DC/DC变频器

ROHM IGBT选型表

提供电压范围600-1800V，电流范围3-80A的IGBT单管选型，8种行业标准封装，工业级和车规级产品。

VINCOTECH功率模块选型表

提供PIM模块，6管（sixpack）模块，半桥（Half-Bridge）模块，全桥（H-Bridge）模块，I型三电平（NPC）模块，T三电平（MNPC）模块，升压（Booster）模块等数十种拓扑的IGBT模块选型，电压范围600-1600V，电流范围4-1800A。

微型DC/DC变频器参考设计--微型直流变频器

微型DC/DC变频器参考设计

微型DC/DC变频器参考设计

微型DC/DC变频器参考设计

【方案】80kW变频器优选器件方案

传统 80kW 变频器采用的 IGBT 功率模块一般采用第四代晶圆，封装为ECONODUAL 封装，由于晶圆年代较久，存在效率低下、性能不够好等问题，本方案通过采用最新晶圆封装的功率模块以及高性价比的驱动芯片，同时搭配高性能电机控制 MCU 以及其它推荐器件，实现 80kW 变频器的高效运转。

这个微型DC/DC变频器参考设计，改电路的过电流多大，输出功率多少，最高耐受温度可以达到100度吗？

太阳能电池板MPPT优化器推荐采用Advancechip的ADP32F03 DSP主控芯片，采用数字PWM控制。提供组件级最大功率点跟踪, 转换效率最高可达99.5%, 提高发电量5~25%。其额定输入功率300W；最大输入电压55V，最大输入电流15A；MPPT电压范围8-50V；最大转换效率99.5% ；最大功率点跟踪效率99.6%；最大输出电压75V，最大输出电流15A，工作温度可以达到100℃。参考链接：Advancechip（进芯电子）基于国产32bit定点DSP的MPPT功率优化器设计方案, 提高发电量5~25%

【应用】3.8-32V/3A国产DC DC AP54331替代LDO LM2940提高变频器电源带载能力

随着工控行业的发展，市场对总线类型的伺服需求越来越多，进而对电源的带载能力要求更加严苛。笔者在进行变频器优化项目，5v的带载能力需要达到700mA左右,之前方案采用LDO LM2940老化2小时器件温升照片如图一：图一 LM2940温升照片 鉴于LM2940温升较高，故采用伊凡微电子（APD）AP54331可完美替代LM2940解决5V带载能力不够的问题。

AIQ02R300 Converter (DC-DC Converter for Building-in) CERTIFICATE

【产品】35-45GHz自偏置单边带混频器，可用作上变频器或下变频器

UMS推出了一款GaAs单芯片工艺自偏置单边带混频器，其型号为CHM1294。CHM1294集成了自偏置LO缓冲放大器和次谐波平衡二极管混频器，有助于对LO信号的二倍频以及镜像干扰的抑制。CHM1294可作为上变频器或下变频器应用，通常是用于宽带本地接入的商业通信系统。

【产品】扬杰科技针对工业变频器等领域推出1200V IGBT变频器系列模块新品

扬杰科技IGBT变频器系列模块新品发布，IGBT变频器系列产品涵盖C1、C2、E1/E1A、E2/E2A、P2、P3等多款封装外形，具有多种灵活的拓扑结构；电压等级为1200V，电流涵盖10A~300A。

【经验】死区时间对低功率变频器设计的重要性

现代变频器多使用开关速率非常快的功率半导体器件，比如绝缘栅双极晶体管。变频器输出端电压的快速变化，会对电机电缆以及电机本身造成影响，因此在设计变频器时需要对相关因素加以考虑。本文主要讨论在设计低功率变频器时需要考虑的其中一个因素——死区时间。

【经验】怎么解决变频器干扰问题？

很多工程师在调试设备的时候，常常会出现让人头疼的变频器干扰现象，本文主要介绍对变频器干扰的处理方法。优译专业从事射频微波无源器件(射频隔离器、环行器、衰减器、同轴负载、滤波器等)，集研发、生产、销售、服务为一体。产品广泛应用于雷达、仪器、导航、微波通信、移动通信、空间技术、图像传输等系统及微波集成电路中。

【经验】变频器应用中的反射波现象

在变频器应用中，需要考虑反射波现象带来的影响。反射波现象产生的原因是电机的浪涌阻抗与传输线的浪涌阻抗不匹配。 额定功率越小的电机，浪涌阻抗越高。与大功率电机相比，小功率电机的浪涌阻抗与传输线阻抗更加不匹配，从而反射更多的PWM波。在传输线和电机的选型中，需要重点考虑线和电机绕组的隔离能力，为承受反射波现象带来的电压过冲留出足够余量。

【产品】800mA~6.3A的保险丝392系列，为变频器提供强力保护

Littelfuse的392系列保险丝器件，为变频器设备提供瞬变过压保护，支持的电流范围为800mA~6.3A，能提供可靠的浪涌电流处理能力，有效保护变频器设备。

