MRAM

MRAM选型帮助

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【产品】瑞萨新型MRAM系列，业界领先的非易失性存储器，4Mb到16Mb高存储密度

瑞萨电子的新型MRAM器件系列拥有从4Mb到16Mb的高存储密度，并且允许以10 e16周期的超高寿命连续覆盖数据。对于设备操作，瑞萨MRAM产品允许几乎无休止的写入周期、连续的数据日志记录和事件记录，而没有写入延迟。与其它非易失性存储器相比，瑞萨高性能MRAM产品具有读取速度快、存储密度高、寿命长、电压低等特点。

新产品发布时间 : 2020-07-31

【应用】瑞萨最新MRAM产品线采用垂直磁隧道结自旋转移力矩的专有技术，满足数字助听器的存储需求

MRAM代表了瑞萨最新的存储器产品线。这些MRAM是快速的非易失性存储器，具有极低的延迟访问和超高的耐用性。它们具有通过行业标准SPI接口进行的简单随机存取存储器操作，故易于使用且占用空间小。MRAM的这些关键优势使其成为高级助听器应用的最佳解决方案。

应用方案发布时间 : 2020-06-13

【产品】瑞萨电子推出新一代高性能磁阻随机存取存储器（MRAM），支持4Mb到16Mb高存储密度

瑞萨电子通过利用垂直磁隧道结STT（自旋转移矩效应）这一技术，推出了新一代的磁阻随机存取存储器（MRAM），以实现同类最佳的非易失性存储器，并具有长数据保留，持久性和快速串行接口等特性。瑞萨的MRAM具有较高的存储密度和较高的工作温度，适用于从需要快速备份数据检索的工厂自动化设备到具有长期数据存储要求的医疗数据单元的各种应用。

厂牌及品类发布时间 : 2020-06-10

Renesas offers the next generation MRAM by utilizing a new proprietary technology called perpendicular Magnetic-Tunnel-Junction STT

Renesas offers the next generation magnetoresisitve random-access memory (MRAM) by utilizing a new proprietary technology called perpendicular Magnetic-Tunnel-Junction STT (Spin-transfer Torque) to achieve best-in-class non-volatile memory with long data retention and a fast serial interface. With a wide range of memory densities and high operating temperatures, Renesas’ MRAM is suited for applications ranging from factory automation equipment requiring fast back-up data retrieval to medical data units with long-term data storage requirements.

新产品发布时间 : 2020-06-08

【产品】4Mbit~16Mbit磁阻随机存取存储器（MRAM）Mxxxx204，数据可在85°C时保留超过20年

RENESAS公司推出的Mxxxx204系列为磁阻随机存取存储器（MRAM）。它的密度范围从4Mbit到16Mbit。MRAM技术类似于Flash技术，具有SRAM兼容的读/写时序。其数据始终能够保持非易失性的，具有10^16个写周期的耐久性，在85°C时保留超过20年。

新产品发布时间 : 2020-06-05

Everspin Demonstrates MRAM Leadership at MRAM Developer Day Flash Memory Summit

EVERSPIN - 其他 - August 6.2018 - 英文

Everspin’s State-of-the-Art MRAM Technology How Everspin’s Patented MRAM Memory Technology

EVERSPIN - 其他 - January 2018 - 英文型号 :MR4A08B,MR25H128A,MR25H256A,MR10Q010,MR4A16B,MR0DL08B,MR2A16A,MR0A16A,MR2A08A,MR256DL08B,MR0A08B,MR25H256,MR4A08BUYS45,MR0D08B,MR256A08B,MR256D08B,MR4

Low Power 256K MRAM Design

NVE - 其他 - November 4 - 6, 2002 - 英文型号 :SSDT

Using MRAM to Optimize System Energy Consumption

EVERSPIN - 其他 - 3/2015 - 英文

Toggle and Spin Torque MRAM: Status and Outlook

EVERSPIN - 其他 - Received Jan. 08.2010 - Jan. 08.2010 - 英文

UT8MR2M8 16M MRAM time/temperature induced bit-error anomaly

COBHAM - 其他 - REVISION: B - 2014, October, 9 - 英文型号 :UT8MR2M8

Magnetic Field Immunity of Everspin MRAM

EVERSPIN - 其他 - 7/2015 - 英文型号 :MR4A08B,MR256A08B,MR10Q010,MR4A16B,MR2A16A,MR20H40,MR0A16A,MR2A08A,MR25H10,MR25H40,MR0A08B,MR25H256

