MCP存储器

鼎阳 示波器选型器

提供50M/70M/100M/120M/150M/200M/300M/350M/500M/1GHz的国产荧光智能数字示波器，包含2/4/16数字+模拟通道，采样率范围500M-5GSa/s, 最高波形捕获率200,000 -1,000,000 wfm/s, 最大存储深度40 Kpts-250 Mpts/CH

鼎阳数字万用表选型器

SDM3000系列数字万用表拥有分辨率为480*272的4.3英寸真彩TFT-LCD显示屏，操作简单方便的图形化用户界面。提供 5?、 6? 的精度，内置热电偶冷端补偿，支持直方图、趋势图、条形图等数据可视化功能，支持数学统计、多通道扫描卡测量。提供1 Gb Nand Flash总容量，可存储大量仪器设置文件和数据文件。标配USB Device、USB Host和LAN接口，支持选配USB-GPIB接口。提供标准SCPI远程控制命令、上位机软件，兼容最新主流万用表命令集。设置和测量数据可通过VXI-11、USBTMC、U盘导入或者导出等方式以方便用户修改，查看，备份。

【应用】512M bit串行Flash闪存存储器GD25S512MD用于智能电表，采用多芯片封装MCP技术具有高存储密度

由于智能电表数据存储量的增加，传统的EEPROM不能满足要求，推荐采用大容量的Nor Flash来实现存储功能。针对智能电表数据存储应用，推荐国产兆易创新的GD25S512MD系列串行Flash闪存存储器，采用多芯片封装MCP技术，基于两个独立的GD25B256D存储器封装堆叠成一个标准的芯片，实现低引脚封装增加内存容量，提高了存储密度，并可实现高编程、擦除数据吞吐量。

Parallel NOR and PSRAM 56-Ball MCP Combination Memory MT38L3031AA03JVZZI.X7A

Parallel NOR and PSRAM 56-Ball MCP Combination Memory MT38M4041A3034EZZI.XK6 MT38M5041A3034EZZI.XR6

替代旺宏FLASH存储器MX66L51235FM的GD25S512MD，提供更宽工作温度

兆易创新(Gigadevice)GD25S512MD(2x256M位)串行FLASH闪存存储器可以很好地替代旺宏MX66L51235F，是采用多芯片封装MCP技术，GD25S512MD是基于两个独立的GD25B256D存储器封装堆叠成一个标准的芯片。这种技术优势：低引脚封装增加内存容量，提高了存储密度，并可实现高编程、擦除数据吞吐量，达到串行Flash的并行操作应用。

Alliance不涨价、不缺货的存储器高性价比替代CYPRESS赛普拉斯4M存储器

Alliance存储器供货稳定、产品生命周期长、价格基本不浮动。笔者将为读者介绍使用Alliance四款存储器与CYPRESS赛普拉斯存储器CY7C1049DV33-10ZSI、CY7C1041D-10VXI、CY7C1041D-10ZSXI、CY7C1041DV33-10VX的可替代性，Alliance产品在工业、汽车等领域有非常大的优势。

Rohm＆LAPIS存储器：DRAM、串行EEPROM、FeRAM不同类型存储器，超高可靠性提供汽车级、工业级产品

Rohm（罗姆）及其子公司LAPIS存储器分为两大类，易失性存储器和非易失性存储器；非易失性存储器在掉电情况下仍旧能够保存数据。其存储器主要包括DRAM、串行EEPROM、FeRAM三大类，除了DRAM，串行EEPROM、FeRAM均为非易失性存储器。世强是ROHM代理商，可提供ROHM存储器产品，价格优惠，还可提供ROHM存储器选型指南、数据手册、技术支持等资源服务。

坚持存储器不停产、不缩die、不改版的厂家：Alliance Memory

Alliance Memory是全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家，产品涵盖SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3。Alliance坚守 “不停产、不缩die、不改版”的“三不”原则。提供Micron美光存储器、CYPRESS赛普拉斯存储器、SAMSUNG三星存储器、ISSI存储器、IDT存储器的高品质替代产品，且不需要任何设计方面的修改。是工业、汽车等领域的理想选择。

【产品】512Mbit单数据速率的同步动态随机存储器，存储器配置为4个bank

ALLIANCE最近推出了一款新型512Mbit 单数据速率的同步动态随机存储器（SDRAM——AS4C32M16SA。AS4C32M16SA的存储器配置为4个bank，内存组织形式为4banks×8Mbit×16

可替代CY62147EV30LL-45BVXI的AS4C2GM4D3L-12BIN存储器，不涨价、不缺货

当前市面上存储器严重缺货涨价，针对当前情况，笔者推荐使用Alliance公司推出的存储器替代CYPRESS的存储器。AS4C2GM4D3L-12BIN是Alliance公司推出的一款高性能存储器，存储空间为256M x16。本文将为读者介绍使用AS4C2GM4D3L-12BIN替代CY62147EV30，替换CY62147EV30可扩大存储空间。

应用在逆变器中，需要DDR3存储器，其容量要求达到1GB，运行速度为800MHZ，封装为FBGA，是否有合适的DDR3存储器？

推荐DDR3存储器AS4C64M16D3-12BIN，其容量为1GB，运行速度为800MHZ，封装为FBGA，满足设计要求。

【产品】集成程序存储器、数据存储器、数据Flash和丰富外设功能的高性能CMOS 16位微控制器ML62Q1500

​LAPIS（ROHM收购）推出了一系列配备16位CPU nX-U16/100的高性能CMOS 16位微控制器——ML62Q1500，集成了程序存储器（Flash memory）、数据存储器（RAM）、数据Flash和丰富的外设功能。

专注于存储器产品的高科技企业: 博雅科技（BOYA）

博雅科技（BOYA）是一家致力于集成电路闪型存储器的高新技术企业，其SPI NOR FLASH自2014年以来出货量累计超10亿颗。博雅科技（BOYA）是国家集成电路产业联盟的重要成员，是广东省高端集成电路闪型存储器工程技术研究中心。世强是博雅科技（BOYA）官方授权一级分销商，全线代理博雅科技（BOYA）旗下SPI NOR FLASH等存储器产品，库存丰富，正品保证。

