GaN FET

【产品】100V/6mΩ增强型氮化镓场效应管INN100W12，WLCSP 3×5封装

英诺赛科（Innoscience）推出的INN100W12是一款100V增强型氮化镓场效应管，采用WLCSP 3×5封装，尺寸为2.5mm×1.5mm。漏极-源极导通电阻典型值仅6mΩ，具有超高的开关频率和零反向恢复损耗。

【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D01实现95.4%效率的小型化100W单C快充设计

INN650D01是英诺赛科650V/130mΩ/16.5A的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。采用该氮化镓场效应晶体管搭配电源IC，相对于普通的电源IC搭配Si MOSFET技术，当频率翻倍至120Khz的情况下可实现高效95.4%的体积减小一半以上的100W单C快充设计。

氮化镓快充完整解决方案：原理图、BOM、设计参考、免费样品

本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。所有推荐产品均可以提供免费样品，100%保证原厂正品，同时保证提供最具竞争力的代理商价格。

【应用】基于氮化镓功率管（GaN FET）INN650D02的60W PD快充方案

随着电子市场对电源效率、功率密度和模块化的要求日益增长，硅基功率晶体管作为PD快充方案已经不能满足市场需求。本文介绍一款基于英诺赛科（Innoscience）氮化镓功率管（GaN FET）INN650D02的60W PD (Type-C) 快充方案，可使PD快充产品更高频、高效。

分享氮化镓（eGaN）场效应晶体管产品的选型、使用经验，稿费高达600-800元/篇

EPC推出的替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管，在速度，损耗，效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。若您使用过EPC硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管，基于您的真实项目撰写稿费600-800元/篇。

【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案

基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，其开关频率一般低于100kHz，相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。针对以上问题，本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。

【技术】相对于传统硅晶体管和硅芯片有更快开关速度、更小尺寸和更高效率的增强型氮化镓（GaN）技术

GaN的场效应管及IC在电源设计中相对于传统的硅晶体管和硅芯片有非常大的优势：1.有更快的开关速度；2.尺寸可以更小；3.有更高的效率；4.成本较低。EPC作为增强型氮化镓功率管理器件的领先供应商，提供从15V-350V的eGaN FET产品和eGaN IC产品。

【产品】英诺赛科新推出超高开关频率、超低导通电阻的增强型氮化镓功率管INN100W03

英诺赛科2019年新推出的100V增强型氮化镓场效应管——INN100W03， 具有零反向恢复损耗、超高开关频率等特点。其相关性能指标非常优越。

【技术】相较于Si MOSFET，GaN FET可实现更高的频率开关特性以及更高效率特性

氮化镓主要是氮和镓的化合物。目前英诺赛科的氮化镓主要是采用si做衬底，氮化镓主要是通过GaN和AlGaN之间以及它们之间的二维电子气形成DGS三极之间的开关特性。当Si MOSFET器件被开发到极致时，GaN技术相对于Si MOSFET，能实现更高的功率密度和更高效率特性的场效应晶体管技术。

【产品】漏极-源极电压最小值为650V的增强型氮化镓场效应管INN650D01，具有零反向恢复损耗

英诺赛科（Innoscience）推出650V增强型氮化镓场效应管——INN650D01，具有超高的开关频率、超低的导通电阻、快速且可控的下降和上升时间、零反向恢复损耗。可用于AC-DC转换器、图腾柱PFC、快速充电器、高密度功率转换和高效率功率转换。

低成本，高可靠性的硅基氮化镓晶体管（GaN FET），最高频率可达GHz等级

英诺赛科（Innoscience）已发布30V-650V的硅基氮化镓晶体管（GaN FET），包括单管GaN FET，半桥GaN FET，GaN IC，具有WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装可选，可做到脉宽＜2ns的开关速度，最高频率可达GHz等级，效率高，可实现低杂散电感、低损耗，易于PCB布板，且具有每月8万片wafer的高产能等诸多优势。

【产品】车规级80V eGaN®FET氮化镓场效应晶体管EPC2214，帮助激光雷达系统看得更清晰

宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 全新成员是面向具有高分辨率的激光雷达系统、80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管，该元件成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101应力测试认证。

业界最小尺寸的GaN FET将亮相2019慕尼黑上海电子展

在3月20日-3月22日的慕尼黑上海电子展上，将展示在性价比上大幅超越硅器件的全新氮化镓功率晶体管。其中最引人注意的，无疑当属来自于宜普电源转换公司（EPC）的0.9x0.9mm业界最小尺寸GaN FET。

