达林顿阵列

7003 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON ARRAY

ULN2001 Seven Darlington arrays Datasheet

ULx2803, ULx2804, ULx2823, and ULx2824 High Voltage High Current Darlington Arrays

ULQ2801, ULQ2802,ULQ2803, ULQ2804 Eight Darlington arrays Datasheet - production data

ULN2803 LINEAR INTEGRATED CIRCUIT EIGHT DARLINGTON ARRAYS

A2003, A2004, A2023, and A2024 High Voltage High Current Darlington Arrays

ULS-2801H/R THROUGH ULS-2825H/R SERIES ULS-2800H AND ULS-2800R HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENT DARLINGTON ARRAYS MIL-STD-883 Compliant

【选型】国产达林顿晶体管阵列ULN2003A可替代ULN2003用于浴霸继电器驱动控制电路，参数一致

在浴霸继电器驱动控制电路中，某客户选用了UTC公司的达林顿晶体管阵列ULN2003作为继电器驱动控制开关，因供货周期和价格压力，本文重点推荐国产上海国芯的ULN2003A，可pin-to-pin替代ULN2003，典型电性参数一致。

【产品】可替代传统双极型达林顿晶体管阵列的7通道NMOS晶体管阵列，每通道的最大漏极电流为500mA

思瑞浦推出的TPM2003是一款高电压、大电流的NMOS晶体管阵列，由具有高压输出的7通道低边NMOS晶体管组成，还集成了针对电感性负载的续流二极管。单个NMOS通道的漏极电流最大额定值为500mA，支持1.8V至30V的I/O电压范围。

【产品】内设过压保护电路的达林顿晶体管阵列电路ULN2003L，峰值涌入电流达600mA

上海国芯推出的ULN2003L是高压、大电流达林顿晶体管阵列单片集成电路。适用于工业及民用各类灯具，继电器及打印机撞针的驱动。采用DIP16和SOP16封装形式。内设过压保护电路，防止由感应负载引入的过压损害；输入阻抗为2.7kΩ，可与使用5V电压 的TTL或CMOS逻辑电路配合使用。

【产品】输出工作电压可达50V的达林顿晶体管阵列集成电路ULN2003A，峰值浪涌电流达600mA

上海国芯推出的ULN2003A是高压、大电流达林顿晶体管阵列单片集成电路，内置过压保护电路，可防止由感性负载带来的过压损坏，峰值浪涌电流达600mA，可驱动白炽灯，输入阻抗为2.7KΩ，可与使用5V电压的TTL或CMOS逻辑电路配合使用。

【产品】DIP16和SOP16封装的达林顿晶体管阵列电路ULN2003M，输出工作电压可达40V

上海国芯推出的ULN2003M是高压、大电流达林顿晶体管阵列单片集成电路。适用于工业及民用各类灯具，继电器及打印机撞针的驱动。峰值涌入电流达600mA，可以驱动白炽灯；输入阻抗为2.7kΩ，可与使用5V电压的TTL或CMOS逻辑电路配合使用。

【产品】八NPN达林顿晶体管，适合逻辑接口电平数字电路和较高的电流/电压

上海国芯推出的ULN2803内部集成了8个NPN达林顿晶体管，连接的阵列，非常适合逻辑接口电平数字电路（例如TTL，CMOS或PMOS上/ NMOS）和较高的电流/电压，如电灯，电磁阀，继电器，打印机或其他类似的负载。广泛应用于计算机，工业和消费类产品中。所有设备功能由集电极输出和钳位二极管瞬态抑制。该ULN2803是专为符合标准TTL而制造。采用SOP18封装。

【产品】高压、大电流达林顿晶体管阵列单片集成电路ULN2003

上海国芯推出的ULN2003是高压、大电流达林顿晶体管阵列单片集成电路。适用于工业及民用各类灯具，继电器及打印机撞针的驱动。采用DIP16封装形式。

有没有像uln2003的这种pnp型达林顿管阵列器件

没有和ULN2003这种完全一样的器件，可以看一下SILICON LABS的SI8660数字隔离器https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/si8660以及Intersil(Renesas收购)的HFA3096，HFA3135超高速三极管阵列是否可以用。

