如何防止IGBT温度过高？

不要超额使用IGBT，增大散热片，且在IGBT附近用风扇散热

电压震荡，对igbt模块有什么影响？

电压振荡对IGBT影响很大，比如是VDS的振荡可能造成实际电压超过IGBT耐压值而损坏；另外振荡对于IGBT的性能也受影响；如果是VGS的振荡可能造车门极电压接近或超过IGBT的规定值造成IGBT损坏；振荡现象需要去抑制的；

IGBT的电流范围一般为多少？

一般来讲有0~4500A的IGBT产品。

IGBT的电压范围一般为多少？

IGBT产品从600v 到6500v都有。

IGBT目前频率能做到多大？

目前世强代理的瑞萨的IGBT可以做到100kHz。

IGBT模块损坏的原因都有哪些呢？

一般IGBT损坏多为过压，过流，过温导致。

【应用】如何实现IGBT驱动电路的可靠设计？

Renesas推出的小体积、高隔离能力驱动光耦PS9031，其输出电流能力高达2.5A，可以驱动150A以内的IGBT模块。

三菱的igbt怎么样？

三菱IGBT主要集中在IGBT模块和IPM上，主要应用于工业、电力机车、电力行业变频器上，以大电流高电压为主，行业排名前三。世强代理的威科（Vincotech）IGBT模块在部分领域的应用优势也不次于三菱的IGBT模块。

怎么实现多个IGBT并联均流?

世强代理的Vincotech模块IGBT和RENESAS的IGBT在并联应用上，需要注意以下四点：1、并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量，因此需要尽量对称；2、IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的VF的差异，因此尽量采取同一批次的产品；3、IGBT模块所处的温度差异，散热条件尽可能的接近；4、门极回路中的杂散电感量的差异越小越好。

【产品】直角安装IGBT功率模块，方便还省钱

flow90PIM 1无需L型散热片，IGBT4技术赋予更佳EMC表现，电机驱动应用优势明显。

最简单易用的7管封装的IGBT模块

IGBT的优势在于输入阻抗很高，开关速率快，导通态电压低，关断时阻断电压高，集电极和发射机承受电流大的特点，目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。

世强有代理哪些igbt？

世强代理的IGBT品牌有Vincotech和renesas。其中，Vincotech主做IGBT模块，拓扑丰富，覆盖全功率范围。Renesas主做IGBT单管，适用于小功率产品应用。

脉冲变压器怎样组成IGBT驱动？

IGBT驱动需要满足两个参数：电气隔离和电流驱动。脉冲变压器首先要满足电气隔离要求，实现控制电路与高压功率电路的信号隔离传输；其次，脉冲变压器的输出功率要满足IGBT的驱动要求，驱动电压一般为+15V、-10V，驱动电流根据IGBT的Qg进行计算可得。

国产的igbt厂家有哪些？

国产IGBT厂家有嘉兴斯达、中科君芯、中芯国际、吉林华微、杭州士兰微等。

底板是平面和底板是针状的igbt那个更好？

有的IGBT的底板是平面的，有利于安装,有的是球面状的，有利于散热。

igbt总是坏下桥，为什么？

IGBT的上下桥参数与布局的差异是可以忽略不计的，损坏原因多与外围电路设计以及应用环境有关。

怎样保证igbt散热良好？

背面和地板尽量保证和散热器贴平，同时控制导热膏在60-80um。

IGBT 驱动栅极怎么保护？

栅极的保护主要有防静电，防止门极电压过高等，通常防静电可以在栅极与源极之间串10KΩ的电阻来；防止栅极电压过高可以在栅极加TVS管，通常选用±20V的TVS管；另外可以有源钳位的方式来限制门极电压，保护栅极。

怎么样确定选用的igbt是否合适？

IGBT选用后，主要关注是否正负压驱动开通和关闭，且驱动电平在规格内，最恶劣的情况下的电压和电流在规格内并保留一定的裕量，并且温升是OK的，这样IGBT选用就符合应用电路环境了。

MOS管和IGBT各自的优势在哪里？

MOS管开关速度快，但是随着耐压升高，内阻迅速增大（不是线性增大），所以高压下内阻很大，不能做大功率应用。IGBT优势在于大功率应用。因此电压越高，IGBT越有优势，电压越低，MOS管越有优势。

