IGBT的电压范围一般为多少？

IGBT产品从600v 到6500v都有。

IGBT目前频率能做到多大？

目前世强代理的瑞萨的IGBT可以做到100kHz。

IGBT模块损坏的原因都有哪些呢？

一般IGBT损坏多为过压，过流，过温导致。

怎么实现多个IGBT并联均流?

世强代理的Vincotech模块IGBT和RENESAS的IGBT在并联应用上，需要注意以下四点：1、并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量，因此需要尽量对称；2、IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的VF的差异，因此尽量采取同一批次的产品；3、IGBT模块所处的温度差异，散热条件尽可能的接近；4、门极回路中的杂散电感量的差异越小越好。

怎样保证igbt散热良好？

背面和地板尽量保证和散热器贴平，同时控制导热膏在60-80um。

IGBT 驱动栅极怎么保护？

栅极的保护主要有防静电，防止门极电压过高等，通常防静电可以在栅极与源极之间串10KΩ的电阻来；防止栅极电压过高可以在栅极加TVS管，通常选用±20V的TVS管；另外可以有源钳位的方式来限制门极电压，保护栅极。

世强有代理哪些igbt？

世强代理的IGBT品牌有Vincotech和renesas。其中，Vincotech主做IGBT模块，拓扑丰富，覆盖全功率范围。Renesas主做IGBT单管，适用于小功率产品应用。

脉冲变压器怎样组成IGBT驱动？

IGBT驱动需要满足两个参数：电气隔离和电流驱动。脉冲变压器首先要满足电气隔离要求，实现控制电路与高压功率电路的信号隔离传输；其次，脉冲变压器的输出功率要满足IGBT的驱动要求，驱动电压一般为+15V、-10V，驱动电流根据IGBT的Qg进行计算可得。

底板是平面和底板是针状的igbt那个更好？

有的IGBT的底板是平面的，有利于安装,有的是球面状的，有利于散热。

igbt总是坏下桥，为什么？

IGBT的上下桥参数与布局的差异是可以忽略不计的，损坏原因多与外围电路设计以及应用环境有关。

怎么样确定选用的igbt是否合适？

IGBT选用后，主要关注是否正负压驱动开通和关闭，且驱动电平在规格内，最恶劣的情况下的电压和电流在规格内并保留一定的裕量，并且温升是OK的，这样IGBT选用就符合应用电路环境了。

MOS管和IGBT各自的优势在哪里？

MOS管开关速度快，但是随着耐压升高，内阻迅速增大（不是线性增大），所以高压下内阻很大，不能做大功率应用。IGBT优势在于大功率应用。因此电压越高，IGBT越有优势，电压越低，MOS管越有优势。

请问现在IGBT是不是很紧张呀？

目前受市场需求火爆和晶圆供货紧张的原因，IGBT供货比较紧张，世强针对客户需求量大、货期较长的IGBT模块都会提前备货，尽可能满足客户的需求。

igbt安装面的平面度有要求吗？

为使IGBT模块与散热器有良好的接触，表面平面度要求：在100mm的平面上平面度≤25μm，表面粗糙度要求≤10μm。

igbt的底板材料有哪些？哪种最好？

地板材料一般用Cu或者铝基碳化硅做IGBT底板材料；效果上铝基碳化硅会好，在热传导，硬度及模块的可靠性是由于T铜基板的。

igbt使用，留多少余量比较好？

按照工业设计惯列，设计余量为额定的20%-30%，世强代理的IGBT模块本身的额定值已留有部分设计余量。

世强代理的igbt模块哪家好？

世强代理的Vincotech产品线可以提供标准IGBT模块产品，也可以提供定制化解决方案。

怎样测试igbt模块晶元的温度？

如果是模块的话，一般用里面的NTC来衡量，如果是单管的话，直接测的IGBT 集电极温升来衡量。

igbt上下桥的均流如何做？

IGBT的集电极电流和温升有关，因此为使得上下桥均流，尽可能的保证上下桥温升一致，同时桥臂中点电压尽量平衡。

IGBT现在能做大电流电压？

世强代理RENESAS的IGBT单管，电压电流等级可以做到1250V/75A。如果是IGBT模块，世强代理Vincotech的模块，电压电流规格根据不同的应用拓扑，规格不一样，例如半桥的E3模块，可以做到1200V/690A。