达林顿晶体管阵列电路 应用方案

LB1205M: 4-Channel Darlington Driver Array

【产品】适合用于电机驱动、LED驱动、电磁阀驱动以及低边开关的7路达林顿晶体管阵列

ROHM推出的BA12003DF-Z、BA12004DF-Z是其推出的两款晶体管阵列，将达林顿结构的NPN晶体管7电路集成在一块芯片中，每个电路中都内置有用于吸收输出浪涌的钳位二极管，适合用于电机驱动、LED驱动、电磁阀驱动以及低边开关等场合。

【产品】内置7个电路的单片IC晶体管阵列，反向电流IR最大值仅50µA

BA12003B ，BA12003BF，BA12004B ，BA12004BF是Rohm（罗姆）半导体公司推出的单片IC晶体管阵列，它将达林顿结构的NPN晶体管7电路集成在一块芯片中。每个电路中都内置有用于吸收输出浪涌的钳位二极管。该款产品拥有低漏电流、低正向电压、高电流增益、低损耗功率等优势，可用于电机驱动器、LED驱动器、电磁阀驱动器、低侧开关等应用。

【选型】KODENSHI AUK（可天士）光敏二极管/晶体管、发光二极管、位置检测元件选型指南

KODENSHI（可天士）公司主要生产发光二极管、受光二极管、三极管、光电池、Encoder模块、光耦、红外遥控接收头、光电IC、IrDA、PDIC、光通讯产品、汽车电子产品等产品。其高精度、高灵敏度的一体化编码器模块（AB相位阵技术）、粉尘传感器、材质传感器，产品性价比高、可定制化，在编码器、颗粒物检测、材质检测方面的应用表现亮眼。

【产品】100V/5A互补硅功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用

Central推出的CZT122，CZT127器件是采用表面贴装封装制造的互补型硅功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用而设计。CZT122为NPN硅功率达林顿晶体管，而CZT127为PNP硅功率达林顿晶体管。集电极持续工作电流最大额定值可达5.0A，集电极峰值工作电流最大额定值为8.0A，基极持续工作电流最大额定值为120mA。

【产品】专为音频放大器应用设计的PNP/NPN硅互补中功率达林顿晶体管

Central推出的MJE700T，MJE800T系列器件是硅互补中功率达林顿晶体管，采用TO-220直插式封装，专为音频放大器应用而设计，作为互补输出器件。MJE700T系列为PNP中功率达林顿晶体管，包含MJE700T、MJE701T、MJE702T以及MJE703T。而MJE800T系列为NPN中功率达林顿晶体管，包含MJE800T、MJE801T、MJE802T以及MJE803T。

【产品】具有350V达林顿晶体管的低电压误差放大器，LED灯泄放控制电路的理想选择

全球电路保护领域的领先企业Littelfuse的子公司IXYS推出了一款具有350V达林顿晶体管的低电压误差放大器——IX9915。该低电压误差放大器在一个封装中集成了一个误差放大器、一个精密基准以及一个350V达林顿晶体管。在工作温度范围内，内部误差放大器可在1.3V至12.5V电压范围内工作，内部的达林顿晶体管的击穿电压为350V。

【选型】长晶科技ULN2803达林顿晶体管可在 IPC设备中作为电机驱动芯片使用

长晶科技ULN2803达林顿晶体管驱动能力在150mA--500mA之间，特别适合驱动5V--12V的小型步进电机设备，因此在网络设备IPC产品中，常常会用到此高性价比的芯片来作为驱动步进电机以实现IPC的扫描功能。

【产品】具有极高增益的NPN型达林顿晶体管BCV47

Central推出的BCV47 NPN型达林顿晶体管，采用表面安装，由外延平面工艺制造，具有极高增益，尤其适用于需要高增益的应用领域。其功耗最大为350mW，可以满足用户设计对低功耗的要求。该系列产品有宽的工作温度范围-65˚C~+150˚C，可以很好地适应不同的温度环境。其集电极连续电流为500mA。