请问现在IGBT是不是很紧张呀？

目前受市场需求火爆和晶圆供货紧张的原因，IGBT供货比较紧张，世强针对客户需求量大、货期较长的IGBT模块都会提前备货，尽可能满足客户的需求。

不带铜底板IGBT功率模块的散热设计

不带铜底板的IGBT模块已经成为模块封装发展的一个趋势，本文通过大量仿真及实验数据，介绍了Vincotech公司推出的预涂高性能导热硅脂服务对模块散热的改善效果。

igbt哪家性能比较好？

就单管IGBT来说，世强代理的瑞萨第八代单管IGBT，在工业市场均有使用，采用新一代的G8H技术，电流规格可达75A，详细对比参数详见https://www.sekorm.com/news/32271642.html； 就IGBT模块来说，世强代理的德国威科IGBT模块目前在大功率市场均有使用，模块应用于工业驱动器、嵌入式驱动器、太阳能逆变器、不间断电源、开关电源、电焊机等领域，详细参数详见https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=65932；

igbt模块的底板用什么材料最好？

IGBT低板材料一般用铜或者铝基碳化硅，而从热传导、硬度及模块的可靠性上讲，铝基碳化硅相对铜底板材料更好些。

igbt安装面的平面度有要求吗？

为使IGBT模块与散热器有良好的接触，表面平面度要求：在100mm的平面上平面度≤25μm，表面粗糙度要求≤10μm。

igbt的底板材料有哪些？哪种最好？

地板材料一般用Cu或者铝基碳化硅做IGBT底板材料；效果上铝基碳化硅会好，在热传导，硬度及模块的可靠性是由于T铜基板的。

igbt使用，留多少余量比较好？

按照工业设计惯列，设计余量为额定的20%-30%，世强代理的IGBT模块本身的额定值已留有部分设计余量。

世强代理的igbt模块哪家好？

世强代理的Vincotech产品线可以提供标准IGBT模块产品，也可以提供定制化解决方案。

怎样测试igbt模块晶元的温度？

如果是模块的话，一般用里面的NTC来衡量，如果是单管的话，直接测的IGBT 集电极温升来衡量。

igbt上下桥的均流如何做？

IGBT的集电极电流和温升有关，因此为使得上下桥均流，尽可能的保证上下桥温升一致，同时桥臂中点电压尽量平衡。

【应用】输出电流2.5A智能驱动光耦助力UPS IGBT设计

PS9402在满足常规的IGBT驱动功能的同时，还集成了IGBT Vce电压退饱和检测功能。

ABB做igbt模块吗？

ABB有做IGBT模块，但是世强代理Vincotech的IGBT模块，集成各种封装拓扑，独有的封装技术，模块拥有低杂散电感特点且在各大市场均有广泛的应用。Vincotech的选型手册链接如下：https://www.sekorm.com/doc/65932.html。

IGBT现在能做大电流电压？

世强代理RENESAS的IGBT单管，电压电流等级可以做到1250V/75A。如果是IGBT模块，世强代理Vincotech的模块，电压电流规格根据不同的应用拓扑，规格不一样，例如半桥的E3模块，可以做到1200V/690A。

【经验】高压隔离驱动芯片实现IGBT的过流短路保护

很多设计师在设计IGBT的驱动电路时，都会遇到IGBT的保护功能上的困难问题：怎么能更好实现IGBT的过流短路保护，防止IGBT损坏。以笔者设计的轨道交通大功率变频器设计项目为例，采用PI公司的高压隔离驱动芯片2SC0435T2F0-17进行IGBT的开通和关断。

【产品】采用最新IGBT M7芯片的IGBT模块，最大工作电流200A，功率损耗降10%

2018年07月，Vincotech推出的MiniSKiiP®PACK和MiniSKiiP®PIM系列IGBT产品，此系列IGBT产品采用高度自动化生产设备生产，采用最新的IGBT M7芯片，最大工作电流可达到200A，具有优越的性能和多重采购渠道，可以减少最大限度地减少客户的供应链风险。