【应用】输出电流2.5A智能驱动光耦助力UPS IGBT设计

PS9402在满足常规的IGBT驱动功能的同时，还集成了IGBT Vce电压退饱和检测功能。

该如何设计多个IGBT串联的电路？

IGBT串联应用电路中，静态情况下影响串联均压的主要因素是阻断特性，动态情况下影响串联均压的主要因素是开关时间不一致。为了得到比较理想的均压状态，常采用并联电阻法和缓冲吸收法来解决。并联电阻法主要用来进行静态均压，在IGBT模块串联使用时，为了做到比较理想的均压状态，必须并联电阻以削减阻断特性不一致的影响。要使流过并联电阻上的漏电流为IGBT漏电流的5~10倍，才能做到比较好的均压。缓冲吸收电路有助于动态均压，缓冲电路减小、平衡了器件开关时刻的dv/dt速度。

igbt的保护策略一般有哪些？

1、IGBT栅极与发射极之间的电压，需在规格内，避免超规风险，前端驱动隔离设计，避免驱动干扰。2、IGBT集电极与发射极之间的电压，电压需留足够裕量，加吸收电容避免两端的瞬间电压冲击，调节驱动电阻和优化回路杂散电感，降低反压。3、优化散热环境，增大散热器，增加风冷、水冷等散热方式，采用高导热系数的散热膏等降低器件温升。

IGBT SIP Module(Ultrafast IGBT)

VS-CPV363M4UPbF

IGBT SIP Module(Fast IGBT)

VS-CPV362M4UPbF

IGBT SIP Module (Fast IGBT)

VS-CPV362M4FPbF

IGBT SIP Module(Fast IGBT)

CPV364M4FPbF

IGBT SIP Module(Ultrafast IGBT)

CPV364M4UPbF

IGBT SIP Module(Ultrafast IGBT)

CPV363M4UPbF

“Full Bridge” IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 A

VS-25MT060WFAPbF

“Half Bridge” IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 114 A

VS-50MT060WHTAPbF

“Half Bridge” IGBT MTP (Warp 2 Speed IGBT), 70 A

VS-70MT060WHTAPbF

采用第 6 代 IGBT 硅片的 IGBT 模块

IGBT IGBT Application Note

200A的igbt模块，可以发挥多大电流？

根据具体应用选型，一般设计会留有至少20%以上的电流裕量，世强代理Vincotech的200A半桥、全桥和六管IGBT模块，可供选择。

igbt一般做哪些保护策略？

IGBT的保护通常有过流、过热和过压保护。过流保护通常采用Vce退饱和压降检测方式实现，过热保护通常采用NTC电阻检测温升实现，过压保护通常采用有源钳位的方式实现。

对于IGBT，如何最简单的测量其性能好坏？？？

双脉冲实验可以测出IGBT的性能。

Manufacturing Technology of a Small Capacity Inverter Using a Fairchild IGBT

IGBT

IGBT智能模块有何作用？

IGBT智能模块也就是IPM模块，该模块是集成驱动和主功率器件于一体的模块，客户无需外置驱动芯片，世强有代理Vincotech的IPM模块，例如20-1C121BA015SH-LB18A08，规格为1200V/15A的IPM模块。

【产品】强强联合！应用英飞凌&三菱IGBT技术的功率模块

Vincotech推出了高集成度六管封装IGBT功率模块系列——FlowPACK 2，采用了英飞凌新一代IGBT4技术和三菱第六代IGBT芯片技术，全新的压接技术，适用于工业驱动设备中。