【产品】放大系数达1000的互补硅功率达林顿晶体管，专为通用放大器和低速开关应用

Central推出的TIP140系列和TIP145系列器件是由外延基极工艺制造的互补硅功率达林顿晶体管，专为需要高增益的通用放大器和低速开关应用而设计。具有耐压高、持续工作电流大、增益高等特点。TIP140系列NPN硅功率达林顿晶体管包含TIP140，TIP141，TIP142。TIP145系列PNP硅功率达林顿晶体包含TIP145，TIP146，TIP147。

【产品】100V/2.0A硅互补功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用而设计

CJD112（NPN）和CJD117（PNP）是CENTRAL半导体公司推出的两款表面安装硅互补功率达林顿晶体管，其具有高电压、高电流、低功耗等特点。功率达林顿晶体管CJD112和CJD117采用了DPAK表面贴装封装，专为低速开关和放大器应用而设计。

【产品】IDT可用于5G、卫星通信和雷达相位阵列应用的相位阵列波束形成器

IDT（Renesas收购） 的相位阵列波束形成 IC 能为 5G、卫星通信和雷达应用提供低成本的新一代系统解决方案。每个波束形成 IC 都包括多个独立控制的有源通道，满足电子扫描阵列天线 (ESA) 的元素级波形塑造要求。紧凑型 IC 提供平面 BGA 或 QFN 封装，能实现极小化相位阵列天线，元素间隔 λ/2。

【产品】表面贴装硅高压NPN达林顿晶体管CZTA27，可用于-65°C~+150°C较苛刻环境中

Central的CZTA27是一种硅NPN达林顿晶体管，由外延平面工艺制造，表面封装环氧树脂成型，适用于要求极高增益和高电压的应用场合。该产品操作和储存结范围大：-65°C 到 +150°C，耐温程度高可以广泛的运用于较苛刻的产品环境当中。产品运用弹性大，安全系数高，同时保证达林顿管的工作效率。

【产品】60V/500mA表面贴装硅PNP达林顿晶体管，功率损耗最大为2W

CZTA77是Central Semiconductor公司推出的表面贴装硅PNP达林顿晶体管，采用外延平面工艺设计制造，表面材料为环氧树脂，其封装形式为贴片SOT-223

【产品】饱和压降低至0.8V的增强型NPN达林顿晶体管

CMLT6427E是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型NPN达林顿晶体管，它具有的高直流电流增益和低饱和电压，是工业、消费类应用中一个很好的选择，可应用于电机驱动器，继电器驱动器，前置放大器输入应用，电压调节器控制领域。

【产品】硅NPN达林顿功率晶体管，直流增益可达15K

Central推出的CP230-CZT122，CP230-TIP122和CP230-2N6039都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片，其中，CP230-CZT122和CP230-TIP122参数特性完全一致。它们专为低速开关和放大器应用而设计，具有高耐压、大电流、饱和压降低以及增益系数高等特点。

【产品】120V/30A高性能NPN达林顿功率晶体管，开关频率为4MHz

CP147-MJ11016芯片是Central Semiconductor公司推出的一款硅NPN达林顿功率晶体管，专为高电流应用而设计。该芯片的工作温度范围为-65-200℃，最大可承受电压为120V，可通过高达30A的电流，性能极为稳定。集电极-发射极电压偏差为3.0V，具有良好的低功耗性能。

【产品】达林顿互补硅功率晶体管CZTA14、CZTA64，专为需要极高增益应用

CENTRAL SEMICONDUCTOR （美国中央半导体公司）推出了两款由外延平面工艺制造的达林顿互补硅功率晶体管 —— CZTA14和CZTA64。它们采用表面贴装的环氧树脂SOT-223封装，专为需要极高增益的应用而设计。该晶体管热阻最大额定值为62.5°C / W，工作和存储结温范围为-65℃至150℃，可以承受极端环境温度并能够正常运行，从而可以保证晶体管具有高可靠性。

【产品】跨阻限幅放大器阵列HXR6204，可应用于并行光链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）

IDT（Renesas收购）推出的HXR6204跨阻限幅放大器阵列是应用于并行光链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）产品系列之一。结合PIN探测器阵列或分立式探测器，产品可用于电信和数据通信应用中高容量、高可用性的光链路设计。 3.3V SiGe器件集成了跨阻前置放大器，限幅后置放大器和用于四个光通道的通用CML输出级。