【选型】ROHM（罗姆）存储器选型指南（中文）

"品质第一"是罗姆的一贯方针。其产品涉及多个领域，其中包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块、半导体应用产品及医疗器具。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。

Alliance 2G存储器不缺货替代MT41K128M16JT-125，不涨价、不缩die、不改版

AS4C128M16D3-12BIN和AS4C128M16D3L-12BAN是Alliance公司推出的两款高性能2G存储器（其中AS4C128M16D3L-12BAN为汽车级存储器），和MT41K128M16JT-125均使用96-ball FBGA封装，可直接替代。Alliance存储器不涨价，供货稳定。

【产品】存储器容量达4G的高性能DRAM，高速存取轻而易举！

AS4C512M8D3LA是Alliance Memory推出的一款第三代低压双倍数据率动态随机存储器，最高时钟频率达800MHz。

【产品】双倍速率SDRAM，高性能存储器应用的最佳选择！

AS4C16M16MD1是一款高性能CMOS技术制造的256Mb双倍数据速率同步动态随机存取存储器。

存储器 - CF FLASH 2GB - 2701185

【产品】高带宽和高性能存储器系统应用必选DDR SDRAM

AS4C32M16MD1A为ALLIANCE的一款512Mb的同步动态随机存取存储器，采用双倍数据率架构，时钟频率达200MHz。

【产品】支持I2C通信协议，待机功耗低至10μA，存储容量为64K的铁电随机存储器MR44V064B

罗姆推出了MR44V064B高性能FERAM存储器产品，MR44V064B是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性8,192字节x8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用双线串行接口（I2C总线）访问MR44V064B。与SRAM不同的是，该器件具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，例如用于各种EEPROM的存储器单元。

Write to Non-Volatile Memory Volatile and Non-Volatile Memory

【产品】存储器容量高达4G的高性能DDR3L DRAM

AS4C256M16D3LA是一款第三代低压双倍数据率动态随机存储器，采用双速率架构以实现最高1600M/s/p速率的高速数据读写操作。

读写速率高达1600M/s/p的DDR3，高速存储器的新选择

AS4C64M16D3-12BAN是一款存储容量为1Gb的高速动态随机存取存储器，采用双数据率架构以实现高速的数据读写操作。

【产品】面向移动应用的高性能SDRAM，存储器容量达4G

AS4C128M32MD2是一款面向低功耗内存新标准的同步动态随机存储器（SDRAM）。

【产品】2V低电压异步静态随机存储器，采用CMOS技术设计

AS62V256A是一款高性能低电压异步静态随机存取存储器，具有读、待机、写、数据保持四个操作模式

800MHzDDR3存储器，抢滩车联网市场舍我其谁？

AS4C64M16D3-12BAN是Alliance针对汽车市场推出一款1G容量的DD3动态随机存取存储器，支持最高800MHZ时钟频率。

一款基于单总线传输的存储器

【产品】1K~64K工业级串行EEPROM存储器BR24AxxF-WLB，数据保存长达40年、支持I2C协议

ROHM针对EEPROM存储器领域，推出了BR24AxxF-WLB系列的高性能产品，其对应型号分别为BR24A01AF-WLB，BR24A02F-WLB，BR24A04F-WLB，BR24A08F-WLB，BR24A16F-WLB，BR24A32F-WLB，BR24A64F-WLB。分别对应存储容量为1K，2K，4K，8K，16K，32K，64K的串行工业EEPROM。该系列产品采用SOP8的封装

【产品】32K串行EEPROM存储器BR24G32-3A，1MHz运行频率

罗姆(ROHM)推出的BR24G32-3A系列高性能EEPROM存储器具有100万个写入周期，长达40年以上的数据保存时效保障该产品能够充分胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。ESD保护电压在-4000V~+4000V之间，符合工业级芯片温度范围要求，能够在苛刻环境温度下运行，综上所述，该系列产品能够适应大多数工况条件，适用于需要高可靠性的工业产品。

【产品】InfiniiVision系列示波器的分段存储器采集 N5454A

是德的分段存储器选件可优化示波器的采集存储器，使您能够用更少的存储器捕获更多选择性信号的详细信息，从而轻松查看所有捕获的波形，并可移动滚动条来查看每个单独的波形片断。Keysight InfiniiVision系列示波器是业界唯一一款能够在所有模拟通道（多达4个模拟通道）和逻辑通道（多达16个数字通道）上同时进行分段存储器采集的示波器。

MICRON美光禁售、内存条又涨价？不涨价、不缺货的替代存储器产品了解一下

世强代理的Alliance Memory供货稳定、产品生命周期长，在存储器涨价的浪潮下也能保持价格基本不浮动的，产品涵盖SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3。Alliance坚守 “不停产、不缩die、不改版”的“三不”原则，且世强备货充足，杜绝断供问题。

【产品】SPI串行FLASH闪存存储器GD5F2GQ4系列，宽工作电源，存储空间2Gb

兆易创新(Gigadevice)GD5F2GQ4系列SPI串行FLASH闪存存储器，共包含12个型号，工作电压满足单电源1.7-2.0V或2.7V-3.6V，超宽工作电压范围，应用范围广，符合工业级设计要求。存储容量2G位，支持SPI规范中 MODE 0和MODE 3两种模式，SPI总线速率最高达120MHz，耐久性支持100K编程/擦除周期，存储数据可以保存10年不丢失。

【产品】瑞萨电子推出新一代高性能磁阻随机存取存储器（MRAM），支持4Mb到16Mb高存储密度

瑞萨电子通过利用垂直磁隧道结STT（自旋转移矩效应）这一技术，推出了新一代的磁阻随机存取存储器（MRAM），以实现同类最佳的非易失性存储器，并具有长数据保留，持久性和快速串行接口等特性。 瑞萨的MRAM具有较高的存储密度和较高的工作温度，适用于从需要快速备份数据检索的工厂自动化设备到具有长期数据存储要求的医疗数据单元的各种应用。

【产品】串行EEPROM存储器BR24G16-3，可反复擦写高达100万次、适用于双摄手机

罗姆(ROHM)推出BR24G16-3系列串行EEPROM存储器，以电子信号来修改其内容，有100年的数据保持的可靠特性，智能手机中首选的存储产品。型号：BR24G16-3, BR24G16F-3,BR24G16FJ-3,BR24G16FV-3,BR24G16FVT-3,BR24G16FVJ-3,BR24G16FVM-3,BR24G16NUX-3,BR24G16QUZ-3。