该如何设计多个IGBT串联的电路？

IGBT串联应用电路中，静态情况下影响串联均压的主要因素是阻断特性，动态情况下影响串联均压的主要因素是开关时间不一致。为了得到比较理想的均压状态，常采用并联电阻法和缓冲吸收法来解决。并联电阻法主要用来进行静态均压，在IGBT模块串联使用时，为了做到比较理想的均压状态，必须并联电阻以削减阻断特性不一致的影响。要使流过并联电阻上的漏电流为IGBT漏电流的5~10倍，才能做到比较好的均压。缓冲吸收电路有助于动态均压，缓冲电路减小、平衡了器件开关时刻的dv/dt速度。

igbt的保护策略一般有哪些？

1、IGBT栅极与发射极之间的电压，需在规格内，避免超规风险，前端驱动隔离设计，避免驱动干扰。2、IGBT集电极与发射极之间的电压，电压需留足够裕量，加吸收电容避免两端的瞬间电压冲击，调节驱动电阻和优化回路杂散电感，降低反压。3、优化散热环境，增大散热器，增加风冷、水冷等散热方式，采用高导热系数的散热膏等降低器件温升。

对于IGBT，如何最简单的测量其性能好坏？？？

双脉冲实验可以测出IGBT的性能。

200A的igbt模块，可以发挥多大电流？

根据具体应用选型，一般设计会留有至少20%以上的电流裕量，世强代理Vincotech的200A半桥、全桥和六管IGBT模块，可供选择。

igbt一般做哪些保护？

IGBT的保护通常有过流、过热和过压保护。过流保护通常采用Vce退饱和压降检测方式实现，过热保护通常采用NTC电阻检测温升实现，过压保护通常采用有源钳位的方式实现。

igbt一般做哪些保护策略？

IGBT的保护通常有过流、过热和过压保护。过流保护通常采用Vce退饱和压降检测方式实现，过热保护通常采用NTC电阻检测温升实现，过压保护通常采用有源钳位的方式实现。

IGBT SIP Module(Fast IGBT)

IGBT SIP Module(Ultrafast IGBT)

IGBT SIP Module(Ultrafast IGBT)

“Full Bridge” IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 A

“Half Bridge” IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 114 A

“Half Bridge” IGBT MTP (Warp 2 Speed IGBT), 70 A

采用第 6 代 IGBT 硅片的 IGBT 模块

IGBT IGBT Application Note

【选型】ALN基板IGBT功率模块和AL2O3基板IGBT功率模块该如何选择？

vincotech同一个系列的IGBT封装模块在同样的工作频率下，采用ALN基板的IGBT模块的发热量更低，模块总体能承受的电流能力将比采用Al2O3基板的IGBT模块高60%。

【产品】强强联合！应用英飞凌&三菱IGBT技术的功率模块

Vincotech推出了高集成度六管封装IGBT功率模块系列——FlowPACK 2，采用了英飞凌新一代IGBT4技术和三菱第六代IGBT芯片技术，全新的压接技术，适用于工业驱动设备中。

IGBT智能模块有何作用？

IGBT智能模块也就是IPM模块，该模块是集成驱动和主功率器件于一体的模块，客户无需外置驱动芯片，世强有代理Vincotech的IPM模块，例如20-1C121BA015SH-LB18A08，规格为1200V/15A的IPM模块。

【产品】让你实现“鱼与熊掌可兼得”的IGBT H5模块

采用IGBT H5模块，既可以获得接近COOLMOS的开关速度，又可以满足花费IGBT模块的低价成本。因此说IGBT H5模块可实现“鱼”与“熊掌”兼得的梦想。

【技术】详析IGBT功率模块并联技术及良好均流实现

本文针对电动大巴驱动器内部常用的EconoDUAL3模块，详析IGBT的并联技术，以及如何实现IGBT模块并联的良好均流。

新型IGBT智能门极驱动的好帮手

采用智能门极驱动Si8286为核心的IGBT驱动电路，可以实现优越的工作性能，弥补常用IGBT驱动模块的不足。

【产品】免焊弹簧接触IGBT功率模块，安装从未如此简单！

采用IGBT3和IGBT4技术，具有良好的开关特性和导通损耗，独特的封装让其无需焊接，简单可靠。

【产品】1200V 450A/300A IGBT模块，提供广泛的IGBT模块组合

Littelfuse推出的MG1225H-XN2MM 系列 IGBT模块采用现代IGBT技术，能够可靠、灵活地提供高效率和极快的开关速度。 Littelfuse用于电源控制应用，提供广泛的IGBT模块组合，适用于灵活高效的电机控制和逆变器应用。