【产品】32mA，50µs！高电流快速响应的PLCC-2封装型硅光电达林顿管

TT推出的OP580DA是具备塑料无引线芯片载体封装的硅光电达林顿管，具备快速响应时间、广泛的受光角、高电流增益以及良好的低温环境适应性等特性。

【产品】16A工业级硅互补功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用而设计

CJD122（NPN）和CJD127（PNP）是CENTRAL半导体公司推出的表面安装硅互补功率达林顿晶体管，他们具有高耐压、高电流、低饱和压降、低功耗等特点。其采用了DPAK表面贴装封装，专为低速开关和放大器应用而设计。

【产品】为工业开关应用设计的NPN型达林顿晶体管裸片CP101-BSS52

Central的CP101-BSS52是一种硅NPN小信号达林顿晶体管，专为工业开关应用而设计。该产品具备了很高的承受电流能力，有效地避免了芯片被击穿的情况出现。具有很高的安全性，且不轻易被过高的电压电流影响，这一点使该产品在市场中具有很高的使用率。

【产品】硅PNP达林顿功率晶体管裸片，持续工作电流高达30A、耐压可达90-120V

Central推出的CP647-MJ11013、CP647-PMD19K100、CP647-2N6287以及CP647-MJ11015都是硅PNP达林顿功率晶体管裸片，专为高电流应用而设计。具有工作电流大、耐压高、增益高等特点。

【产品】耐压高达200V的硅NPN达林顿晶体管CZT2000，直流放大系数可达3000

Central推出的CZT2000是一款基于外延平面制造工艺，采用SOT-223环氧树脂封装的NPN硅达林顿晶体管，专为需要极高电压和高增益能力的应用而设计。具有高耐压、大电流以及高增益等特点。其集电极-基极电压和集电极-发射极电压的最大额定值均为200V，发射极-基极电压的最大额定值为10V。其集电极连续电流最大额定值为600mA,可满足一般大电流设备的应用需求。

【产品】外延基板互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计

中央半导体的2N6294，2N6295，2N6296，2N6297系列器件是互补硅达林顿功率晶体管，采用外延基极工艺制造，专为高增益放大器和中速开关应用而设计。该系列晶体管采用了TO-66封装，此种形式的封装散热性能好，具有NPN和PNP两种类型，温度范围宽。

【产品】低电容瞬态抑制二极管阵列，尺寸仅为典型四线路阵列的1/3

Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业，推出了新的小尺寸瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）系列产品，专为保护高速信号引脚而设计。

【产品】100V硅PNP达林顿功率晶体管裸片，专为低速开关和放大器应用

Central推出的CP630-CZT127,CP630-TIP127,CP630-2N6036是硅PNP达林顿功率晶体管裸片，专为低速开关和放大器应用而设计。具有高耐压、高电流、低饱和压降以及放大系数高等特点。集电极持续工作电流最大额定值分别为4/5/5A，峰值集电极电流最大额定值均可达8A，可满足一般大电流设备的应用需求。

【产品】开启时间仅1μs的D44E系列硅NPN达林顿功率晶体管，专为需要高增益的开关和输出应用而设计

Central Semiconductor美国中央半导体公司推出的D44E系列器件是硅NPN达林顿功率晶体管，采用外延基极工艺制造，具有2个集成电阻和1个二极管，专为需要高增益的开关和输出应用而设计。具有电流大、增益高、热阻低等特点。

【产品】专为通用开关应用而设的硅NPN达林顿功率晶体管2N6576、2N6577和2N6578

Central半导体公司推出的2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管，采用TO-3封装形式，占用电路空间小，是专为通用开关应用而设计的。该系列器件的集电极电流IC为15A，其集电极峰值电流ICM为30A，可满足大电流应用的设计需求。

【产品】高电压达林顿输出的单向输入光电耦合器，电流传输比可达1000％至8000％

LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出了一款具有高电压达林顿输出的单向输入光电耦合器——CPC1301。CPC1301光电耦合器具有低输入电流、高电流传输比、高输出电压和大的电压隔离阻隔等级等优点，使其成为电信、工业和电源控制等多种应用的理想选择。