【技术】详析IGBT功率模块并联技术及良好均流实现

本文针对电动大巴驱动器内部常用的EconoDUAL3模块，详析IGBT的并联技术，以及如何实现IGBT模块并联的良好均流。

【产品】让你实现“鱼与熊掌可兼得”的IGBT H5模块

采用IGBT H5模块，既可以获得接近COOLMOS的开关速度，又可以满足花费IGBT模块的低价成本。因此说IGBT H5模块可实现“鱼”与“熊掌”兼得的梦想。

新型IGBT智能门极驱动的好帮手

采用智能门极驱动Si8286为核心的IGBT驱动电路，可以实现优越的工作性能，弥补常用IGBT驱动模块的不足。

【产品】免焊弹簧接触IGBT功率模块，安装从未如此简单！

采用IGBT3和IGBT4技术，具有良好的开关特性和导通损耗，独特的封装让其无需焊接，简单可靠。

【产品】空调PFC电路用650V耐压IGBT问世

+650V耐压IGBT“RJP65T54DPM-E0”削减了IGBT的电力损失，由此可提高空调的电力效率。

【产品】性能优化，电焊机中的IGBT迎来春天

随着功率开关性能的不断提升优化，IGBT逆变焊机迎来属于自己的春天！IGBT 逆变焊机在行业中越来越占据主导地位。

RENESAS 第八代IGBT单管，不亚于业内ES5技术的IGBT单管

RENESAS在IGBT单管产品上的最新一代技术为G8H技术，电流规格可高达75A。在工业市场，其中UPS、光伏和充电桩等市场产品均有使用CompanyA-ES5的IGBT单管。但总体损耗G8H技术的RBN50H65T1FPQ-A0更低。故RENESAS的G8H技术IGBT单管在应用于UPS、光伏和充电桩等市场产品上时，IGBT单管在总体上的性能表现将比CompanyA-ES5更佳。

【经验】使用隔离驱动芯片配合电阻串实现IGBT退饱和保护

驱动电路通过PI隔离驱动SID11x2K与电阻串配合，检测IGBT的CE极间压降变化，从而实现了IGBT退饱和保护功能，避免出现过流引起的炸机故障，提高可靠性。

【产品】90°安装IGBT模块，完美匹配书架式小型化逆变器！

flow90PACK 1采用了英飞凌IGBT3和IGBT4技术，集成了全桥电路和NTC检测电路。

不得不说的IGBT保护者之吸收电容

在电力电子系统中，IGBT常常是主要的开关器件，IGBT损坏，可能会导致相当大的经济损失，为了抑制尖峰电压，除了在IGBT驱动器上采用一定的措施如有源钳位等进行电压钳位外，还需要在直流母线两端添加吸收电容，吸收掉尖峰电压。

【专题】IPM缺货缺料，IGBT模块来“救火”

【经验】如何正确理解IGBT模块规格书中的电流参数？

IGBT规格书一般会给出ICnom、IC、ICRM、It(RMS)这几个电流参数。如何正确理解IGBT几个电流参数的定义和深层次的含义，本文将做详细的讲解。

【产品】大功率电机驱动金牌选择！基于英飞凌IGBT的功率模块

V23990-P76X-PM是Vincotech高集成IGBT功率模块系列，采用英飞凌IGBT4、IGBT3芯片技术，最大耐压为1200V，输出电流35~100A，采用全新的压接技术，适用于功率电机驱动和发电设备应用。

【经验】实现变频器IGBT驱动的过流保护和故障反馈的方法

采用PI智能驱动IDriver进行IGBT Vce压降的检测，以及出现故障时软关断IGBT。采用Melexis霍尔电流传感器MLX91208反馈过流故障。

【产品】低损耗高开关频率IGBT，省钱又省心的选择！

瑞萨G8H系列是首个TO-247 plus封装的内置二极管1250V/75A IGBT，实现业内最低功耗水平。

具备高开关速度及效率的低功耗IGBT模块

工业电子产品的好帮手：IGBT模块。新增的1700V半桥模块产品组合可将Littelfuse IGBT电源模块推向要求更严苛的工业应用。

【应用】IGBT功率模块在充电设备上的应用

半导体材料在当前的电池充电应用中扮演着越来越重要的角色，Vincotech公司开发了一系列针对这种应用的全功率范围的功率模块，该模块设计大大节省了PCB板的面积。

