DDR4
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DDR4选型帮助
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DDR4 Memory Protocol Analysis and Compliance Verification DDR4 Memory Protocol Analysis and Compliance Verification
DDR4 Design And Verification In Hyperlynx LINESIM/Boardsim Rod Strange
【应用】泰科TE DDR4 SO DIMM插槽用于5G小基站，比同品类其他产品体积小一半，空间布局小型化
泰科TE的DDR4 SO DIMM在小基站中的应用，空间布局小型化 一家做5G小基站的客户需求DDR4内存条插槽，H5.2mm,板上布局小型化，推荐采用便携式笔记本上用的常规DDR4 SO DIMM封装的插槽，镀层采用Gold flash，卡槽标准类型，推荐的TE产品型号：2309409-1。TE的比常规的DDR4 DIMM体积小一半，水平插接布局更省空间。
SECO Reduces DDR4 Board Failures to Zero and Design Optimization Time by 35%
DG0756 PolarFire FPGA PCIe EndPoint, DDR3 and DDR4 Memory Controller Data Plane Demo Guide
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connector DDR4 DIMM系列 DDR4 SODIMM 260P 4.0H STD 最小包装量：9,000 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司 原厂认证 世强代理 选型推荐 世强自营 一支起订 |
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connector DDR4 DIMM系列 DDR4 SODIMM 260P 5.2H STD 最小包装量：9,600 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司 原厂认证 世强代理 选型推荐 供货保障 世强自营 一支起订 |
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SODIMM A4F16;A4F16QG8系列 DDR4-3200 260P 16GB Unb ECC SODIMM 最小包装量：50 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司 原厂认证 世强代理 选型推荐 供货保障 世强自营 一支起订 |
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SODIMM A4F08;A4F08QD8系列 DDR4-3200 260P 8GB Unb ECC SODIMM 最小包装量：50 |
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UDIMM A4D04;A4D04QC6系列 DDR4-3200 288P 4GB Unb Non-ECC DIMM 最小包装量：50 |
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UDIMM A4D08;A4D08QA8系列 DDR4-3200 288P 8GB Unb non-ECC DIMM 最小包装量：50 |
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UDIMM A4D32;A4D32QB8系列 DDR4-3200 288P 32GB Unb non-ECC DIMM 最小包装量：50 |
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UDIMM A4D16;A4D16QB8系列 DDR4-3200 288P 16GB Unb non-ECC DIMM 最小包装量：50 |
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SODIMM A4G04;A4G04QC6系列 DDR4-3200 260P 4GB Unb non-ECC SODIMM 最小包装量：50 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司 原厂认证 世强代理 选型推荐 供货保障 世强自营 一支起订 |
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SODIMM A4F32;A4F32QG8系列 DDR4-3200 260P 32GB Unb ECC SODIMM 最小包装量：50 |
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DDR4的最高速率能达到多少？
DDR4内存拥有两种规格，其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。
DDR4和DDR3的主要区别是什么？
国产的DDR3或DDR4有没有8Gb或者16Gb的，请给个厂家和具体型号？
有没有DDR4的SPEC
DDR4有2.5G的吗？有没有推荐的型号
4MX0121V Switch/Multiplexer for DDR3/DDR4 NVDIMM
DDR4 SDRAM Specification
Keysight Technologies（是德科技） DesignCon 2014Touchstone® v2.0 SI/PI S-Parameter Models for Simultaneous Switching Noise (SSN) Analysis of DDR4 Article Reprint
DDR4 SO-DIMM Connectors
How Verification IP Can Minimize LPDDR4 PHY IP Verification Complexity
ATP DDR4-2666 modules for Intel® Xeon® Scalable and 8th-generation Intel® Core™ Processors
Samsung Memory for Supercomputing 20nm class DDR4 SDRAM
Samsung Memory DDR4 SDRAM The new generation of high-performance, power-efficient memory that delivers great reliability for enterprise applications
