属于硅基产品，采用SOD523封装，为双极性，脉冲功率为190W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-45~125℃，有卓越的钳位能力，钳位电压低，最大值19V；反向漏电流小，响应时间快。

【产品】贴片SOT143封装的TVS保护阵列TPA143L05系列，脉冲功率为40W

贴片SOT143封装TVS保护阵列TPA143L05系列是电安科技推出用于USB口、以太网口、电脑、服务器、音频产品等消费类产品的低容值静电保护器件。TPA143L05系列TVS保护阵列属于硅基产品，采用SOT143封装，为双极性，脉冲功率为40W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-55~125℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小，响应时间快等优点。

【产品】数据传输效率28Gbps的跨阻限幅放大器阵列HXR8204，灵敏度可达60µApp

HXR8204是瑞萨电子旗下IDT公司推出的跨阻限幅放大器阵列，属于光接收发射器阵列（ORTA）产品系列，HXR8204针对并行光链路市场。该产品可结合PIN探测器阵列或分立式探测器，为电信和数据通信应用设计高容量，高可用性光链路。

【应用】SPA二极管阵列实现USB端口的瞬态干扰防护

通用串行数据总线(USB)接口通常采用ESD TVS阵列来实现防护，Littelfuse推出的ESD保护SPA二极管阵列产品系列产品丰富，针对不同的USB应用需求都有对应产品。

【产品】容差低至±0.1％的精密芯片阵列电阻器

PCA系列就是TT Electronics旗下品牌Welwyn推出的精密芯片阵列电阻器。PCA系列精密芯片阵列电阻器还具有超低的TCR低至±10ppm/°C，且所有部件均符合ROHS标准，在电路保护，电路检测，电源管理和信号调理等应用领域应用广泛。

【产品】带有集成波束成形器射频集成电路的2D天线阵列KHA16.24C，包含16个天线单元，非常适合5G应用

Taoglas公司推出的KHA16.24C是带有集成波束成形器射频集成电路的2D天线阵列，可在组成该阵列的16个单位上提供完整的幅度和相位控制。该有源阵列集成到多层PCB中，该多层PCB包含射频集成电路和16个天线单元。功率优化和热控制，数字控制和射频馈线提供的所有层面积为53x84mm。该阵列的设计工作频率为26.5至29.5 GHz，非常适合5G应用。

【产品】4通道的VCSEL驱动器阵列HXT6104，符合QSFP MSA标准，数据速率16Gbps

HXT6104是IDT公司推出的VCSEL驱动器阵列，是紧凑，耐用，低功耗光发射器模块的关键组件，与VCSEL阵列配合使用，可处理完整的数字光转换，包括CML输入，激光驱动器，驱动控制和监控，该器件采用标准硅技术，附加少量组件即可实现经济高效且紧凑的应用，易于装配。

【产品】数据传输效率28Gbps的跨阻限幅放大器阵列HXR8212，12个光通道，灵敏度可达60µApp

HXR8212是瑞萨电子旗下IDT公司推出的跨阻限幅放大器阵列，属于光接收发射器阵列（ORTA）产品系列，HXR8212针对并行光链路市场。该产品可结合PIN探测器阵列或分立式探测器，为电信和数据通信应用设计高容量，高可用性光链路。

【产品】0.36pF低容值贴片DFN10P封装TVS保护阵列TPAu10L-1L系列，脉冲功率为40W

TVS保护阵列TPAu10L-1L系列是电安科技推出的广泛推出用于USB口、HDMI、DVI、SATA、电脑等消费类产品的低容值静电保护器件。TPAu10L-1L系列TVS保护阵列属于硅基产品，采用DFN10P封装，为双极性，可以同时保护4根信号线，脉冲功率为40W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-55~125℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小，0.36pF低容值。

【产品】HXR8201跨阻限幅放大器阵列，在28Gbps下60μapp接收器灵敏度为10-12比特误码率

HXR8201跨阻抗限幅放大器阵列是IDT针对短距离光纤链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）产品系列的成员。 与分立式引脚检测器阵列一起，可为Datacom和企业应用设计高容量和高可用性光链路。 该产品是25G扇出模块应用的理想选择。

