EEPROM

EEPROM Endurance Tutorial

Serial EEPROM Endurance

【产品】32768位2线串行可编程只读存储器EEPROM A24C32

AiT推出的A24C32是32768位串行可编程只读存储器（EEPROM），内部组织结构为4096个字，每个字8位。该器件具有级联功能，最多允许8个设备共享一条公共的2线总线。该器件经过优化，可用于许多需要低功率和低压操作的工业和商业应用。此外，可通过1.7V至5.5V的2线串行接口访问A24C32，提供SOP8，TSSOP8，DFN8，DIP8，CSP4和TSOT-25封装。

Tiny EEPROM Packages: More choices than the SOIC

Selecting the Best Serial EEPROM Interface Protocol for your Application

在遥控器产品上使用Si4010无线发射器芯片，需要把数据自动加1之后保存到Si4010内部的EEPROM中，发现仿真的时候EEPROM读写成功，烧录代码之后读写EEPROM失败。怎样解决？

检查代码发现，在读取EEPRM的时候没有调用pbMtp_Read（）函数，添加上即可正常操作EEPROM。

Recommended Usage of Microchip Microwire Serial EEPROM Devices

Renesas（瑞萨电子）EEPROM、SRAP在电能表中的应用

【应用】如何使用ClockMatrix时钟芯片8A3xxxx系列对EEPROM进行编程？

IDT（Renesas收购）的8A3xxxx系列时钟芯片的设计目的是使用内部资源进行启动和操作。但是在某些情况下，有必要或更方便地使用外部I2C串行EEPROM使设备在复位时获得备用信息。本文提供有关EEPROM硬件连接的信息、如何使用ClockMatrix芯片对EEPROM进行编程以及其他各种信息。

Serial EEPROM Standard EEPROM WLCSP EEPROM BU9832GUL-W (8Kbit) 数据手册

【产品】128K双线串行接口EEPROM A24S128，1MHz@1.8V

AiT推出的A24S128提供131,072位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），由128K每个8位的16,384个字组成。该器件具有级联功能，最多允许4个设备共享一条公共的双线总线。此外，可通过1.7至3.6V的双线串行接口访问A24S128。采用CSP4封装。经过优化，可用于许多需要低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

【选型】ROHM（罗姆）标准/汽车级EEPROM & 晶圆级CSP EEPROM选型指南

罗姆的串行EEPROM代表了最高的可靠性。该系列可在三个标准接口中使用，以与几乎所有应用程序兼容。"品质第一"是罗姆的一贯方针。其产品涉及多个领域，其中包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块、半导体应用产品及医疗器具。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。

【应用】宽电压、低功耗EEPROM A24C02用于红外测温枪的数据存储

在红外测温枪中，通常需要一颗EEPROM进行温度数据的存储。本文推荐AiT的EEPROM A24C02用于红外测温枪的数据存储。A24C02采用I2C通讯，容量2kbits(256bytes)分为16个page，每个page为16 bytes。总线引脚具有施密特触发器和输入滤波电路，大大提高总线抗噪声能力；宽电压、低功耗，非常适合电池供电的测温枪设备。多种封装满足各种设计要求。

【经验】RL78/R7F0C004没接EEPROM也没有NACK，怎么回事？

EEPROM 是一种掉电后数据不丢失的存储器，可以保存几十年，支持擦写百万次，其最常用的通讯方式就是 I2C 协议。最近遇到一个问题，说是使用瑞萨电子MCU RL78/R7F0C004芯片的硬件I2C接口IIC10，但总线上未接EEPROM，当发送从低之后，确一直返回ACK，并未返回NACK，难道是硬件机制错了？

【产品】8k位（1024X8）两线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）A24C08

AiT公司推出的A24C08是提供8192位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），由1024个字节组成。该器件经过优化，可用于许多需要低功耗和低压运行的工业和商业应用。 A24C08提供SOP8，TSSOP8，DFN8，DIP8和TSOT-25封装。

【产品】2M bits（2097152位串行）电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）A24C2048

AiT的A24C2048提供2097152位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组成为262144字，每字8位。该器件可在必须是低功耗和低电压操作的许多工业和商业应用中优化使用。A24C2048提供了一个外加的页面，名为标识页（256字节）。 标识页面可用于存储敏感的应用程序参数，这些参数可以（之后）在只读模式下永久锁存。A24C2048采用SOP8，TSSOP8和DIP8封装。

【应用】Renesas为8T49N24x EEPROM编程提供应用指南

IDT（Renesas收购）提供了有关EEPROM编程的各种方法的信息，以便在启动时将所需的设置加载到8T49N24x（8T49N240i，8T49N241i或8T49N242i）器件寄存器中。8T49N24x设备可以选择从OTP、EEPROM或者两者皆有（EEPROM覆盖OTP）来加载设置。EEPROM可以很容易地更改设备电源之间的设置。