Crucial® DDR4 Desktop Memory
DG0808 PolarFire FPGA PCIe EndPoint and DDR4 Memory Controller Data Plane Using Splash Kit Demo Guide
DDR4 Parametric Test Reference Solution
Keysight Technologies DDR4 Functional/Protocol Debug and Analysis Reference Solution
288pin DDR4 SDRAM Registered DIMM DDR4 SDRAM Registered DIMM Based on 8Gb C-die HMA81GR7CJR8N HMA82GR7CJR8N HMA82GR7CJR4N HMA84GR7CJR4N
260pin DDR4 SDRAM SODIMM DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die HMA851S6CJR6N HMA81GS6CJR8N HMA81GS7CJR8N HMA82GS6CJR8N HMA82GS7CJR8N
DDR4 Parametric Test Reference Solution
DDR4 Device Operation
DDR4 Device Operation
DDR4 SDRAM Device Operation
DDR4 SDRAM Device Operation
DDR4 Module Part Numbering System
LPDDR4 PART NUMBERING
DDR4 SDRAM PART NUMBERING
DDR4 SDRAM PART NUMBERING
D9040DDRC DDR4 and LPDDR4 Compliance Test Software
Keysight Technologies（是德科技） B4621B Bus Decoder for DDR2, DDR3, or DDR4 Debug and Validation
N6462A and N6462B DDR4/LPDDR4 Compliance Test Software Data Sheet
Keysight N2114A and N2115A DDR4 BGA Interposers for Infiniium Oscilloscopes Superior probing for DDR4 compliance test and debug Data Sheet
8Gb B-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
8Gb B-die DDR4 SDRAM 78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
4Gb D-die DDR4 SDRAM x16 only 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
4Gb E-die DDR4 SDRAM x16 only 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
4Gb E-die DDR4 SDRAM 78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
Premier DDR4 2666 U-DIMM Memory Module DDR4.THAT'S HOW UPGRADE IS SPELLED. DATASHEET
PI2DDR3212 and PI3DDR4212 in DDR3/DDR4 applications
Using an Infiniium V-Series Mixed-Signal Oscilloscope to Debug and Validate DDR4/LPDDR4 Signals
DDR4 Point-to-Point Design Guide
DDR4 Point-to-Point Design Guide Technical Note
【产品】传输速率高达300MT/s的DDR4-3200 DRAM模块，工作电压仅1.2V
由于最新一代处理器性能的提高，系统运行速度更快，处理数据的速度也更快。当CPU变得更快时，它们也需要更快的内存。ATP Electronics推出的DDR4-3200解决方案，充分发挥了AMD EPYC™ 系列和第二代Intel®Xeon®可扩展处理器的性能，也可用于未来的AMD Milan和Genoa以及Intel® Cooper Lake和Ice Lake处理器。
活动Alliance Memory最新DDR4工业存储芯片， 2/4/8Gb，1.2V低功耗，3.2Gbps/pin
当前市面上存储器严重缺货涨价，全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家的Alliance Memory公司推出的存储器供货稳定、产品生命周期长、价格基本不浮动的特点广受客户好评。其存储芯片产品型号系列齐全，可以满足不同场合应用，其特点如下：• 交货周期短，平均周期是6-8周• 有多个工厂保证产品不会因为意外因素导致缺货• 不停产、不缩die、不改版新产品介绍 Alliance Memory
【经验】R CAR H3开发板上DDR4使用DRAM_Eye_Openning测试DDR4的眼图过程
R CAR H3在设计电路板，关乎系统能否正确启动的，其中除了电源部分供电，那就是DDR4的布线走线，稳定性的部分，本文记录通过瑞萨提供的DDR4测试工具DRAM_Eye_Openning测试DDR4的眼图过程。
New 2Gb/4Gb/8Gb LPDDR4 SDRAMs with on-chip ECC Offer lower Power Consumption
Alliance Memory has expanded its offering of high-speed CMOS mobile low-power SDRAMs with new LPDDR4 devices featuring on-chip ECC. For improved performance with higher power efficiency than previous-generation LPDDR3 SDRAMs, the 2Gb AS4C128M16MD4-062BAN, 4Gb AS4C256M16MD4-062BAN and AS4C128M32MD4-062BAN, and 8Gb AS4C256M32MD4-062BAN offer lower power consumption and faster speeds in the 200-ball FBGA package.