【产品】专为高增益放大器应用设计的硅NPN达林顿功率晶体管裸片，电流放大系数最小值为10K

Central推出的CP329V-MPSA28和CP329V-MPSA29都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片，专为高增益放大器应用而设计。它们具有高耐压、低饱和压降以及增益系数高等特点。

【产品】专为高增益放大器应用而设计的硅NPN达林顿功率晶体管裸片，直流放大系数为5-20K

Central推出的CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片，具有相同的机械参数和运用领域。实物如图1所示，专为高增益放大器应用而设计。具有高增益、低压降以及高特征频率等特点。

【产品】PNP型和NPN型互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计

Central推出的2N6298/2N6299（PNP型）和2N6300/2N6301（NPN型）系列器件是由外延基板工艺制造的互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计，有着较宽的温度范围，采用了TO-66封装，有着较好的散热性。

【产品】8A/60V硅NPN达林顿功率晶体管裸片, 专为高增益放大器应用而设计

CP127-2N6300是Central Semiconductor推出的一款硅NPN达林顿功率晶体管裸片，专为高增益放大器应用而设计。该产品具有较高的耐压值，集电极-基极电压以及集电极发射极电压均可高达60V，连续集电极电流为8A，峰值集电极电流更是高达16A，可满足一般的大电流的应用需求。

【产品】TO-3封装互补硅达林顿功率晶体管，具有NPN型和PNP型

CENTRAL推出的2N6282/2N6283/2N6284（NPN型）和2N6285/2N6286/2N6287（PNP型）系列晶体管是互补硅单片达林顿晶体管，采用外延基极工艺制造，专为通用大电流，高增益放大器和开关应用而设计。散热性好，具有较宽的工作温度范围。

【产品】30V/0.3A的NPN小信号达林顿晶体管，常用于通用开关应用

丽正国际公司推出了一款NPN小信号达林顿晶体管CMBTA13，集电极-基极电压最大为30V，集电极电流最大为300mA，该产品可应用于高灵敏的放大电路中，用来放大非常微小的信号，常被用于通用开关应用，如大功率开关电路等。

【产品】NPN型硅光敏达林顿三极管PT304R2L，光谱灵敏度为700~1000nm

KODENSHI（可天士）推出的PT304R2L是一款高功率NPN型硅光敏达林顿三极管，采用透明侧视封装，结构紧凑，外形尺寸小，易于安装。其半角值为±40deg，峰值波长的典型值为850nm。

【产品】高灵敏度NPN硅光电达林顿晶体管SPT334R-01，具有75mW耗散功率

可天士推出的SPT334R-01是一款高灵敏度NPN硅光电达林顿晶体管。产品采用黑色侧面包装，结构紧凑，易于安装。产品可应用于磁带传感器、光学探测器和光学计数器等领域。

【产品】内置9路PNP达林顿输出的功率IC，专为驱动器应用设计

MTA002是由Shindengen公司推出的一款功率IC，其具有内置9电路（准PNP达林顿输出）、TTL / CMOS兼容输入（低电平有效）、使能功能的特性。主要应用于电磁驱动器，LED显示驱动器中。该功率IC器件的输入电压范围0~7V，输出电压值为60V，输出电流值为2A,反向激发电流值为2A，具有很高的控制性。MTA002功率IC在25℃的指定工作条件下，其保存温度范围为-40-150℃。

【产品】超小尺寸增强型NPN硅达林顿晶体管，直流电流增益最小15k

CENTRAL半导体的CMST6427E NPN硅达林顿晶体管，其采用了SOT-323表面贴装封装。它具有的高直流电流增益和低饱和电压，是工业/消费类应用中考虑高效率和小尺寸的一个不错的选择。

【产品】具备达林顿晶体管输出的双通道单向输入光电耦合器，电流传输比典型值8500％

LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出了一款具有达林顿晶体管输出的双通道单向输入光电耦合器——LDA213。该光电耦合器的电流传输比（CTR）最小值为300％，最大值为30000 %，典型值为8500％。它还具有低功耗、高的输入到输出隔离电压和低输入/输出电容等优点。