【产品】5.5-86GHz下变频器，噪声系数低至1.7dB

UMS推出了其领先的下变频器系列，其工作频率覆盖C至W波段。

【经验】Vincotech flow E2封装六管IGBT功率模块L197实现高效率四象限变频器

普通的变频器大多采用二极管整流桥将交流电转化为直流电，电机回馈能量直接被制动单元消耗，无法送回电网，造成能源浪费。高效率11kW四象限变频器方案采用2PCS Vincotech公司的flow E2封装六管模块实现能量双向流动，变频器四象限运行，不仅有效降低模块损耗，提高产品效率，而且产品可靠性更高。

【选型】降低变频器产品系统成本的主控芯片选型推荐，国产浮点型DSP AVP32F335

本文是基于变频器的产品特性完成主控处理器低成本方案的选型设计，推荐进芯电子AVP32F335应用于变频器产品的主控芯片。

【应用】高性能电解电容助力变频器运行更加稳定

变频器内部的电容具有长期的高稳定性以及能适应各种户外的恶劣环境。

【应用】有效简化大功率变频器设计的单/双输出驱动隔离

为了保证变频器的可靠运行，芯科实验室（Silicon Labs）给出了相应的解决方案，驱动隔离SI8285/6，以其优越的性能可以驱动中大功率变频器。

【应用】适用于变频器的参数监控和保护模块的芯片方案，确保口罩自动化产线的正常运转

口罩的自动化产线主要由人机交互界面、电气控制系统和各类电机组成。其中变频器给交流电机提供运转电源，控制电机的转速从而驱动整个生产线的正常运转。3PEAK为构建变频器内部参数监控、故障保护和系统通信的模块提供了丰富的芯片方案。

Vincotech IGBT模块K709F70，匹配45KW变频器逆变设计的兼容式半桥模块

在45KW通用变频器逆变部分的主体架构应用时，考虑到1200V电压、200A左右的电流、良好的散热布局以及简易封装设计几个因数，一般匹配半桥模块。Vincotech的半桥模块80-M2122PA200M7-K709F70，规格1200V/200A的半桥模块，匹配45KW变频器的应用设计。

【应用】超快恢复整流二极管BYG23T用于变频器，反向恢复时间小于75ns

本文推荐Diotec的超快恢复整流二极管BYG23T用于变频器，trr小于75ns，恢复速度快能有效降低器件发热；反向耐压Vr=1300V，对于母线电压650V的电源应用保留足够的余量，而5mJ的抗雪崩能力能让二极管完全吸收反向电流产生的能量，保护电路器件。

1200V/15A IGBT模块K200A70，匹配380V变频器2KW设计的兼容式PIM模块

基于2KW的380V系统变频器的主体架构，1200V电压和15A左右的电流的设计条件和小体积封装设计需求。Vincotech的PIM模块80-M112PMA015M7-K200A70，规格1200V/15A，兼容式miniskiip封装，封装体积小（42mm*40mm*16mm），匹配2KW变频器的设计。

【应用】适于1.5KW的380V系统变频器的PIM模块K209A70，简化电路布局和散热系统

基于变频器的主体架构，1200V电压和10A左右的电流的设计条件和小体积封装设计需求。Vincotech的PIM模块80-M112PMA010M7-K209A70，规格1200V/10A，匹配1.5KW变频器的设计。K209A70的PIM模块主要集成了三相整流桥、刹车系统、六管三相逆变和NTC热敏电阻，模块集成度高。该模块与分立器件方案相比，极大的简化了设计电路的布局和散热系统的搭建。

【应用】Vincotech K839F70 IGBT模块：适于55KW变频器逆变设计的兼容式半桥模块

在变频器逆变部分的主体架构应用时，考虑到1200V电压、300A左右的电流、良好的散热布局以及简易封装设计几个因数，一般匹配半桥模块。Vincotech的半桥模块80-M3122PA300M7-K839F70，规格1200V/300A的半桥模块，匹配55KW变频器的设计。

【应用】WIMA 薄膜电容用于变频器，自愈性高且寿命5倍于高压瓷片Y2电容

笔者服务的变频器的项目，需要一个Y2电容。高压瓷片Y2电容不具有自愈特性和长寿命特性,建议使用薄膜电容。薄膜电容,在业内做的比较好的有WIMA,故推荐型号为MKY22W24704F00MSC0的WIMA薄膜电容,电压300VDC,寿命30万小时,间距PCM 15mm,-55-105℃宽范围,关键还能跟之前测试过的的高压瓷片电容完全兼容。

【精选】方案+框图+选型，全面助力通用变频器的设计

随着能源问题日益突出，节能问题愈来愈受到重视。变频器作为交流电动机的驱动装置，具有调速性能好，效率高，可靠性高等优点，而且能够有效节能。以下方案及选型为您提供设计参考！