【产品】4通道14Gpbs跨阻限幅放大器阵列HXR5104A，应用于并行光链路市场

IDT（Renesas收购）推出的HXR5104A 4通道14Gpbs跨阻限幅放大器阵列是应用于并行光链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）系列产品之一。结合PIN探测器阵列或分立式探测器，产品可用于电信和数据通信应用中高容量，高可用性的光链路设计。 3.3V SiGe器件集成了跨阻前置放大器，限幅后置放大器和用于四个光通道的通用CML输出级。

【产品】可保护高达4条外部信号或总线的TVS二极管阵列SP725系列

Littelfuse（力特）的TVS二极管阵列SP725系列采用SCR/ ESD二极管两极结构阵列，用于敏感输入电路的ESD和过压保护。 SP725每个输入端都有2个保护SCR/二极管的器件结构。 共有4个有效输入端，可保护高达4条外部信号或总线。 过压保护范围：从IN（引脚1-4）到V+或V-。

【产品】4通道跨阻抗限幅放大器阵列HXR42400，适用于长距离通信应用

HXR42400是瑞萨电子旗下IDT公司推出的跨阻抗限幅放大器阵列，主要用于LR4并行光学应用，有4个通道，数据速率能达到28Gb/s，内置的3.3V SiGe器件集成了跨阻抗前置放大器，限幅器后置放大器和用于四个光学通道的通用CML输出级，针对来自多个供应商的隔离和共阴极光电探测器阵列进行了优化。

【产品】10Gbps的4通道VCSEL驱动器阵列HXT5004A，单通道功耗仅46mW

HXT5004A是瑞萨电子旗下IDT公司推出的数据速率10Gbps的4通道VCSEL驱动器阵列，是紧凑，坚固，低功耗光发射器模块的关键组件，单通道功耗仅46mW，与VCSEL阵列配合使用，可处理完整的数字光转换，包括CML输入，激光驱动器，驱动控制和监控。

【产品】采用COB封装的受光二极管阵列SPN-B6CA，无边框设计，适用于多种伺服电机和工业编码器

可天士（KODENSHI）推出的SPN-B6CA是一款受光二极管阵列（硅光电池阵列），可接收LED的光信号，转换并放大成电信号发送给信号处理单元。6窗光电池阵列，敏感度高，响应速度快；采用COB形式封装，可在多种伺服电机或工业编码器上使用；无边框设计，制品更加小巧轻薄。

【产品】贴片SOD323封装TPA323H系列TVS保护阵列，单极性，脉冲功率为350W，空气30KV，接触30KV

贴片SOD323封装TPA323H系列TVS保护阵列是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的高能普通容值静电保护器件。TPA323H系列TVS保护阵列属于硅基产品，采用SOD323封装，为单极性，脉冲功率为350W（8/20u波形），Vrwm电压有3V、5V、8V、12V、15V、18V、24V、36V这几款，工作时的环境温度为-55~125℃，有卓越的钳位能

安捷伦微阵列芯片杂交炉已针对安捷伦微阵列芯片优化！

【产品】30kV单向TVS二极管阵列SP05系列，30pF低输入电容

Littelfuse推出的一款单向TVS二极管阵列SP05系列，这种表面贴装阵列系列可抑制ESD和其他瞬态过电压事件。 这些组件用于满足国际电工技术兼容性（针对静电放电要求的IEC瞬态抗扰性标准IEC 61000-4-2），可以帮助保护电压等级高达5VDC的数据、信号或控制线路上的敏感数字或模拟输入电路。

【应用】热成像阵列传感器MLX90621在智慧节能建筑系统中应用，精度达±1°C

在智慧节能建筑系统应用中，迈来芯热成像阵列传感器MLX90621通过实时监测房间人员状态，实现智能化的同时将电能的浪费最小化。MLX90621采用16×4阵列配置，可以精确地测量-50°C至300°C的物体温度和同时感测64个点的物体温度，最高精度达±1°C，数字输出兼容I2C通信协议，可编程帧率范围5~512Hz。