【产品】​瑞萨新型MRAM系列，业界领先的非易失性存储器，4Mb到16Mb高存储密度

瑞萨电子的新型MRAM器件系列拥有从4Mb到16Mb的高存储密度，并且允许以10 e16周期的超高寿命连续覆盖数据。对于设备操作，瑞萨MRAM产品允许几乎无休止的写入周期、连续的数据日志记录和事件记录，而没有写入延迟。与其它非易失性存储器相比，瑞萨高性能MRAM产品具有读取速度快、存储密度高、寿命长、电压低等特点。

【产品】存储容量128M的高性能CMOS动态随机存储器（DRAM），时钟速率最高166MHz

Alliance Memory是全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家，其推出的AS4C8M16MSA是一款8M x 16的高性能CMOS动态随机存储器（DRAM）。该系列产品采用先进的电路设计，可提供低有效电流和极低的静态电流，兼容JEDEC标准的LP-SDRAM产品规格。

【产品】存储容量为1M的SPI串行BR25A1M-3M EEPROM存储器，最高运行温度为105°C

BR25A1M-3M是ROHM推出的一款存储容量为1M的SPI总线串行接口的EEPROM存储器，最高运行温度为105°C，最适合电池应用，用于SPI总线接口。BR25A1M-3M存储器的特点是高速运作，独立电源运行，书写字节多，耗电量低，读取操作时的地址自动增量功能，可预防写入错误。数据保留时间长，超过100年，书写周期多达一百万次以上。可用于计算机、手机等应用领域。

【产品】128Mbit NOR Flash存储器MR29V12852B，助力车载设备和工业设备数据存储介质

LAPIS Semiconductor（ROHM收购）开发出128Mbit NOR Flash存储器MR29V12852B，该产品非常适用于对品质有高要求的车载设备和工业设备的数据存储介质。内置纠错码电路和输出驱动能力调整电路，通过替换现有存储器，可轻松且以低成本实现系统上的数据错误对策。

可Pin to pin替换镁光MT41J256M8DA-125IT、MT41K256M8DA-125IT的2G存储器

Alliance的AS4C256M8D3-12BIN和AS4C256M8D3L-12BIN 2G存储器不涨价、不改版，可以pin to pin替代MT41J256M8DA-125IT和MT41K256M8DA-125IT，世强备货充足，供货稳定。在工业等需要更长生命周期产品的领域非常有优势。

pin to pin替换美光MT41J64M16JT-125IT、MT41K64M16JT-125IT的工业级1G存储器

AS4C64M16D3-12BIN和AS4C64M16D3L-12BIN是Alliance公司推出的两款高性能1G存储器，性能强大，可以pin to pin替代美光（MICRON）MT41J64M16JT-125IT和MT41K64M16JT-125IT。四者的组态、刷新计数器、行地址、bank地址、列地址均相同，可替换性极强。

【产品】支持SPI通信协议，存储容量2M的铁电随机存储器，数据可保存10年

罗姆推出了MR45V200A高性能FERAM存储器产品，MR45V200A是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性262144字 x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用串行外设接口（SPI）访问。读/写容差高达1012个周期/位，长达10年的数据保存时效保障该产品能够充分胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。

【产品】可编程电源管理IC RN5T5612，可以使用内置的OTP存储器来自定义电源电压和电源开/关顺序

RN5T5612是Ricoh（理光微电子）推出的一款面向消费类应用的多通道电源管理IC（PMIC）。该IC提供了四个高效降压DCDC转换器，七个低压差稳压器，四个GPIO，一个中断控制器（INTC）和一个I2C总线接口。 该IC可以使用内置的OTP（一次性编程）存储器来自定义电源电压和电源开/关顺序，以满足用户系统的要求。

【产品】具有多种存储操作模式的低功耗SRAM存储器AS6C62256A

Alliance Memory公司推出了一款256M（32 K × 8 bit）的低功率静态随机存取存储器——AS6C62256A系列，其采用了先进的CMOS工艺，具有功耗低、存取速度快等优点。

2Gb 4通道SPI NOR Flash GD55B/LB02GE获2021中国IC设计成就“年度最佳存储器”奖

2021中国IC设计成就奖颁奖典礼暨中国IC领袖峰会上，兆易创新再次斩获“十大中国IC设计公司”奖。同时，旗下2Gb大容量高性能4通道 SPI NOR Flash GD55B/LB02GE荣获“年度最佳存储器”大奖。

瑞萨长寿命存储器：MNOS存储技术和CMOS工艺EEPROM、低功耗SRAM、四倍数据速率QDR™SRAM

瑞萨的产品以生命周期长而闻名，储存器产品也不例外。其低功耗SRAM可提供高可靠性，稳定电源和长寿命支持，其他厂家通常无法提供，这使瑞萨的SRAM成为工业设计的理想选择；瑞萨的超快QDR™（四倍数据速率）SRAM是下一代高带宽通信系统的理想选择，这些存储器具有极高的工作频率，低延迟和完整的周期利用率；瑞萨的EEPROM采用先进的MNOS存储技术，CMOS工艺实现了高速，低功耗和高可靠性。

【产品】存储空间为2048K×8位的AS6C1608低功耗CMOS静态随机存取存储器，工作电流仅为4μA

Alliance公司旗下有一款低功耗CMOS静态随机存取存储器——AS6C1608，存储空间为2048K×8位（16,777,216位），包括AS6C1608-55和AS6C1608-70两个型号，均具有快速访问能力，访问时间分别为55ns和70ns，其输入上升/下降时间都只有3ns，有利于数据的快速存取，专为极低功耗系统应用而设计的器件，特别适用于电池备份的非易失性存储器应用。

【产品】数字多相PWM控制器ISL69134，支持4个相位、专为Intel IMVP8平台的微处理器内核、存储器、系统轨

ISL69134是Intersil（RENESAS收购）公司推出的一款数字双输出，灵活的多相（X+Y≤4）PWM控制器，其符合Intel的 IMVP8规范。通过灵活的X+Y≤4相位分配以及PMBus和SVID接口，支持全面的故障管理系统，具有高精度的电流检测功能，可实现出色的负载线性调节和精确的OCP。

