IPM(Intelligent Power Module),即智能功率模块,内部不仅包含了IGBT和驱动电路,还包括一些保护电路。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-06
利用功率循环测试造成组件故障,同时在不同的稳态之间进行热瞬态测量,这样可以仿真测试模块的生命周期,间接预测IGBT模块的寿命。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-03-29
IGBT吸收电路一般可以设计为电容吸收、RC吸收以及RCD吸收,其中电容吸收是最简单有效的尖峰吸收电路。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-21
世强代理的IGBT品牌有Vincotech和renesas。其中,Vincotech主做IGBT模块,拓扑丰富,覆盖全功率范围。Renesas主做IGBT单管,适用于小功率产品应用。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-25
有的IGBT的底板是平面的,有利于安装,有的是球面状的,有利于散热。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-23
IGBT的上下桥参数与布局的差异是可以忽略不计的,损坏原因多与外围电路设计以及应用环境有关。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-11
IGBT选用后,主要关注是否正负压驱动开通和关闭,且驱动电平在规格内,最恶劣的情况下的电压和电流在规格内并保留一定的裕量,并且温升是OK的,这样IGBT选用就符合应用电路环境了。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-14
MOS管开关速度快,但是随着耐压升高,内阻迅速增大(不是线性增大),所以高压下内阻很大,不能做大功率应用。IGBT优势在于大功率应用。因此电压越高,IGBT越有优势,电压越低,MOS管越有优势。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-13
目前受市场需求火爆和晶圆供货紧张的原因,IGBT供货比较紧张,世强针对客户需求量大、货期较长的IGBT模块都会提前备货,尽可能满足客户的需求。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-07
大电流,大功率选择IGBT,小电流小功率选择MOSFET。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-11-22
这款半桥IGBT模块系列可为设计师提供显著更高的额定电流,能够依托现代IGBT技术可靠、灵活地提供高效快速的开关速度!你还不心动?
新产品
发布时间 : 2016-10-11
随着功率开关性能的不断提升优化,IGBT逆变焊机迎来属于自己的春天!IGBT 逆变焊机在行业中越来越占据主导地位。
新产品
发布时间 : 2016-06-23
igbt散热,底板多采用涂导热硅脂和贴导热硅纸的方式减小IGBT的底板与散热器空隙,增加接触面积,加强散热效果。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-19
世强代理了RBNESAS的IGBT单管和Vincotech的IGBT模块。IGBT单管做的比较好的有英飞凌、RENESAS等,单管最大做到1250V/75A。IGBT模块做得比较好的有英飞凌、三菱、Vincotech、赛米控,富士等
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-18
可以在驱动端加入退饱和检测以及软关断功能,可以有效的保护IGBT;
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-04
采用IGBT H5模块,既可以获得接近COOLMOS的开关速度,又可以满足花费IGBT模块的低价成本。因此说IGBT H5模块可实现“鱼”与“熊掌”兼得的梦想。
新产品
发布时间 : 2016-07-25
根据不同的电流和电压应用规格,IGBT型号各不一样。世强代理的RENESAS单管IGBT和Vincotech模块IGBT基本涵盖所有电流和电压应用规格
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-14
对于不同的应用电路,IGBT的电流裕量是不同的。通常对于电机驱动类感性负载,IGBT的电流裕量选择在2.5倍左右,对于电源类应用,IGBT的电流裕量选择在1.5倍左右。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-12
因为功率模块并联使用时需要功率器件在温度变化时,其导通内阻保持一致性,从而保证电流平均流过并联的IGBT。这就要求功率模块IGBT具有正温度系数,而之前的功率模块IGBT多半不能满足要求,但随着技术进步现在的功率模块IGBT大部分能够满足并联需求的正温度系数,比如我们部分IGBT就具有正温度系数。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-06-18
按照工业设计惯列,设计余量为额定的20%-30%,世强代理的IGBT模块本身的额定值已留有部分设计余量。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-10