【产品】转换精度高达0.2%FSR的低功耗变频器，适用于TS32或TS35安装导轨

Weidmuller推出的DK U-F DK5 0-10V变频器，采用螺钉联接，适用于TS32或TS35安装导轨，转换精度高达0.2%FSR，温度系数不超过250ppm/K，输入电压范围为0～10V，输出频率范围为0～1kHz、0～4kHz、0～8kHz、0～16kHz可选，可安全可靠地完成电压-频率的精准转换，适用于工业及自动化领域。

【选型】国产电流传感器CC6920SO-50A在5.5KW变频器上的应用，线性度高达0.1%

本文结合某用户4.5-5.5KW变频器项目电流传感器国产化替换需求，介绍了芯进电子的霍尔电流传感器CC6920SO-50A,高线性度，高隔离耐压等优势特性，供相关行业客户参考。

【应用】EtherCAT协议芯片在伺服与变频器拓展卡的应用

瑞萨的EC-1可以通过将现有低速串行通信的伺服产品或变频器产品连接到串行接口，实现支持EtherCAT的系统升级。

【选型】如何为变频器选取阻值合适的预充电电阻？

充电电阻串接在充电回路中，起通电瞬间限流充电，以保护整流器等一些输入回路器件的作用，也叫缓冲电阻或启动电阻。本文介绍变频器预充电电阻选取方法。ISABELLENHUTTE设计生产BRK系列制动和预充电电阻器阻值10-400Ω，额定功率100W，脉冲功率1kW/s。BRQ系列制动和预充电电阻器阻值1-300Ω，额定功率300W，脉冲功率3kW/s。

【应用】电流检测隔离放大器SI8921在四象限变频器中的应用，增益误差低至0.3%

为了精确把控能量的实时性，四象限变频器的网侧和电机侧都需要电流检测，本文介绍一款由美国Silicon Labs公司推出的电流检测芯片SI8921。Si8921提供极快的响应时间，信号传输通过隔离栅时仅需极小的0.75μs传输延迟，超低信号传输延迟使得控制环路能够快速响应，从而获得更加有效和稳定的系统，且控制器能够采取快速行动以维持预期的性能。同时其增益误差低至0.3%，可以保证采样精度的可靠性。

【应用】100A/1600V新型可控硅模块让变频器预充电更可靠

KYOCERA的可控硅整流模块PGH100N16，集成了三相整流桥和可控硅，可以替换常规的整流桥+直流接触器，集成度高，可以缩小变频器的体积，降低系统成本。

【应用】内置MTU和GPT，瑞萨32位高性能MCU助力空调变频器方案设计

对于空调变频器中MCU的选取，本文推荐采用Renesas公司RX62T系列中的R5F562TAADFP MCU，工作频率高达100MHz，专为电机控制设计， 集成了多功能定时器（MTU/GPT）、高速12位A/D转换器、10位A/D转换器，非常适合电机控制应用。

变频器中IGBT、MOS管上陶瓷片和导热垫片性能、成本综合对比

变频器中IGBT、MOS管上陶瓷片和导热垫片性能、成本综合对比

【应用】2.50/5.08mm间距BLF系列直插式接插件助力伺服系统/变频器，插接简单、可控性好

魏德米勒直插式接插件BLF系列在伺服系统和变频器控制传输单元起到了桥梁的作用，负责传递信号和连接控制器件，可以接通电路，也可以断开传输信号，插接安装简单、维护方便、节约人工费、无需额外处理，插拔式接线端子高质量、出色的联接性为系统正常运行提供了可靠的性能保障。

【应用】高可靠性导热硅脂BN-G460用于变频器，高温老化实验和冷热冲击实验表现优异，从容应对严苛环境

大功率变频器对散热要求很高，发热的器件很多，为了最大可能降低热传导热阻，多数情况下使用导热硅脂。普通的硅脂最大的弊端是长期高温工作下，容易变干粉末化，给核心发热部件，带来严重威胁。博恩公司在硅脂方面的产品可靠性比肩国际顶尖品牌产品水平，其推出的BN-G460导热硅脂，能够满足变频器上严苛环境应用。

【新】新一代1800V整流桥模块助力大功率变频器应用

与同类型的产品比，NIEC的二极管产品有更低的正向导通压降、更高的浪涌电流和更低的热阻，在大功率整流使用中，可显著提高变频器、UPS、伺服驱动、电焊机、电梯和工业空调等产品的性能。

【应用】高性价比门极驱动芯片，一颗解决中压变频器IGBT隔离驱动设计

PI的高性价比隔离驱动芯片SID1183K在无需任何额外有源器件的条件下，可直接驱动600A以下的开关器件，是中压变频器中IGBT隔离驱动设计的理想器件。

【应用】UMS下变频器CHR3662-QDG为Ku频段卫星通信提供解决方案，转换增益典型值为14dB

针对Ku频段卫星通信系统设计，本文推荐采用UMS公司的CHR3662-QDG下变频器解决方案，采用0.25µm pHEMT制造工艺，内部集成了FET混频器、LO缓冲器以及包含增益控制的LNA，RF频率范围7GHz~16GHz，LO频率范围4.5GHz~19.5GHz，IF频率范围DC~3.5GHz，符合Ku频段卫星通信系统的频率设计要求。