【产品】I2C总线接口串行EEPROMBR24T128-W，超过100万个写入周期

世强代理的ROHM的BR24T128-W系列是I2C总线接口方式的串行EEPROM，整个BR24T128-W系列串行EEPROM均是无铅产品，符合RoHS认证。

【经验】汽车显示处理器芯片TW8844外部EEPROM，SPI Flash连接参考设计

Intersil（Renesas收购）汽车显示处理器芯片TW88xx系列产品，其集成模拟视频解码器、高质量H/V定标器、2D去交错器和嵌入式定时控制器、符合AEC-Q100标准的，这些芯片是专为OEM汽车应用而设计。TW8844 / 5可以将数据直接从EEPROM，SPI Flash或Mem Buffer写入，而不是使用I2C接口与主机MCU。 特别是它可以在启动时通过EEPROM自动写入。 （上

【产品】支持Microwire总线的2K串行3线接口汽车级EEPROM，可在-40℃~+ 125℃内工作

BR93H56-2C系列是串行3线接口方式的串行EEPROM。存储容量为2K。ROHM是车用存储器生产商中的佼佼者，EEPROM的设计生产有着自己独特的优势。在数据存储方面，可以保存超过50年的数据保存时间，减小用户数据长久保存丢失的风险。具有竞争力的性能使得BR93H56-2C系列EEPROM在汽车领域、医疗领域以及通信领域中具有广阔的应用前景与价值。

【产品】兼具Microwire总线的串行EEPROM存储器，高速写入时间不超过5ms

BR93G46-3是ROHM（罗姆）最新研制的串行式带电可擦可编程只读存储器，存储容量为1K，具有高速读写、自定时编程周期和体积小巧等突出特点。该芯片采用单电源供电，使用Microwire总线结构，通过独立设置3条通信线路，实现芯片片选、串行时钟和串行数据输入/输出等功能。可用于个人电脑、单片机、电子设备等领域。

【产品】专为汽车应用的SPI总线EEPROM BR25H040-2C，超过100年的数据保留

ROHM的BR25H040-2C系列产品是SPI 总线接口的4Kbit串行EEPROM符合AEC-Q100标准。超过100万个写周期，工作温度范围-40℃至125℃，具有等待功能，高速度的产品，较好的写入周期和保存时间，自定时编程循环。

【产品】SPI总线接口方式的256Kbit串行EEPROM BR25H256-2AC，高达10MHz的时钟频率

ROHM的BR25H256-2AC是SPI总线接口方式的256Kbit串行EEPROM。本系列产品共有两种：BR25H256F-2AC和BR25H256FJ-2AC。其中BR25H256F-2AC采用的是SOP8封装，BR25H256FJ-2AC采用的是SOP-J8的封装。电压范围可在2.5V至5.5V之间，便于电池的使用。宽工作温度范围，最低-40°C，最高+ 125°C，有着很强的环境适应性。

【产品】1K的汽车级EEPROM存储器BR93H46-2C，支持Microwire总线

BR93H46-2C是ROHM推出的串行3线接口的串行EEPROM。本产品最主要的特点是支持3线制的Microwire总线形式，除此之外，还具有一些其他的特性。其可承受高达6kV的静电电压（HBM/典型值），有较好的静电抵抗能力，大大扩展了BR93H46-2C的应用场景。可用于汽车电子应用领域。

【产品】16位/8位 3线接口型串行EEPROM，超过100万个写周期，超过40年的数据保留

ROHM推出了一系列EEPROM产品，包括BR93G56-3、BR93G56F-3、BR93G56FJ-3、BR93G56FV-3、BR93G56FVT-3、BR93G56FVJ-3、BR93G56FVM-3以及BR93G56NUX-3。提供串行3线通信，并且具备16位和8位两种基本存储单元，提供超过40年的数据保留、100万个写周期。

Melexis (迈来芯) MLX90621红外传感器的EEPROM可执行文件

Melexis (迈来芯) MLX90621红外传感器的EEPROM可执行文件

【产品】8K容量EEPROM存储器BR24G08-3系列，具有100万个写入周期

罗姆推出了BR24G08-3系列高性能EEPROM存储器产品，具有1.6V~5.5V的宽操作电压范围，在写操作时，其工作电流典型值为2mA；在读操作时，其工作电流典型值为0.5mA。具有多样化的设计选择，能够满足不同设计需求，体积小，重量轻，组装密度高，易于实现自动化生产，提高产能，产品适用于工业产品，医疗产品，通信产品等应用领域。

【产品】128K/256K/1M串行EEPROM存储器BR24Gxxx-3A，支持I2C通信、功耗低至300mW

罗姆推出的BR24Gxxx-3A系列为高性能EEPROM存储器产品，包括128K，256K，1M共三种存储空间，BR24Gxxx-3A系列EEPROM存储器所有控制均由2个串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）端口提供，并且除EEPROM之外的其他设备可以连接到同一个端口，从而节省了微控制器端口，该产品还具有写保护功能，可有效避免低电压造成的写入错误。可应用于工业、医疗和通信领域。