MRAM Improvements to Automotive Non- Volatile Memory Storage

EVERSPIN - 其他 - August 5, 2016 - 英文

Replacing Everspin QSPI MRAM with Cypress QSPI nvSRAM

CYPRESS - 其他 - Rev. *A - 07/09/2015 - 英文型号 :CY14V101XS

Everspin enhances RIM smart meters with instantly non-volatile, low-energy MRAM memory

EVERSPIN - 其他 - Feb 25.2015 - 英文型号 :MR25H40

IDT宣布提供Avalanche Technology公司的MRAM器件以补充电源，传感器，定时和微控制器设备

2019年10月17日，瑞萨电子公司的全资子公司Integrated Device Technology，Inc.（IDT）宣布提供Avalanche Technology公司的磁RAM（MRAM）设备，以补充瑞萨公司的电源、传感器、定时和微控制器设备。

行业资讯发布时间 : 2019-10-26

VertiCal Calibration MRAM Board

NXP - 商品功能框图 - 03/27/2012 - 英文型号 :LFVCALMRAM

M1004204/M1008204/M1016204 M3004204/M3008204/M3016204 High Performance Serial MRAM Memory

RENESAS - 数据手册 - Apr.16.20 - 英文型号 :M10162040108X0IWAR,M30162040108X,M10162040108X0ISAR,M10162040108X0IWAY,M3016204,M10162040108X0ISAY,M30162040054X0PWAR,M10042040054X0IWAY,M30162040054X

MR5A16A 32Mb MRAM Datasheet

EVERSPIN - 数据手册 - Rev v1.0 - Nov 20, 2019 - 英文型号 :MR5A16ACMA35,MR5A16ACYS35R,MR5A16AMA35R,MR5A16ACYS35,MR5A16ACMA35R,MR5A16AYS35R,MR5A16AUMA45R,MR5A16AUMA45,MR5A16AUYS45,MR5A16AMA35,MR5A16AUYS45R,MR5A

1Mb Serial SPI MRAM MR25H10

EVERSPIN - 数据手册 - Rev. 9.5 - 3/2018 - 英文型号 :MR25H10MDFR,MR25H10CDFR,MR25H10CDCR,MR25H10MDC,MR25H10MDCR,MR25H10,MR25H10CDF,MR25H10CDC,MR25H10MDF

Dual Supply 128K x 8 MRAM MR0DL08B

EVERSPIN - 数据手册 - Rev. 1.3 - 3/2018 - 英文型号 :MR0DL08BMA45,MR0DL08BMA45R,MR0DL08B

MR3A16A 512K x 16 MRAM Datasheet

EVERSPIN - 数据手册 - Rev. 1.0 - October 1, 2019 - 英文型号 :MR3A16AMA35R,MR3A16ACMA35R,MR3A16AMA35,MR3A16A,MR3A16AYS35,MR3A16ACYS35,MR3A16ACYS35R,MR3A16ACMA35,MR3A16AYS35R

MR1A16A 128K x 16 MRAM Memory Datasheet

EVERSPIN - 数据手册 - Rev. 1.0 - October 1, 2019 - 英文型号 :MR1A16AVMA35R,MR1A16AYS35,MR1A16AMYS35R,MR1A16AYS35R,MR1A16ACYS35R,MR1A16AVYS35R,MR1A16AVYS35,MR1A16ACYS35,MR1A16AVMA35,MR1A16AMYS35,MR1A16A,MR1A16AMA