【产品】512M的同步动态随机存取存储器，高存储带宽场合最佳的选择

Alliance与镁光半导体合作的512M的同步动态随机存取存储器MT48LC32M16A2P-75:C(AS4C32M16SM-7TCN)、MT48LC32M16A2P-75 (AS4C32M16SM-7TIN)、和MT48LC64M8A2P-75:C在医疗、工业、汽车和电信应用等需要高存储带宽场合是最佳的选择，尤其适合于高性能计算机应用。

IDT存储多路复用器，专门针对NVDIMM、SSD等存储器密集型应用而优化

IDT 的多路复用器专门针对存储器密集型应用而优化。在断电备份情形中，NVDIMM 模块使用 IDT 多路复用器将来自 DRAM 的数据引导至闪存。SSD 模块使用 IDT 多路复用器来提高闪存密度。这些产品还可适用于要求在小占用空间中实现高性能、低功耗以及高易用性的双向信号功能的其他应用。

【产品】支持I2C通信协议，存储容量2K的工业级串行EEPROM存储器

罗姆半导体集团推出了BR24G02-3系列串行EEPROM存储器，这几款产品均采用256*8bit的存储结构，内存大小均为2K，具有多种封装形式，分别为：DIP-T8 ，SOP8 ，SOP-J8，SSOP-B8 ，TSSOP-B8，TSSOP-B8M，TSSOP-B8J，SOP- J8M，MSOP8，VSON008X2030。能够胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。

【应用】32位MCU CS32F031G6U6用于25G光模块，QDN28小封装，支持闪存存储器/系统存储器/SRAM

25G光模块作为5G前传的基站的重要光电组成部分，市面上各光模块厂家都有进行25G光模块的研发与生产，CS32F031G6U6是有芯海科技推出的一块基于Cortex-M0内核的国产32位MCU，针对25G SFP28 CWMD/SR/AOC等光模块的应用功能和外设非常适合，性价比非常高。

【产品】具有flash存储器编程功能的经济型片上调试EZ-CUBE MCU仿真器

Renesas推出的经济型仿真器（支持简单功能）——EZ-CUBE (YRCNEZCUBE01)。EZ-CUBE 是具有flash存储器编程功能的片上调试仿真器，可以用于调试程序或将程序烧写到内置Flash存储器微控制器中。EZ-CUBE能支持瑞萨电子8位到32位的内置Flash存储器微控制器- RL78,78K0,78K0R,RX,V850,R7F0Cxx

【应用】ATP动态随机存取存储器DRAM在物联网应用中的重要作用

动态随机存取存储器（DRAM）主要用作个人计算机和消费电子产品中的主存储器，为处理器提供工作存储器。DRAM中的“随机”表示中央处理单元可以直接访问存储器的任何部分，而不必以特定的顺序或顺序进行访问。其通常被简称为“内存”，RAM允许处理数据，而处理器不必访问速度较慢的辅助存储器。ATP DRAM产品能够满足IoT / IIoT时代不断增长的内存要求，本文会介绍DRAM的各个优点。

【产品】256Mb高速动态随机存取存储器AS4C16M16SA-6TAN，面向高存储带宽和高性能PC应用

Alliance Memory推出了一款256Mb高速动态随机存取存储器AS4C16M16SA-6TAN，成功通过了寿命试验、环境试验、ESD测试和封闭测试，达到了JESD22标准和AEC-Q100标准，具有高质量和高可靠性的特点。主要面向高存储带宽的应用，尤其适用于高性能的PC应用中。

【产品】ATP为嵌入式物联网提供嵌入式存储器、存储卡和DRAM模块等“工业专用”产品组合

ATP Electronics是“工业专用”存储器和存储解决方案的领先制造商，在日本IT周春季第22届嵌入式系统博览会（ESEC）上展示了其为嵌入式物联网（IoT）设计和制造的广泛且自主的产品组合，包括嵌入式存储器、安全且可扩展的A1性能级存储卡和包括DDR4、DDR3模块在内的工业DRAM。

存储器

【产品】低功耗存储的智慧之选：2M内存AS6C2008 CMOS异步静态随机存储器，操作电流20mA

Alliance Memory公司推出的一款2 M 的低功率异步静态随机存储器AS6C2008。操作电流典型值为20 mA，L版本待机电流的典型值为20mA，LL版本待机电流的典型值低达1µA；电源采用的是单电源供电，供电电压的典型值为3 V，其供电电压可承受2.7 V ~ 3.6 V的较大范围的波动，综上可知该存储芯片的功耗非常低，其在工业电子、汽车电子、通信设备等领域应用广泛。

【产品】基于单总线传输的基于SHA1加密的存储器​GX28E01，内置1kEEPROM和SHA1算法

中科银河芯GX28E01内置1kEEPROM和SHA1算法（ISO/IEC 10118-3）。芯片使用64位密码、320位用户定义存储、40位用户提供随机数和芯片ROM一起对数据进行加密，在主系统和附件直接提供了一个可靠度很高的加密通路。1kEEPROM分为4个页，每页256位，通过一个64位的暂存器进行读写操作。

【产品】具有多种封装可选的串行EEPROM存储器,存储容量8K，ESD保护电压±4kV，

罗姆推出了BR24G08-3A系列高性能EEPROM存储器产品，该系列产品的全系内存大小为8K，该系列产品分别采用DIP-T8，SOP8，SOP-J8，TSSOP-B8，TSSOP-B8J，MSOP8，VSON008X2030的封装形式，具有多样化的设计选择，能够满足不同设计需求，产品适用于工业产品，医疗产品，通信产品等应用领域。

【产品】128M高速CMOS同步动态随机存储器AS4C8M16D1，支持自动刷新功能

全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家Alliance推出的AS4C8M16D1是一款128Mb的高速CMOS双倍数据速率同步DRAM（动态随机存储器）。它内部配置为具有同步接口的四通道2M x 16 DRAM，共用一个同步接口。AS4C8M16D1可在医疗、消费、通信等需要高存储器带宽和高性能的应用中得到完美应用。

