MRAM
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mram选型帮助
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【应用】瑞萨最新MRAM产品线采用垂直磁隧道结自旋转移力矩的专有技术，满足数字助听器的存储需求
MRAM代表了瑞萨最新的存储器产品线。这些MRAM是快速的非易失性存储器，具有极低的延迟访问和超高的耐用性。它们具有通过行业标准SPI接口进行的简单随机存取存储器操作，故易于使用且占用空间小。MRAM的这些关键优势使其成为高级助听器应用的最佳解决方案。
应用方案
发布时间 : 2020-06-13
【产品】瑞萨电子推出新一代高性能磁阻随机存取存储器（MRAM），支持4Mb到16Mb高存储密度
瑞萨电子通过利用垂直磁隧道结STT（自旋转移矩效应）这一技术，推出了新一代的磁阻随机存取存储器（MRAM），以实现同类最佳的非易失性存储器，并具有长数据保留，持久性和快速串行接口等特性。 瑞萨的MRAM具有较高的存储密度和较高的工作温度，适用于从需要快速备份数据检索的工厂自动化设备到具有长期数据存储要求的医疗数据单元的各种应用。
厂牌及品类
发布时间 : 2020-06-10
Renesas offers the next generation MRAM by utilizing a new proprietary technology called perpendicular Magnetic-Tunnel-Junction STT
Renesas offers the next generation magnetoresisitve random-access memory (MRAM) by utilizing a new proprietary technology called perpendicular Magnetic-Tunnel-Junction STT (Spin-transfer Torque) to achieve best-in-class non-volatile memory with long data retention and a fast serial interface. With a wide range of memory densities and high operating temperatures, Renesas’ MRAM is suited for applications ranging from factory automation equipment requiring fast back-up data retrieval to medical data units with long-term data storage requirements.
新产品
发布时间 : 2020-06-08
【产品】4Mbit~16Mbit磁阻随机存取存储器（MRAM）Mxxxx204，数据可在85°C时保留超过20年
RENESAS公司推出的Mxxxx204系列为磁阻随机存取存储器（MRAM）。它的密度范围从4Mbit到16Mbit。MRAM技术类似于Flash技术，具有SRAM兼容的读/写时序。其数据始终能够保持非易失性的，具有10^16个写周期的耐久性，在85°C时保留超过20年。
新产品
发布时间 : 2020-06-05
IDT宣布提供Avalanche Technology公司的MRAM器件以补充电源，传感器，定时和微控制器设备
2019年10月17日，瑞萨电子公司的全资子公司Integrated Device Technology，Inc.（IDT）宣布提供Avalanche Technology公司的磁RAM（MRAM）设备，以补充瑞萨公司的电源、传感器、定时和微控制器设备。
行业资讯
发布时间 : 2019-10-26
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Everspin Demonstrates MRAM Leadership at MRAM Developer Day Flash Memory Summit
EVERSPIN -
其他
- August 6.2018 - 英文
Everspin’s State-of-the-Art MRAM Technology How Everspin’s Patented MRAM Memory Technology
EVERSPIN -
其他
- January 2018 - 英文 型号 :MR4A08B,MR25H128A,MR25H256A,MR10Q010,MR4A16B,MR0DL08B,MR2A16A,MR0A16A,MR2A08A,MR256DL08B,MR0A08B,MR25H256,MR4A08BUYS45,MR0D08B,MR256A08B,MR256D08B,MR4
Low Power 256K MRAM Design
NVE -
其他
- November 4 - 6, 2002 - 英文 型号 :SSDT
Using MRAM to Optimize System Energy Consumption
EVERSPIN -
其他
- 3/2015 - 英文
Toggle and Spin Torque MRAM: Status and Outlook
EVERSPIN -
其他
- Received Jan. 08.2010 - Jan. 08.2010 - 英文
UT8MR2M8 16M MRAM time/temperature induced bit-error anomaly
COBHAM -
其他
- REVISION: B - 2014, October, 9 - 英文 型号 :UT8MR2M8
Magnetic Field Immunity of Everspin MRAM
EVERSPIN -
其他