【产品】具有片上ECC的新型2Gb/4Gb/8Gb LPDDR4 SDRAM，提供了3.2Gbps更快的速度
Alliance Memory已利用具有片上ECC的新型LPDDR4器件扩展了其高速CMOS移动低功耗SDRAM的产品范围。 与上一代LPDDR3 SDRAM相比，2Gb AS4C128M16MD4-062BAN、4Gb AS4C256M16MD4-062BAN和AS4C128M32MD4-062BAN以及8Gb AS4C256M32MD4-062BAN提供了更低的功耗和更快的速度。
Customer drawing For DDR4 Series,288 pos,0.85 pitch Vertical SMT Type
Custormer drawing For DDR4 Series,288 pos.,0.85 pitch Vertical Dip Type
【产品】采用ATP 16 Gb单片设计的DDR4-3200 DRAM模块，单模块密度达64GB
在高性能计算（HPC）环境中，通常以惊人的速度处理海量数据，由于处理数据的速度和数量，ATP客户需要更高密度，更快速和更低功耗的DRAM模块。使用新的16 Gb单片IC设计的DRAM模块，不仅存储模块密度是上一代8 Gb设计的两倍，而且最大峰值传输速率达到25,600 MB / s，比DDR4-2666快了20％ 。
Reliability Qualification Report for DDR4 SDRAM with Pb/Halogen Free (20nm 8Gb DDR4 SDRAM)
DDR4 SODIMM Socket 0.5mm Pitch 260Pos Qualification Test Report
DDR4 SO DIMM MEMORY SOCKETS
DDR4 LRDIMMs Unprecedented Memory Bandwidth on Samsung DDR4 LRDIMM Enabled byIDT's Register and Data Buffer
DDR4 LRDIMMs Unprecedented Memory Bandwidth on Samsung DDR4 LRDIMM Enabled by IDT’s Register and Data Buffer
【产品】Alliance宣布新的8Gb高速CMOS DDR4 SDRAM：AS4C1G8D4和AS4C512M16D4
2020年9月—为了满足对更高密度CMOS DDR4 SDRAM不断增长的需求，Alliance Memory宣布通过两款新的8Gb高速CMOS DDR4 SDRAM，从而进一步扩展了其产品组合。与上一代DDR3 SDRAM相比，AS4C1G8D4和AS4C512M16D4提供了更高的性能，分别采用78-ball和96-ball FBGA封装，具有更低的功耗和更快的数据传输速率。
【产品】符合JEDEC标准的DDR4数据缓冲器4DB0232KD1，可在商业级温度下工作
IDT（Renesas收购）推出的4DB0232KD1是一款符合JEDEC标准的DDR4数据缓冲器，具有双路4位双向“DQ”数据寄存器和“DQS”差分选通，可用于DDR4 LRDIMM应用，工作在1.2 VDD下。每个4位双向数据寄存器的DQ主机接口端连接到一个内存控制器，MDQ接口端连接到两个×4 DRAM。
DDR4-3200 DRAM Solutions Deliver Memory Boost to AMD EPYC™ and 2nd Gen Intel® Xeon® Scal | ATP
Taipei, Taiwan (March 2020) – ATP Electronics announces the release of fast, low-power DDR4-3200 solutions to take full advantage of the latest AMD EPYC™ Family and 2nd Generation Intel® Xeon® Scalable Processors (formerly codenamed Rome and Cascade Lake, respectively). ATP’s DDR4-3200 modules ensure a big boost in performance, compute density and productivity with their fast 3200 MT/s data rate to optimize the power of AMD’s eight-memory channel and Intel’s six-memory channel architectures.
