DDR4
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ATP’s Fast, Low-Power “Industrial Only” DDR4-3200 DRAM Solutions Deliver Memory Boost to AMD EPYC™ and 2nd Gen Intel® Xeon® Scal
Taipei, Taiwan (March 2020) – ATP Electronics, the leading manufacturer of “Industrial Only” high-performance cost-effective DRAM modules, announces the release of fast, low-power DDR4-3200 solutions to take full advantage of the latest AMD EPYC™ Family and 2nd Generation Intel® Xeon® Scalable Processors (formerly codenamed Rome and Cascade Lake, respectively). ATP’s DDR4-3200 modules ensure a big boost in performance, compute density and productivity with their fast 3200 MT/s data rate to optimize the power of AMD’s eight-memory channel and Intel’s six-memory channel architectures.
DDR4 Memory Protocol Analysis and Compliance Verification DDR4 Memory Protocol Analysis and Compliance Verification
DDR4 Design And Verification In Hyperlynx LINESIM/Boardsim Rod Strange
DG0756 PolarFire FPGA PCIe EndPoint, DDR3 and DDR4 Memory Controller Data Plane Demo Guide
4MX0121V Switch/Multiplexer for DDR3/DDR4 NVDIMM
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DDR4的最高速率能达到多少？
DDR4内存拥有两种规格，其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。
DDR4和DDR3的主要区别是什么？
国产的DDR3或DDR4有没有8Gb或者16Gb的，请给个厂家和具体型号？
DDR4有2.5G的吗？有没有推荐的型号
DDR4信号测试主要测哪些项？
请问R CAR H3 开发板最大支持多少DDR4内存?
DDR4支持的最大位数是不是32 bit，还是说取决于处理器的位数支持？
请问世强有没有代理DDR4的RAM?
R16的CPU能不能搭配DDR4使用？世强是否有代理？
请问R CAR H3 LPDDR4最大可以支持多少容量？
DG0808 PolarFire FPGA PCIe EndPoint and DDR4 Memory Controller Data Plane Using Splash Kit Demo Guide
DDR4 Parametric Test Reference Solution
Keysight Technologies DDR4 Functional/Protocol Debug and Analysis Reference Solution
288pin DDR4 SDRAM Registered DIMM DDR4 SDRAM Registered DIMM Based on 8Gb C-die HMA81GR7CJR8N HMA82GR7CJR8N HMA82GR7CJR4N HMA84GR7CJR4N
260pin DDR4 SDRAM SODIMM DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die HMA851S6CJR6N HMA81GS6CJR8N HMA81GS7CJR8N HMA82GS6CJR8N HMA82GS7CJR8N
DRAM for Every Design Micron® DRAM Module Form Factors Quick Reference Guide
DDR4 Device Operation
DDR4 Device Operation
DDR4 Module Part Numbering System
【产品】Alliance推出4Gb高速CMOS DDR4 SDRAMs：AS4C256M16D4、AS4C512M8D4
Alliance Memory扩大了其产品范围，推出了高速CMOS DDR4 SDRAMs。4Gb AS4C256M16D4和AS4C512M8D4具有更低的功耗和更快的数据传输速率，有96焊球和78焊球FBGA封装。
Keysight Technologies（是德科技） DesignCon 2014Touchstone® v2.0 SI/PI S-Parameter Models for Simultaneous Switching Noise (SSN) Analysis of DDR4 Article Reprint
DDR4 SDRAM Specification