【产品】用于评估EPC203x增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的开发板

宜普电源转换公司（EPC）推出EPC9060、EPC9061、EPC9062三款开发板，通过把所有关键元件集结在一块，可以轻松连接到任何现有转换器的电路板上，这些开发板最大输出电压分别为40V、60V、100V，最大输出电流分别为25A、24A、20A。从而简化对单片集成的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）EPC2030、EPC2031、EPC2032的评估过程。

【经验】EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的安全工作区域

宜普公司的氮化镓场效应晶体管在整个工作范围内具正温度系数，因此器件在工作时只受电压、电流及温度限制。本文描述与功率氮化镓场效应晶体管的热阻有直接关系的安全工作区域，并展示晶体管具备良好SOA特性之同时可以维持低电阻，以及对从热效应推算得出与测量所得的结果进行比较。

【应用】Renesas推出ISL7002XSEH、ISL70040SEH GaN FET，提供GaN FET驱动解决方案

卫星工业对下一代氮化镓(GaN)技术非常感兴趣，并且已经部署用于射频和开关应用。由于GaN FET具有一流的门控性能、更小的尺寸、更轻的重量和更高的开关频率能力，这些产品现在可以大幅度提高板空间节约和功率效率。本文将详细讨论GaN FET性能和GaN FET驱动解决方案及其在卫星应用中的优势。

【经验】可替代硅基功率MOSFET器件在交流-直流及直流-直流功率转换应用的增强型氮化镓场效应晶体

氮化镓技术最大的机遇是它的固有特性可集成多个器件于相同的衬底上，从而对功率转换市场的影响深远。与常用的硅集成电路技术相反，氮化镓技术将来可让设计师更直接地及以低成本在单一晶片上实现单片式功率系统。本文以氮化镓场效应晶体管EPC2100为例展开了详细的探讨。

【产品】两款用于评估氮化镓场效应晶体管的小尺寸半桥式开发板，输入脉冲宽度最小值分别为50/25ns

EPC推出的采用栅极驱动的半桥式配置开发板EPC9085和EPC9087，两块开发板的器件电压最大值分别为40/100V。EPC9085包含两个EPC2049增强型（eGaN®）场效应晶体管，EPC9087包含两个EPC2037增强型（eGaN®）场效应晶体管。两个开发板各自的目的是简化EPC2049 eGaN FET和EPC2037 eGaN FET的评估过程，使得产品可以快速量产。

EPC氮化镓场效应晶体管GaN FET现货供应，适用于激光雷达、DC/DC领域

世强/世强元件电商作为EPC的官方授权分销商，可现货供应EPC 氮化镓FET（氮化镓场效应晶体管），产品型号齐全，保障正品。

【产品】小尺寸氮化镓GaN FET驱动器评估板ISL70040SEHEV2Z,ISL70040SEHEV3Z

Renesas提供各种易于使用的板用于评估；Renesas Starter Kits，包括具有Renesas MCU需要的板和启动软件，CPU板，用于尝试Renesas MCU的操作，以及评估板，它们特定于特定领域。ISL7000 40SEHEV2Z和ISL7000 40SEHEV3Z是小尺寸氮化镓GaN FET驱动器ISL70040SEH/ISL70024SEH的评估板，其被设计成在隔离拓扑。

【选型】无锡紫光微（UNIGROUP）半导体功率器件（半导体场效应管/MOSFET/晶体管/IGBT/IGTO）选型指南

无锡紫光微(UNIGROUP)是紫光集团旗下紫光国芯微电子股份有限公司（简称“紫光国微”，股票代码：002049）半导体产业链中的核心企业之一。专注于先进半导体功率器件的设计研发、芯片加工和封装测试，是业界领先的半导体功率器件及电源管理方案供应商。

全球首款替代功率MOSFET器件的EPC硅基增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）,效率高达98%

EPC eGaN FET产品具有小尺寸、高开关速度、高频率、高功率密度以及低损耗等突出优势，在性能上比硅材料的功率器件优越很多。世强是EPC的官方授权代理商，可供应EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），价格优惠，库存丰富。可提供EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）选型， EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）数据手册， EPC氮化镓场效应晶体管技术支持等服务资源。

【产品】具亚纳秒开关速度氮化镓晶体管并适用于10 MHz频率以上硬开关应用的开发板

EPC公司推出采用半桥式拓扑并配备一个板载栅极驱动器的开发板(型号由EPC9022 至 EPC9030)，可简化对超高频、高性能的EPC8000氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）系列进行评估。 EPC公司推出全新开发板系列(型号由EPC9022 至 EPC9030)，可简化对超高频氮化镓（eGaN）功率晶体管EPC8000产品系列进行评估。