256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM Datasheet

EVERSPIN - 数据手册 - Revision 1.3 - October 15, 2018 - 英文型号 :EMD3D256M08BS1,EMD3D256M08G1-150CBS1,EMD3D256M16G2-150CBS1,EMD3D256M16BS1,EMD3D256M08G1-150CBS1R,EMD3D256M08,EMD3D256M16,EMD3D256M16G2-150CBS1R

MR3A16AUYS45 8Mb [x16] Automotive Temperature Range MRAM Datasheet

EVERSPIN - 数据手册 - Rev. 1.0 - November 7, 2019 - 英文型号 :MR3A16AUYS45R,MR3A16AUYS45

Standard Products UT8MR2M8 16Megabit Non-Volatile MRAM Datasheet

COBHAM - 数据手册 - November 2017 - 英文型号 :UT8MR2M8

Standard Products UT8MR8M8 64Megabit Non-Volatile MRAM Datasheet

COBHAM - 数据手册 - November 2017 - 英文型号 :UT8MR8M8

Comparing Technologies: MRAM vs. FRAM

EVERSPIN - 应用笔记或设计指南 - 3/2013 - 英文

Approximating the Magnetic Field When Using Everspin MRAM

EVERSPIN - 应用笔记或设计指南 - 2/2012 - 英文

Impact of External Magnetic Fields on MRAM Product Application Note

NXP - 应用笔记或设计指南 - Rev. 0 - 11/2007 - 英文型号 :MR2A16A

Replacing the Cypress CY62168EV30LL-45BVXI MoBL SRAM with Everspin MR4A08B MRAM

EVERSPIN - 应用笔记或设计指南 - 3/2013 - 英文型号 :MR4A08B,CY62168EV30LL-45BVXI,MR4A08BMA35

Replacing the Cypress CY14V101LA-BA45 nvSRAM with Everspin’s MR0D08BMAxx MRAM

EVERSPIN - 应用笔记或设计指南 - 4/2013 - 英文型号 :MR0D08BMAXX,CY14V101LA-BA45

Replacing the Cypress CY14V256LA-BA35 nvSRAM with Everspin’s MR256D08BMA45 MRAM

EVERSPIN - 应用笔记或设计指南 - 3/2015 - 英文型号 :CY14V256LA-BA35,MR256D08BMA45

Replacing the Cypress CY14U256LA-BA35 nvSRAM with Everspin’s MR256DL08BMA45 MRAM

EVERSPIN - 应用笔记或设计指南 - 12/2014 - 英文型号 :CY14U256LA-BA35,MR256DL08BMA45

Aeroflex Colorado Springs Application Note SEFI Work-Arounds for MRAM Devices

COBHAM - 应用笔记或设计指南 - Revision: A - December 2013 - 英文型号 :UT8MR8M8,UT8MR2M8

Aeroflex Colorado Springs Application Note Magnetic Immunity of the MRAM Devices

COBHAM - 应用笔记或设计指南 - Revision: B - November 2013 - 英文型号 :UT8MR8M8,UT8MR2M8

Replacing the Cypress CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM with Everspin MR2A16Axxx35 MRAM

EVERSPIN - 应用笔记或设计指南 - 3/2013 - 英文型号 :MR2A16AXXX35,CY14B104NA-BA/ZS45XI

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Toggle MRAM Magnetoresistive Random Access Memory brochure

EVERSPIN - 商品及供应商介绍 - July 2019 - 英文型号 :MR4A08B,MR25H128A,MR25H256A,MR10Q010,MR4A16B,MR0DL08B,MR2A16A,MR0A16A,MR2A08A,MR256DL08B,MR25H256,MR4A08BUYS45,MR0D08B,MR256A08B,MR256D08B,MR4A16BUYS4

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RENESAS - 商品及供应商介绍 - August 17, 2020 - 英文型号 :R1RP0416DSB-2LR#D1,R1LV1616HSA-5SI#B1,RMLV0408EGSP-4S2,R1RW0416DGE-2LR,R1RP0408DGE-2PR,R1LV1616HSA-4SI#B1,R1RP0408DGE-2LR#B1,R1LV0108ESF-5SI,R1RW0416D