世强代理的Vincotech产品线可以提供标准IGBT模块产品,也可以提供定制化解决方案。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-15
如果是模块的话,一般用里面的NTC来衡量,如果是单管的话,直接测的IGBT 集电极温升来衡量。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-07
IGBT的集电极电流和温升有关,因此为使得上下桥均流,尽可能的保证上下桥温升一致,同时桥臂中点电压尽量平衡。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-17
IGBT器件可以承受短时间的过电流,其Datasheet中标明在10us内可以承受10倍的额定电流。所以过流时保护IGBT器件的方法是在规定时间内及时拉低IGBT的栅极电压,关断IGBT。可以通过检测相电流的大小,设置过流值,一旦相电流超过设定的过流点,反馈fault信号送给MCU,处理后输出信号关断IGBT,从而保护IGBT不被损坏。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-08-17
世强代理RENESAS的IGBT单管,电压电流等级可以做到1250V/75A。如果是IGBT模块,世强代理Vincotech的模块,电压电流规格根据不同的应用拓扑,规格不一样,例如半桥的E3模块,可以做到1200V/690A。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-08
MOSFET的开关频率和开关速度比IGBT的更佳,但IGBT耐压比MOSFET的高。IGBT和MOS的并联开关,在开关时,都是MOS承受开关损耗,而在轻载时由MOS承担导通损耗,在重载时则由IGBT承担导通损耗,所以Vincotech IGBT功率模块10-FZ06NBA110FP-M306L28结合了IGBT和MOS的优势,提高整体效率,同时同等规格下,它的价格相比某些MOS还有一定的优势。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-20
MiniSKiiP PIM 1采用英飞凌IGBT3和IGBT4技术,具有超低损耗和极佳EMC表现。
新产品
发布时间 : 2017-05-24
在IGBT开关动作过程中存在两个阶段导致的浪涌电压: 1)IGBT关断浪涌,在关断瞬间流过IGBT的电流在回路的寄生电感上产生的浪涌电压;
2)续流二极管的恢复浪涌,当续流二极管反向恢复时会在寄生电感上产生浪涌。
解决方案是可以在IGBT的DC直流端子上并接snubber吸收电容。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-12-30
IGBT隔离驱动芯片SID1132K用的是磁隔离方案。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-02-25
Vincotech推出了高集成度六管封装IGBT功率模块系列——FlowPACK 2,采用了英飞凌新一代IGBT4技术和三菱第六代IGBT芯片技术,全新的压接技术,适用于工业驱动设备中。
新产品
发布时间 : 2016-12-15
在电力电子系统中,IGBT常常是主要的开关器件,IGBT损坏,可能会导致相当大的经济损失,为了抑制尖峰电压,除了在IGBT驱动器上采用一定的措施如有源钳位等进行电压钳位外,还需要在直流母线两端添加吸收电容,吸收掉尖峰电压。
设计经验
发布时间 : 2016-06-19
IGBT运行时的损耗包括开关损耗和导通损耗,其中开关损耗是IGBT的开通和关断期间,Vce的下降和Ic的上升之间的交叉区域为热损耗;导通损耗是IGBT导通期间,流经IGBT的电流Ic与饱和压降Vce的乘积,运行总损耗为开关损耗与导通损耗之和。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-12-30
IGBT的门极非常脆弱,只要几十伏就可能损坏IGBT,而人体的静电可能会在瞬间产生一个相当高的电压,很容易损坏IGBT。静电损坏在干燥的环境中很容易发生,所以要戴手套或手环预防。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-06-06
在功率电路设计中,可以采用加装保护吸收电路的办法来抑制浪涌电压。具体措施是在IGBT模块的母线DC+、DC-之间并接WIMA Snubber电容,WIMA吸收电容对高频脉冲电压有良好的抑制效果,可以实现IGBT浪涌电压的吸收,根据不同的IGBT电流规格,可以选择0.68uF~2.2uF/1700V的吸收电容。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-06-30
当IGBT的上下管因异常故障出现直通现象时,流过IGBT的电流会瞬间增大,随着电流的增大,IGBT进入退饱和状态,此时其压降迅速升高。驱动光耦PS9402自带
Vce退饱和压降检测功能,可以检测IGBT压降的变化,判断IGBT是否过流,进而,拉低驱动信号,软关断IGBT。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-07-31
LITTELFUSE公司的IGBT模块MG12100W-XN2MM,具有高集成度,采用IGBT3芯片,能够提供1200V集电极-发射极电压。
新产品
发布时间 : 2017-12-29