【产品】工业型SPI总线串行EEPROM BR25HxxxF-2LB（H2），数据可保存100年以上

BR25HxxxF-2LB（H2）系列是ROHM集团推出的工业型串行EEPROM，其主要面向工业设备市场，可保证长期稳定供货。该系列工业型串行EEPROM存储容量范围为1K~128K，采用SPI总线接口方式，工作温度最高可支持125℃，数据保存时间大于100年，写周期大于100万次，具有很高的可靠性，非常适合用于工业设备领域。

【应用】重写次数100万次！ROHM的I²C总线EEPROM BR24AxxF-WLB助力条码扫描器设计

对于条码扫描器中EEPROM的选取，本文推荐采用ROHM提供的BR24AxxF-WLB系列EEPROM，与同类竞争产品相比，具备更高的可靠性，支持I2C串行通信，数据重写次数高达1000000次，数据可保存40年以上（Ta≤25℃）。

【PCN】Melexis MLX90632: EEPROM update for wide temperature range option Product Change Notification(MCM-8189)

【产品】支持I2C通信协议且内存大小均为1K的串行EEPROM存储器BR24G01-3A，具有多种封装形式

罗姆其针对串行存储器领域，推出了BR24G01-3A系列，其对应型号分别为BR24G01-3A，BR24G01F-3A，BR24G01FJ-3A，BR24G01FVJ-3A，BR24G01FVM-3A，BR24G01FVT-3A，BR24G01NUX-3A，分别采用DIP-T8 ，SOP8 ，SOP-J8，TSSOP-B8，TSSOP-B8J，MSOP8，VSON008X2030等封装形式。

【产品】1Kbit内存串行EEPROM，2.5V~5.5V宽操作电压范围、损耗电流仅为1.5mA

ROHM公司推出了串行存储器BR24C21,BR24C21FJ,BR24C21F,BR24C21FV，该产品内存大小为1Kbit，兼容DDC1TM/DDC2TM，采用四种封装类型，DIP-T8，SOP8，SOP-J8，SSOP-B8，支持即插即用操作，符合RoHS无铅标准。具有2.5V~5.5V的操作电压范围，对电压波动具有很强的适应性，避免由于电网传输不稳定带来的影响。

【产品】内存容量为512K的串行EEPROM BR24G512-3A，1.7V到5.5V宽操作电压

罗姆(ROHM)推出BR24G512-3A系列串行存储器产品，分别采用DIP-T8，SOP8， SOP-J8， TSSOP-B8的封装形式，体积小，重量轻，组装密度高，易于实现自动化生产，提高产能。BR24G512-3A系列EEPROM存储器具有1.7V~5.5V的宽操作电压范围，对电压波动具有很强的适应性，避免的由于电网传输不稳定带来的影响。在写操作时，其工作电流典型值为4.5mA。

ROHM（罗姆）EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）产品介绍

本资料主要讲述的是EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）产品介绍及应用领域。

瑞萨长寿命存储器：MNOS存储技术和CMOS工艺EEPROM、低功耗SRAM、四倍数据速率QDR™SRAM

瑞萨的产品以生命周期长而闻名，储存器产品也不例外。其低功耗SRAM可提供高可靠性，稳定电源和长寿命支持，其他厂家通常无法提供，这使瑞萨的SRAM成为工业设计的理想选择；瑞萨的超快QDR™（四倍数据速率）SRAM是下一代高带宽通信系统的理想选择，这些存储器具有极高的工作频率，低延迟和完整的周期利用率；瑞萨的EEPROM采用先进的MNOS存储技术，CMOS工艺实现了高速，低功耗和高可靠性。

【应用】基于40mA的EEPROM雷达/声纳系统方案，数据写入非常简便

Renesas的X28HC64和X28HC256带电可擦可编程只读存储器采用Intersil专有的高性能浮栅CMOS技术制造，具备超低的功耗，待机电流500μA/200μA，提供简单的字节和页面写入操作，单5V电源供电，没有外部高电压或VPP控制电路，具备自定时功能，写之前不擦除，没有复杂的编程算法，满足雷达/声呐系统的相对简单的数据写入功能要求。

【产品】可提供32μs/字节的写周期的8k x 8位的EEPROM

Renesas的子公司Intersil推出一款8k x 8 EEPROM——X28HC64，采用Intersil专有的高性能浮栅CMOS技术制造。该存储器支持64字节页面写入操作，并使整个存储器通常在0.25秒内写入。

【产品】用于TFT-LCD的可编程超低功耗参考电压发生器，内部集成EEPROM

Renesas公司最近推出的ISL24858，其典型的静态功耗在8V AVDD情况下为12mW，是平板电脑、监控器和移动TFT-LCD应用的理想选择。

【产品】这款实时时钟模块自备“记事本”，轻松记录系统工作日志

RTC-9701是EPSON推出的一款集成4Kbit EEPROM存储器的实时时钟芯片，其内置频率为32.768kHz的晶振，可提供秒、分钟、小时、日、日期、月和年份信息。