【产品】空调PFC电路用650V耐压IGBT问世

+650V耐压IGBT“RJP65T54DPM-E0”削减了IGBT的电力损失，由此可提高空调的电力效率。

【产品】性能优化，电焊机中的IGBT迎来春天

随着功率开关性能的不断提升优化，IGBT逆变焊机迎来属于自己的春天！IGBT 逆变焊机在行业中越来越占据主导地位。

【经验】使用隔离驱动芯片配合电阻串实现IGBT退饱和保护

驱动电路通过PI隔离驱动SID11x2K与电阻串配合，检测IGBT的CE极间压降变化，从而实现了IGBT退饱和保护功能，避免出现过流引起的炸机故障，提高可靠性。

【产品】可驱动高达3300V的即插即用型IGBT，具有动态IGBT短路保护功能，支持直接并联

1SP0635是POWER INTEGRATIONS推出的即插即用型IGBT。1SP0635可以驱动高达1200V-3300V的电压，采用主/从配置法可并联操作IGBT模块主板（1SP0635V或1SP0635S），可用作独立的驱动器来驱动单个IGBT模块，而无需从板，也可与最多三个从板（1SP0635D）共用，驱动最多四个并联IGBT模块。主驱动配有光纤接口，具有全局故障管理功能。

RENESAS 第八代IGBT单管，不亚于业内ES5技术的IGBT单管

RENESAS在IGBT单管产品上的最新一代技术为G8H技术，电流规格可高达75A。在工业市场，其中UPS、光伏和充电桩等市场产品均有使用CompanyA-ES5的IGBT单管。但总体损耗G8H技术的RBN50H65T1FPQ-A0更低。故RENESAS的G8H技术IGBT单管在应用于UPS、光伏和充电桩等市场产品上时，IGBT单管在总体上的性能表现将比CompanyA-ES5更佳。

现货替代Infineon英飞凌IGBT，交期短，不缺货

Infineon英飞凌IGBT交期约30周，并有延长趋势。瑞萨IGBT可替换Infineon英飞凌IGBT，性能较英飞凌IGBT也有较大提升，交期较英飞凌IGBT大大缩短，不缺货，经过市场验证。

【经验】Vincotech IGBT模块内置NTC温度检测电阻，让IGBT温度检测更精确

传统的温度检测方式为在铝散热器上安装一个外置的NTC电阻，该检测方法并不能及时、精准的检测IGBT模块的温度变化。Vincotech推出的IGBT模块全部都内置有NTC温度检测电阻，检测温度更为精准，对温度变化的感知也更加及时。本文以Vincotech一款三电平IGBT模块10-FY07NPA150SM02-L365F08为例，介绍该模块内部晶圆和NTC布局图。

【产品】90°安装IGBT模块，完美匹配书架式小型化逆变器！

flow90PACK 1采用了英飞凌IGBT3和IGBT4技术，集成了全桥电路和NTC检测电路。

不得不说的IGBT保护者之吸收电容

在电力电子系统中，IGBT常常是主要的开关器件，IGBT损坏，可能会导致相当大的经济损失，为了抑制尖峰电压，除了在IGBT驱动器上采用一定的措施如有源钳位等进行电压钳位外，还需要在直流母线两端添加吸收电容，吸收掉尖峰电压。

【经验】H6.5 IGBT功率模块相比于单管IGBT寄生电感低，助力光伏并网逆变器加入“领跑者”

光伏并网逆变器要想加入“领跑者”行列，必须在整机效率上达到要求。传统单相光伏逆变器基本上采用的都是IGBT单管方案，拓扑方面基本集中在H5,H6,HERIC这三种。近年来随着户用分布式的需求，单相10kW光伏并网逆变器成为各家逆变器厂家争相推出的机型。但随着功率等级的提升，电流等级的提升，对IGBT的工作环境就有了较为严苛的要求。

IGBT驱动器选型需要注意哪些参数？

IGBT驱动器的主要参数是驱动电流和开关速度，隔离电压

【经验】如何正确理解IGBT模块规格书中的电流参数？

IGBT规格书一般会给出ICnom、IC、ICRM、It(RMS)这几个电流参数。如何正确理解IGBT几个电流参数的定义和深层次的含义，本文将做详细的讲解。

【专题】IPM缺货缺料，IGBT模块来“救火”

【产品】大功率电机驱动金牌选择！基于英飞凌IGBT的功率模块

V23990-P76X-PM是Vincotech高集成IGBT功率模块系列，采用英飞凌IGBT4、IGBT3芯片技术，最大耐压为1200V，输出电流35~100A，采用全新的压接技术，适用于功率电机驱动和发电设备应用。

