IPM（Intelligent Power Module），即智能功率模块，内部不仅包含了IGBT和驱动电路，还包括一些保护电路。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-06
利用功率循环测试造成组件故障，同时在不同的稳态之间进行热瞬态测量，这样可以仿真测试模块的生命周期，间接预测IGBT模块的寿命。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-03-29
IGBT吸收电路一般可以设计为电容吸收、RC吸收以及RCD吸收，其中电容吸收是最简单有效的尖峰吸收电路。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-21
世强代理的IGBT品牌有Vincotech和renesas。其中，Vincotech主做IGBT模块，拓扑丰富，覆盖全功率范围。Renesas主做IGBT单管，适用于小功率产品应用。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-25
有的IGBT的底板是平面的，有利于安装,有的是球面状的，有利于散热。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-23
IGBT的上下桥参数与布局的差异是可以忽略不计的，损坏原因多与外围电路设计以及应用环境有关。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-11
IGBT选用后，主要关注是否正负压驱动开通和关闭，且驱动电平在规格内，最恶劣的情况下的电压和电流在规格内并保留一定的裕量，并且温升是OK的，这样IGBT选用就符合应用电路环境了。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-14
MOS管开关速度快，但是随着耐压升高，内阻迅速增大（不是线性增大），所以高压下内阻很大，不能做大功率应用。IGBT优势在于大功率应用。因此电压越高，IGBT越有优势，电压越低，MOS管越有优势。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-13
目前受市场需求火爆和晶圆供货紧张的原因，IGBT供货比较紧张，世强针对客户需求量大、货期较长的IGBT模块都会提前备货，尽可能满足客户的需求。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-07
大电流，大功率选择IGBT，小电流小功率选择MOSFET。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-11-22
这款半桥IGBT模块系列可为设计师提供显著更高的额定电流，能够依托现代IGBT技术可靠、灵活地提供高效快速的开关速度！你还不心动？
新产品
发布时间 : 2016-10-11
随着功率开关性能的不断提升优化，IGBT逆变焊机迎来属于自己的春天！IGBT 逆变焊机在行业中越来越占据主导地位。
新产品
发布时间 : 2016-06-23
igbt散热，底板多采用涂导热硅脂和贴导热硅纸的方式减小IGBT的底板与散热器空隙，增加接触面积，加强散热效果。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-19
世强代理了RBNESAS的IGBT单管和Vincotech的IGBT模块。IGBT单管做的比较好的有英飞凌、RENESAS等，单管最大做到1250V/75A。IGBT模块做得比较好的有英飞凌、三菱、Vincotech、赛米控，富士等
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-18
可以在驱动端加入退饱和检测以及软关断功能，可以有效的保护IGBT;
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-04
采用IGBT H5模块，既可以获得接近COOLMOS的开关速度，又可以满足花费IGBT模块的低价成本。因此说IGBT H5模块可实现“鱼”与“熊掌”兼得的梦想。
新产品
发布时间 : 2016-07-25
根据不同的电流和电压应用规格，IGBT型号各不一样。世强代理的RENESAS单管IGBT和Vincotech模块IGBT基本涵盖所有电流和电压应用规格
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-14
对于不同的应用电路，IGBT的电流裕量是不同的。通常对于电机驱动类感性负载，IGBT的电流裕量选择在2.5倍左右，对于电源类应用，IGBT的电流裕量选择在1.5倍左右。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-12
因为功率模块并联使用时需要功率器件在温度变化时，其导通内阻保持一致性，从而保证电流平均流过并联的IGBT。这就要求功率模块IGBT具有正温度系数，而之前的功率模块IGBT多半不能满足要求，但随着技术进步现在的功率模块IGBT大部分能够满足并联需求的正温度系数，比如我们部分IGBT就具有正温度系数。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-06-18