【产品】快速访问时间仅15ns的65536位高速COMS静态随机存储器

Alliance Memory推出的AS7C164A系列，是一款65536位高速COMS静态随机存储器，具有8位、8192字节。AS7C164A系列高速静态存储器采用非常高性能、高可靠性的CMOS技术制造，在操作温度范围内待机电流可保持稳定状态。此外，具有低功耗的优点，尤适用于高速系统应用，及电池备份的非易失性存储器。

双倍数据率同步动态随机存储器，存储容量可达8G bits

ALLIANCE MEMORY推出的第三代双倍数据率同步动态随机存储器（DDR3 SDRAM）AS4C256M32D3-12BCN，其存储容量可达8G bits，最高时钟频率可达800MHz，封装尺寸仅为12mm x 14mm x 1.4mm。

【产品】容量、速度吊炸天的DDR3L存储器 可实现高速存取

AS4C256M16D3L 4Gb容量，数据率高达1600Mbps/pin,供电电压1.35V。

【应用】512M动态随机存取存储器助力GPON高效数据传输和大容量存储

Alliance AS4C32M16SA是一种4 Bank的动态随机存取存储器（SDRAM），存储容量达到4Bank x 8Mbit x 16（ 512M ）。AS4C32M16SA采用数据预取和同步技术，最高可以以166MHz的时钟工作频率工作，可满足GPON的传输速率高，数据量大。

【应用】不停产的ALLIANCE存储器助力现代纺织机系统

随着国内微电子技术、高速数字处理器及自动控制技术的发展及在各个领域的广泛应用，也推动着纺织行业高端制造设备的发展。Alliance Memory专注于设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品，其产品以供货稳定、产品生命周期长，广泛应用于消费、通信、工业控制、汽车领域（如计算机、仪器仪表、工业控制、汽车导航、行车记录仪等）以及其他的特种行业，如本文提到的纺织机械控制系统。

【产品】 InfiniiVision 3000 X 系列示波器的分段存储器采集软件DSOX3SGM

Keysight InfiniiVision 3000 X 系列示波器通过分段存储器选件来优化您的示波器存储器，使您捕获更多的串行总线活动数据包/帧。分段存储器采集能够优化可连续捕获的封包化串行通信帧的数量。是目前市场上唯一能够在多达四个模拟采集通道上捕获分段、在数字通道上捕获时间关联分段（使用 MSO 型号）以及对每个分段自动执行硬件串行总线协议解码的产品。

ATP为SD-WAN提供工业专用存储器和NAND闪存解决方案，确保最高的可靠性和最佳的总体拥有成本（TCO）

ATP Electronics是工业专用DRAM模块和NAND闪存解决方案的领先提供商，为企业实施SD-WAN提供高可靠性和高回报率的内存和存储解决方案。便于企业轻松、简单地实施SD-WAN，同时确保最高的可靠性、巨大的价值和最佳的总体拥有成本（TCO）。

【产品】1G CMOS静态随机存取存储器，为低功耗应用量身打造

AS6C1008在工作温度范围内具有稳定待机电流，待机电流的典型值仅为1μA。

【产品】4M低功率CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，存取速度可达55ns

AS6C4008A系列是Alliance Memory推出的一款4M（512K × 8bit）存储容量的低功率CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该款低功率CMOS静态随机存取存储器芯片采用高性能、高可靠性的CMOS技术制成，具有低功耗、高可靠性等特性，适合低功耗系统应用，尤其适用于电池供电的非易失性存储。

【产品】采用CMOS工艺存储器，待机模式下器件功率不超过28.8mW

Alliance的AS7C34096A由524,288words×8bits组成，专为需要快速数据访问，低功耗和简单接口的内存应用而设计。

【产品】256Kb的32位高速CMOS静态存储器AS7C325632-10BIN

Alliance Memory推出的AS7C325632-10BIN系列高速静态存储器，256kb、32位，快速访问时间仅为10ns。采用高性能、高可靠性CMOS工艺制造的。AS7C325632-10BIN系列32位高速CMOS静态存储器产品支持完全静态操作、三态输出，且所有输入和输出均兼容TTL电平。

【产品】128M高速CMOS双倍数据速率的同步动态随机存储器（SDRAM），兼容SSTL_2 I/O接口标准

Alliance推出的AS4C4M32D1A是一款128Mb的高速CMOS双倍数据速率同步动态随机存储器（SDRAM），兼容SSTL_2 I/O接口标准，时钟频率200MHz，基本供电电压为2.3V~2.7V，输入漏电流和输出漏电流分别仅为±2μA和±5μA，产品的功率耗散仅为2W，尤其是高性能主存储器和图形应用，比如高性能主存储器，图形显示应用，需要高存储器带宽，显卡应用等领域。

可pin to pin替代随机存储器MT46V8M16P，时钟频率最大200MHz，不缺货、不涨价

ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C8M16D1A-5TxN的供电电压、内存大小、温度范围与MT46V8M16P参数完全一致，说明在同样的供电条件和环境使用温度下，两者功率等级相同，内存大小相同，可以完全互换使用。而且市面上存储器严重缺货和涨价，alliance的存储器不缺货、不涨价，且世强备货充足，支持小量快购，提供专业技术支持。

【产品】采用最新高性能CMOS工艺的zz输入控制断电静态随机存储器AS8C403600、AS8C401800

Alliance的AS8C403600/AS8C401800静态随机存储器可通过zz输入控制断电，适用于汽车电子等产品。由128K x 36 / 256K x 18内存组成的高速同步静态随机存储器，该系列静态随机存储器包含写入，数据，地址和控制寄存器。

【产品】非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器MR48V256C，随机读/写周期时间最小为150ns

罗姆推出了MR48V256C高性能FERAM存储器产品，MR48V256C是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM）。该器件与SRAM不同的是，其具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，例如用于各种EEPROM的存储器单元。采用28引脚塑料TSOPI封装，可以有效减小PCB的面积。

【经验】兆易创新Nor Flash存储器结构介绍，以GD25Q127C为例

兆易创新是国内第一家存储器产品行业的上市企业，Flash累计出货量超过100亿颗。 在嵌入式开发中经常要用到Nor Flash扩大系统的存储空间，了解Flash的内部存储结构是写驱动操作Flash的前提。本文主要以兆易创新的GD25Q127C为例，介绍兆易Nor Flash的存储器结构，来帮助刚接触到Nor Flash的用户。

【产品】ROHM推出非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器MR45V256A，使用SPI进行通讯！