【选型】可替代莱姆HAS系列用于变频器电流检测的国产电流传感器，工作温度低至-40℃

变频器应用中会用到莱姆的HAS系列电流传感器模组，国产品牌创四方提供完美替换的HS19-A-C系列，因为其优异的型号和价格优势在变频器行业已导入测试。

简化变频器设计的高集成功率模块

为了简化变频器设计，Vincotech推出miniskiip模块 ，该系列产品内置整流电路、刹车电路、三相全桥逆变电路，基本囊括了变频器全部主功率部分。只需加MCU控制部分，就很容易可以完成变频器电路设计。

【选型】Heidenhain（海德汉）变频器系统选型指南

本资料主要讲述以下产品：变频器系统，数控系统，同步电机，异步电机，紧凑型变频器，模块型变频器，变频器，再生回馈变频器，非再生回馈变频器等。

【产品】设计为变频器使用的螺丝端子型铝电解电容器RWE和RWR系列，小型化、大容量、高纹波电流

RWE和RWR系列电容器是Nippon Chemi-Con公司推出的两款大容量螺丝端子型铝电解电容器，额定电压分别为350~550Vdc和350~450Vdc。在85℃的标准下，RWE和RWR系列铝电解电容器耐纹波电流时长为2000小时，可长期无故障的运行在对可靠性稳定性要求严苛的电子设备场合中，其符合ROHS2标准，主要应用于变频器等领域，用来平滑变频器变频电路的输入电压。

【应用】魏德米勒双层直插式带推杆端子解决变频器上大pin数端子插拔困难问题，最大可接导线直径为1.5mm²

变频器是一种电力控制设备，在工控行业应用广泛。变频器设备的接线方案通常采用接线端子，除大功率线外，通常选用3.5mm和3.81mm间距的端子。当设备选用的端子pin数较大时，连接器公母端的插拔力也会随之变大，使线端的插拔操作变得困难。如下图所示为2x16pin的双排接线端子，在插入公座后很难拔出，甚至可能会因为受力问题损坏器件本体或者焊点。

【产品】21~26.5GHz航天军事级多功能下变频器，采用GaAs工艺

UMS推出的下变频器CHR3693-FAA，本振频率范围为9~14GHz，中频频率范围为DC~3.5GHz，噪声系数典型值为2.5dB，可用于军事、航天以及商业通信系统中。

【应用】国产霍尔效应线性电流传感器CC6902用于变频器的设计方案，低成本、高品质

芯进电子是国内唯一一家同时掌握霍尔传感器和磁阻传感器这两种磁传感器技术的公司，霍尔效应传感器技术达到中国大陆领先。基于变频器的应用我们推荐芯进一款基于HALL效应的线性电流传感器CC6902。

空压机变频器中用国产高带宽低噪声轨至轨运算放大器PIN-PIN替换TLV2316，成本更低交期更短

某空压机变频器项目电流检测部分选用高带低噪声运算放大器TLV2316设计,但由于变频器行业价格竞争激烈，对成本要求严格，很多客户会选择一款低成本、供货交期好的替代方案，本文重点推荐国产圣邦微（SGMICRO）的SGM722XMS/TR模拟运放pin-pin替代TLV2316IDGK。

【产品】12-17GHz多功能单芯片下变频器， 变频增益10dB

UMS的CHR2291-99F多功能单芯片下变频器，工作频率在12-17GHz，芯片的变频增益为10dB，噪声系数为3.5dB。拥有高变频效率、低噪音等特点。适用于商业通信,雷达系统,接收机等应用领域。

革新！带变频器起飞的新一代32位MCU

变频器作为变频调速领域内的重要设备，其产业未来几年内市场潜力巨大，针对变频器市场，瑞萨电子推出了专用的MCU产品RX系列以应对其功能需求。

【产品】用于变频器的易驱动、低损耗的1250V绝缘栅双极型晶体管

RJP1CS24DWA / RJP1CS24DWS是瑞萨电子公司推出的一款绝缘栅双极型晶体管，采用了瑞萨第七代IGBT技术，栅极电荷总量Qg的典型值为290nC，较易驱动。反向传输电容典型值为0.11nF，导通损耗低。该产品可以用于变频器。

【选型】国产继电器可pin-pin替换宏发HF165FD-G/12-HY1STFV，助力变频器预充电电路

对于变频器产品，输入端都有预充电电路，刚接通电源时，通过电阻限流，母线电容上达一定电压后使用继电器短路电阻。变频器应用中经常使用宏发的继电器，本文通过电参数对比介绍中汇瑞德继电器CHS01-S-112LA，可直接替换HF165FD-G/12-HY1STFV，用于变频器预充电应用。