- 7/2015 - 英文 型号 :MR4A08B,MR256A08B,MR10Q010,MR4A16B,MR2A16A,MR20H40,MR0A16A,MR2A08A,MR25H10,MR25H40,MR0A08B,MR25H256
Replacing Everspin QSPI MRAM with Cypress QSPI nvSRAM
CYPRESS -
其他
- Rev. *A - 07/09/2015 - 英文 型号 :CY14V101XS
MRAM Improvements to Automotive Non- Volatile Memory Storage
EVERSPIN -
其他
- August 5, 2016 - 英文
将 Everspin QSPI MRAM 替换为赛普拉斯 QSPI nvSRAM
CYPRESS -
其他
- 版本 ** - 05/07/2015 - 中文 型号 :CY14V101XS
VertiCal Calibration MRAM Board
NXP -
商品功能框图
- 03/27/2012 - 英文 型号 :LFVCALMRAM
MR5A16A 32Mb MRAM Datasheet
EVERSPIN -
数据手册
- Rev v1.0 - Nov 20, 2019 - 英文 型号 :MR5A16ACMA35,MR5A16ACYS35R,MR5A16AMA35R,MR5A16ACYS35,MR5A16ACMA35R,MR5A16AYS35R,MR5A16AUMA45R,MR5A16AUMA45,MR5A16AUYS45,MR5A16AMA35,MR5A16AUYS45R,MR5A
1Mb Serial SPI MRAM MR25H10
EVERSPIN -
数据手册
- Rev. 9.5 - 3/2018 - 英文 型号 :MR25H10MDFR,MR25H10CDFR,MR25H10CDCR,MR25H10MDC,MR25H10MDCR,MR25H10,MR25H10CDF,MR25H10CDC,MR25H10MDF
Dual Supply 128K x 8 MRAM MR0DL08B
EVERSPIN -
数据手册
- Rev. 1.3 - 3/2018 - 英文 型号 :MR0DL08BMA45,MR0DL08BMA45R,MR0DL08B
MR1A16A 128K x 16 MRAM Memory Datasheet
EVERSPIN -
数据手册
- Rev. 1.0 - October 1, 2019 - 英文 型号 :MR1A16AVMA35R,MR1A16AYS35,MR1A16AMYS35R,MR1A16AYS35R,MR1A16ACYS35R,MR1A16AVYS35R,MR1A16AVYS35,MR1A16ACYS35,MR1A16AVMA35,MR1A16AMYS35,MR1A16A,MR1A16AMA
MR3A16A 512K x 16 MRAM Datasheet
EVERSPIN -
数据手册
- Rev. 1.0 - October 1, 2019 - 英文 型号 :MR3A16AMA35R,MR3A16ACMA35R,MR3A16AMA35,MR3A16A,MR3A16AYS35,MR3A16ACYS35,MR3A16ACYS35R,MR3A16ACMA35,MR3A16AYS35R
1M x 16 MRAM MR4A16B 数据手册
EVERSPIN -
数据手册
- Rev. 11.7 - 3/2018 - 英文 型号 :MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A16BCYS35R,MR4A16BYS35,MR4A16B,MR4A16BCMA35,MR4A16BYS35R,MR4A16BCMA35R,MR4A16BCYS35
1M x 16 MRAM MR4A16B 数据手册
EVERSPIN -
数据手册
- Rev. 11.6 - 05/2017 - 英文 型号 :MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A16BCYS35R,MR4A16BYS35,MR4A16B,MR4A16BCMA35,MR4A16BYS35R,MR4A16BCMA35R,MR4A16BCYS35
256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM Datasheet
EVERSPIN -
数据手册
- Revision 1.3 - October 15, 2018 - 英文 型号 :EMD3D256M08BS1,EMD3D256M08G1-150CBS1,EMD3D256M16G2-150CBS1,EMD3D256M16BS1,EMD3D256M08G1-150CBS1R,EMD3D256M08,EMD3D256M16,EMD3D256M16G2-150CBS1R
64K x 16 MRAM Memory MR0A16A 数据手册
EVERSPIN -
数据手册
- Rev. 8.3 - 3/2018 - 英文 型号 :MR0A16AYS35,MR0A16AYS35R,MR0A16A,MR0A16ACMA35R,MR0A16AVMA35,MR0A16ACMA35,MR0A16AVMA35R,MR0A16AMYS35,MR0A16AMA35R,MR0A16AVYS35R,MR0A16AMYS35R,MR0A16AMA
512K x 8 MRAM Memory MR2A08A 数据手册
EVERSPIN -
数据手册
- Rev. 6.3 - 3/2018 - 英文 型号 :MR2A08AMYS35R,MR2A08ACMA35R,MR2A08AYS35,MR2A08AMA35R,MR2A08AYS35R,MR2A08ACYS35R,MR2A08AMA35,MR2A08ACYS35,MR2A08ACMA35,MR2A08A,MR2A08AMYS35