Littelfuse一级代理，现货供应原装进口Littelfuse TVS阵列

在世强元件电商，用户可以获取Littelfuse TVS阵列的最新产品和技术资讯、官方资料。同时，可在世强元件电商，进行Littelfuse TVS阵列的购买。

【产品】80V单列共形涂覆二极管阵列，按型号可选4到14个引脚

D系列是TT electronics集团出产的一款单列共形涂覆二极管阵列，按型号可选4个到14个 引脚的二极管阵列，这种即使非常节省电路空间，既可用在标准，也可以用在定制电路中，本产品大量应用于在机顶盒、游戏机、智能手机、外部存储设备、笔记本电脑、超极本、平板电脑和电子阅读器等产品。

【产品】Viking推出的TFAN系列薄膜高精度电阻阵列，具有非常精确的电阻网络

Viking（光颉科技）推出的TFAN电阻阵列，采用高科技薄膜技术，是薄膜高精度电阻阵列，具有非常精确的电阻网络，TCR低至±10ppm/℃。TFAN符合RoHS标准，是环境友好型器件，主要应用于分压器、反馈电路、信号调理应用领域。

【产品】分辨率高达400dpi的128像素线性阵列传感器LASMD01

LASMD01型线性阵列传感器是KODENSHI推出的一款128pixel，400dpi线性阵列传感器和I2C接口的电路板模块，LASMD01的感应波长为400nm-1000nm，有效像素范围为18～118 Pixels，设定测量距离为0～200mm，最小测量宽度为2.6mm，因此非常适合线路追踪器、条码阅读器、测距传感器等线性传感器件的应用。

【产品】贴片DFN1006封装TVS保护阵列TPA1006L1，脉冲功率为100W（8/20u波形）

贴片封装双极性TVS保护阵列TPA1006L1是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品、电源产品、消费类产品等市场领域的低容值静电保护器件。TVS保护阵列TPA1006L1属于硅基产品，采用DFN1006封装，为双极性，脉冲功率为100W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-50~150℃，有卓越的钳位能力、反向漏电流小、响应时间快、容值低（典型值0.2pF）等优点。

【经验】如何搭建迈来芯红外阵列传感器MLX90621测试环境？

MLX90621是迈来芯推出的一款阵列式红外温度传感器，功耗较低，有多个FOV可供选择，推出市场以来受到了市场的认可。本文介绍如何搭建迈来芯红外阵列传感器MLX90621测试环境。

【产品】贴片DFN1610封装双极性TVS保护阵列TPA1610D4V5H，双极性，脉冲功率为2000W

贴片DFN1610封装双极性TVS保护阵列TPA1610D4V5H是电安科技 推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的高能静电保护器件。TVS保护阵列TPA1610D4V5H属于硅基产品，采用DFN0603封装，类似于英制0603封装，为双极性，脉冲功率为2000W（8/20u波形），Vrwm电压为4.5V，工作时的环境温度为-55~125℃。

【产品】功耗仅66mW的4通道跨阻限幅放大器阵列HXR5004A，数据速率10Gbps，符合QSFP MSA标准

HXR5004A是瑞萨电子旗下IDT公司推出的跨阻限幅放大器阵列，是IDT针对并行光链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）产品系列的成员，单通道功耗仅66mW，数据速率达10Gb/s，适用于IEEE 802.3ba以太网收发器等。

【产品】单通道跨阻抗限幅放大器阵列HXR42100，适用于25G~100G扇出、长距离通信应用

HXR42100是瑞萨电子旗下IDT公司推出的跨阻抗限幅放大器阵列，只有1个通道，数据速率能达到28Gb/s，内置的3.3V SiGe器件集成了跨阻抗前置放大器，限幅器后置放大器和用于单个差分电子通道的通用CML输出级，针对来自多个供应商的隔离和共阴极光电探测器阵列进行了优化。

【产品】4通道跨阻限幅放大器阵列，集成跨阻前置放大器、限幅后置放大器

HXR6104跨阻限幅放大器阵列是IDT面向并行光链路市场的光收发阵列（ORTA）系列产品之一。结合PIN探测器阵列或分立探测器，可以为电信和数据通信应用设计高容量、高可用性的光链路。3.3V SiGe设备集成了跨阻前置放大器、限幅后置放大器和用于四个光输入通道的通用CML输出级。