按照工业设计惯列，设计余量为额定的20%-30%，世强代理的IGBT模块本身的额定值已留有部分设计余量。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-10
世强代理的Vincotech产品线可以提供标准IGBT模块产品，也可以提供定制化解决方案。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-15
如果是模块的话，一般用里面的NTC来衡量，如果是单管的话，直接测的IGBT 集电极温升来衡量。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-07
IGBT的集电极电流和温升有关，因此为使得上下桥均流，尽可能的保证上下桥温升一致，同时桥臂中点电压尽量平衡。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-17
IGBT器件可以承受短时间的过电流，其Datasheet中标明在10us内可以承受10倍的额定电流。所以过流时保护IGBT器件的方法是在规定时间内及时拉低IGBT的栅极电压，关断IGBT。可以通过检测相电流的大小，设置过流值，一旦相电流超过设定的过流点，反馈fault信号送给MCU，处理后输出信号关断IGBT，从而保护IGBT不被损坏。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-08-17
世强代理RENESAS的IGBT单管，电压电流等级可以做到1250V/75A。如果是IGBT模块，世强代理Vincotech的模块，电压电流规格根据不同的应用拓扑，规格不一样，例如半桥的E3模块，可以做到1200V/690A。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-08
MOSFET的开关频率和开关速度比IGBT的更佳，但IGBT耐压比MOSFET的高。IGBT和MOS的并联开关，在开关时，都是MOS承受开关损耗，而在轻载时由MOS承担导通损耗，在重载时则由IGBT承担导通损耗，所以Vincotech IGBT功率模块10-FZ06NBA110FP-M306L28结合了IGBT和MOS的优势，提高整体效率，同时同等规格下，它的价格相比某些MOS还有一定的优势。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-20
MiniSKiiP PIM 1采用英飞凌IGBT3和IGBT4技术，具有超低损耗和极佳EMC表现。
新产品
发布时间 : 2017-05-24
在IGBT开关动作过程中存在两个阶段导致的浪涌电压： 1）IGBT关断浪涌，在关断瞬间流过IGBT的电流在回路的寄生电感上产生的浪涌电压；
2）续流二极管的恢复浪涌，当续流二极管反向恢复时会在寄生电感上产生浪涌。
解决方案是可以在IGBT的DC直流端子上并接snubber吸收电容。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-12-30
IGBT隔离驱动芯片SID1132K用的是磁隔离方案。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-02-25
Vincotech推出了高集成度六管封装IGBT功率模块系列——FlowPACK 2，采用了英飞凌新一代IGBT4技术和三菱第六代IGBT芯片技术，全新的压接技术，适用于工业驱动设备中。
新产品
发布时间 : 2016-12-15
在电力电子系统中，IGBT常常是主要的开关器件，IGBT损坏，可能会导致相当大的经济损失，为了抑制尖峰电压，除了在IGBT驱动器上采用一定的措施如有源钳位等进行电压钳位外，还需要在直流母线两端添加吸收电容，吸收掉尖峰电压。
设计经验
发布时间 : 2016-06-19
IGBT运行时的损耗包括开关损耗和导通损耗，其中开关损耗是IGBT的开通和关断期间，Vce的下降和Ic的上升之间的交叉区域为热损耗；导通损耗是IGBT导通期间，流经IGBT的电流Ic与饱和压降Vce的乘积，运行总损耗为开关损耗与导通损耗之和。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-12-30
IGBT的门极非常脆弱，只要几十伏就可能损坏IGBT，而人体的静电可能会在瞬间产生一个相当高的电压，很容易损坏IGBT。静电损坏在干燥的环境中很容易发生，所以要戴手套或手环预防。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-06-06
在功率电路设计中，可以采用加装保护吸收电路的办法来抑制浪涌电压。具体措施是在IGBT模块的母线DC+、DC-之间并接WIMA Snubber电容，WIMA吸收电容对高频脉冲电压有良好的抑制效果，可以实现IGBT浪涌电压的吸收，根据不同的IGBT电流规格，可以选择0.68uF~2.2uF/1700V的吸收电容。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-06-30