【产品】低损耗高开关频率IGBT，省钱又省心的选择！

瑞萨G8H系列是首个TO-247 plus封装的内置二极管1250V/75A IGBT，实现业内最低功耗水平。

【经验】实现变频器IGBT驱动的过流保护和故障反馈的方法

采用PI智能驱动IDriver进行IGBT Vce压降的检测，以及出现故障时软关断IGBT。采用Melexis霍尔电流传感器MLX91208反馈过流故障。

具备高开关速度及效率的低功耗IGBT模块

工业电子产品的好帮手：IGBT模块。新增的1700V半桥模块产品组合可将Littelfuse IGBT电源模块推向要求更严苛的工业应用。

【应用】瑞萨第八代IGBT满足UPS高效节能设计所需

Renesas推出G8H IGBT实现管子开关的快速切换和低饱和导通压降，65μm的超薄晶圆，降低传导损耗。

【应用】IGBT功率模块在充电设备上的应用

半导体材料在当前的电池充电应用中扮演着越来越重要的角色，Vincotech公司开发了一系列针对这种应用的全功率范围的功率模块，该模块设计大大节省了PCB板的面积。

【产品】满足45kW应用的免焊IGBT模块，一颗螺丝搞定安装

MiniSKiiP PIM 1采用英飞凌IGBT3和IGBT4技术，具有超低损耗和极佳EMC表现。

【产品】全新采用IGBT M7技术功率模块，运动控制应用首选

Vincotech的IGBT M7功率模块使用了全新的超薄晶圆处理技术和优化的电池设计，将静态损耗降低了20％。

【经验】如何解决EMC干扰带来的IGBT误导通问题？

PI SID1182K门极驱动芯片经常用于大功率变频器IGBT驱动， MCU的PWM驱动信号连接到隔离驱动SID1182K，实现驱动电平转换、增大驱动电流，从而完成IGBT驱动功能。

新型结构的IGBT功率模块为UPS应用降低EMI并节约成本

传统的功率IGBT模块用在UPS造成的问题一是寄生电感大，EMI问题严重；二是由于必须通过铜排进行连接，成本高。而世强代理的新型结构的IGBT功率模块能较好的解决这些问题。

在设计大功率轨道升压电源时，由于单个IGBT模块电流不能满足要求，需要多个IGBT模块并联使用，在并联IGBT模块时需要注意哪些事项？

并联使用IGBT组成开关器件可以使整个系统得到更高的额定电流，但是设计并联系统时必须考虑模块特性、驱动电路以及电路的布局。1、由于电流分配的不均衡，使n个IGBT并联的额定电流并不等于n倍的单个模块的额定电流，所以对并联IGBT模块必须降额使用。2、并联模块的驱动一定要做到同步，最好选用驱动能力强的驱动器，用同一驱动信号同时驱动并联模块。

汽车上igbt的ppm一般要求多少？

IGBT有很多参数，一般在汽车上很少说IGBT的PPM，汽车的一般零部件要求在300PPM以内。

igbt散热，底板只能涂导热硅脂吗？

igbt散热，底板多采用涂导热硅脂和贴导热硅纸的方式减小IGBT的底板与散热器空隙，增加接触面积，加强散热效果。

大幅度降低导通损耗！新能源应用首选IGBT模块

采用最新IGBT H5芯片，耐压值达到650V，静态饱和压降Vce降低到1.75V，大幅度降低导通损耗！

【选型】替换3倍电流的Si IGBT模块，SiC模块怎么做到？

SiC MOSFET模块和Si IGBT模块之间的较量随着SiC 模块的大获全胜而终结。想知道它是如何做到的，一篇文章读懂其中奥秘！

【产品】浅析7管封装的IGBT模块

Vincotech除了拥有各类PIM模块外，还有着丰富封装的七单元模块来满足各类需求，使它在电机驱动领域内有着极高的造诣。

igbt做的比较好的有哪几家？世强代理了哪些？

世强代理了RBNESAS的IGBT单管和Vincotech的IGBT模块。IGBT单管做的比较好的有英飞凌、RENESAS等，单管最大做到1250V/75A。IGBT模块做得比较好的有英飞凌、三菱、Vincotech、赛米控，富士等