【产品】专为电信、工业及医疗应用而设基于氮化镓晶体管的降压转换器演示板

EPC9118演示板展示采用具高频开关优势、电源电压在48 V或以上的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）可易于实现更小型及具更高效率的电源转换解决方案。

【产品】三款大电流氮化镓场效应晶体管，具有1mm宽间距

宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。这些产品采用具有1 mm间距的焊球，进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔，使得器件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）实现大电流承载能力。

【产品】EPC推出具有1mm宽间距的氮化镓场效应晶体管，尺寸仅2.6 mm x 4.6 mm

EPC推出EPC2029氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），80 V、31 A并具有1mm间距的焊球的EPC2029晶体管是这种全新产品系列的首个晶体管。是高频DC/DC转换器、DC/DC及AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器及D类音频放大器等应用的理想元件。

【产品】EPC推出两款全新汽车用氮化镓场效应晶体管，采用小至0.9x0.9mm芯片级封装

2018年5月1日，宜普电源转换公司宣布其两个汽车用氮化镓场效应晶体管EPC2202及EPC2203是第一批通过AEC Q101测试认证的产品。与等效MOSFET相比，这些氮化镓场效应晶体管的尺寸小很多，而且可实现的开关速度快10至100倍。广泛应用在全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、48 V–12 V DC/DC转换器及高强度的货车头灯等应用。

「EPC」业界最小最快氮化镓GaN FET，8/3周五中奖VIP名单公布！—有奖下载活动

「EPC」业界最小最快氮化镓GaN FET，8/3周五中奖VIP名单公布！—有奖下载活动

氮化镓场效应晶体管如何更好的实现散热？

氮化镓场效应管一般采用单面冷却和双面冷却两种方式：单面冷却是直接安装在印刷电路板上，没有配置任何的背面冷却器件，其散热表现与贴片封装的硅器件的散热表现是一样的；双面冷却是在单面冷却的基础上进一步的优化散热效果的冷却方式，氮化镓常用的双面冷却方式是在氮化镓器件的背面增加冷却器件，详细介绍请参考技术文章https://www.sekorm.com/news/10737.html。

EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的安全工作区域应用笔记（中文版）

【产品】0.9mm超小封装，高速氮化镓FET助力提升电源效率

宜普电源转换公司（EPC）的EPC2203为全球首批通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应管之一，采用芯片级封装技术，拥有超低封装尺寸，具备卓越性能且坚固耐用和可靠。可应用在激光雷达/脉冲功率应用，高功率密度的DC-DC转换器，无线电源，D类音频等领域。

【产品】导通电阻17mΩ，恢复电荷为零的增强型eGaN场效应管

EPC推出的EPC2202氮化镓场效应管在近日通过了AEC-Q101产品可靠性测试认证，采用了芯片级封装技术，具备卓越性能，属于增强型氮化镓场效应管。此器件可用于激光雷达/脉冲功率应用，高功率密度的DC-DC转换器，D类音频，高强度头灯等领域。

尺寸减半、高效率替代功率MOSFET的EPC氮化镓场效应晶体管，市场占有率世界第一

EPC推出的GaN FET产品具有小尺寸、高开关速度等突出优势，在性能上比硅材料的功率器件优越很多。其目标应用包括DC/DC转换器、无线电源传送、包络跟踪、激光雷达（LiDAR）及D类音频放大器等

【产品】EPC 200V氮化镓场效应晶体管助力效率高达30 MHz的功率系统开发板

EPC全新开发板帮助功率系统设计师容易并且快速地对应用于E类放大器拓扑、电流模式D类放大器拓扑及push-pull 转换器的200 V氮化镓晶体管进行评估，其工作效率可以高达30 MHz。

【产品】EPC氮化镓场效应晶体管，助力自动驾驶汽车激光雷达系统超快速评估板

EPC推出的EPC9126开发板旨在驱动激光二极管，采用氮化镓场效应晶体管（EPC2016C）。最高电压为100 V，脉冲电流可高达75 A，总脉宽可以低至5 ns。适用于自动驾驶汽车激光雷达系统。

【应用】基于氮化镓场效应晶体管大面积无线充电解决方案

桌面无线充电系统包含多个EPC推出的eGaN产品–桌面发射端的放大器使用EPC9512演示板的功率放大器。放大器发挥EPC8010的优势而用为主要功率级FET、使用EPC2038为同步自举电路FET，以及在SEPIC前置稳压器中采用EPC2019晶体管。