IGBT驱动需要满足两个参数:电气隔离和电流驱动。脉冲变压器首先要满足电气隔离要求,实现控制电路与高压功率电路的信号隔离传输;其次,脉冲变压器的输出功率要满足IGBT的驱动要求,驱动电压一般为+15V、-10V,驱动电流根据IGBT的Qg进行计算可得。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-19
IGBT串联应用电路中,静态情况下影响串联均压的主要因素是阻断特性,动态情况下影响串联均压的主要因素是开关时间不一致。为了得到比较理想的均压状态,常采用并联电阻法和缓冲吸收法来解决。并联电阻法主要用来进行静态均压,在IGBT模块串联使用时,为了做到比较理想的均压状态,必须并联电阻以削减阻断特性不一致的影响。要使流过并联电阻上的漏电流为IGBT漏电流的5~10倍,才能做到比较好的均压。缓冲吸收电路有助于动态均压,缓冲电路减小、平衡了器件开关时刻的dv/dt速度。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-08-30
IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors),是集IGBT高开关特性和GTO高阻断电压和低导通损耗特性于一体的半导体开关器件。IGBT和IGCT两者的应用场合不一样,IGCT一般是针对高压大容量场合,而IGBT是应用于低压高频小容量场合,如IGCT 4.5kV/3kA是较常用的规格,容量和电压等级比IGBT大的多。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-12
IGBT和MOSFET都是电压控制门极开关器件。市场应用上IGBT多用于高压大电流,驱动频率多为20KHz以内。MOSFET的应用多为高频小电流,频率可以高达几十K到上百K。世强代理有Vincotech的各种IGBT封装模块,RENESAS的IGBT单管,新电元的MOSFET以及CREE的SIC MOSFET。SIC MOSFET应用频率可达400KHz。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-03-01
IGBT的测试标准是IEC 60747_9_2007,一般测试主要的电流、尺寸、耐压等主要的参数
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-19
Sic MOSFET的导通电阻远小于同规格的IGBT,同样的应用条件下,Sic MOSFET的损耗更低,温升特性也就更好。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-09-22
1、IGBT栅极与发射极之间的电压,需在规格内,避免超规风险,前端驱动隔离设计,避免驱动干扰。2、IGBT集电极与发射极之间的电压,电压需留足够裕量,加吸收电容避免两端的瞬间电压冲击,调节驱动电阻和优化回路杂散电感,降低反压。3、优化散热环境,增大散热器,增加风冷、水冷等散热方式,采用高导热系数的散热膏等降低器件温升。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-01-09
并联使用IGBT组成开关器件可以使整个系统得到更高的额定电流,但是设计并联系统时必须考虑模块特性、驱动电路以及电路的布局。1、由于电流分配的不均衡,使n个IGBT并联的额定电流并不等于n倍的单个模块的额定电流,所以对并联IGBT模块必须降额使用。2、并联模块的驱动一定要做到同步,最好选用驱动能力强的驱动器,用同一驱动信号同时驱动并联模块。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-06-30
传统的功率IGBT模块用在UPS造成的问题一是寄生电感大,EMI问题严重;二是由于必须通过铜排进行连接,成本高。而世强代理的新型结构的IGBT功率模块能较好的解决这些问题。
新应用
发布时间 : 2016-03-02
IGBT的优势在于输入阻抗很高,开关速率快,导通态电压低,关断时阻断电压高,集电极和发射机承受电流大的特点,目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。
设计经验
发布时间 : 2016-04-14
IGBT的保护通常有过流、过热和过压保护。过流保护通常采用Vce退饱和压降检测方式实现,过热保护通常采用NTC电阻检测温升实现,过压保护通常采用有源钳位的方式实现。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-12
工业电子产品的好帮手:IGBT模块。新增的1700V半桥模块产品组合可将Littelfuse IGBT电源模块推向要求更严苛的工业应用。
新产品
发布时间 : 2016-08-15
驱动电路通过PI隔离驱动SID11x2K与电阻串配合,检测IGBT的CE极间压降变化,从而实现了IGBT退饱和保护功能,避免出现过流引起的炸机故障,提高可靠性。
设计经验
发布时间 : 2018-01-09
IGBT规格书一般会给出ICnom、IC、ICRM、It(RMS)这几个电流参数。如何正确理解IGBT几个电流参数的定义和深层次的含义,本文将做详细的讲解。
设计经验
发布时间 : 2018-03-20
PI SID1182K门极驱动芯片经常用于大功率变频器IGBT驱动, MCU的PWM驱动信号连接到隔离驱动SID1182K,实现驱动电平转换、增大驱动电流,从而完成IGBT驱动功能。
设计经验
发布时间 : 2018-01-17
我们有代理PI的IGBT驱动板,针对市面上常用的IGBT封装都有对应的即插即用的驱动板,可以简化客户的电路设计,缩短研发周期,提高可靠性。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-21