【经验】外形一样的红外测温阵列MLX90640和MLX90641要如何区分？

迈来芯的红外测温阵列MLX90640和MLX90641广泛用于门禁测温应用中，MLX90640为32*24的阵列，MLX90641阵列数为16*12，为MLX90640的四分之一，适配不同的产品需求。除了阵列数不同外，两者的电气参数、底层驱动甚至是外形都完全一样 ，之前调试MLX90641程序时混淆使用了MLX90640，导致一直卡在EEPROM读取那里，鼓捣了一天才发觉器件使用错了。

【产品】单通道功耗仅66mW、集成12通道的跨阻限幅放大器阵列HXR5112A

HXR5112A是Renesas旗下IDT公司推出的跨阻限幅放大器阵列，是IDT针对并行光链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）产品系列的成员。 HXR5112A结合PIN探测器阵列或分立式探测器，可以为数据通信应用程序设计高容量、高可用性的光学链路。

【产品】数据传输效率28Gbps的跨阻限幅放大器阵列HXR8204，灵敏度可达60µApp

HXR8204是瑞萨电子旗下IDT公司推出的跨阻限幅放大器阵列，属于光接收发射器阵列（ORTA）产品系列，HXR8204针对并行光链路市场。该产品可结合PIN探测器阵列或分立式探测器，为电信和数据通信应用设计高容量，高可用性光链路。

【产品】贴片SOD523封装TVS保护阵列TPA5235U，低钳位电压

贴片TVS保护阵列TPA5235U是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的普通容值静电保护器件。TVS保护阵列TPA5235U属于硅基产品，采用SOD523封装，为双极性，脉冲功率为190W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-45~125℃，有卓越的钳位能力，钳位电压低，最大值19V；反向漏电流小，响应时间快。

【产品】贴片SOT143封装的TVS保护阵列TPA143L05系列，脉冲功率为40W

贴片SOT143封装TVS保护阵列TPA143L05系列是电安科技推出用于USB口、以太网口、电脑、服务器、音频产品等消费类产品的低容值静电保护器件。TPA143L05系列TVS保护阵列属于硅基产品，采用SOT143封装，为双极性，脉冲功率为40W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-55~125℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小，响应时间快等优点。

【产品】采用小型化DFN2626贴片封装的TVS保护阵列，线间容值低至2pF

电安科技推出的TPA3304P8 TVS保护阵列，是广泛用于RJ45端口，10/100/1000M以太网等产品的静电保护器件。TPA3304P8 TVS保护阵列属于硅基产品，采用小型化DFN2626封装，可以同时保护2对网络差分线，脉冲功率为450W（8/20u波形），Vrwm电压为3.3V，工作温度为-55~125℃，具有卓越的钳位能力，反向漏电流小，线线间典型容值为2pF。IEC61000-4

【产品】适用于阵列天线的高介电常数吸波材料

吸波材料就成了控制材料介电常数和磁导率的游戏。高介电常数Ɛ1的材料自然也就是我们的选择，Laird ESSOSORB AN就是这样一款高介电常数的吸波材料，其优点是质量轻，价格便宜，适合商业用途。尤其是在阵列天线中使用可以，可提高阵列天线的隔离度，降低天线的后向辐射，优化方向图性能，同时不会大幅增加阵列天线的重量。

【产品】带有集成波束成形器射频集成电路的2D天线阵列KHA16.24C，包含16个天线单元，非常适合5G应用

Taoglas公司推出的KHA16.24C是带有集成波束成形器射频集成电路的2D天线阵列，可在组成该阵列的16个单位上提供完整的幅度和相位控制。该有源阵列集成到多层PCB中，该多层PCB包含射频集成电路和16个天线单元。功率优化和热控制，数字控制和射频馈线提供的所有层面积为53x84mm。该阵列的设计工作频率为26.5至29.5 GHz，非常适合5G应用。

【产品】4通道的VCSEL驱动器阵列HXT6104，符合QSFP MSA标准，数据速率16Gbps

HXT6104是IDT公司推出的VCSEL驱动器阵列，是紧凑，耐用，低功耗光发射器模块的关键组件，与VCSEL阵列配合使用，可处理完整的数字光转换，包括CML输入，激光驱动器，驱动控制和监控，该器件采用标准硅技术，附加少量组件即可实现经济高效且紧凑的应用，易于装配。