当IGBT的上下管因异常故障出现直通现象时，流过IGBT的电流会瞬间增大，随着电流的增大，IGBT进入退饱和状态，此时其压降迅速升高。驱动光耦PS9402自带
Vce退饱和压降检测功能，可以检测IGBT压降的变化，判断IGBT是否过流，进而，拉低驱动信号，软关断IGBT。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-07-31
LITTELFUSE公司的IGBT模块MG12100W-XN2MM，具有高集成度，采用IGBT3芯片，能够提供1200V集电极-发射极电压。
新产品
发布时间 : 2017-12-29
IGBT驱动需要满足两个参数：电气隔离和电流驱动。脉冲变压器首先要满足电气隔离要求，实现控制电路与高压功率电路的信号隔离传输；其次，脉冲变压器的输出功率要满足IGBT的驱动要求，驱动电压一般为+15V、-10V，驱动电流根据IGBT的Qg进行计算可得。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-19
IGBT串联应用电路中，静态情况下影响串联均压的主要因素是阻断特性，动态情况下影响串联均压的主要因素是开关时间不一致。为了得到比较理想的均压状态，常采用并联电阻法和缓冲吸收法来解决。并联电阻法主要用来进行静态均压，在IGBT模块串联使用时，为了做到比较理想的均压状态，必须并联电阻以削减阻断特性不一致的影响。要使流过并联电阻上的漏电流为IGBT漏电流的5~10倍，才能做到比较好的均压。缓冲吸收电路有助于动态均压，缓冲电路减小、平衡了器件开关时刻的dv/dt速度。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-08-30
IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)，是集IGBT高开关特性和GTO高阻断电压和低导通损耗特性于一体的半导体开关器件。IGBT和IGCT两者的应用场合不一样，IGCT一般是针对高压大容量场合，而IGBT是应用于低压高频小容量场合，如IGCT 4.5kV/3kA是较常用的规格，容量和电压等级比IGBT大的多。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-12
IGBT和MOSFET都是电压控制门极开关器件。市场应用上IGBT多用于高压大电流，驱动频率多为20KHz以内。MOSFET的应用多为高频小电流，频率可以高达几十K到上百K。世强代理有Vincotech的各种IGBT封装模块，RENESAS的IGBT单管，新电元的MOSFET以及CREE的SIC MOSFET。SIC MOSFET应用频率可达400KHz。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-03-01
IGBT的测试标准是IEC 60747_9_2007，一般测试主要的电流、尺寸、耐压等主要的参数
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-19
Sic MOSFET的导通电阻远小于同规格的IGBT，同样的应用条件下，Sic MOSFET的损耗更低，温升特性也就更好。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-09-22
1、IGBT栅极与发射极之间的电压，需在规格内，避免超规风险，前端驱动隔离设计，避免驱动干扰。2、IGBT集电极与发射极之间的电压，电压需留足够裕量，加吸收电容避免两端的瞬间电压冲击，调节驱动电阻和优化回路杂散电感，降低反压。3、优化散热环境，增大散热器，增加风冷、水冷等散热方式，采用高导热系数的散热膏等降低器件温升。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-01-09
并联使用IGBT组成开关器件可以使整个系统得到更高的额定电流，但是设计并联系统时必须考虑模块特性、驱动电路以及电路的布局。1、由于电流分配的不均衡，使n个IGBT并联的额定电流并不等于n倍的单个模块的额定电流，所以对并联IGBT模块必须降额使用。2、并联模块的驱动一定要做到同步，最好选用驱动能力强的驱动器，用同一驱动信号同时驱动并联模块。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-06-30
传统的功率IGBT模块用在UPS造成的问题一是寄生电感大，EMI问题严重；二是由于必须通过铜排进行连接，成本高。而世强代理的新型结构的IGBT功率模块能较好的解决这些问题。
新应用
发布时间 : 2016-03-02
IGBT的优势在于输入阻抗很高，开关速率快，导通态电压低，关断时阻断电压高，集电极和发射机承受电流大的特点，目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。
设计经验