罗姆推出了MR45V256A高性能FERAM存储器产品，MR45V256A是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用串行外设接口（SPI）访问。与SRAM不同的是，该器件具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，例如用于各种EEPROM的存储器单元。

【选型】不停产存储器助攻汽车仪表海量信息处理 神一般的存在

供货稳定、产品周期长，以其不改版、不停产、不断代且价格基本不浮动的优点而广受好评。

【产品】存储容量为2G的DDR3存储器AS4C128M16D3B-12BCN，采用96-ball FBGA封装

Alliance推出的AS4C128M16D3B-12BCN是一款DDR3存储器，具有2G bits的容量，存储结构为16M字 x 16位 x 8块，封装采用96-ball FBGA封装，符合RoHS标准。此外，采用双倍数据速率架构，每个周期可进行两次数据传输，可实现高速操作。另外，其时钟频率800MHz，凭借双倍数据传输速率的特性，可使数据传输速率达到1600Mbps。

邀请硬件工程师分享Alliance 工业级、汽车级RAM存储器的选型、使用经验，稿费高达600-800元/篇

若您使用过Alliance 工业级、汽车级RAM存储器产品，基于您的真实项目撰写稿费600-800元/篇。Alliance Memory 是全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家，以其供货稳定、产品生命周期长、价格基本不浮动的特点广受客户好评。

【产品】64M Bits低功耗CMOS静态随机存取存储器AS6C6416

Alliance公司推出的AS6C6416系列是67,108,864-bit低功率CMOS静态随机存取存储器（static random access memory，SRAM）。AS6C6416系列适用于低功率的系统应用，特别适合于电池备份的非易失性存储器应用。

【产品】基于I2​C总线的64Kb EEPROM存储器BR24G64xxx-5系列

BR24G64xxx-5 系列是罗姆(ROHM)株式会社生产的一款容量为64Kb的EEPROM存储器，它是基于I2C总线接口协议的一种高性能EEPROM存储器产品，该系列包括SOP8、SOP-J8、TSSOP-B8、MSOP8、VSON008X2030五种型号产品，能够满足不同尺寸的设计需求，体积小，重量轻，适用于通信、智能家居、自动化办公等应用领域。

【产品】32Mx16 bit高速CMOS动态随机访问存储器AS4C32M16D1A-5TAN ，时钟频率达200MHz

Alliance推出的AS4C32M16D1A-5TAN是一款高速CMOS动态随机访问存储器，采用双倍速同步DRAM（SDRAM），内存大小为512Mbits。该存储器内置四组8M×16 DRAM，带有同步接口，所有信号都记录在时钟信号（CK）上升沿上。

【产品】带24bit ADC的低功耗蓝牙SOC芯片CST34M98，内置8k×16位MTP程序存储器

芯海科技的CST34M98是一颗高集成度的低功耗蓝牙SOC芯片，带24bit ADC，内置8k×16位MTP程序存储器 、128字节EEPROM和896字节数据存储器，有43条指令、8级存储堆栈，指令周期为：ICK/4、ICK/8、ICK/16、ICK/32。

【产品】访问时间仅为10ns，16M高速CMOS静态随机存储器SRAM AS7C316098B

全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家Alliance于2017年11月推出的AS7C316098B是一款16M位高速CMOS静态随机存储器（SRAM），组织结构为1024K *16 bits。其采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造，保证了其卓越的性能和稳定性，可广泛应用于工业设备领域。

【产品】10ns快速访问，高速CMOS静态随机存储器

AS7C34098B-10TIN工作电流仅40mA，待机电流为2mA，支持全静态操作和三态输出。

【应用】检测精度高达±0.5°C的数字式温度传感器助力企业存储器温度检测应用

本文推出了IDT（Renesas收购）的TS3000GB0A0数字式温度传感器，其检测精度高达±0.5°C，检测精度极高，旨在满足要求最高的温度读数应用，该传感器完全符合JEDEC JC42.4规范，可实时测量存储器温度变化，多用于各种企业存储应用场合。

【产品】2K串行EEPROM存储器BR24G02-3A，256word×8bit配置

ROHM的串行存储器是256*8bit配置的串行EEPROM存储器，布局紧凑，可靠性高。 具有1.6V~5.5V的宽操作电压范围，对电压波动具有很强的适应性。型号：BR24G02-3A，BR24G02F-3A，BR24G02FJ-3A，BR24G02FVJ-3A，BR24G02FVM-3A，BR24G02FVT-3A，BR24G02NUX-3A

【产品】256K X 36, 512K X 18，3.3V同步突发静态随机存储器，直通方式输出

Alliance的AS8C803625/AS8C801825可同步突发的静态随机存储器，具有高配置内存，可高速存储。

Alliance存储器产品承诺：不停产、不缩die、不改版

不停产、不缩die、不改版的SRAM产品这里有！您可知Alliance Memory的产品投产只需8个星期的时间？!

【产品】单芯片USB音频解码器IC BU94702AKV，可实现MP3压缩录音、CD-ROM、USB存储器播放

罗姆面向立体声组合音响、收录机、AV接收器等各种音频设备，开发出了可单芯片实现MP3压缩录音、CD-ROM、USB存储器播放的USB音频解码器IC BU94702AKV。另外，采用VQFP80引脚的小型封装，可实现更大幅度的小型轻量化。

【产品】117MHz主频，访问时间仅7.5ns的高速静态随机存储器

Alliance的AS8C403625/AS8C401825静态随机存储器可快速访问，时钟频率高达117MHz。

使用外部存储器接口，实现高效的高速存储器解决方案

【产品】3.3V同步突发存储器，直通方式输出、数据存取时间为7.5ns

Alliance Memory推出的AS8C803625A /AS8C801825A是一款3.3V高速9,437,184位（9兆位）同步静态随机存储器。该系列产品当总线在读取和写入或写入和读取之间切换时，可通过ZBT 消除失效的总线周期，常用于工业电子、汽车电子、通信设备等领域。