【产品】数据传输效率28Gbps的跨阻限幅放大器阵列HXR8212，12个光通道，灵敏度可达60µApp

HXR8212是瑞萨电子旗下IDT公司推出的跨阻限幅放大器阵列，属于光接收发射器阵列（ORTA）产品系列，HXR8212针对并行光链路市场。该产品可结合PIN探测器阵列或分立式探测器，为电信和数据通信应用设计高容量，高可用性光链路。

【产品】Viking推出的TFAN系列薄膜高精度电阻阵列，具有非常精确的电阻网络

Viking（光颉科技）推出的TFAN电阻阵列，采用高科技薄膜技术，是薄膜高精度电阻阵列，具有非常精确的电阻网络，TCR低至±10ppm/℃。TFAN符合RoHS标准，是环境友好型器件，主要应用于分压器、反馈电路、信号调理应用领域。

【产品】容差低至±0.1％的精密芯片阵列电阻器

PCA系列就是TT Electronics旗下品牌Welwyn推出的精密芯片阵列电阻器。PCA系列精密芯片阵列电阻器还具有超低的TCR低至±10ppm/°C，且所有部件均符合ROHS标准，在电路保护，电路检测，电源管理和信号调理等应用领域应用广泛。

【产品】采用COB封装的受光二极管阵列SPN-B6CA，无边框设计，适用于多种伺服电机和工业编码器

可天士（KODENSHI）推出的SPN-B6CA是一款受光二极管阵列（硅光电池阵列），可接收LED的光信号，转换并放大成电信号发送给信号处理单元。6窗光电池阵列，敏感度高，响应速度快；采用COB形式封装，可在多种伺服电机或工业编码器上使用；无边框设计，制品更加小巧轻薄。

【产品】HXR8201跨阻限幅放大器阵列，在28Gbps下60μapp接收器灵敏度为10-12比特误码率

HXR8201跨阻抗限幅放大器阵列是IDT针对短距离光纤链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）产品系列的成员。 与分立式引脚检测器阵列一起，可为Datacom和企业应用设计高容量和高可用性光链路。 该产品是25G扇出模块应用的理想选择。

【产品】可保护高达4条外部信号或总线的TVS二极管阵列SP725系列

Littelfuse（力特）的TVS二极管阵列SP725系列采用SCR/ ESD二极管两极结构阵列，用于敏感输入电路的ESD和过压保护。 SP725每个输入端都有2个保护SCR/二极管的器件结构。 共有4个有效输入端，可保护高达4条外部信号或总线。 过压保护范围：从IN（引脚1-4）到V+或V-。

【产品】10Gbps的4通道VCSEL驱动器阵列HXT5004A，单通道功耗仅46mW

HXT5004A是瑞萨电子旗下IDT公司推出的数据速率10Gbps的4通道VCSEL驱动器阵列，是紧凑，坚固，低功耗光发射器模块的关键组件，单通道功耗仅46mW，与VCSEL阵列配合使用，可处理完整的数字光转换，包括CML输入，激光驱动器，驱动控制和监控。

【应用】SPA二极管阵列实现USB端口的瞬态干扰防护

通用串行数据总线(USB)接口通常采用ESD TVS阵列来实现防护，Littelfuse推出的ESD保护SPA二极管阵列产品系列产品丰富，针对不同的USB应用需求都有对应产品。

【产品】0.36pF低容值贴片DFN10P封装TVS保护阵列TPAu10L-1L系列，脉冲功率为40W

TVS保护阵列TPAu10L-1L系列是电安科技推出的广泛推出用于USB口、HDMI、DVI、SATA、电脑等消费类产品的低容值静电保护器件。TPAu10L-1L系列TVS保护阵列属于硅基产品，采用DFN10P封装，为双极性，可以同时保护4根信号线，脉冲功率为40W（8/20u波形），Vrwm电压为5V，工作时的环境温度为-55~125℃，有卓越的钳位能力，反向漏电流小，0.36pF低容值。