发布时间 : 2016-04-14
IGBT的保护通常有过流、过热和过压保护。过流保护通常采用Vce退饱和压降检测方式实现，过热保护通常采用NTC电阻检测温升实现，过压保护通常采用有源钳位的方式实现。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-12
工业电子产品的好帮手：IGBT模块。新增的1700V半桥模块产品组合可将Littelfuse IGBT电源模块推向要求更严苛的工业应用。
新产品
发布时间 : 2016-08-15
驱动电路通过PI隔离驱动SID11x2K与电阻串配合，检测IGBT的CE极间压降变化，从而实现了IGBT退饱和保护功能，避免出现过流引起的炸机故障，提高可靠性。
设计经验
发布时间 : 2018-01-09
IGBT规格书一般会给出ICnom、IC、ICRM、It(RMS)这几个电流参数。如何正确理解IGBT几个电流参数的定义和深层次的含义，本文将做详细的讲解。
设计经验
发布时间 : 2018-03-20
PI SID1182K门极驱动芯片经常用于大功率变频器IGBT驱动， MCU的PWM驱动信号连接到隔离驱动SID1182K，实现驱动电平转换、增大驱动电流，从而完成IGBT驱动功能。
设计经验
发布时间 : 2018-01-17
我们有代理PI的IGBT驱动板，针对市面上常用的IGBT封装都有对应的即插即用的驱动板，可以简化客户的电路设计，缩短研发周期，提高可靠性。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-21
不同晶圆的IGBT其开关速度也不同，对于常用的IGBT4晶圆来讲，开通时间一般限制在1us以内，关断时间一般在2us以内，对于H5晶圆来讲，开关速度可以更快一些。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-08
Renesas G8H在同样的条件下，可以做到建议并联不超过4个IGBT，提高了IGBT的并联一致性。
新产品
发布时间 : 2017-07-28
这种IGBT和MOS的并联开关，在开关时，都是MOS承受开关损耗，而在轻载时由MOS承担导通损耗，在重载时则由IGBT承担导通损耗，所以它结合了IGBT和MOS的优势，提高整体效率，同时同等规格下，它的价格相比某些MOS还有一定的优势。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-03-21
V23990-P76X-PM是Vincotech高集成IGBT功率模块系列，采用英飞凌IGBT4、IGBT3芯片技术，最大耐压为1200V，输出电流35~100A，采用全新的压接技术，适用于功率电机驱动和发电设备应用。
新产品
发布时间 : 2017-01-15
将SIC的MOSFET用于前端的PFC电流中，三电平IGBT可以用于逆变中，这样能提高整个系统的效率。
厂牌及品类
发布时间 : 2016-02-26
IGBT模块内部的反并联二极管的作用是进行续流。当逆变器运行在不同的功率因数时，IGBT与续流二极管的热损耗是不同的，具体表现为：1、当负载功率因数为1时，所有的负载电流都流过IGBT，二极管没有承担电流，在这种情况下，IGBT的导通损耗最大，二极管的导通损耗极小；2、当负载功率因数为-1时，所有的负载电流都流过二极管，IGBT没有承担电流，在这种情况下，二极管的导通损耗最大，IGBT的导通损耗极小。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-29
IGBT的热耗高是一直难以解决的问题，SI8285/SI8286系列隔离栅极驱动能有效保护IGBT电路，可以直接驱动大电流的IGBT，可直接进行充放电，减小了开关损耗，从而降低了发热损耗。
新应用
发布时间 : 2016-11-27
光伏逆变器对于IGBT的运行稳定性要求很高，所以必须有可靠地驱动电路保证IGBT的运行。推荐采用PI的IDriver系列驱动，型号为SID1152K，这款驱动
IC驱动电流为5A，可直接驱动160A IGBT模块，无需外加推挽电路，同时这款驱动IC集成Vce退饱和压降检测、高级软关断等功能，保证IGBT在出现故障后可靠
关断。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-09-24
RENESAS智能光耦PS9402是一款带Vce电压检测功能的驱动光耦，当变频器出现故障导致IGBT短路时，驱动光耦能够检测到IGBT Vce电压迅速变大，当超过保护阈值后，驱动光耦会将IGBT驱动信号拉低，同时输出故障信号通过FAULT管脚反馈给MCU，该故障传输时间仅400ns，可有效保护IGBT不被损坏。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-09
PS9402集成IGBT VCEsat退饱与检测和米勒钳位功能，16脚SOP封装。
技术探讨
发布时间 : 2017-03-29