高速、高准确性激光雷达的秘密——EPC氮化镓场效应晶体管

EPC旗下的EPC2001C、EPC2007C氮化镓场效应晶体管，搭配使用EPC9126开发板，可以使得LiDAR系统具备优越的解像度及更快速反应时间等优势，由于可实现优越的开关转换，因此可推动更高准确性。

【选型】全新抗辐射氮化镓产品系列，卫星和高可靠性行业的最佳解决方案

Renesas的子公司Intersil推出了业界首款GaN FET栅极驱动器—ISL70040SEH，具有稳定的4.5V栅极驱动电压；以及两款GaN FET，分别是ISL70023SEH和ISL70024SEH。

装配氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET)

【产品】小尺寸氮化镓GaN FET驱动器ISL70040SEH/ISL70024SEH

RENESAS的GaN FET采用了全新的氮化镓技术，其非常适合卫星应用，并且RENESAS的ISL70040SEH和ISL70024SEH是小尺寸、轻量以及高效率设计的最佳解决方案。

【产品】抗辐射加固型100/200V氮化镓场效应管（GaN FET）驱动器解决方案

Intersil最新推出的抗辐射加固型100V和200V氮化镓场效应管低侧驱动器ISL70040SEH和ISL70040SEH。非常适合用作运载火箭和卫星的初级和次级DC/DC转换器的电源，以及井下钻井和高可靠性的工业应用。

【白皮书】EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管FET电气特性（WP007）

本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性，并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同，是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。

【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式，你知道么？

EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W，而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。

【应用】纳秒级开关速度氮化镓场效应晶体管，适合开关频率10MHz以上的应用

EPC8000系列具备了氮化镓晶体管的超高速切换能力，将EPC第三代eGaN FET技术引入了新的水平，这些器件的开关转换速度在纳秒级，能够应用于10 MHz以上的硬开关拓扑中。

面向基于LiDAR 技术的应用的氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET)

英诺赛科（Innoscience）INN650D01—650V 增强型氮化镓场效应晶体管 数据手册

INN650D01—650V E-Mode GaN FET Development Datasheet

【产品】 GaN高频增强型大功率场效应管,栅极输入电容仅210pF

EPC2031氮化镓增强型功率晶体管有极低的栅极输入电容，实现了低开关延迟。

面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及 集 成 电 路 技 术

【应用】eGaN场效应管用于高频谐振总线转换器和48V降压转换器

EPC的eGaN场效应管可以应用于电信系统的中级总线架构和48V降压转换器中，产生更高的功率密度并降低系统成本。

EPC（宜普）采用氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)的无线电源传送解决方案

【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET

相比先进的硅基器件，当今商用化的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路的性能高出5至50倍。

EPC（宜普）增强型氮化镓(GaN) FET/IC 快速参考指南

【产品】有望取代MOSFET整体市场的氮化镓场效应晶体管

EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）以更高的开关速度工作，所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作，消耗更少的能源。

【技术】为什么选择氮化镓替代硅基MOSFET？

EPC公司的氮化镓晶体管及集成电路的制造工艺跟硅基功率MOSFET的工艺相似，制造氮化镓器件的工艺步骤更少，以及在每次制造工艺中产出更多器件。与最优的硅基MOSFET相比，氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。氮化镓晶体管（特别是eGaN FET）跟日益老化的功率MOSFET器件的行为非常相似，功率系统工程师可利用他们拥有的设计经验便可以发挥氮化镓器件的优势。

【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数，助力并联器件设计

EPC的氮化镓RDS（ON）的温度特性均是正温度系数， RDS（ON）随着器件温度的增加而增加，这样并联使用时，管子的RDS（ON）自行调控，从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度，提高并联系统的稳定性。

【产品】导通电阻增幅约40%的氮化镓场效应晶体管EPC2010，25℃~100℃

温度25℃~100℃时,EPC氮化镓场效应晶体管EPC2010 Rds(on)的增幅只有约40%。在25℃时，与硅技术相比，芯片晶圆在100℃结温时，氮化镓晶片的Rds(on)将会带来20%的优势。

【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D02实现高效率小型化的65W A+C快充设计

65W的A+C快充设计中快充主要用于反激拓扑电路，控制主回路的开关实现变压器的能量转换。INN650D02是英诺赛科的650V/200mΩ/11A的氮化镓场效应晶体管，采用该氮化镓场效应晶体管在频率120Khz的情况下可实现高效92.3%的小型化65W A+C快充设计。