不同晶圆的IGBT其开关速度也不同,对于常用的IGBT4晶圆来讲,开通时间一般限制在1us以内,关断时间一般在2us以内,对于H5晶圆来讲,开关速度可以更快一些。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-08
Renesas G8H在同样的条件下,可以做到建议并联不超过4个IGBT,提高了IGBT的并联一致性。
新产品
发布时间 : 2017-07-28
这种IGBT和MOS的并联开关,在开关时,都是MOS承受开关损耗,而在轻载时由MOS承担导通损耗,在重载时则由IGBT承担导通损耗,所以它结合了IGBT和MOS的优势,提高整体效率,同时同等规格下,它的价格相比某些MOS还有一定的优势。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-03-21
V23990-P76X-PM是Vincotech高集成IGBT功率模块系列,采用英飞凌IGBT4、IGBT3芯片技术,最大耐压为1200V,输出电流35~100A,采用全新的压接技术,适用于功率电机驱动和发电设备应用。
新产品
发布时间 : 2017-01-15
将SIC的MOSFET用于前端的PFC电流中,三电平IGBT可以用于逆变中,这样能提高整个系统的效率。
厂牌及品类
发布时间 : 2016-02-26
IGBT模块内部的反并联二极管的作用是进行续流。当逆变器运行在不同的功率因数时,IGBT与续流二极管的热损耗是不同的,具体表现为:1、当负载功率因数为1时,所有的负载电流都流过IGBT,二极管没有承担电流,在这种情况下,IGBT的导通损耗最大,二极管的导通损耗极小;2、当负载功率因数为-1时,所有的负载电流都流过二极管,IGBT没有承担电流,在这种情况下,二极管的导通损耗最大,IGBT的导通损耗极小。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-29
IGBT的热耗高是一直难以解决的问题,SI8285/SI8286系列隔离栅极驱动能有效保护IGBT电路,可以直接驱动大电流的IGBT,可直接进行充放电,减小了开关损耗,从而降低了发热损耗。
新应用
发布时间 : 2016-11-27
光伏逆变器对于IGBT的运行稳定性要求很高,所以必须有可靠地驱动电路保证IGBT的运行。推荐采用PI的IDriver系列驱动,型号为SID1152K,这款驱动
IC驱动电流为5A,可直接驱动160A IGBT模块,无需外加推挽电路,同时这款驱动IC集成Vce退饱和压降检测、高级软关断等功能,保证IGBT在出现故障后可靠
关断。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-09-24
RENESAS智能光耦PS9402是一款带Vce电压检测功能的驱动光耦,当变频器出现故障导致IGBT短路时,驱动光耦能够检测到IGBT Vce电压迅速变大,当超过保护阈值后,驱动光耦会将IGBT驱动信号拉低,同时输出故障信号通过FAULT管脚反馈给MCU,该故障传输时间仅400ns,可有效保护IGBT不被损坏。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-09
PS9402集成IGBT VCEsat退饱与检测和米勒钳位功能,16脚SOP封装。
技术探讨
发布时间 : 2017-03-29
IGBT智能模块也就是IPM模块,该模块是集成驱动和主功率器件于一体的模块,客户无需外置驱动芯片,世强有代理Vincotech的IPM模块,例如20-1C121BA015SH-LB18A08,规格为1200V/15A的IPM模块。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-22
IGBT Module stack,IGDD6-1-426-D1616-E1N6-DL-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
IGBT Module stack,IGDD6-1-326-D1616-E1N6-DL-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
IGBT Module stack,IGDD6-4-326-D3816-E1F12-BL-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
IGBT Module stack,IGDD6-4-426-D3816-E1F12-BL-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
IGBT Module stack,IGDD6-2-326-D1616-E1F12-DH-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
IGBT Module stack,IGDD6-2-426-D1616-E1F12-DH-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
导致IGBT损坏主要是驱动异常、过压、过流导致过温这几方面的缘故。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-08
SiC MOSFET模块和Si IGBT模块之间的较量随着SiC 模块的大获全胜而终结。想知道它是如何做到的,一篇文章读懂其中奥秘!