IGBT智能模块也就是IPM模块，该模块是集成驱动和主功率器件于一体的模块，客户无需外置驱动芯片，世强有代理Vincotech的IPM模块，例如20-1C121BA015SH-LB18A08，规格为1200V/15A的IPM模块。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-22
IGBT Module stack,IGDD6-1-426-D1616-E1N6-DL-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
IGBT Module stack,IGDD6-1-326-D1616-E1N6-DL-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
IGBT Module stack,IGDD6-4-326-D3816-E1F12-BL-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
IGBT Module stack,IGDD6-4-426-D3816-E1F12-BL-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
IGBT Module stack,IGDD6-2-326-D1616-E1F12-DH-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
IGBT Module stack,IGDD6-2-426-D1616-E1F12-DH-FA
数据手册
发布时间 : 2018-02-09
导致IGBT损坏主要是驱动异常、过压、过流导致过温这几方面的缘故。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-08
SiC MOSFET模块和Si IGBT模块之间的较量随着SiC 模块的大获全胜而终结。想知道它是如何做到的，一篇文章读懂其中奥秘！
厂牌及品类
发布时间 : 2016-01-29
flow90PIM 1无需L型散热片，IGBT4技术赋予更佳EMC表现，电机驱动应用优势明显。
新产品
发布时间 : 2017-03-10
两款封装了6个600V/6A的IGBT3技术的功率模块，设计紧凑，开关频率达100KHz以上。
新产品
发布时间 : 2017-05-18
在IGBT开关过程中，由于其DC+、DC-管脚与母线电容连接存在寄生电感，这部分电感在开关瞬间会产生很大的尖峰电压，为了保护IGBT不被过压损坏，需要使用
wima推出的IGBT专用snubber电容，其可以承受较大的di/dt，吸收尖峰电压，保护IGBT不被损坏。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-03-31
瑞萨G8H系列是首个TO-247 plus封装的内置二极管1250V/75A IGBT，实现业内最低功耗水平。
新产品
发布时间 : 2017-04-23
Renesas推出的小体积、高隔离能力驱动光耦PS9031，其输出电流能力高达2.5A，可以驱动150A以内的IGBT模块。
新应用
发布时间 : 2017-06-22
Renesas推出G8H IGBT实现管子开关的快速切换和低饱和导通压降，65μm的超薄晶圆，降低传导损耗。
新应用
发布时间 : 2017-08-08
采用最新IGBT H5芯片，耐压值达到650V，静态饱和压降Vce降低到1.75V，大幅度降低导通损耗！
新产品
发布时间 : 2016-03-21
MG12600WB-BR2MM 是 1200V、600A 的半桥 IGBT 模块，它以强大而又灵活的格式提供了高效率和快速的开关速度。
新产品
发布时间 : 2016-11-02
根据电压、电流以及芯片类型、拓扑结构等。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-10-23
PowerIntegrations的IGBT驱动器拥有非常广泛的应用范围，具体包括：电机拖动、机车牵引、轨道交通应用、风能、太阳能应用···
厂牌及品类
发布时间 : 2017-11-08
“绿色”充电桩发展迅猛，本文将从IGBT驱动模块入手——教您进一步优化直流充电桩的功率转换部分！
新产品
发布时间 : 2016-06-30
小强为你推荐的PI优秀的AC-DC转换器IC、LED驱动器和IGBT驱动器产品以及实用的辅助电源方案。
专题合辑
发布时间 : 2017-03-17
RJP65T43DPQ-A0是瑞萨公司推出的一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具有高开关速度，可以应用于功率因数校正电路。
新产品
发布时间 : 2018-02-06
从效率的角度，SIC是可以设计的比IGBT效率高，在开高频的情况下，SIC可以做到低的损耗，另外也可以减小滤波的体积，具体效率高多少，这个需要设计后去实测对比。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2018-04-09
具体的有Vincotech,英飞凌,富士等，推荐世强代理的Vincotech的IGBT模块。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-12-30