【经验】第三代碳化硅场效应管（SiC FET）在高温条件下的开关特性详解

UnitedSiC公司推出的第三代碳化硅场效应管（SiC FET）有一个比较独特的特性，该产品在高温条件下的开关损耗以及反向恢复电荷Qrr会减少。这一特性能够在设备工作温度上升时获得更高的效率。本文将会详细地阐述该特性背后的原因。

【产品】650V增强型氮化镓场效应晶体管INN650D01和INN650D02，助力快充高效高功率密度设计

目前英诺赛科（Innoscience）的650V GaN产品包括增强型氮化镓场效应晶体管INN650D01和INN650D02，主要是应用于快充等市场，实现高效高功率密度设计。【世强硬创沙龙2019】

【产品】采用高频氮化镓场效应晶体管的放大器演示板，无线电源传送系统的理想选择

宜普电源转换公司宣布推出采用创新、高性能零电压开关（ ZVS） D类放大器拓扑、支持无线电源转换应用的演示板：EPC9506 及EPC9507 演示板。该板为放大器（发射）演示板，使用宜普公司具高频开关性能的氮化镓晶体管，使得无线电源系统可实现超过75%效率。

【产品】100V E型GaN场效应管 INN100W14，具有超高开关频率

英诺赛科新推出的E型GaN场效应管 INN100W14，具有超高开关频率，零反向恢复损耗，双通道，共源等特点，漏源电压（连续）为100 V，连续电流为7A，工作温度和储存温度为-40 至 150 ˚C，可应用于转换器，激光雷达应用，D类音频，脉冲电源应用等领域。

【产品】100V E型GaN场效应管 INN100W08，具有超高开关频率，超低RDS（ON）

英诺赛科新推出的 E型GaN场效应管INN100W08，具有超高开关频率，超低RDS（ON），快速可控的下降和上升时间，零反向恢复损耗等特点，漏源电压（连续）为100 V，工作温度为-40 to 150 ˚C，可应用于高效电源转换，高密度功率转换，电机驱动，工业自动化，DC-DC转换器等领域。

EPC车规级氮化镓场效应晶体管超越AEC-Q101应力测试认证标准，超1,800万小时零故障

EPC发布第十阶段可靠性测试报告，此报告对超过30,000个功率场效应晶体管元件进行了超过1,800万小时的应力测试后，没有器件发生故障。在过去的两年间，我们所付运的数百万个元件没有发生现场失效的情况。

EPC 场效应管 EPC2107 5折现货优惠！

EPC “Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge With Integrated Synchronous Bootstrap，Dual with Sync Boot‘“ 场效应管 EPC2107 5折现货优惠！数据手册、供应信息、采购，请查看以下“相关推荐”

【产品】采用TO-252封装的N沟道增强型场效应管AM0460AH漏源极电压600V，栅源极电压±30V

AiT公司的场N沟道增强型场效应管AM0460AH，提供TO-252封装，漏源极电压600V，栅源极电压±30V，通过100%单脉冲雪崩能量测试AM0460AH是N沟道增强型硅管VDMOSFETs，采用自对准平面技术，降低传导损耗，改善开关性能并增强雪崩能量，该晶体管可用于各种功率开关电路，使系统小型化并提高效率。

【产品】车规级氮化镓场效应晶体管15V EPC2216，专为需要高准确性的激光雷达应用而设计

2019年10月15日，宜普公司(EPC)宣布15 V的EPC2216成功通过AEC Q101认证，专为需要高准确性的激光雷达应用而设计，例如全自动驾驶汽车，以及其它的飞行时间（ToF）应用，包括人面识别、自动化仓库、无人机及地图制作。

【经验】在高速开关碳化硅场效应管（SiC FET）中接入RC缓冲电路，能有效解决高速开关损耗以及振铃效应

基于半桥结构这一典型应用，本文介绍了在开关速度快的SiC器件的漏极和源极之间接入RC缓冲吸收电路的优势，解决了如何抑制过多的电压冲击和振铃噪声的问题。此外本文还介绍了一种将RC缓冲吸收电路使用在高速碳化硅开关器件的实用方案——UnitedSiC推出的UF3C系列SiC FET，该方案通过了双脉冲测试的结果验证。

