7. External Memory Interfaces in HardCopy III Devices

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM,QDR II,QDR II+ SRAM,RLDRAM II

External Memory Interface Handbook Volume 1: Introduction and Specifications

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM,QDR II,QDR II+ SRAM,RLDRAM II

External Memory Interface Handbook Volume 1: Introduction and Specifications

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM,QDR II,QDR II+ SRAM,RLDRAM II

400MHz时钟频率的SDRAM，外部差分时钟让存储时间更短

AS4C32M16D2-25BIN是Alliance Memory推出的一款DDR2 SDRAM。该SDRAM容量为512M，最快时钟频率为400MHz，在医疗、工业、汽车和电信等领域有极大应用空间。

可编程CMOS SDRAM，高存储带宽应用的理想选择

该系列SDRAM提供可编程的读写突发长度为1、2、4、8页或全页。通过配置一个可编程的模式寄存器，系统可以选择一个最适合的模式以达到最佳性能。

DDR4 SDRAM Specification

DDR4 SDRAM,DDR4-1600,DDR4-1866,DDR4-2133,DDR4-2400,DDR4-2666,DDR4-3200

时钟频率高达400MHz的1G DDR2 SDRAM

AS4C64M16D2-25BCN是Alliance Memory的一款高速CMOS DDR2 SDRAM，容量为1GB，内部被配置成8个bank DRAM，最高时钟频率可达400MHz，具有离线驱动调整（OCD）、片内终结器（ODT）等关键技术。

【产品】128M,5.4 ns,适用于高存储带宽的CMOS SDRAM

ALLIANCE公司推出的AS4C4M32SA系列SDRAM产品是128Mb高速的CMOS同步动态随机存储器。

【产品】采用内部流水线架构实现高速运行的512Mb SDRAM

Alliance Memory的该系列SDRAM采用CMOS技术设计，具有高可靠性和高稳定性等优点。

【产品】一种频率两倍速度，第三代SDRAM就是任性

新品来袭：一种频率却可以有两倍速度，第三代SDRAM AS4C128M16D3-12BAN就是这么牛！

【产品】256Mb高速COMS同步SDRAM，高性能PC应用的最佳选择

Alliance公司推出的AS4C8M32SA系列SDRAM是高速的，CMOS同步（synchronous）动态随机存取存储器（DRAM）系列, 存储容量为256M。

【产品】专为高存储宽带应用而设计的高速CMOS SDRAM

AS4C32M16SB是ALLIANCE MEMORY公司推出的一款容量为512Mb高速SDRAM，其内部由4个块组成，每个块有16×8M word，十分适合应用于需要高存储带宽的场合，尤其适用于高性能PC设备。

这款DDR3 SDRAM电源效率更出色

AS4C1G8MD3L是Alliance Memory推出的一款具有双倍数据速率的CMOS DDR3 SDRAM，容量可达8Gb，时钟频率可达800MHz，单引脚的数据传输速率可达1600Mbps，可为高端计算机和存储系统提供更高的电源效率。

高性能PC应用的福音： 512Mbit SDRAM又回来了！

Micron重启了512Mbit SDRAM产品线，并由Alliance Memory代理。适合于医疗、工业、汽车和电信应用等需要高存储带宽的场合，尤其适合于高性能计算机应用。

无缝数据传输速率可达166MHz的SDRAM来袭

512Mbit 单数据速率的SDRAM AS4C32M16SA可以实现高速数据传输，且顺序无缝数据速率最高可达到166MHz！

时钟频率高达400MHz的DDR2 SDRAM，支持同步操作

AS4C16M16D2-25BCN是Alliance Memory推出的一款高速CMOS DDR2 SDRAM，最快时钟频率可达400MHz。

【产品】1G DDR SDRAM，多种节电模式与移动设备更配

AS4C32M32MD1是ALLIANCE的一款容量达1Gb的DDR SDRAM，最高数据率达400Mbps，具多种低功耗模式，适合移动应用。

【产品】峰值速率达333Mbps的1Gb DDR SDRAM

AS4C64M16MD1为ALLIANCE的一款容量达1Gb的DDR SDRAM，最高时钟频率达166MHz，具有多种节电模式，适合移动应用。

【产品】新一代SDRAM！增加便携式电子产品的电池寿命

LPDDR2 SDRAM为智能手机和平板电脑等移动设备的超低电压内核和I/O电源提供了可靠的pin to pin兼容替代方案。

【产品】54引脚TSOP II封装的新型256Mb高速CMOS SDRAM

Alliance Memory最新推出AS4C32M8SA和AS4C64M4SA系列SDRAM分别内部配置4个32M x 8位和64M x 4位的存储区，能够为消费产品，工业产品，以及可穿戴设备中图像存储，视频缓冲提供可靠的插入式，引脚兼容的解决方案。SDRAM提供同步接口，采用+ 3.3V（±0.3V）单电源供电，产品无铅无卤素。