以Vincotech模块为例，igbt晶元温度和NTC温度一般相差是不大于10℃
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-11-07
带碳化硅肖特基二极管的IGBT大大降低了二极管的反向恢复损耗，同时，由于二极管的恢复特性会影响到IGBT的开关损耗，IGBT的开关损耗也因此会降低。这样，可以降低整体的开关损耗。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-05-17
要保护IGBT的门极不被高压脉冲损坏，一般采用瞬态脉冲吸收TVS管来实现，TVS管一般是并联在IGBT的门极，其反向电压一般选择跟门极工作电压相同或者略大于门极工作电压，这样当较高的脉冲过来时，TVS会雪崩击穿，将高压吸引到地，不会对门极造成伤害。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-12-03
要保护IGBT的门极不被高压脉冲损坏，一般采用瞬态脉冲吸收TVS管来实现，TVS管一般是并联在IGBT的门极，其反向电压一般选择跟门极工作电压相同或者略大于门极工作电压，这样当较高的脉冲过来时，TVS会雪崩击穿，将高压吸引到地，不会对门极造成伤害。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-12-03
传统的大功率IGBT模块继承了晶闸管的结构特点，采用螺栓式的连接方法，体积大，损耗大，寄生电感大。本公司的IGBT采用新的能流概念进行设计，寄生电感小，封装小，便于设计。在结构上采用夹挂技术，使得电路板、功率模块和散热器的连接更加简单可靠。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-05-18
强强联合---Vincotech推出的采用三菱第六代IGBT和英飞凌IGBT技术的flowPIM系列功率模块“双管齐下”，受到客户的一致好评！
厂牌及品类
发布时间 : 2016-04-28
采用PI智能驱动IDriver进行IGBT Vce压降的检测，以及出现故障时软关断IGBT。采用Melexis霍尔电流传感器MLX91208反馈过流故障。
设计经验
发布时间 : 2017-09-10
变频器内部IGBT模块在使用时的损坏原因主要有以下几种：1、过电流损坏，IGBT由于栅极驱动导致的擎住效应、长时间过流运行、短路超时都会造成过流损坏；2、过电压损坏和静电损坏，IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压超过IGBT器件的最高峰值电压，将造成IGBT击穿损坏；3、过热损坏，IGBT模块在运行时结温超过IGBT晶元的最大温度限定Tjmax=150℃，IGBT模块应用中其结温应限制在该值以下。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-08-30
在IGBT运行过程中，如果出现异常情况需要关断IGBT时，不能直接将门极驱动信号拉低，原因是瞬间关断IGBT会导致寄生电感上的能量无处泄放，从而有可能抬高母线电
压，使IGBT过压损坏。正确的做法是采用软关断功能，在合理时间内逐步拉低驱动信号，从而减少di/dt，防止故障的产生。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2017-07-31
目前市场上的充电桩普遍都是用MOS管，而使用MOS管的最主要的原因就是它的开关损耗低，造成这一结果的原因是IGBT关断时都有拖尾电流，而MOS管没有，这样导致MOS的关断损耗远低于IGBT的关断损耗.而LLC中，在特定负载条件下，可以让MOS的开通损耗下降到几乎为0，所以就可以让整体开关损耗非常低，而IGBT仍然要考虑关断损耗，所以LLC中目前大多还是用的MOS。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-12-18
IGBT驱动光耦内置BUFFER开关管都存在一定的管压降，所以实际的门极驱动电平Voh=Vcc-Vd，其中Vd是开关管的管压降。对于IGBT来讲，门极驱动电压的高电平需要+15V，RENESAS光耦内置管压降的典型值为1.3V，则驱动电源电压Vcc需要满足Voh+Vd=16.3V的条件，才能使IGBT处于完全导通的状态，降低导通损耗。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2016-09-29
flowNPC 0 IGBT耐压值高达1200V，比MNPC模块成本低10%。
新产品
发布时间 : 2017-08-21
推荐IGBT功率模块10-0B066PA030SB-M996F09，30A/600V，性价比高。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-03-24
推荐IGBT功率模块70-W212NMA600SC-M200P，其开关频率更高。
技术问答
来源 : 世强技术发布时间 : 2015-03-09