【应用】继电器CHI系列应用于工业变频器，耐压绝缘达到5KV

变频器是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备，变频器是有主电路、整流器、平波回路、逆变器四部分组成，电机的启停与正转倒转则需要继电器来实现。因此继电器的选择，在开关寿命和绝缘可靠性就要求非常的高。中汇瑞德继电器CHI系列有着以下优势：1、高达10万次的开关寿命；2、耐压绝缘达到5KV，保证了高的可靠性；3、同时加上价格优势，相比其他大厂极具性价比。

【经验】如何在启动后更改8A3xxxx变频器串行端口？

本文介绍如何在启动后更改IDT（Renesas收购）8A3xxxx变频器串行端口。串行端口可以选择是I2C还是SPI。它也可以是1字节或2字节寻址。

【应用】Vincotech七单元IGBT功率模块为变频器提供低成本应用方案

随着变频器市场的竞争越来越大，各大厂商对成本也越来越敏感，本文介绍一种七单元模块，可以降低变频器成本。

【选型】3.7KW变频器中推荐1200V/35A的IGBT模块10-E212PMA035M7-L188A78Z

3.7KW的变频器设计中，根据变频3倍左右的电流冲击设计特性，再考虑模块的集成度和小型化，选型需求1200V/35A的PIM（集成整流+刹车+逆变）类型的IGBT模块。Vincotech的10-E212PMA035M7-L188A78Z是采用兼容式设计的1200V/35A 的PIM模块，是3.7KW变频器主拓扑的优选，且该模块已经成功的在市场得到数据支撑。

【产品】HS59-A-E4系列电流传感器，测量范围±600~±4000A，适用于变频器、不间断电源等

HS59-A-E4系列是福建创四方推出的低功耗、宽量程、无插入损耗的电流传感器，原边与副边之间是绝缘的，用于直流、交流和脉冲电流的测量，如变频器、不间断电源(UPS)、直流电机驱动的静止式变流器等。

【产品】2.2F大容量大型铝电解电容器,为高可靠性变频器而设计

NIPPON CHEMI-CON的U32D/U36D系列电容器是为高可靠性变频器设计的通用型螺丝端子产品，实现了高纹波电流化和长寿命化。 U32D系列电容器在105℃的标准下，保证寿命为2,000小时。工作温度范围是-40~105℃。 U36D在85℃的标准下，保证寿命为2,000小时。工作温度范围是-40~85℃。

【产品】1200V三相全波整流桥D30JCT120V，助力工业高压变频器

新电元推出三相整流桥D30JCT120V，电压值为1200V，30A。可以应用到三相交流转直流的场合中，如变频器、电源等设计。

【产品】阻值范围5mΩ-1Ω、用于电源模块、变频器、开关电源的2端子印刷电路板装配电阻器

ISABELLENHUETTE的PSB印刷电路板装配电阻器阻值范围5mΩ-1Ω，公差1%、5%，具有超高脉冲功率额定值、良好的长期稳定性等特点，广泛用电源模块、变频器、开关电源等应用。

【产品】大容量铝电解电容器寿命高达175000h，专为高可靠性变频器设计

黑金刚的U37F、U37L、U37X系列电容器是为高可靠性变频器设计的通用型螺丝端子U37等级的产品，实现了高纹波电流化和长寿命化。拥有多种耐高电流的英制和公制螺纹端子。工作温度范围均为-40〜85℃，额定电压范围是350V〜500V，符合ROHS标准。

【应用】1200V/10A的IGBT模块10-FZ12PMA010M7-P849A28实现1.5KW变频器高性价比设计

Vincotech的1200V/10A的PIM模块10-FZ12PMA010M7-P849A28是采用flow0封装的PIM模块（集成整流桥+制动+逆变拓扑），是1.5KW变频器主拓扑的优选。目前该模块已经成熟应用于该类变频市场，为1.5KW变频器首选型号，性价比高。

【产品】LEONI 多芯电缆BETAdrive®经过特别设计和电气优化，尤其适用于变频器控制电机

LEONI 多芯电缆 BETAdrive®经过特别设计和电气优化，尤其适用于变频器控制电机。具有多芯，柔性强 ，内导体圆整度高、耐油、耐化学品，高耐火性等特点。

【选型】为2.2KW变频器推荐1200V/25A的IGBT模块10-E212PMA025M7-L187A78Z

目前变频器2.2KW的功率段主要是对应适配的电机功率。采用三相380V输入，2.2KW的变频器的电源容量大约会设计在4.0KVA，选型时推荐1200V/25A的PIM（集成整流+刹车+逆变）类型的IGBT模块。因此本文推荐使用Vincotech的IGBT模块10-E212PMA025M7-L187A78Z。