【产品】12通道VCSEL驱动器阵列HXT5112A，数据速率为14Gbps，单通道46mW低功耗

HXT5112A 是瑞萨电子旗下IDT公司推出的VCSEL驱动器阵列，是紧凑、稳健和低功耗光发射器模块的关键组件。与VCSEL阵列配合使用，该芯片可处理完整的数字光转换，包括CML输入，激光驱动器，驱动控制和监控。该器件采用标准硅技术，和少量附加元件可实现低成本和紧凑的组装。 器件典型应用：IEEE 802.3ba以太网收发器无限带宽技术QDR＆FDR有源电缆专有多通道光纤模块 器件特点：·

【产品】可提供精确，快速且经济高效的太阳能阵列模拟器系统Z2094B-103/Z2094B-104

Keysight太阳能阵列模拟器（SAS）系统可提供精确，快速且经济高效的多段太阳能电池阵列输出特性仿真。 - MPPT- 最大峰值功率跟踪器 - 顺序分流调节 - 系列开关调节 - 直接连接 典型的SAS系统包含12到100个功率输出模块，每个模块能够模拟单个串，段或太阳能模块。 功率输出模块可以按照与太阳能电池阵列架构一致的集合进行分

【产品】非接触反射物体传感器，提供光电晶体管或光敏达林顿放大器输出

TT公司推出了一系列非接触式反射物体传感器，每个传感器都是只有当反射物体在视场内通过时，光电传感器才会响应辐射。反射距离最小和最大分别为0.08英寸和0.30英寸，典型值为0.15英寸。

【产品】贴片SOT23-3封装TPA23C系列TVS保护阵列，卓越的钳位能力，反向漏电流小

贴片SOT23-3封装TPA23C系列TVS保护阵列是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的普通容值静电保护器件。贴片SOT23-3封装TPA23C系列TVS保护阵列属于硅基产品，采用SOT23-3封装，为双极性，脉冲功率为280W（8/20u波形），Vrwm电压有3V、5V、8V、12V、15V、18V、24V、36V，工作时的环境温度为-55~125℃。

【技术大神】浅谈24GHz微带阵列天线设计技巧

Rogers公司生产的RO4350B板材具有优越的高频性能和很低的制作成本，在商用射频系统中得到广泛应用和验证。笔者使用Rogers RO4350B成功地设计了一系列24GHz微带阵列天线

【产品】2.5pf！“直通型”低电容TVS阵列保证信号完整性

SP2555NUTG系列瞬态抑制二极管阵列均可在高达45A和30kV ESD的条件下保护四个通道或两个差分线对。

【产品】贴片DFN2X2-3L封装双极性TVS保护阵列TPA2231H，脉冲电流IPP为240A（8/20u波形）

DFN2X2-3L封装双极性TVS保护阵列TPA2231H是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的高能静电保护器件。TVS保护阵列TPA2231H属于硅基产品，采用DFN2X2-3L封装，其公制尺寸为1.9X1.9mm，为双极性，脉冲电流IPP为240A（8/20u波形），Vrwm电压为4.5V，工作时的环境温度为-45~125℃，有卓越的钳位能力。

【产品】贴片SOP-8封装TVS保护阵列SLVU2.8-8，标准的静电防护能力为空气25KV，接触25KV

贴片SOP-8封装TVS保护阵列SLVU2.8-8是电安科技推出的广泛应用于通信产品，路由器，交换机, 音视频，以太网接口等市场领域的静电保护器件。SLVU2.8-8 TVS保护阵列属于硅基产品，采用SOP-8封装，脉冲功率为500W（8/20u波形），Vrwm电压为2.8V，工作时的环境温度为-55~150℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小，响应时间快等优点。IEC61000

pin-pin替代PESD2CAN,215的CAN BUS总线ESD防护TVS阵列，成本降低50%

针对汽车CAN BUS总线ESD防护设计，市面上常用的是Nexperia 安世半导体PESD2CAN,215 TVS阵列，因受今年市场缺货和涨价的影响，很多客户急需寻找一款可pin-pin替代方案，本文重点推荐littelfuse 高性价比SM24CANA-02HTG TVS阵列可pin-pin替代，最大反向工作电压VRWM为24V，通过IEC 61000-4-2 ESD测试认证 。