【产品】Alliance推出4Gb高速CMOS DDR4 SDRAMs：AS4C256M16D4、AS4C512M8D4
Alliance Memory扩大了其产品范围，推出了高速CMOS DDR4 SDRAMs。4Gb AS4C256M16D4和AS4C512M8D4具有更低的功耗和更快的数据传输速率，有96焊球和78焊球FBGA封装。
【产品】ATP发布快速、低功耗DDR4-3200，为AMD EPYC™和第二代Intel®Xeon®Scal提供内存提升
2020年3月– 高性能，高性价比DRAM模块的领先制造商ATP公司，近日发布快速，低功耗DDR4-3200解决方案，充分发挥了最新的AMD EPYC ™系列和第二代Intel® Xeon® 扩展处理器（以前分别代号为Rome和Cascade Lake）的优势。该模块传输数据的速度比现有最快的DDR3-1866快70％。
【选型】DDR4与DDR3模块相比的差异和优势
ATP ELECTRONICS第四代双倍数据速率（DDR4）是一种内存标准，旨在更好，更快，更可靠地替代DDR3。DDR4具有288个引脚，而DDR3具有240个引脚。DDR4 SO-DIMM具有260个引脚，而不是DDR3中的204个引脚。本文还介绍了其他DDR4与上一代模块相比的差异和优势。
【经验】R-Car H3/M3 DDR4适配之代码修改
R-Car系列是Renesas（瑞萨）的一款多核处理器，R-Car H3/M3是R-Car系列性能最优，市场应用最多的两个型号。很多时候，客户会选择SIP封装的产品，已经集成了DDR，根据料号不同其配置也稍有差异，也有客户会选择SOC封装，然后自行搭配外围器件，这个时候就需要针对所选的DDR4进行代码适配了。本文将介绍在各个部分的源码中要如何对DDR4进行适配。
【技术】DDR4 LRDIMMS，由IDT的寄存器和数据缓冲器实现三星DDR4上前所未有的内存带宽
在过去几年中，三星，IDT（Renesas收购）和内存生态系统中的其他公司一直密切合作，继续推进企业应用的系统内存路线图。本文旨在突出业界利用最新内存技术DDR4取得的进步，DDR4 LRDIMM（load reduced memory module）技术使用分布式缓冲方法在即将到来的DDR4企业服务器系统上扩展到更高容量和更快速度时可以实现高效的内存带宽。
【产品】用于Infiniium 系列示波器的DDR4 一致性测试应用软件N6462B
Keysight推出了用于Infiniium 系列示波器的DDR4 一致性测试应用软件N6462B，DDR4 应用软件可以实现快速轻松的 DDR4 设计测试、调试和表征，它在进行每次测试时能够自动配置示波器，并在测试结束时生成一份内容详尽的 HTML 报告。
【产品】适用于DDR4 RDIMM和LRDIMM的完整芯片组，包含DDR4寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器
瑞萨旗下的IDT的DDR4 寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器组成了业界首款适用于 DDR4 寄存双列直插存储器模块 (RDIMM) 和低负载双列直插存储器模块 (LRDIMM) 的完整芯片组4RCD0124、4DB0226、TSE2004。随着DDR4的数据传输速率攀升至 3.2 Gb/s 乃至更高，RDIMM 和 LRDIMM 卓越的速度可扩展存储器技术具备毋庸置疑的优势。
【产品】用于内存模块的集成4kbit EEPROM的DDR4温度传感器TSE2004GB2B0
IDT（Renesas收购）推出的TSE2004GB2B0数字温度传感器的精度最高可达±0.5℃，它根据最高温度读取水平的应用而设计。该器件还包含512字节EEPROM，用于存储供应商信息和系统配置，如用于DIMM模块的SPD。
【经验】基于R-Car H3特殊的PCB叠层方案，车载域控制器中R-Car H3与LPDDR4之间的布线方法
瑞萨R-Car H3处理器（SOC）是汽车域控制器专用SOC，它拥有1384个PIN，功能多、系统复杂，PIN密度很大而PIN间距很小，这些特点要求以它为载体的车载域控制器的PCB叠构是很特别的，本文中，笔者将以其特殊的PCB叠层方案为基础，分享车载域控制器中R-Car H3与LPDDR4之间的布线应用方案。
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