如何准确有效实现IGBT 的保护？

可以在驱动端加入退饱和检测以及软关断功能，可以有效的保护IGBT;

IGBT驱动光耦，有没有能产生负压的光耦？+15V让IGBT开通，然后-5V让IGBT关断，这种光耦？

PI推出的IGBT驱动芯片SID11x2K驱动电源支持单电源供电，比如给驱动侧供给25V电压，芯片内部可以自稳压得到+15V电压，剩余的10V作为负压用来IGBT关断。资料请参考：https://www.sekorm.com/doc/63546.html

京瓷IGBT模块的晶圆是自己的吗？主要在哪些市场使用？

KYOCERA发布的IGBT模块如PHMB、PTMB、PDMB系列均是老版的IGBT模块，采用的晶圆是ABB的，因市场推广中不具备优势，此部分KYOCERA目前已经不主推，不过，后续计划选用的自己的晶圆做新型IGBT模块。

电池热管理：目前电机控制器中igbt型号？

根据不同的电流和电压应用规格，IGBT型号各不一样。世强代理的RENESAS单管IGBT和Vincotech模块IGBT基本涵盖所有电流和电压应用规格

选型时，怎样评估igbt使用的余量留多少？

对于不同的应用电路，IGBT的电流裕量是不同的。通常对于电机驱动类感性负载，IGBT的电流裕量选择在2.5倍左右，对于电源类应用，IGBT的电流裕量选择在1.5倍左右。

一颗IGBT驱动芯片实现商用空调驱动设计，降低设计成本和体积

PI SID11X2K IGBT驱动芯片由于最大输出8A的电流，通常在驱动外围上可以省掉一对推挽管，简化电路设计又降低设计成本；SID11X2K IGBT驱动芯片具有软关断，相比IGBT的硬关断，可以降低IGBT的自身损耗同时避免损坏IGBT；作为商用空调的驱动电路设计，PI SID11X2K IGBT驱动芯片带来高的可靠性同时又简化电路，降低设计成本和体积，提升产品的竞争力。

为什么功率模块IGBT不太适合并联使用？

因为功率模块并联使用时需要功率器件在温度变化时，其导通内阻保持一致性，从而保证电流平均流过并联的IGBT。这就要求功率模块IGBT具有正温度系数，而之前的功率模块IGBT多半不能满足要求，但随着技术进步现在的功率模块IGBT大部分能够满足并联需求的正温度系数，比如我们部分IGBT就具有正温度系数。

【产品】兼容性封装和多晶圆可选的新型六管IGBT功率模块和PIM IGBT功率模块，规避缺货风险

Vincotech在2018年6月推出了Flow E1/Flow E2两个系列的IGBT功率模块。该系列产品不单是封装兼容性的产品，而且在晶圆上可同时选择英飞凌的IGBT4和三菱的IGBTM7两种晶圆，进一步规避了设计产品批量后模块缺货的风险。Flow E1系列主要是PIN-to-PIN市场INF公司的Easy 1b系列；Flow E2系列主要是PIN-to-PIN市场INF公司的Easy 2

【应用】PI的IGBT驱动器产品应用介绍

PowerIntegrations的IGBT驱动器拥有非常广泛的应用范围，具体包括：电机拖动、机车牵引、轨道交通应用、风能、太阳能应用···

【产品】二极管与IGBT完美结合的双BOOST功率模块

flowBOOST 0 dual集成双Boost电路的二极管与IGBT，寄生阻抗、电磁干扰显著减少，适于1200V、40A大功率应用。

【经验】驱动电压及驱动功率选取对IGBT驱动设计的影响

对于驱动电路的设计，往往会考虑设计时的驱动电压及驱动功率两个方面,除了驱动的外围设计电路，关键还需要驱动芯片，SILICON LABS推出的SI8261，专门针对于IGBT的驱动，具有4A的峰值驱动能力，属于轨到轨输出，供电电压可以从6.5V-30V。

现货IGBT替换Fairchild仙童IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND

瑞萨现货IGBT替换Fairchild仙童IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND。Renesas瑞萨IGBT不仅可替换FAIRCHILD仙童 IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND，在产品性能上还有了极大提升，性价比高。

【产品】中小功率IGBT模块，满足各种伺服应用

两款封装了6个600V/6A的IGBT3技术的功率模块，设计紧凑，开关频率达100KHz以上。