Everspin MRAM DFN Package Guide
EVERSPIN -
封装信息/封装结构图
- Revision 1.2 - April 12, 2018 - 英文
Everspin SOIC MRAM Package Guide
EVERSPIN -
封装信息/封装结构图
- Revision 2.2 - 3/2018 - 英文
Everspin 24-ball BGA MRAM Package
EVERSPIN -
封装信息/封装结构图
- Revision 1.0, - 5/2018 - 英文
Everspin 48-ball BGA MRAM Packages
EVERSPIN -
封装信息/封装结构图
- Revision 2.2 - 4/2018 - 英文 型号 :MR0A08,MR0A16,MR4A16,MR256DL08,MR2A16,MR0DL08,MR256A08,MR4A08,MR2A08,MR0D08
Everspin 48-ball BGA MRAM Packages
EVERSPIN -
封装信息/封装结构图
- Revision 2.1 - 7/2015 - 英文 型号 :MR0A08,MR0A16,MR4A16,MR256DL08,MR2A16,MR0DL08,MR256A08,MR4A08,MR2A08,MR0D08
Everspin MRAM DFN Package Guide
EVERSPIN -
封装信息/封装结构图
- Revision 1.2 - 2/2015 - 英文
Everspin SOIC MRAM Package Guide
EVERSPIN -
封装信息/封装结构图
- Revision 2.0 - 8/2015 - 英文
Everspin TSOP2 MRAM Package Guide
EVERSPIN -
封装信息/封装结构图
- Revision 1.3, - 4/2018 - 英文
Everspin TSOP2 MRAM Package Guide
EVERSPIN -
封装信息/封装结构图
- Revision 1.2, - 10/2014 - 英文
Toggle MRAM Magnetoresistive Random Access Memory brochure
EVERSPIN -
商品及供应商介绍
- July 2019 - 英文 型号 :MR4A08B,MR25H128A,MR25H256A,MR10Q010,MR4A16B,MR0DL08B,MR2A16A,MR0A16A,MR2A08A,MR256DL08B,MR25H256,MR4A08BUYS45,MR0D08B,MR256A08B,MR256D08B,MR4A16BUYS4
Comparing Technologies: MRAM vs. FRAM
EVERSPIN -
应用笔记或设计指南
- 3/2013 - 英文
Approximating the Magnetic Field When Using Everspin MRAM
EVERSPIN -
应用笔记或设计指南
- 2/2012 - 英文
Impact of External Magnetic Fields on MRAM Product Application Note
NXP -
应用笔记或设计指南
- Rev. 0 - 11/2007 - 英文 型号 :MR2A16A
Replacing the Cypress CY62168EV30LL-45BVXI MoBL SRAM with Everspin MR4A08B MRAM
EVERSPIN -
应用笔记或设计指南
- 3/2013 - 英文 型号 :MR4A08B,CY62168EV30LL-45BVXI,MR4A08BMA35
Replacing the Cypress CY14V101LA-BA45 nvSRAM with Everspin’s MR0D08BMAxx MRAM
EVERSPIN -
应用笔记或设计指南
- 4/2013 - 英文 型号 :MR0D08BMAXX,CY14V101LA-BA45
Replacing the Cypress CY14V256LA-BA35 nvSRAM with Everspin’s MR256D08BMA45 MRAM
EVERSPIN -
应用笔记或设计指南
- 3/2015 - 英文 型号 :CY14V256LA-BA35,MR256D08BMA45
Replacing the Cypress CY14U256LA-BA35 nvSRAM with Everspin’s MR256DL08BMA45 MRAM
EVERSPIN -
应用笔记或设计指南
- 12/2014 - 英文 型号 :CY14U256LA-BA35,MR256DL08BMA45
Aeroflex Colorado Springs Application Note SEFI Work-Arounds for MRAM Devices
COBHAM -
应用笔记或设计指南
- Revision: A - December 2013 - 英文 型号 :UT8MR8M8,UT8MR2M8
Replacing the Cypress CY14B101LA-xx nvSRAM with Everspin’s MR0A08Bxxx MRAM
EVERSPIN -
应用笔记或设计指南
- 8/2015 - 英文 型号 :MR0A08BXXX,CY14B101LA-XX
Replacing the Cypress CY14B256LA-ZS25 nvSRAM with Everspin MR256A08BMA35 MRAM
EVERSPIN -
应用笔记或设计指南
- 8/2015 - 英文 型号 :MR256A08BMA35