【应用】可pin-pin替换NUP4301MR6T1的低电容二极管阵列CMXESD70-4，高速信号端口ESD防护神器

针对高速I/O数据端口、四线高速数据或传输线免受过电压瞬变和ESD损坏，很多设计会选用ONSEMI的二极管阵列NUP4301MR6T1来做ESD防护电路，但为了达到更佳的数据输出特性，需求更低寄生电容的二极管阵列，本文介绍Central的二极管阵列CMXESD70-4，具有更低的端口寄生电容，可pin-pin替换ONSEMI的NUP4301MR6T1。

【产品】贴片DFN0603封装双极性TVS保护阵列TPA1006G03，脉冲功率80W、Vrwm电压3.3V

贴片DFN0603封装双极性TVS保护阵列TPA1006G03是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的普通容值静电保护器件。TVS保护阵列TPA1006G03属于硅基产品，采用DFN0603封装，类似于英制0402封装，为双极性，脉冲功率为80W（8/20u波形），Vrwm电压为3.3V，工作时的环境温度为-50~150℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小。

【产品】12通道16Gb/s VCSEL驱动器阵列HXT6112，每通道低功耗46mW

IDT推出的HXT6112 VCSEL驱动器阵列是紧凑，耐用，低功耗光发送器模块的关键组件。结合VCSEL阵列，该芯片可处理完整的数模转换，包括CML输入，激光驱动器，驱动控制和监控。标准的硅技术和少量的附加组件可实现经济高效且紧凑的组装。

【产品】适用于56Gbps PAM4信号的四通道跨阻线性放大器阵列HXR14400

瑞萨电子旗下IDT公司研发的HXR14400 四通道跨阻线性放大器阵列结合PIN探测器阵列或分立检测器，可为下一代以太网和数据通信应用设计高容量、高可用性光链路。

【产品】多线路浪涌阵列抑制器，内置四个独立抑制器

Littelfuse公司推出的MLN浪涌阵列抑制器设计用于保护组件免受电路板瞬态电压的损坏。为减少产品数量、缩短布局时间以及节省印刷电路板空间，该器件在单个“1206”无引线芯片中安装了四个独立抑制器。

【产品】贴片SOD323封装TVS二极管保护阵列TPA323HL系列，脉冲功率为350W

贴片封装TVS二极管保护阵列TPA323HL系列是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的高能低容值静电保护器件。TPA323HL系列TVS二极管保护阵列属于硅基产品，采用SOD323封装，为双极性，脉冲功率为350W（8/20u波形），Vrwm电压有3V、5V、8V、12V、15V、18V、24V、36V这几款，工作时的环境温度为-55~125℃。

【产品】贴片DFN0603封装TVS二极管保护阵列TPA0603L，容值低0.2pF，空气20KV，接触15KV

贴片DFN0603封装TVS二极管保护阵列TPA0603L是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的低容值静电保护器件。TVS二极管保护阵列TPA0603L属于硅基产品，采用DFN0603封装，类似于英制0201封装，为双极性，脉冲功率为100W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-50~150℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小，响应时间快

【产品】跨阻限幅放大器阵列HXR5104B，器件是应用于并行光链路市场的光学产品系列产品之一

IDT（Renesas收购）推出的HXR5104B跨阻限幅放大器阵列是应用于并行光链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）产品系列之一。结合PIN探测器阵列或分立式探测器，产品可用于电信和数据通信应用中高容量、高可用性的光链路设计。 3.3V SiGe器件集成了跨阻前置放大器，限幅后置放大器和用于四个光通道的通用CML输出级。

【产品】0.15pF低容值静电保护器件TPAu10L-3系列TVS保护阵列，脉冲功率60W

电安科技推出的TPAu10L-3系列TVS保护阵列，是广泛用于USB口、HDMI、DVI、SATA、电脑等消费类产品的低容值静电保护器件。TPAu10L-3系列TVS保护阵列属于硅基产品，采用DFN10P封装，脉冲功率为60W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-55~125℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小，低容值（典型值为0.15pF）响应时间快等优点。