【选型】选择适用于变频器IGBT过热的导热绝缘垫片需要考虑哪些参数？

本文主要介绍适用于变频器IGBT过热的导热绝缘垫片需要考虑哪些参数，推荐博恩BNG600导热绝缘垫片用于变频器IGBT散热。

VLT®HVAC 变频器应用 VLT®HVAC 变频器应用

【应用】箝位能力出色的TVS在变频器过压保护中的应用

力特推出的SMBJ系列TVS管专门用于保护敏感电子设备，使其免受瞬态电压侵害，提高安全性。

【选型】5.5KW通用变频器推荐PIM型IGBT模块10-E212PMA050M7-L189A78Z/T

根据5.5KW电机功率段的变频器设计需求，考虑模块的集成度和小型化，选型需求1200V/50A的PIM（集成整流+刹车+逆变）类型的IGBT模块。Vincotech的10-E212PMA050M7-L189A78Z是采用兼容式设计的1200V/50A的PIM型IGBT模块，是5.5KW变频器主拓扑的优选，且该模块已经成功的在市场得到数据支撑。

【产品】820uF~18000uF电容范围的铝电解电容RWV系列，可适用于交流伺服放大器以及变频器

RWV系列是由Nippon Chemi-Con(黑金刚)推出的一款铝电解电容，该电容符合RoHS标准，是环境友好型器件。相比于相同尺寸的RWF系列，RWV系列产品改进了充放电电阻，其主要可适用于交流伺服放大器以及变频器等应用领域。

【应用】匹配75KW变频器逆变设计的兼容式半桥IGBT模块K830F70

在变频器逆变的主体架构应用时，考虑到1200V电压、400A左右的电流、良好的散热布局以及简易封装设计几个因数，一般匹配半桥模块。Vincotech的IGBT半桥I模块80-M3122PA400M7-K830F70（图2所示），规格1200V/400A的半桥模块，匹配75KW变频器的设计。

【应用】WAGO快速接线端子250系列降低西门子变频器SINAMICS V20的用户使用成本

德国西门子公司推出的SINAMICS V20系列紧凑型变频器常用于物流运输行业的传送带电机驱动,其工作稳定性与高可靠性得到了行业用户的一致认可。西门子SINAMICS V20系列紧凑型变频器,为了提升终端客户在设备安装与运行期间的维护调试的作业效率,降低客户的安装维护使用成本,其控制信号的IO口采用了WOGO 250/216这颗快速接线端子(如图二)。WAGO 250/216其内部采用弹片式接点结

【应用】Silicon Labs推出高抗扰、5kV隔离栅极驱动Si828x，提供变频器IGBT设计解决方案

Silicon Labs Si828x具有业界领先的隔离、抗干扰能力，即使面对电压高、电磁环境，也能保护并增强变频器的IGBT驱动部分。

【产品】小型化大容量螺丝端子型铝电解电容器RWH系列，主要应用于变频器等领域

RWH系列电容器是Nippon Chemi-Con公司推出的一款小型化螺丝端子型铝电解电容器，在85℃的标准下，RWH系列铝电解电容器标准寿命可达5000小时，其符合ROHS2标准，主要应用于变频器等领域。

【应用】扬杰科技BZT52B5V1稳压二极管用于变频器组件，反向漏电流低至0.1mA

客户具体的参数要求为稳压值为5.1V，损耗功率为500mW，正常工作电流为5mA，要求封装为SOD-123，反向漏电流小于0.5mA ,反向击穿电压，要小于1V，市面上的大多数反向漏电流有2mA和0.1mA,两种，同时，反向击穿电压为2V和0.8V两种，因为客户要求是低功耗，因此给客户推荐扬杰科技的BZT52B5V1。

【选型】1.5KW变频器中推荐1200V/15A PIM型IGBT模块10-E212PMA015M7-L186A78Z

目前变频器1.5KW的功率段主要是对应适配的电机功率。采用三相380V输入，1.5KW的变频器的电源容量大约会设计在3.0KVA。通过选型所需参数计算并考虑模块的集成度和小型化，选型时推荐1200V/15A的PIM（集成整流+刹车+逆变）类型的IGBT模块，本文主要Vincotech的10-E212PMA015M7-L186A78Z。

【应用】ROHM 1200V/15A的IGBT单管用于低成本0.75-4kW通用变频器，短路时间仅10uS

低成本0.75-4kW通用变频器主要分整流、制动、逆变部分，IGBT规格一般选择1200V/15A左右，主要用在制动、逆变部分，单机7PCS。本文推荐罗姆（ROHM）1200V/15A的IGBT单管RGS30TSX2D，完全满足设计要求。

【应用】1500V/3A高压MOS管IXTA3N150HV助力380V变频器反激式辅助电源，TO-263封装节省布局空间

AC380V变频器常用反激式辅助电源设计，因辅助电源是取AC380V整流后的高压输入，而整流滤波后电压在550V左右，故一般需要用到高压MOS设计；这里主要推荐力特1500V/3A高压MOS管IXTA3N150HV运用于AC380V变频器反激式辅助电源。导通电阻为最大7.3毫欧，可降低导通损耗，降低输入电源功耗。IXTA3N150HV为TO-263贴片封装，可直接贴片PCB板，利用PCB敷铜散热。