厂牌及品类
发布时间 : 2016-01-29
flow90PIM 1无需L型散热片,IGBT4技术赋予更佳EMC表现,电机驱动应用优势明显。
新产品
发布时间 : 2017-03-10
两款封装了6个600V/6A的IGBT3技术的功率模块,设计紧凑,开关频率达100KHz以上。
新产品
发布时间 : 2017-05-18
在IGBT开关过程中,由于其DC+、DC-管脚与母线电容连接存在寄生电感,这部分电感在开关瞬间会产生很大的尖峰电压,为了保护IGBT不被过压损坏,需要使用
wima推出的IGBT专用snubber电容,其可以承受较大的di/dt,吸收尖峰电压,保护IGBT不被损坏。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-03-31
瑞萨G8H系列是首个TO-247 plus封装的内置二极管1250V/75A IGBT,实现业内最低功耗水平。
新产品
发布时间 : 2017-04-23
Renesas推出的小体积、高隔离能力驱动光耦PS9031,其输出电流能力高达2.5A,可以驱动150A以内的IGBT模块。
新应用
发布时间 : 2017-06-22
Renesas推出G8H IGBT实现管子开关的快速切换和低饱和导通压降,65μm的超薄晶圆,降低传导损耗。
新应用
发布时间 : 2017-08-08
采用最新IGBT H5芯片,耐压值达到650V,静态饱和压降Vce降低到1.75V,大幅度降低导通损耗!
新产品
发布时间 : 2016-03-21
MG12600WB-BR2MM 是 1200V、600A 的半桥 IGBT 模块,它以强大而又灵活的格式提供了高效率和快速的开关速度。
新产品
发布时间 : 2016-11-02
根据电压、电流以及芯片类型、拓扑结构等。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-23
PowerIntegrations的IGBT驱动器拥有非常广泛的应用范围,具体包括:电机拖动、机车牵引、轨道交通应用、风能、太阳能应用···
厂牌及品类
发布时间 : 2017-11-08
“绿色”充电桩发展迅猛,本文将从IGBT驱动模块入手——教您进一步优化直流充电桩的功率转换部分!