【产品】贴片DFN0603封装双极性TVS保护阵列TPA1006H，脉冲功率为300W（8/20u波形）

贴片DFN0603封装双极性TVS保护阵列TPA1006H是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的高能静电保护器件。TVS保护阵列TPA1006H属于硅基产品，采用DFN0603封装，类似于英制0402封装，为双极性，脉冲功率为300W（8/20u波形），Vrwm电压为4.5V，工作时的环境温度为-45~125℃，具有钳位能力，反向漏电流小，响应时间快等优势。

【选型】在车辆通信系统上的TVS二极管阵列选型推荐

本文主要介绍Littelfuse的AQ1系列、AQ3系列、SM24CANA系列和AQxxC-01FTG系列TVS二极管阵列在车辆通信系统上的应用，这些TVS二极管阵列均能吸收超过IEC61000-4-2标准中规定的最严酷等级的ESD，且性能不受影响，箝位电压稳定且反向漏电流小，能为汽车应用提供理想的保护方案。

【产品】新亮智能的变焦阵列激光照明器，采用自主开发的VCSEL芯片，节能环保

新亮智能LL1100-0365-850CXA变焦阵列激光照明器采用自主开发的VCSEL芯片，采用独有的光学设计而成。光斑均匀细腻，寿命长，可靠性高；高光电转换效率保证了功耗较小，节能环保。由于采用了面发射阵列，发光面积较大，光功率密度较低，因此安全性较好，在安全性方面类似于大功率点阵红外LED。

【产品】符合汽车认证的TVS二极管阵列，取代低速和直流应用中的多层压敏电阻

Littelfuse推出了符合汽车认证的 TVS 二极管阵列 (SPA®) – AQXX系列，为保护数据线路、充电线路、控制线路、传动系统和通信端口不受 ESD、EFT 以及其他过压瞬变损坏提供了一种长久而强有力的方法。 AQxx系列TVS二极管阵列旨在取代电子设备中用于低速和直流应用的多层压敏电阻（MLV）。它将保护任何敏感设备免受静电放电（ESD）和其他瞬态事件的损害。

【产品】0.5pF低容值静电保护器件TPAu10L-1系列TVS保护阵列，脉冲功率90W

电安科技推出的TPAu10L-1系列TVS保护阵列，是广泛用于USB口、HDMI、DVI、SATA、电脑等消费类产品的低容值静电保护器件。TPAu10L-1系列TVS保护阵列属于硅基产品，采用DFN10P封装，为双极性，可以同时保护4根信号线，脉冲功率为90W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-55~125℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小，低容值（典型值为0.5pF）。

【产品】国产200 米红外阵列变焦激光照明器LL1200-0365-860CA(M)P

新亮智能推出的红外阵列变焦激光照明器，采用独有的光学设计而成。光斑均匀细腻，寿命长，可靠性高；高光电转换效率保证了功耗较小，节能环保。由于采用了面发射阵列，发光面积较大，光功率密度较低，因此安全性较好，在安全性方面类似于大功率点阵红外LED。

【技术】论如何通过TVS二极管阵列进行最有效的ESD保护？

硅瞬态电压抑制（TVS）二极管和二极管阵列均是可用的最有效ESD保护技术。为了选择最为合适的TVS二极管阵列，对所有这些考虑因素进行权衡可在力特公司iDesign™在线模拟和产品选型工具的帮助下变得更加简单。

【产品】国产5路ESD保护二极管阵列GESD5605C，可用于正极性的电路信号

高特（GoalTop）5路ESD保护二极管阵列——GESD5605C高特（GoalTop）推出的GESD5605C，设计用于保护敏感电子元件免受因静电放电或闭锁等其他电压引起的瞬态事件造成的损坏。它们被设计应用于空间有限的电路板，每个设备可保护多达五条线路。且都是单向线路，可用于正极性的电路信号。用于静电放电和锁存保护的TVS二极管阵列。

【选型】激光雷达以太网PHY芯片ESD防护推荐四通道直通式TVS阵列SP3312TUTG

为避免感应雷击或静电ESD对激光雷达以太网数据传输造成影响，一般需要在以太网PHY芯片与以太网变压器间加入一款四通道TVS阵列做ESD防护设计，推荐Littelfuse直通式四通道TVS管阵列SP3312TUTG，通过IEC61000-4-2 ±30kV Contact/±30kV Air ESD极端测试条件。