DDR4 SO-DIMM Connectors
How Verification IP Can Minimize LPDDR4 PHY IP Verification Complexity
HIGH SPEED INTERFACE STANDARDS
ATP DDR4-2666 modules for Intel® Xeon® Scalable and 8th-generation Intel® Core™ Processors
Samsung Memory DDR4 SDRAM The new generation of high-performance, power-efficient memory that delivers great reliability for enterprise applications
Samsung Memory for Supercomputing 20nm class DDR4 SDRAM
Deep Channel Analysis for 28Gbps and Beyond And Lower Speeds Too
Alliance全新4Gb高速CMOS DDR4 SDRAMs、5V并行NOR闪存在“嵌入式世界2020”大会上展示
Alliance Memory在2月25日~27日于德国纽伦堡举行的“嵌入式世界2020”大会上展示用于传统和新设计的SRAMs、DRAMs和闪存芯片。此外Micron（镁光）MT41K512M16HA-125 IT：8G DDR3L SDRAM的用户（最近一次购买日期为2019年1月13日）现在可以从Alliance Memory购买相同的设备，零件编号为AS4C512M16D3L-12BIN
Keysight Technologies（是德科技） B4621B Bus Decoder for DDR2, DDR3, or DDR4 Debug and Validation
FUJITSU Component ConnectorFCN-074B / 078B series Card Edge Connector for DDR4 Memory Module 数据手册
4Gb D-die DDR4 SDRAM x16 only 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
4Gb E-die DDR4 SDRAM x16 only 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
8Gb B-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
4Gb E-die DDR4 SDRAM 78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
8Gb B-die DDR4 SDRAM 78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
260Pin DDR4 2133 SO-DIMM 4GB~8GB Based on 512Mx8 TS512MSH64V1H TS1GSH64V1H 数据手册
D9040DDRC DDR4 and LPDDR4 Compliance Test Software
DDR4 SDRAM SODIMM
【产品】ATP发布快速、低功耗DDR4-3200，为AMD EPYC™和第二代Intel®Xeon®Scal提供内存提升
2020年3月– 高性能，高性价比DRAM模块的领先制造商ATP公司，近日发布快速，低功耗DDR4-3200解决方案，充分发挥了最新的AMD EPYC ™系列和第二代Intel® Xeon® 扩展处理器（以前分别代号为Rome和Cascade Lake）的优势。该模块传输数据的速度比现有最快的DDR3-1866快70％。
PI2DDR3212 and PI3DDR4212 in DDR3/DDR4 applications
Keysight Technologies（是德科技） Physical Layer Validation and Functional Test of DDR4 and LPDDR4 Memory
Using an Infiniium V-Series Mixed-Signal Oscilloscope to Debug and Validate DDR4/LPDDR4 Signals
DesignCon 2015 Designing High Performance Interposers with 3-port and 6-port S-parameters
DDR4 Point-to-Point Design Guide
【选型】DDR4与DDR3模块相比的差异和优势
ATP ELECTRONICS第四代双倍数据速率（DDR4）是一种内存标准，旨在更好，更快，更可靠地替代DDR3。DDR4具有288个引脚，而DDR3具有240个引脚。DDR4 SO-DIMM具有260个引脚，而不是DDR3中的204个引脚。本文还介绍了其他DDR4与上一代模块相比的差异和优势。
【产品】采用高达2666MT/s的传输速度及1.2V低电压的第四代DRAM模块DDR4
ATP第四代DDR工业内存产品采用高达2666MT/s的传输速度及1.2V低电压，与以前时代的DDR技术相比实现了更高速的传输及更低的功耗，针对最新的英特尔Xeon处理器和第八代英特尔Core™i7/ i5 / i3处理器进行了优化。接口速度从2400 MT/s提高到2666 MT/s，理论峰值性能提高了15%。
【产品】 FCN-074B/078B系列 DDR4内存模块卡片端连接器，具有288引脚的DIMM插槽