【产品】1Gb容量DDR3同步动态随机存储器AS4C128M8D3A，速率高达1866Mbps

AS4C128M8D3A是Alliance的第三代双倍数据率（DDR3）同步动态随机存储器，容量为1Gb，内部分为8个bank，数据总线位宽为8bit。可支持ZQ校准和动态ODT，完美解决高存储带宽场景的信号完整性问题。该款DDR3存储器基于双倍数据率架构设计，最高时钟频率为800MHz，单引脚最高双数据传输速率可达1866Mbps，同时符合JEDEC时钟抖动要求，确保了数据传输过程的可靠性。

【产品】3.3V CMOS同步双FIFO存储器

IDT72V801/IDT72V811/IDT72V821/IDT72V831/IDT72V841/IDT72V851是同步双FIFO存储器。单一封装下功能分别相当于两个IDT72V201/IDT72V211/IDT72V221/IDT72V231/IDT72V241/IDT72V251，关联的控制线、数据线和状态标签线被分配到不同的管脚。

【产品】双数据架构，高速LPDDR2 256M的动态随机存储器AS4C8M32MD2A-25B2CN

全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家Alliance推出的型号为AS4C8M32MD2A-25B2CN 的 LPDDR2 SDRAM是高速CMOS，256M的动态随机存储器（Synchronous DRAM，SDRAM），由4组2M words组成的32位存储设备。

【产品】聚辰汽车级EEPROM存储器擦写次数最高可达400万次以上，数据可存储100年

聚辰半导体目前拥有EEPROM、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条主要产品线。据第三方研究机构数据，2019年聚辰为全球排名第三、国内第一的EEPROM存储器供应商，特别在智能手机摄像头模组市场，聚辰四年蝉联全球冠军，在汽车电子业务方面，公司现已拥有A2等级的全系列汽车级EEPROM产品。

【产品】34通道便携式逻辑分析仪16861A，为数字调试提供超快速的深存储器计时捕获方案

Keysight推出的16861A 便携式逻辑分析仪为数字调试提供业界最快的深存储器计时捕获。34 通道、350 MHz 状态、12.5 GHz 计时缩放、2.5 GHz 计时、2 Mb 深存储器标配。15 英寸（38.1 厘米）彩色触摸屏显示器使您可以查看大量信号和总线，并在其中快速导航

【产品】这款512Mb移动SDRAM，可提供高性能存储器系统

AS4C32M16MS速率高达166MHz，1.8V低功耗，具有多种节能特性。

【成功案例】清华大学携手兆易创新于IEDM发表阻变存储器论文，展示了应用于类脑计算芯片的最新研究成果

清华大学携手兆易创新于IEDM发表阻变存储器论文，展示了应用于类脑计算芯片的最新研究成果。他们的研究成果不但对高能效的人工智能芯片提供了理论和器件基础，也同样对高密度阻变存储器芯片的设计产生了重要的意义。在不久的将来，清华大学和兆易创新还将携手开发出更大规模的阻变存储器阵列。

【产品】16M位高速CMOS静态随机存储器，访问时间仅10ns

AS7C351232-10BIN 由512K*32bit组成，待机电流4mA，支持全静态操作和三态输出。

【产品】4通道数模转换器34951A，配有用于 34980A 的波形存储器

用于34980A多功能开关/测量单元的Keysight 4通道数模转换器34951A具有强大的灵活性，可用于各种检测和控制应用。它包括4组数字模拟转换器通道、200kHz的更新率，高达16V的DC输出或20mA的DC输出，可以在板上存储器创建用户自己的波形。

兆易创新全国产化24nm SPI NAND Flash赢得“年度存储器/放大器/数据转换器”产品奖

在翘楚云集的ASPENCORE“全球双峰会暨全球电子成就奖颁奖典礼”上，兆易创新旗下全国产化的24nm SPI NAND Flash GD5F4GM5赢得“年度存储器/放大器/数据转换器”产品奖。

【产品】4M（256K×16bit）低功率CMOS静态随机存取存储器，存取速度可达45 ns

Alliance的AS6C4016A是4M（256 K × 16 bit）存储容量的低功率CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。与CYPRESS赛普拉斯存储器CY62147EV30LL-45ZSXI、CY62146GN30-45ZSXI、CY621472G30-45ZSXI属于pin对pin关系，但是AS6C4016A-45ZIN价格相比它们要便宜10%以上，在工业及汽车领域非常有优势。

【经验】程序运行过程中的非法存储器复位，到底是为啥？

电子电气化的普及程度越来越高，系统中对产品运行的功能安全的概念已经越来越受到关注并已经逐渐实施，虽然说功能安全是系统级别的，但是针对控制器件尤其是MCU，需要具备一定的安全机制以实现相应的功能安全特性。当前国际上有专门针对功能安全的标准，如 IEC60730 和 IEC61508 安全标准。本文以瑞萨电子RL78/R7F0C004为例，介绍程序运行过程中的非法存储器复位的原因及解决办法。

【产品】128K/256K/1M串行EEPROM存储器BR24Gxxx-3A，支持I2C通信、功耗低至300mW

罗姆推出的BR24Gxxx-3A系列为高性能EEPROM存储器产品，包括128K，256K，1M共三种存储空间，BR24Gxxx-3A系列EEPROM存储器所有控制均由2个串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）端口提供，并且除EEPROM之外的其他设备可以连接到同一个端口，从而节省了微控制器端口，该产品还具有写保护功能，可有效避免低电压造成的写入错误。可应用于工业、医疗和通信领域。

【产品】主频高达60MHz的32位定点数字处理器ADP32F035，内置多种存储器

进芯电子（Advancechip）的ADP32F035是一款32位定点数字处理器，具有低功耗高性能的特点。内置多种存储器，可用于变频器驱动、工业控制、数字电源等领域。其中央处理器的主频高达60MHz，具有快速中断响应和处理的特点。

【产品】8位CMOS单芯片RISC MCU CSU32P10，内置2K×14位OTP程序存储器

芯海科技的CSU32P10是一个带12-bit ADC的8位CMOS单芯片RISC MCU，内置64字节数据存储器，只有42条单字指令，有8级存储堆栈、8级PUSH和POP堆栈，支持ISP。MCU休眠模式下的电流小于1μA，内带 16MHz 振荡器，精度为±1%@5V，25℃。