【产品】P沟道场效应管和低压肖特基二极管CMLM0584，适用于便携式设备电池供电

Central推出的CMLM0584系列P沟道场效应管和低压肖特基二极管，是一个多分立模块、由单个低rDS(on)的P沟道增强型场效应晶体管和一个低VF的肖特基二极管组成，采用SOT-563表面封装，具有节省空间的优点。

【产品】40V/50mA的硅N沟道结型场效应管CP216-2N4391，可用于模拟开关和斩波应用

Central Semiconductor公司推出了一款用于模拟开关和斩波应用的硅N沟道结型场效应管CP216-2N4391，以裸片形式提供。其栅极-漏极电压为40V，栅源电压为40V，栅电流为50mA，其具有低阻抗、低功耗的优点，适用于小信号场合。可用于模拟开关和斩波应用等场合。

【产品】大电流MOSFET推荐，N沟道增强型硅场效应管CXDM3069N

CXDM3069N是专为高速脉冲放大器和驱动器应用设计的低损耗N沟道场效应管

【产品】单片式半桥氮化镓功率晶体管，可使晶体管占板面积减少50%

EPC EPC2103为单片式半桥氮化镓功率晶体管，它通过集成两个eGaN功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙，使晶体管的占板面积减少50%。此产品是面向高频直流/直流转换应用的理想器件，可应用在高频DC-DC转换，电机驱动等领域。符合RoHS，无铅，无卤素，使用芯片规模封装，封装尺寸为6.05mm×2.3mm，功率密度很高。

【产品】尺寸减小达15倍！小型氮化镓晶体管实现更低的栅极驱动损耗

EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管，对比前一代的产品，这些晶体管的尺寸减半，而且性能显著提升。

【产品】130W功率封装氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管CHKA011aSXA

UMS推出的CHKA011aSXA是一款130W功率封装氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，它为各种射频功率应用提供通用的和宽频带解决方案，非常适合雷达和通信等多用途应用。采用了陶瓷-金属法兰封装，符合RoHS N°2011/65和REACH N°1907/2006指令。

【产品】25V/10mA硅N沟道结型场效应管CMPFJ310，专为超高频/甚高频放大器

CMPFJ310是一款由Central公司推出的N沟道结型场效应晶体管（JFET），该产品是专门为了针对甚高频（VHF）和超高频（UHF）放大器应用而设计生产。该器件选用SOT-23紧凑型贴片封装结构，使用环氧树脂封装，其优点有体积小，重量轻，绝缘性好，热阻低等。

【产品】小信号超小封装场效应管，漏极电流ID覆盖范围从0.1A~11A

Central Semiconductor小信号超小封装场效应管：CEDM8001 CEDM7001 CMLDM7002A，最小体积只有1.05*0.65*0.32mm

【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管，射频功率应用首选

UMS的CHKA011-SXA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管，具有所有GaN关键优势，高功率、高效率以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力，兼容脉冲和CW操作模式，为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案，非常适用于雷达和通信等领域中。

【经验】以EPC2001C为例阐述氮化镓晶体管在激光雷达上相对于硅器件的开关性能优势

EPC2001C是EPC的增强型氮化镓场效应晶体管，EPC2001C的RDS（on）常规是7mΩ，最低5.6mΩ，LGA封装，体积为4.1mm*1.6mm*0.8mm。本文以EPC2001C为例，阐述氮化镓晶体管在激光雷达上相对于硅器件的开关性能优势。

【技术】小米10捧红氮化镓！十分钟带你了解GaN建模，Keysight团队提供Si/GaAs/GaN器件建模服务

2月13日小米发布会召开，除了发布最新款旗舰手机，还带来了旗下第一款GaN氮化镓充电器。一时间，氮化镓这个新名词迅速占据了公众视野，成为投资界的新宠儿。Keysight团队提供Si/GaAs/GaN器件建模套件服务。

【产品】15W功率封装氮化镓晶体管CHK015A-QIA，增益可达14dB

全球领先的微波元件供应商UMS（United Monolithic Semiconductors）推出CHK015A-QIA型号氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，支持脉冲和连续波工作模式，带宽达6GHz。输出功率达15W，增益可达14dB。该产品可以为各种射频功率应用提供较为通用的解决方案。该系列晶体管采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT工艺，采用低成本塑料封装。

【产品】氮化镓射频晶体管最全选型，带宽可达6GHz

UMS推出了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，支持脉冲和连续波工作模式，带宽达6GHz，覆盖L至C波段。