【应用】5 A峰值驱动芯片SID1102K助力变频器IGBT开通与关断

SID1102K门极驱动芯片是PI推出的SCALE-iDriver™ IC的一款，采用宽体eSOP封，可同时为下管和上管推动MOSFET开关提供N沟道驱动。

【应用】Vincotech 1200V/35A的IGBT模块实现3.75KW变频器设计

Vincotech的10-FY12PMA035M7-P589A78是采用兼容式设计的1200V/35A PIM拓扑IGBT模块，是3.75KW变频器主拓扑的优选，且该模块已经成功的在市场得到数据支撑。

【经验】实现变频器IGBT驱动的过流保护和故障反馈的方法

采用PI智能驱动IDriver进行IGBT Vce压降的检测，以及出现故障时软关断IGBT。采用Melexis霍尔电流传感器MLX91208反馈过流故障。

【应用】可用于变频器泄放单元的1200V 40A高速IGBT，高温下IC的降额小

本文讲述了紫光微TGW40N120A在变频器泄放单元的应用。其中包含了TGW40N120A应用实物图，应用的外围电路。泄放的控制方式，以及IGBT的导通周期。另附有泄放管温升照片，泄放管栅极波形。以及对紫光微TGW40N120A优势的阐述

【成功案例】轨道交通大功率变频器设计采用高压隔离驱动芯片，实现硬件驱动互锁，防止上下桥臂IGBT直通炸机

大功率变频器运行时，正常运行时上下桥臂的IGBT会互补导通运行，但是如果变频器发生短路或桥臂直通，导致IGBT模块电流迅速变大造成短路和过流，模块内部热量迅速累积无法释放，最终导致IGBT损坏和炸机。那怎么才能实现IGBT的输入驱动信号互锁，防止上下桥臂IGBT直通炸机？本文结合轨道交通大功率变频器设计项目为例，采用PI公司的高压隔离驱动芯片2SC0435T2F1-17。

【应用】IFSM达1500A二极管整流模块PT150MYN16，30kW变频器不二之选

Kyocera PT150MYN16的耐压VRRM高达1600V，正向平均输出电流Io为150A，可承受最大IFSM浪涌电流达1500A，通电压VF低至1.54Vmax，热阻Rth(j-c)低至0.06℃/W。

【应用】Vincotech 1200V的IGBT模块用于1KW、380V系统变频器，匹配小型化设计需求

推荐Vincotech的六管IGBT模块V23990-K218-F40-PM，1200V/10A，匹配1KW变频器的逆变小型化设计。采用的是IGBT4晶圆，满足20KHz以内的驱动频率要求，兼容式miniskiip封装，体积小。

国产低压变频器十大品牌易驱电气 为世强颁发“十佳优秀供应商”奖

世强与易驱电气保持长期合作伙伴关系。合作多年来，世强不仅为易驱电气提供了多个顶级国际半导体品牌的产品及解决方案，还凭着优质的供货能力，赢得了易驱电气光耦、光纤等产品90%以上的采购份额，并获得由易驱电气颁发的“十佳优秀供应商”奖励。

变频器及伺服系统主要生产厂商英威腾，将优秀供应商奖颁发给世强

作为英威腾的元器件供应商，也是中国最大的工控元器件供应商，世强多次获评英威腾颁发的“优秀供应商奖”。在与英威腾的合作过程中，本土十大分销商——世强，一方面为英威腾的变频、伺服、电动车驱动、光伏、UPS等多种产品，提供了AVAGO光耦、Vincotech功率模块、Littelfuse电路保护器件和EPSON石英晶体等多钟先进元器件产品，并精心定制了配套的元器件方案和技术服务。

ADP200 变频器系列伺服泵专用变频器

【应用】下变频器CHR2295-99F和CHR3693-FAA，助力Ka波段通信系统设计

Ka波段作为电磁频谱的微波波段的一部分，频率范围为26.5-40GHz。UMS推出的CHR2295-99F,chr3693-faa的下变频器，集成了一个FET混频器、一个二倍频器和一个RF自偏压低噪声放大器，工作频率范围为21GHz-40Ghz，变频增益分别为13dB和11dB，可以应用在Ka波段通信系统中。

【应用】ROHM 1200V/40A的IGBT单管助力低成本5.5KW-7.5KW通用变频器设计

本文重点推荐罗姆（ROHM）的IGBT单管RGS80TSX2DGC11用于通用变频器的制动+逆变部分，在保证产品性能的同时，可有效降低产品整体设计成本，提升产品竞争力。

【经验】陶瓷片VS导热垫片用于变频器中IGBT热处理的成本、性能优劣势对比分析

陶瓷垫片在变频器中IGBT上应用非常广泛，主要原因其具备25W/m-k的导热系数，感觉应用起来，导热性能应该非常优秀，另外很多很多应用还必须要求绝缘，陶瓷的绝缘强度约10~12KV/mm，参数上综合分析，陶瓷垫片是满足IGBT导热应用的绝佳选择。然而事实并非如此，陶瓷垫片硬和脆的特点带来了实际操作中的不便。本文通过综合对比导热垫片MCS30GL和陶瓷垫片在该应用的优劣，为你提供更多选择。