在设计大功率轨道升压电源时，由于单个IGBT模块电流不能满足要求，需要多个IGBT模块并联使用，在并联IGBT模块时需要注意哪些事项？

并联使用IGBT组成开关器件可以使整个系统得到更高的额定电流，但是设计并联系统时必须考虑模块特性、驱动电路以及电路的布局。1、由于电流分配的不均衡，使n个IGBT并联的额定电流并不等于n倍的单个模块的额定电流，所以对并联IGBT模块必须降额使用。2、并联模块的驱动一定要做到同步，最好选用驱动能力强的驱动器，用同一驱动信号同时驱动并联模块。

【产品】全新采用IGBT M7技术功率模块，运动控制应用首选

Vincotech的IGBT M7功率模块使用了全新的超薄晶圆处理技术和优化的电池设计，将静态损耗降低了20％。

【经验】如何解决EMC干扰带来的IGBT误导通问题？

PI SID1182K门极驱动芯片经常用于大功率变频器IGBT驱动， MCU的PWM驱动信号连接到隔离驱动SID1182K，实现驱动电平转换、增大驱动电流，从而完成IGBT驱动功能。

【产品】满足45kW应用的免焊IGBT模块，一颗螺丝搞定安装

MiniSKiiP PIM 1采用英飞凌IGBT3和IGBT4技术，具有超低损耗和极佳EMC表现。

新型结构的IGBT功率模块为UPS应用降低EMI并节约成本

传统的功率IGBT模块用在UPS造成的问题一是寄生电感大，EMI问题严重；二是由于必须通过铜排进行连接，成本高。而世强代理的新型结构的IGBT功率模块能较好的解决这些问题。

【产品】浅析7管封装的IGBT模块

Vincotech除了拥有各类PIM模块外，还有着丰富封装的七单元模块来满足各类需求，使它在电机驱动领域内有着极高的造诣。

汽车上igbt的ppm一般要求多少？

IGBT有很多参数，一般在汽车上很少说IGBT的PPM，汽车的一般零部件要求在300PPM以内。

igbt散热，底板只能涂导热硅脂吗？

igbt散热，底板多采用涂导热硅脂和贴导热硅纸的方式减小IGBT的底板与散热器空隙，增加接触面积，加强散热效果。

igbt做的比较好的有哪几家？世强代理了哪些？

世强代理了RBNESAS的IGBT单管和Vincotech的IGBT模块。IGBT单管做的比较好的有英飞凌、RENESAS等，单管最大做到1250V/75A。IGBT模块做得比较好的有英飞凌、三菱、Vincotech、赛米控，富士等

如何准确有效实现IGBT 的保护？

可以在驱动端加入退饱和检测以及软关断功能，可以有效的保护IGBT;

大幅度降低导通损耗！新能源应用首选IGBT模块

采用最新IGBT H5芯片，耐压值达到650V，静态饱和压降Vce降低到1.75V，大幅度降低导通损耗！

【选型】替换3倍电流的Si IGBT模块，SiC模块怎么做到？

SiC MOSFET模块和Si IGBT模块之间的较量随着SiC 模块的大获全胜而终结。想知道它是如何做到的，一篇文章读懂其中奥秘！

京瓷IGBT模块的晶圆是自己的吗？主要在哪些市场使用？

KYOCERA发布的IGBT模块如PHMB、PTMB、PDMB系列均是老版的IGBT模块，采用的晶圆是ABB的，因市场推广中不具备优势，此部分KYOCERA目前已经不主推，不过，后续计划选用的自己的晶圆做新型IGBT模块。

电池热管理：目前电机控制器中igbt型号？

根据不同的电流和电压应用规格，IGBT型号各不一样。世强代理的RENESAS单管IGBT和Vincotech模块IGBT基本涵盖所有电流和电压应用规格

选型时，怎样评估igbt使用的余量留多少？

对于不同的应用电路，IGBT的电流裕量是不同的。通常对于电机驱动类感性负载，IGBT的电流裕量选择在2.5倍左右，对于电源类应用，IGBT的电流裕量选择在1.5倍左右。