新产品
发布时间 : 2016-06-30
小强为你推荐的PI优秀的AC-DC转换器IC、LED驱动器和IGBT驱动器产品以及实用的辅助电源方案。
专题合辑
发布时间 : 2017-03-17
RJP65T43DPQ-A0是瑞萨公司推出的一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具有高开关速度,可以应用于功率因数校正电路。
新产品
发布时间 : 2018-02-06
从效率的角度,SIC是可以设计的比IGBT效率高,在开高频的情况下,SIC可以做到低的损耗,另外也可以减小滤波的体积,具体效率高多少,这个需要设计后去实测对比。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-09
具体的有Vincotech,英飞凌,富士等,推荐世强代理的Vincotech的IGBT模块。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-30
以Vincotech模块为例,igbt晶元温度和NTC温度一般相差是不大于10℃
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-07
带碳化硅肖特基二极管的IGBT大大降低了二极管的反向恢复损耗,同时,由于二极管的恢复特性会影响到IGBT的开关损耗,IGBT的开关损耗也因此会降低。这样,可以降低整体的开关损耗。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-05-17
要保护IGBT的门极不被高压脉冲损坏,一般采用瞬态脉冲吸收TVS管来实现,TVS管一般是并联在IGBT的门极,其反向电压一般选择跟门极工作电压相同或者略大于门极工作电压,这样当较高的脉冲过来时,TVS会雪崩击穿,将高压吸引到地,不会对门极造成伤害。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-12-03
要保护IGBT的门极不被高压脉冲损坏,一般采用瞬态脉冲吸收TVS管来实现,TVS管一般是并联在IGBT的门极,其反向电压一般选择跟门极工作电压相同或者略大于门极工作电压,这样当较高的脉冲过来时,TVS会雪崩击穿,将高压吸引到地,不会对门极造成伤害。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-12-03
传统的大功率IGBT模块继承了晶闸管的结构特点,采用螺栓式的连接方法,体积大,损耗大,寄生电感大。本公司的IGBT采用新的能流概念进行设计,寄生电感小,封装小,便于设计。在结构上采用夹挂技术,使得电路板、功率模块和散热器的连接更加简单可靠。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-05-18
强强联合---Vincotech推出的采用三菱第六代IGBT和英飞凌IGBT技术的flowPIM系列功率模块“双管齐下”,受到客户的一致好评!
厂牌及品类
发布时间 : 2016-04-28
采用PI智能驱动IDriver进行IGBT Vce压降的检测,以及出现故障时软关断IGBT。采用Melexis霍尔电流传感器MLX91208反馈过流故障。
设计经验
发布时间 : 2017-09-10
变频器内部IGBT模块在使用时的损坏原因主要有以下几种:1、过电流损坏,IGBT由于栅极驱动导致的擎住效应、长时间过流运行、短路超时都会造成过流损坏;2、过电压损坏和静电损坏,IGBT在关断时,由于逆变电路中存在电感成分,关断瞬间产生尖峰电压,如果尖峰电压超过IGBT器件的最高峰值电压,将造成IGBT击穿损坏;3、过热损坏,IGBT模块在运行时结温超过IGBT晶元的最大温度限定Tjmax=150℃,IGBT模块应用中其结温应限制在该值以下。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-08-30
在IGBT运行过程中,如果出现异常情况需要关断IGBT时,不能直接将门极驱动信号拉低,原因是瞬间关断IGBT会导致寄生电感上的能量无处泄放,从而有可能抬高母线电
压,使IGBT过压损坏。正确的做法是采用软关断功能,在合理时间内逐步拉低驱动信号,从而减少di/dt,防止故障的产生。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-07-31
目前市场上的充电桩普遍都是用MOS管,而使用MOS管的最主要的原因就是它的开关损耗低,造成这一结果的原因是IGBT关断时都有拖尾电流,而MOS管没有,这样导致MOS的关断损耗远低于IGBT的关断损耗.而LLC中,在特定负载条件下,可以让MOS的开通损耗下降到几乎为0,所以就可以让整体开关损耗非常低,而IGBT仍然要考虑关断损耗,所以LLC中目前大多还是用的MOS。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-12-18
IGBT驱动光耦内置BUFFER开关管都存在一定的管压降,所以实际的门极驱动电平Voh=Vcc-Vd,其中Vd是开关管的管压降。对于IGBT来讲,门极驱动电压的高电平需要+15V,RENESAS光耦内置管压降的典型值为1.3V,则驱动电源电压Vcc需要满足Voh+Vd=16.3V的条件,才能使IGBT处于完全导通的状态,降低导通损耗。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-29
flowNPC 0 IGBT耐压值高达1200V,比MNPC模块成本低10%。
新产品
发布时间 : 2017-08-21
推荐IGBT功率模块10-0B066PA030SB-M996F09,30A/600V,性价比高。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-03-24
推荐IGBT功率模块70-W212NMA600SC-M200P,其开关频率更高。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-03-09