【应用】高分辨率红外阵列温度传感器MLX90640/1在智能照明设备中的应用，提供精确的人体检测方案

传统的具有人体检测功能的LED照明灯多采用PIR人体热释电红外的方式检测人的存在，这种产品大多应用于人体活动的场合，这样的检测方式带来了极大的问题，往往人还存在时出现灯熄灭的情况。Melexis公司推出的一款红外阵列温度传感器MLX90640、MLX90641，其中MLX90641具有16*12像素阵列，MLX90640具有32*24像素阵列，提供精确的人体检测方案。

【应用】热成像阵列传感器MLX90621在电路故障诊断设备中应用

基于MELEXIS的热成像阵列传感器MLX90621的成像设备，将故障板部件成像与正常板部件成像后对比处理，可以快速缩小故障范围，提高故障定位效率，解决故障问题。

【选型】为新型智能血糖仪LCD mipi端口ESD防护选择一款8通道TVS阵列：SP3003-08ATG

为满足新型智能血糖仪LCD mipi端口过接触4kV/6kV、空气6kV/8kV的抗ESD静电测试，一般需要在LCD mipi端口上加入低结电容TVS阵列做ESD防护，推荐Littelfuse（力特）TVS阵列SP3003-08ATG，典型I/O电容低至0.65pF，最大反向工作电压6V，可保护多达 8个信道或4个差分线对，可通过±8kV接触放电、±15kV空气放电。

【产品】15kW最大测量功率，光伏/太阳能阵列模拟解决方案

N8937APV是Keysight公司推出的一款最大测量功率达15kW(DC)，最大输出直流电压为1500V的光伏阵列仿真器，帮助用户开发、验证和优化逆变器最大功率点跟踪算法的性能。

【应用】Littelfuse TVS二极管阵列在汽车发动机冷却系统上的应用

本文主要介绍Littelfuse的AQ1系列和AQ24C TVS二极管阵列在发动机冷却系统上的应用，这些TVS二极管阵列均能吸收超过IEC61000-4-2标准中规定的最严酷等级的ESD，且性能不受影响，箝位电压稳定且反向漏电流小，能为车内的I/O接口和LIN总线提供理想的保护方案。

四通道TVS阵列SP3002-04JTG可替代TPD4E1U06DCKR作高清多媒体接口(HDMI)ESD防护设计

littelfuse（力特）推出的四通道TVS阵列SP3002-04JTG做替代设计，是一款可同时对电源引脚和信号线做ESD防护的四通道TVS阵列，可替代 TI TPD4E1U06DCKR。

威世思芬尼高精度贴片电阻和阵列中的功耗（P厚膜，PRA阵列，CHP厚膜）

【应用】64点热成像红外温度阵列传感器 实现全天候安防监控

MLX90621是迈来芯推出的一款红外温度阵列传感器，具有16x4的像素设计以及64个点的同时监控特性，在安防系统中起着举足轻重的作用。

漏电流低至1μA，双向ESD防护TVSD阵列，适用于汽车大灯LIN总线通信ESD保护

推荐Littelfuse的SM24-02HTG TVS阵列，最大反向工作电压VRWM为24V，最大钳位电压VC为42V，通过IEC 61000-4-2 ESD测试认证±30kV contact, ±30kV Air，通过AEC-Q101认证，非常适合作为在LIN总线输出数据线上加一颗TVS阵列做ESD防护。

【产品】带窗口玻璃片的300米红外阵列变焦激光照明器LL1300-0265-850CAA（B）

新亮智能的LL1300-0265-850CAA（B）款300米红外阵列变焦激光照明器采用自主开发的VCSEL芯片，采用独有的光学设计，是行业最小尺寸的变焦激光照明器。光斑均匀细腻，特别适合高清摄像机；因为采用VCSEL阵列激光器， 工作温度范围宽，寿命长，可靠性高；高光电转换效率保证了功耗较小，节能环保。