为什么功率模块IGBT不太适合并联使用？

因为功率模块并联使用时需要功率器件在温度变化时，其导通内阻保持一致性，从而保证电流平均流过并联的IGBT。这就要求功率模块IGBT具有正温度系数，而之前的功率模块IGBT多半不能满足要求，但随着技术进步现在的功率模块IGBT大部分能够满足并联需求的正温度系数，比如我们部分IGBT就具有正温度系数。

一颗IGBT驱动芯片实现商用空调驱动设计，降低设计成本和体积

PI SID11X2K IGBT驱动芯片由于最大输出8A的电流，通常在驱动外围上可以省掉一对推挽管，简化电路设计又降低设计成本；SID11X2K IGBT驱动芯片具有软关断，相比IGBT的硬关断，可以降低IGBT的自身损耗同时避免损坏IGBT；作为商用空调的驱动电路设计，PI SID11X2K IGBT驱动芯片带来高的可靠性同时又简化电路，降低设计成本和体积，提升产品的竞争力。

【应用】PI的IGBT驱动器产品应用介绍

PowerIntegrations的IGBT驱动器拥有非常广泛的应用范围，具体包括：电机拖动、机车牵引、轨道交通应用、风能、太阳能应用···

【产品】二极管与IGBT完美结合的双BOOST功率模块

flowBOOST 0 dual集成双Boost电路的二极管与IGBT，寄生阻抗、电磁干扰显著减少，适于1200V、40A大功率应用。

【经验】驱动电压及驱动功率选取对IGBT驱动设计的影响

对于驱动电路的设计，往往会考虑设计时的驱动电压及驱动功率两个方面,除了驱动的外围设计电路，关键还需要驱动芯片，SILICON LABS推出的SI8261，专门针对于IGBT的驱动，具有4A的峰值驱动能力，属于轨到轨输出，供电电压可以从6.5V-30V。

如何从驱动IGBT入手——优化直流充电桩的功率转换

“绿色”充电桩发展迅猛，本文将从IGBT驱动模块入手——教您进一步优化直流充电桩的功率转换部分！

【精选】业界首款8A IGBT驱动IC及辅助电源方案

小强为你推荐的PI优秀的AC-DC转换器IC、LED驱动器和IGBT驱动器产品以及实用的辅助电源方案。

【选型】 KEC IGBT Solution选型指南

国产做igbt的有哪些厂家？

设计有中科君芯，西安芯派，无锡同方微等，模组有比亚迪，西安永电等。

IGBT Gate Drive Considerations

NGTB40N60IHLWG IGBT

NGTB40N60IHLWG

NGTB20N120LWG IGBT

NGTB20N120LWG

NGTB20N120IHLWG IGBT

NGTB20N120IHLWG

NGTB30N120IHSWG IGBT

NGTB30N120IHSWG

NGTB40N120LWG IGBT

NGTB40N120LWG

NGTB30N120LWG IGBT

NGTB30N120LWG

NGTB40N120IHLWG IGBT

NGTB40N120IHLWG

NGTB30N120IHLWG IGBT

NGTB30N120IHLWG

IGBT ECONO3 Module, 100 A

VS-GB100YG120NT

Widebody 2.5 A IGBT and MOSFET Driver

VOW3120,VOW3120-X001,VOW3120-X017T

DiscreteDevices:MOSFET's,IGBT's,Diodes

AEC‐Q101,JESD‐47,JESD‐46C,JESD22‐A113

IGBT Power Modules

VS-GB90DA60U,VS-GT140DA60U,VS-GB90DA120U,VS-GT175DA120U,VS-GB75LA60UF,VS-GT105LA120UX,VS-GT120DA65U,VS-GP250SA60S,VS-GB300AH120N,VS-GB400AH120N,VS-GB600AH120N,VS-ETF075Y60U,VS-ETF150Y65N,VS-ETF150Y65U

1200V IGBT4