【产品】4通道14Gpbs跨阻限幅放大器阵列HXR5104A，应用于并行光链路市场

IDT（Renesas收购）推出的HXR5104A 4通道14Gpbs跨阻限幅放大器阵列是应用于并行光链路市场的光接收发射器阵列（ORTA）系列产品之一。结合PIN探测器阵列或分立式探测器，产品可用于电信和数据通信应用中高容量，高可用性的光链路设计。 3.3V SiGe器件集成了跨阻前置放大器，限幅后置放大器和用于四个光通道的通用CML输出级。

【产品】30kV单向TVS二极管阵列SP05系列，30pF低输入电容

Littelfuse推出的一款单向TVS二极管阵列SP05系列，这种表面贴装阵列系列可抑制ESD和其他瞬态过电压事件。 这些组件用于满足国际电工技术兼容性（针对静电放电要求的IEC瞬态抗扰性标准IEC 61000-4-2），可以帮助保护电压等级高达5VDC的数据、信号或控制线路上的敏感数字或模拟输入电路。

【产品】4通道跨阻抗限幅放大器阵列HXR42400，适用于长距离通信应用

HXR42400是瑞萨电子旗下IDT公司推出的跨阻抗限幅放大器阵列，主要用于LR4并行光学应用，有4个通道，数据速率能达到28Gb/s，内置的3.3V SiGe器件集成了跨阻抗前置放大器，限幅器后置放大器和用于四个光学通道的通用CML输出级，针对来自多个供应商的隔离和共阴极光电探测器阵列进行了优化。

【产品】贴片SOD323封装TPA323H系列TVS保护阵列，单极性，脉冲功率为350W，空气30KV，接触30KV

贴片SOD323封装TPA323H系列TVS保护阵列是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的高能普通容值静电保护器件。TPA323H系列TVS保护阵列属于硅基产品，采用SOD323封装，为单极性，脉冲功率为350W（8/20u波形），Vrwm电压有3V、5V、8V、12V、15V、18V、24V、36V这几款，工作时的环境温度为-55~125℃，有卓越的钳位能

Silicon Labs PCIe Gen4/5闪存阵列存储时序解决方案，精度更高、抖动更低

与传统的旋转磁盘系统相比，闪存阵列存储设备在效率和可扩展性方面具有优势，特别是对于视频和人工智能数据密集型工作负载而言。Silicon Labs提供PCIe Gen4/5 闪存阵列存储时序解决方案，帮助用户高效完成设计。

【产品】贴片SOT23-3封装TPA23C系列TVS保护阵列，卓越的钳位能力，反向漏电流小

贴片SOT23-3封装TPA23C系列TVS保护阵列是电安科技推出的广泛应用于工业控制、通信产品，电源产品、消费类产品等市场领域的普通容值静电保护器件。贴片SOT23-3封装TPA23C系列TVS保护阵列属于硅基产品，采用SOT23-3封装，为双极性，脉冲功率为280W（8/20u波形），Vrwm电压有3V、5V、8V、12V、15V、18V、24V、36V，工作时的环境温度为-55~125℃。

【应用】热成像阵列传感器MLX90621在智慧节能建筑系统中应用，精度达±1°C

在智慧节能建筑系统应用中，迈来芯热成像阵列传感器MLX90621通过实时监测房间人员状态，实现智能化的同时将电能的浪费最小化。MLX90621采用16×4阵列配置，可以精确地测量-50°C至300°C的物体温度和同时感测64个点的物体温度，最高精度达±1°C，数字输出兼容I2C通信协议，可编程帧率范围5~512Hz。

【应用】可pin-pin替换NUP4301MR6T1的低电容二极管阵列CMXESD70-4，高速信号端口ESD防护神器

针对高速I/O数据端口、四线高速数据或传输线免受过电压瞬变和ESD损坏，很多设计会选用ONSEMI的二极管阵列NUP4301MR6T1来做ESD防护电路，但为了达到更佳的数据输出特性，需求更低寄生电容的二极管阵列，本文介绍Central的二极管阵列CMXESD70-4，具有更低的端口寄生电容，可pin-pin替换ONSEMI的NUP4301MR6T1。