【产品】EPC推出面向高频应用的300V氮化镓功率晶体管

宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。

面向48V DC/DC电源转换、马达控制及激光雷达的100 V氮化镓（eGaN®）功率晶体管

EPC在2019年3月15推出专为功率系统设计师而设的EPC2052功率晶体管是一种100 V、13.5 mΩ并采用超小型芯片级封装的晶体管，可实现74 A脉冲输出电流。面向48V-12V DC/DC功率转换器，这些新一代氮化镓场效应晶体管工作在500 kHz频率下，可实现超过97%的效率。如果工作在1 MHz时，则实现超过96%的效率。

【经验】直流电机中场效应管损坏原因分析与TVS SMF15CA的驱动防护方案

在笔者设计的一款按摩仪中，采用大扭矩直流电机来提供动力。实际使用中发现有振动头不停转的现象，对故障产品进行分析后发现是场效应管击穿损坏。出于成本和有效性的考虑，笔者选择对场效应管增加TVS保护器件。最后选择硕凯电子的SMF15CA，通过在场效应管DS两侧并联SMF15CA，使场效应管DS两侧电压钳位在15V，从而起到保护作用。

【产品】150Ω导通电阻P沟道结型场效应管，可保持小信号的完整性

Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，主要产品包括二极管、整流器、晶闸管、保护器件、晶体管、场效应管、多分立器件模块（MDM）。CENTRAL公司推出的CP548-2N5116系列场效应管是一款专为模拟开关和斩波应用而设计的硅P沟道小信号结型场效应管。适用于高可靠性系统的设计。主要应用于高电压、快速开关、马达驱动器、新能源逆变器、半导体照明等领域。

【产品】军品级N沟道结型场效应管，耐温高达175℃

Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，推出的CP206-2N4392系列场效应管是一款专为模拟开关和斩波应用设计的硅N沟道小信号结型场效应管，适用于高可靠性系统的设计。主要应用于模拟开关、斩波、马达驱动器、新能源逆变器、半导体照明等领域。

【产品】25ΩN沟道小信号结型场效应管，可耐175℃高温

Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，推出的CP206-2N4856系列场效应管是一款专为模拟开关和斩波器应用而设计的硅N沟道小信号结型场效应管，适用于高可靠性系统的设计。主要应用于模拟开关、斩波器、马达驱动器、新能源逆变器、半导体照明等领域。

【产品】40V/10mAP沟道结型场效应管助力低电平放大器

Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，推出的CP654-2N5460系列场效应管是专为低电平放大器应用而设计的硅P沟道结型场效应管，适用于高可靠性系统的设计。主要应用于低电平放大器、马达驱动器、新能源逆变器、半导体照明等领域。

【产品】低损耗的N沟道双通道场效应管，能达到2KV的静电保护

Central公司推出了一款专为高速脉冲放大器和驱动器应用而生的半导体场效应管--CMLDM3737。CMLDM3737是N沟道增强型硅场效应管，导通阻抗很低，它有能达到2KV的静电保护

【产品】导通电阻60Ω的N沟道小信号结型场效应管，专为模拟开关和斩波应用而设计

CENTRAL公司推出的CP216-2N4392系列场效应管是一款专为模拟开关和斩波应用而设计的硅N沟道小信号结型场效应管。适用于高可靠性系统的设计。主要应用于高电压、快速开关应用等领域。

【产品】300mA/60V N沟道增强型场效应管MMBT7002K

Diotec（德欧泰克） N沟道增强型场效应管MMBT7002K，漏极-源极电压为60V,栅极-源极电压为±20V，ESD静电等级为±2kV，功率耗散为350mW，漏极电流为300mA，漏极峰值电流为800mA，工作结温和存储温度范围-55 - +150℃。

【产品】10mAN沟道小信号结型场效应管，为VHF放大器和混频器应用而设计

Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，推出的CP210-2N4416系列场效应管是一款为VHF放大器和混频器应用而设计的硅N沟道结型场效应管。适用于高可靠性系统的设计。主要应用于高电压、快速开关、马达驱动器、新能源逆变器、半导体照明等领域。

【产品】漏极电流高达5.3A的双通道P沟道增强型场效应管

Central 公司推出了一款专为高速脉冲放大器和驱动器应用而生的半导体场效应管——CWDM305PD。CWDM305PD是P沟道增强型硅场效应管，它是双通道的，CZDM1003PD还可以提供5.3安培的连续漏电流，能提供高电流，有很好的电气性能。