【产品】VCSEL驱动器阵列HXT6204，器件是紧凑、坚固、低功耗激光发送器模块的关键组件

IDT（Renesas收购）推出的HXT6204 VCSEL驱动器阵列是紧凑，坚固，低功耗激光发送器模块的关键组件。 结合VCSEL阵列，该芯片可处理完整的数模转换，包括CML输入，激光驱动器，驱动控制和监控。 标准硅技术和少量的附加组件可实现经济高效且紧凑的组装。

【产品】贴片SOD523封装双极性TVS二极管保护阵列TPA5235B，脉冲功率为40W

贴片封装TVS二极管保护阵列TPA5235B是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的低容值静电保护器件。TPA5235B属于硅基产品，采用SOD523封装，为双极性，脉冲功率为40W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-55~125℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小，响应时间快等优点。

【产品】电压范围3V~36V可选的标准电容TVS阵列，漏电流低至1uA

PANJIT（强茂）推出标准电容TVS阵列TJSOT03C-05~TJSOT36C-05,采用贴片SOT-23封装, 峰值脉冲功率为500W,可提供从3V到36V的多种电压类型供选择。

【产品】超高频晶体管阵列，SOI工艺使得晶体管之间有良好隔离

HFA3046，HFA3096，HFA3127和HFA3128是由Intersil公司推出的一款超高频晶体管阵列，是由互补双极键合晶圆硅绝缘体（SOI）技术中制造的，此技术工艺被称为UHF-1。NPN晶体管呈现8GHz的fT，而PNP晶体管提供5.5GHz的fT。 这两种型号都表现出低噪音（3.5dB），非常适合高频放大器和混频器应用。

【产品】TPASRV05-4系列TVS二极管保护阵列，单极性容值0.4pF，静电防护能力为空气30KV，接触25KV

贴片SO-26封装TPASRV05-4系列TVS二极管保护阵列是电安科技推出广泛用于USB口，以太网口，电脑，服务器等消费类产品的低容值ESD静电保护器件。TPASRV05-4系列TVS二极管保护阵列属于硅基产品，采用SOT-26封装，为单极性，脉冲功率为60W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-55~125℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小，低容值（典型值为0.4pF）。

【选型】NB-IOT水表SIM卡端口ESD防护设计推荐5通道TVS阵列SE05T5D15GA，典型结电容低至0.6pF

为避免NB-IOT水表SIM卡端口因热插拔和人体接触造成的ESD振击导致相关的电子器件被打死，一般需要通过TVS阵列对SIM卡端口做ESD防护，本文推荐选择硕凯电子的TVS阵列SE05T5D15GA，是一款低电容瞬态抑制器，典型结电容低至0.6pF，采用SOT-563封装，最大反向工作电压5V，最小击穿电压6V，最大反向漏电流1μA，最大钳位电压9.8V@ IPP=1A。

【应用】容值低至2pF以内的TVS阵列助力以太网PHY防雷设计

Littelfuse有推出专用的低压TVS保护阵列，型号为SLVU2.8-4BTG-S，为四路TVS管，其中每个低压TVS都有一个与之串联的补偿二极管，最大反向断态电压为2.8V，工作温度范围为-40℃~125℃。

【产品】采用SOT-553封装的方形阵列ESD保护器件，低漏电流最大1μA

PANJIT推出的PJESDA5V6-4G方形阵列ESD防护器件，该系列包含了型号PJESDA5V6-4G、PJESDA6V2-4G与PJESDA6V8-4G，具有低漏电流，采用SOT-553封装。

【产品】Littelfuse推出低电容、低钳位电压TVS二极管阵列SP3384NUTG系列，采用紧凑的μDFN封装

电路保护的全球领导者Littelfuse公司2019年9月30日推出了一系列低电容TVS二极管阵列（SPA®二极管），这些阵列经过优化，可保护高速差分数据线免受静电放电（ESD）的影响，电缆放电事故（CDE），电流快速瞬变（EFT）和雷电引起的电涌，通过保护信号完整性来确保网络通信的可靠性。

【产品】绝对公差±0.05%！比例公差仅为±0.01%的平面精密电阻阵列

TT Electronics（TT）推出的SON系列平面精密电阻阵列，与标准SOIC封装（210系列）兼容，经过COTS应用程序测试，具备卓越的温度性能。其绝对公差为±0.05%，比例公差仅为±0.01%，具备高稳定性，并且最大电压不超过50V。