富士通推出的产品FCN-074B / 078B系列是DDR4内存模块卡片端连接器，具有288引脚的DIMM插槽，符合JEDEC标准。该系列采用Fujitsu专有的双触点结构提高了与模块基板的接触可靠性，该结构具有防尘和防焊剂性能；该系列包括一种表面贴装型，一种压配型和三种具有不同端子长度的通孔型端子形状，与基板设计和安装形式相匹配。
Customer drawing For DDR4 Series,288 pos,0.85 pitch Vertical SMT Type
Custormer drawing For DDR4 Series,288 pos.,0.85 pitch Vertical Dip Type
【经验】汽车自动驾驶平台解决方案R-Car H3 在LPDDR4的初始化修改注意点
R-Car H3是Renesas第三代R-Car汽车自动驾驶平台解决方案，64位ARM架构体系，八核处理器，四个Cortex-A57，四个Cortex-A53，还有一个用于实时处理的双锁步Cortex-R7内核，以及 PowerVR Series6XT GX6650 3D图像加速引擎，频率600MHZ。 本文主要介绍R-Car H3 在LPDDR4的初始化修改注意点。
【经验】R-Car H3/M3 DDR4适配之代码修改
R-Car系列是Renesas（瑞萨）的一款多核处理器，R-Car H3/M3是R-Car系列性能最优，市场应用最多的两个型号。很多时候，客户会选择SIP封装的产品，已经集成了DDR，根据料号不同其配置也稍有差异，也有客户会选择SOC封装，然后自行搭配外围器件，这个时候就需要针对所选的DDR4进行代码适配了。本文将介绍在各个部分的源码中要如何对DDR4进行适配。
【技术】DDR4 LRDIMMS，由IDT的寄存器和数据缓冲器实现三星DDR4上前所未有的内存带宽
在过去几年中，三星，IDT（Renesas收购）和内存生态系统中的其他公司一直密切合作，继续推进企业应用的系统内存路线图。本文旨在突出业界利用最新内存技术DDR4取得的进步，DDR4 LRDIMM（load reduced memory module）技术使用分布式缓冲方法在即将到来的DDR4企业服务器系统上扩展到更高容量和更快速度时可以实现高效的内存带宽。
【产品】用于Infiniium 系列示波器的DDR4 一致性测试应用软件N6462B
Keysight推出了用于Infiniium 系列示波器的DDR4 一致性测试应用软件N6462B，DDR4 应用软件可以实现快速轻松的 DDR4 设计测试、调试和表征，它在进行每次测试时能够自动配置示波器，并在测试结束时生成一份内容详尽的 HTML 报告。
【产品】适用于DDR4 RDIMM和LRDIMM的完整芯片组，包含DDR4寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器
瑞萨旗下的IDT的DDR4 寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器组成了业界首款适用于 DDR4 寄存双列直插存储器模块 (RDIMM) 和低负载双列直插存储器模块 (LRDIMM) 的完整芯片组4RCD0124、4DB0226、TSE2004。随着DDR4的数据传输速率攀升至 3.2 Gb/s 乃至更高，RDIMM 和 LRDIMM 卓越的速度可扩展存储器技术具备毋庸置疑的优势。
LPDDR4 2GB CPU PWR NIT8M_MINI 电路原理图
使用 Infiniium V 系列混合信号示波器 调试并验证 DDR4/LPDDR4 信号
DDR4 LRDIMMs Unprecedented Memory Bandwidth on Samsung DDR4 LRDIMM Enabled byIDT's Register and Data Buffer
DDR4 LRDIMMs Unprecedented Memory Bandwidth on Samsung DDR4 LRDIMM Enabled by IDT’s Register and Data Buffer
Introducing Micron® DDR5 SDRAM: More Than a Generational Update WHITE PAPER
Client Product flyer
ATP DDR4 DRAM Solutions
【产品】用于内存模块的集成4kbit EEPROM的DDR4温度传感器TSE2004GB2B0
IDT（Renesas收购）推出的TSE2004GB2B0数字温度传感器的精度最高可达±0.5℃，它根据最高温度读取水平的应用而设计。该器件还包含512字节EEPROM，用于存储供应商信息和系统配置，如用于DIMM模块的SPD。
【产品】专为企业级DDR4 NVDIMM应用而开发的P8800电源管理集成电路
P8800可提供完全集成、可通过软件编程的解决方案，该方案能够管理所有DIMM上的电压保护、电源切换和过流过压保护，从而使各个NVDIMM解决方案能够高效率地调整至更大的密度、可靠度和性能。P8800装置的一体化减少了NVDIMM上电源部件的面积需求，同时也简化了电路板布线。
【经验】基于R-Car H3特殊的PCB叠层方案，车载域控制器中R-Car H3与LPDDR4之间的布线方法
瑞萨R-Car H3处理器（SOC）是汽车域控制器专用SOC，它拥有1384个PIN，功能多、系统复杂，PIN密度很大而PIN间距很小，这些特点要求以它为载体的车载域控制器的PCB叠构是很特别的，本文中，笔者将以其特殊的PCB叠层方案为基础，分享车载域控制器中R-Car H3与LPDDR4之间的布线应用方案。
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