基于集成场效应管的以太网供电控制器设计要点

集成场效应管的以太网供电控制器可以减少元器件数量，物料成本和电路板尺寸。来自Silicon Labs的SI3452 4端口以太网供电控制器拥有最大的场效应管组合和0.6欧姆的电流检测电阻。在最坏的情况下，所有4个端口的电流也为仅600 mA。

【产品】100V/3A N沟道增强型场效应管YJL03G10A，RDS(on)可小于140mΩ

扬杰科技推出的YJL03G10A型号N沟道增强型场效应管，其VDS=100V，ID=3.0A，RDS(on)( 在VGS=10V时) ＜140 m ohm；具有 RDS(on) 与FOM值低，极低的开关损耗，优异的稳定性和均匀性等特性，支持快速切换和软恢复。

【产品】N沟道功率场效应管R6047ENZ4，导通电阻最大仅0.072Ω

R6047ENZ4是ROHM最新推出的N沟道功率场效应管，具有低导通电阻，快速开关速度，易于并行使用的特点。产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，适用于各种开关应用。

【产品】600V/11A的N通道增强型场效应管AM1160AH，提供TO-220, TO-220F和TO-251三种封装

AiT公司推出N通道增强型场效应管AM1160AH，该系列器件坚固耐用，提供TO-220, TO-220F 和TO-251三种封装，漏源极电压600V，栅源极电压±30V。

【产品】逻辑电平兼容性强的8V低门阀电压P沟道增强型场效应管

Central 推出的SOT-23封装表贴P沟道增强型场效应管CMPDM8120（改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管），是面向高速脉冲放大器和驱动器而设计的，它最大的优势是提供低导通电阻和低门阀电压，它的门阀电压只有8V，在P沟道MOS晶体管中属于阈值较低的，能兼容多数的逻辑电平，非常适合工业电子、通信设备和消费电子使用。

【产品】高效率N通道场效应管和低压肖特基二极管，适用于小信号应用领域

2018年1月8日，世界顶级分立半导体制作商Central Semi (美国中央半导体公司)新推出的CMLM0205系列N通道场效应管和低压肖特基二极管，是一个多离散模块、由一个单一的N沟道场效应晶体管和一个低VF的肖特基二极管组成，采用SOT-563表面封装，具有节省空间的优点。产品主要应用于以小尺寸和操作效率为主要考虑因素的小信号应用领域中。

【产品】-60V/-10A P沟道热场效应管RJE0620JPD，内置过热关断电路

RJE0620JPD是瑞萨电子推出的一款P沟道热场效应管，其漏源电压-60V，漏极电流可达10A。RJE0620JPD在栅极区域内置过热关断电路，因此具有检测结温的过热关断功能。在结温高的情况下（例如施加过大的功耗，过大的电流等），该电路将关闭栅极电压，实现保护。

【产品】350V小型N沟道耗尽型场效应管，适用于低温环境下汽车点火模块

IXYS（LITTELFUSE收购）推出的CPC3720C和CPC3730C N沟道耗尽型场效应晶体管，并因采用了IXYS集成电路部门专有的第三代垂直DMOS生产工艺，具有更强的抗干扰能力，漏源电压均高达350Vp，且均具有较低的栅极-源极关断电压，范围均为-1.6~-3.9V，非常适用于点火模块,常开开关,固态继电器,转换器,通讯,电源等领域。

【产品】导通电阻仅为20mΩ的N沟道增强型硅场效应管CXDM4060N，最大电流可以达到6.0A

Central 推出了一款专为高速脉冲放大器和驱动器应用而生的半导体场效应管--CXDM4060N。在栅源电压为10V时，导通电阻仅为20mΩ，还提供了低阈值电压，因此大大降低了导通损耗。CXDM4060N还能提供较高电流，最大电流可以达到6.0A，因此可以提供高功率，并且它还有很好的逻辑电平兼容性，在多级电路中使用方便。

【产品】漏极电流高达5.3A的P沟道增强型场效应管

Central的CWDM305P 是专为高速脉冲放大器和驱动器应用设计，能提供有益的低电阻、低泄漏电流和低阈值电压。

【产品】内置过热关断电路的P沟道场效应管RJE0617JSP，漏源电压-60V，漏极电流-1.5A，采用SOP-8封装

RJE0617JSP是Renesas瑞萨电子推出的一款P沟道场效应管，其漏源电压-60V，漏极电流-1.5A。RJE0617JSP在栅极区域内置过热关断电路，因此具有检测结温的过热关断功能。在结温高的情况下（例如施加过大的功耗，过大的电流等），该电路将关闭栅极电压，实现保护。采用SOP-8封装。