【产品】放大器和变频器的互调失真测量软件S93087B，使用内部信号源提供快速扫描IMD测量

Keysight的S93087B 互调失真（IMD）测量应用软件能够非常方便地设置和校准放大器和变频器的扫描 IMD 测量。它能够控制内部和外部信号源的频率和功率，并能够在一个测量通道中在主音频和 IMD 音频上调谐接收机。用户可以扫描两个激励信号的中心频率、两个激励信号与固定中心频率的间隔，也可以仅扫描一个激励信号、同时扫描两个激励信号或扫描本振信号的功率。

±100 mV低压差分输入隔离放大器，让变频器控制更精准

Silicon Labs推出了具隔离功能的电流采样方案：Si8920，一款电位隔离模拟放大器，具低压差分输入、极低信号延迟和极高的共模瞬态抗扰度，即使在大功率开关的情况下也能进行精确地测量。

【应用】新电元D45JCT120V桥式整流桥用于10KW工业变频器，可承受最高450A的浪涌冲击

Shindengen桥式整流桥D45JCT120V，薄型SIP封装，最大反向电压VRM可达1200V，具有强大的耐压能力，平均整流正向电流为45A，同时具有出色的抗浪涌能力，可承受最高450A的浪涌冲击，可应用于10KW工业变频器应用。

【选型】2.2KW变频器设计推荐1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28

Vincotech旗下1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28采用Flow0封装，集成整流桥+制动+逆变拓扑，是2.2KW变频器主拓扑的优选，目前已经成熟应用于该类变频市场，性价比高。

【应用】基于微控制器RX651和RX66T的瑞萨交流变频器或GP逆变器解决方案

今天瑞萨要介绍的是瑞萨电子成功产品组合中一款针对交流变频器/GP逆变器的解决方案交流变频器或GP逆变器作为精确控制轴转速的变速控制器，被广泛应用于工业设备当中。本方案适用于多种应用案例，支持功能齐全，用户可以根据具体使用情景从参考解决方案中选择需要的功能。接下来，瑞萨君将对方案进行详细的介绍。

【应用】DB35三相整流桥应用于通用型变频器中，漏电流小于10uA

Diotec（德欧泰克）生产的DB35系列三相整流桥，正向压降VF小于1.05V（@IF=17.5，25℃），漏电流小于10uA，可以进一步优化整流电路的转换效率，提高产品的性能，适合于用在通用型变频器的AC-DC单元中。

【应用】EASY封装、三菱M7晶圆的flow E系列PIM模块助力低功率变频器实现紧凑高效的设计

Vincotech（威科）的flow E系列PIM模块，1200V电压，电流范围10A-50A，可满足变频器对于电压电流的需求。并且模块采用了三菱最新的M7晶圆，拥有更低的损耗和更高的效率；另一方面，通过预弯DCB实现的flow封装技术，可与散热器发生良好的热接触，Rth比业内同类产品也降低了15%左右，有更好的热性能。

【应用】Vincotech 1200V 12合一IGBT模块在四象限电梯变频器上应用

Vincotech公司推出的针对电梯四象限变频器12合一IGBT模块80-M312WPA050SH01-K889F45,80-M312WPA050SH-K889F40,80-M212WPB025SC-K388F,80-M212WPA050M7-K750F70,80-M212WPA035SC-K389F，采用MiniSKIIP封装，免焊SPRING技术，能够最大程度缩短装配时间，无铜底板，具有成本。

世强获PLC、伺服驱动、变频器领导厂商台安科技颁发的“优秀供应商奖”

凭借着优质的技术服务、完善的供应链服务和有保障的订单交期，我国工业控制领域最大的半导体元件供应商——世强获得台安科技颁发的“优秀供应商奖”。

【选型】Diotec三相桥式整流器在中小功率变频器中的选型推荐：DBI20、DBI25、DB15/25、DB35

推荐Diotec（德欧泰克）DBI20、DBI25、DB15/25、DB35系列三相整流桥，正向压降VF小于1.05V，漏电流IR均小于10uA，其反向恢复时间Trr典型值均为1500ns，应用在中小功率变频器电路中可以进一步优化整流电路的转换效率，提高产品的性能。

【产品】工作频率10~16GHz集成mixer、LO和可调增益LNA的下变频器

UMS的CHR3362-QEG采用无引脚SMD封装，可变频输出直流到3.5GHz的中频信号 。

【技术】隔离放大器+多功能栅极驱动器 实现变频器IGBT保护

Silicon Labs公司的隔离放大器提供了保护IGBT免于遭受过电流、过载和过电压情况的有效方法。使用Si8920隔离放大器搭配功能多样的栅极驱动器，如Si828x可以实现高成本效益的充分IGBT保护方案。