UT8MR8M8 64M MRAM Multi-Bit Error (MBE) detect pin behavior and functionality
COBHAM -
产品变更通知及停产信息
- REVISION: B - 2016, January 15th - 英文 型号 :UT8MR8M8
Product/Process Change Notice 16Mb MRAM in 48-BGA Package Moisture Sensitivity Level
EVERSPIN -
产品变更通知及停产信息
- November 03.2016 - 英文 型号 :MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A08BCMA35,MR4A16BCMA35,MR4A08BCMA35R,MR4A16BCMA35R,MR4A08BMA35,MR4A08BMA35R
Product/Process Change Notice 16Mb MRAM in 48-BGA Package Moisture Sensitivity Level
EVERSPIN -
产品变更通知及停产信息
- March 22.2016 - 英文 型号 :MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A08BCMA35,MR4A16BCMA35,MR4A08BCMA35R,MR4A16BCMA35R,MR4A08BMA35,MR4A08BMA35R
Product/Process Change Notice Additional assembly site for 16Mb MRAM in 48-BGA Package
EVERSPIN -
产品变更通知及停产信息
- October 15.2014 - 英文 型号 :MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A08BCMA35,MR4A16BCMA35,MR4A08BCMA35R,MR4A16BCMA35R,MR4A08BMA35,MR4A08BMA35R
Product and Process Change Notice Notice of Upgrade of Moisture Sensitivity Level of 16Mb MRAM in BGA package to MSL-3
EVERSPIN -
产品变更通知及停产信息
- 2/9/2017 - 英文 型号 :MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A08BCMA35,MR4A16BCMA35,MR4A16BCMA35R,MR4A08BCMA35R,MR4A08BMA35,MR4A08BMA35R
Everspin Serial Peripheral Interface (SPI) MRAM Evaluation Board Guide
EVERSPIN -
用户指南
- Revision 2.1 - 10/2015 - 英文 型号 :MR10Q010,MR20H40,MR25H10,MR25H40,MR25H256
MR25H00-EVAL Everspin SPI MRAM Evaluation Board User Guide
EVERSPIN -
用户指南
- Revision 1.0 - 2/2016 - 英文 型号 :STM32F411RET6,MR20H40,LCP,MR25H10,MR25H40,MR25H256,MCU,MR25H00-EVAL
MR10Q010-EVAL1 Everspin Quad SPI MRAM Evaluation Board User Guide
EVERSPIN -
用户指南
- Revision 1.0, - 2/2016 - 英文 型号 :STM32F476RGT6,MR10Q010SC,MR10Q010CMB,MR10Q010MB,MR10Q010CSC,MR10Q010-EVAL1
Standard Products UT8MR8M8-EVB 64Megabit Non-Volatile MRAM Evaluation Board User Manual
COBHAM -
用户指南
- July 2012 - 英文 型号 :UT8MR8M8-EVB,8MR8M8-EVB
新兴存储技术为何会在短时间内取得快速发展？如PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等存储器。
原来的存储技术都存在短板，新型的存储技术提升了存储密度，而且最主要的是给新进厂家提供了机会
技术问答
发布时间 : 2018-12-14
非易失性RAM容量有64MB的吗？
技术问答
发布时间 : 2018-12-20
Aeroflex Colorado Springs Standard Products Application Engineering Serial Programming the Aeroflex 64Mbit MRAM for Configuring the Xilinx Virtex-5 FPGA
COBHAM -
应用及方案
- REV 1.0 - 英文
现货供应Keysight电流波形分析仪，并可提供样机演示
目前，在世强元件电商采购Keysight电流波形分析仪，不仅价格实惠、库存丰富可快速交付，还提供样机为客户进行演示。与此同时，Keysight电流波形分析仪所有的相关资料和最新技术资讯都可在世强元件电商搜索查看，并可通过世强元件电商免费预约世强旗下开放实验室进行实测。
行业资讯
发布时间 : 2018-12-01
集成电路
分立元件
接插件及结构件
部件、组件及配件
电源及模块
电子材料
仪器仪表及测试配组件
电工工具及材料
机械电子元件
加工与定制
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