【产品】同时支持TFT和STN面板的LCD控制器S1D13709，搭载控制显示的内置存储器，节约空间

S1D13709是一款同时支持TFT和STN面饭的LCD控制器，它功能丰富并且使用简单，搭载了便于控制彩色TFT及STN液晶面板文本与图形显示的内置存储器。

【产品】256Mb，200MHz高速CMOS工艺双倍速率同步动态存储器AS4C32M8D1

Alliance Memory 256Mb新型存储器AS4C32M8D1，可以实现双倍速率的同步动态随机存取。AS4C32M8D1采用66-pin TSOP II封装，0.65mm的Pin脚间距。基于CMOS工艺，内部是流水线结构，配置为32M word×8bits。该款产品主要应用在医疗、消费、通信等需要高内存带宽的方案里，可替代市场上绝大部分同类的其他产品，完美实现了Pin to Pin兼容。

【产品】传输速率高达1600Mbps！高速CMOS存储器

这些器件提供写入控制的数据掩码，并且可在0°C至+ 95°C的商业温度范围内使用。

【产品】支持外部SDRAM存储器的高集成度彩色LCD控制器芯片S1D13515

EPSON的高集成度彩色LCD控制器芯片S1D13515使用灵活的外部SDRAM存储器接口来提供帧缓冲器。支持多种CPU接口和LCD面板输出，通过嵌入一个专有的32位RISC CPU和相关的加速器模块来增加灵活性和功能。它的例行程序提供了音频回放、2D BitBLT操作、变换和过滤操作以及提供OpenGL-ES 1.1支持的能力。是汽车平视显示器（HUD）市场或3D导航显示器的理想选择。

Alliance 1G存储器pin-pin替代美光MT41J128M8JP-125、MT41K128M8JT-125

AS4C128M8D3-12BIN和AS4C128M8D3L-12BAN是Alliance公司推出的两款高性能1G存储器，其中AS4C128M8D3L-12BAN是汽车级存储器，性能强大，可以替换当前市面的大部分1G储存器。笔者将为读者介绍使用AS4C128M8D3-12BIN和AS4C128M8D3L-12BAN替代MT41J128M8JP-125和MT41K128M8JT-125。

是德科技 示波器存储器架构—为何所有的采集存储器并非都相同 应用指南

【产品】存储容量高达4 Gb的GD5F4GQ4xCxIG系列国产SPI NAND闪存存储器

兆易创新推出GD5F4GQ4xCxIG系列的SPI（串行外设接口）NAND闪存存储产品， SLC NAND闪存容量大小范围为4 Gbit，读取和编程页空间大小高达4096字节备用空间大小256字节。SPI分为标准型、双路型和四路型接口。该系列产品具有高速时钟频率，30PF负载快速读取时可达120MHz，四路I / O数据传输速率高达480 Mbits / s。

【产品】128k x 8比特，所有输入和输出完全TTL兼容的超低功耗的CMOS静态随机存储器AS6C1008L

Alliance公司推出的AS6C1008L系列是1,048,576-bit低功率CMOS静态随机存取存储器（static random access memory，SRAM）。AS6C1008L系列适用于非常低功率的系统应用，特别适合于电池备份的非易失性存储器应用。

【产品】存储密度高达2 GB的GD5F2GQ4xBxIG系列国产SPI NAND闪存存储器

兆易创新推出GD5F2GQ4xBxIG系列的SPI（串行外设接口）NAND闪存存储产品， SLC NAND闪存密度高达2GB，SPI分为标准型、双路型和四路型接口。该系列产品具有高速时钟频率，30PF负载快速读取时可达120MHz，四路I / O数据传输速率高达480Mbits / s。采用1.8V/3.3V单电源供电，最大有效电流为40mA，最大待机电流为110uA。

【产品】2048K*16bits的AS6C3216A-55B低功耗CMOS静态随机存储器，电源电压3V，待机电流仅8µA

AS6C3216A-55BIN是Alliance推出的一款33,554,432位低功耗CMOS静态随机存储器（SRAM），电源电压典型值3V，工作电流典型值仅为12mA，待机电流典型值更是低至8µA（40℃时），输出漏电流和输入漏电流典型值均为±1μA（VCC ≧ VIN ≧ VSS），功率耗散最高仅为1W。特别适用于低功率应用和电池备份非易失性存储器应用等领域。

国内第一的EEPROM存储器品牌聚辰半导体（Giantec）授权世强，增加音圈马达驱动芯片、智能卡芯片等选择

近日，全球第三大、国内第一的EEPROM存储器供应商聚辰（688123.SH）与世强硬创电商达成合作，成为世强代理的第246家供应商。聚辰半导体是一家致力于模拟数字芯片的研发设计的公司，目前拥有EEPROM、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条主要产品线。聚辰EEPROM存储器包括I2C、SPI和Microwire等标准接口系列，以及应用于计算机和服务器内存条的SPD/SPD+TS（温度传感器）系列。

【产品】非易失性262,144字x8位铁电随机存取存储器（FeRAM），工作频率34MHz

MR45V200B是ROHM推出的一款非易失性262,144字x8位铁电随机存取存储器（FeRAM），工作频率34MHz，广泛应用于工业产品,医疗产品,通信产品。

【产品】写入周期100万次的可编程只读存储器A24C04，数据保留长达100年

A24C04是AiT推出的一款4096字节的串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为512字节*8位。该产品应用于经过优化，适用于需要低功耗和低压操作的众多工业和商业领域。

【产品】GD5F2GQ5xFxxH系列2G bit SPI NAND Flash，超高性价比的高容量非易失性存储器

兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F2GQ5xFxxH系列 SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存富有吸引力的替代品，具有以下先进功能：总引脚数为8，包括VCC和GND；容量为2G bit；具有卓越的写入性能；显著低于并行NAND闪存的成本。

【产品】1.1G-BIT低延时DRAM（LLDRAM-III）存储器，800MHz运行频率、专为网络应用开发

瑞萨的低延迟存储器LLDRAM-III是一种专用DRAM，能够每秒执行400M的访问。与标准DDR3 SDRAM相比，这是四倍的访问速度。此外，功耗保持在2W，功耗极低，满足低功耗设计需求。LLDRAM-III具有两种产品型号，分别是：RMHE41A184AGBG和RMHE41A364AGBG。RMHE41A184AGBG是一款67,108,864字、18位的同步双倍数据速率低延迟DRAM。

Silicon Labs（芯科科技） 外部存储器接口和片外数据存储器XRAM概述