PRODUCT DISCONTINUANCE NOTIFICATION PDN1403

IP-SDRAM/DDR,IPR-SDRAM/DDR,IP-SDRAM/DDR2,IPR-SDRAM/DDR2,IP-SRAM/QDRII,IPR-SRAM/QDRII,IP-RLDRAMII,IPR-RLDRAMII

第三代双倍数据率SDRAM:让您的数据传输事半功倍

AS4C512M8D3通过双倍数据率架构的设计，可根据两个不同时钟对数据进行锁存，通过该种方式，该器件可在与其他普通SDRAM相同时钟频率的情况下，将数据传输速率提升一倍。

【产品】256Mb高速CMOS SDRAM，采用54引脚TSOP II封装

Alliance近期推出了一系列x4和x8比特的256Mb高速CMOS SDRAM，采用54引脚400-mil塑料TSOP II封装，适用于图像存储和视频缓冲等多种解决方案中。

【产品】缓存操作飞起来！1866Mbps数据率的第三代SDRAM

Alliance公司推出的AS4C128M16D3A系列产品是第三代低压双倍数据率动态随机存储器（DDR3 DRAM）,其存储容量为2Gb，使用1.5V±0.075V单电源供电。该SDRAM可以将数据传输速率提升为传统SDRAM存储器的两倍，可以利用双倍数据率架构的优势将时钟频率降低，从而有效降低设计难度、功耗以及设计成本。

【产品】支持外部SDRAM存储器的高集成度彩色LCD控制器芯片

EPSON公司的高集成度彩色LCD控制器芯片S1D13515，使用灵活的外部SDRAM存储器接口来提供帧缓冲器，支持多种CPU接口和LCD面板输出。

【产品】最高速率达1600Mb/s的DDR3L SDRAM

AS4C512M8D3L是一款最高速率达1600Mb/s的DDR3L SDRAM，采用1.35V的单电源供电，其内存容量为4GB（512M×8bit），内置8个I/O接口，8个Bank，符合JEDEC时钟抖动规范。可为工业、医疗、网络、电信和航空航天等领域的新一代微处理器提供更高的带宽。

具可编程读写的256M SDRAM，存取时间低至5.4ns！

Alliance Memory 推出两款型号为AS4C8M32S-6TIN 和AS4C8M32S-7TCN的256M高速CMOS SDRAM，存取时间低至5.4ns，采用3.3V（±0.3V）的单电源供电广泛应用于工业、商业、电信和医疗等许多应用场景。

高速数据处理应用怎能缺少这款新一代双倍频率SDRAM

ALLIANCE MEMORY推出的第三代双倍数据率同步动态随机存储器（DDR3 SDRAM）AS4C256M32D3-12BCN，其存储容量可达8G bits，最高时钟频率可达800MHz，封装尺寸仅为12mm x 14mm x 1.4mm。

Stratix V Device Handbook Volume 1: Device Interfaces and Integration

DDR3 SDRAM，DDR2 SDRAM，RLDRAM 3，RLDRAM II，QDR II+ SRAM，QDR II SRAM

3. External Memory Interfaces in Stratix & Stratix GX Devices

(DDR) SDRAM, RLDRAM II,quad data rate (QDR) SRAM, QDRII SRAM, zero bus turnaround (ZBT) SRAM, single data rate (SDR) SDRAM.

【产品】总容量512Mb的DDR3和DDR3L SDRAM

Alliance近期推出了一系列总容量为512Mb的DDR3和DDR3L SDRAM，分为x8 and x16位宽两个大类，采用了78球和96球FBGA封装，能够提供1600Mbps的极速传输速率和800MHz的时钟速率，适用于显卡、DIMM模块、电脑、无线基站等多种应用。

【产品】采用FBGA封装的512Mb x8和x16比特的DDR3和DDR3L SDRAM

Alliance近期推出了一系列CMOS DDR3和低电压DDR3L SDRAM产品，该系列512Mb x8和x16器件使用了78球和96球FBGA封装，采用DDR架构，能提供1600Mbps的极速传输速率和800MHz的时钟速率。

QuadDie DDR3 SDRAM

MT41J2G4 – 64 Meg x 4 x 8 Banks x 4 Ranks,MT41J1G8 – 32 Meg x 8 x 8 Banks x4 Ranks

TwinDie™ DDR3 SDRAM

MT41J2G4 – 128 Meg x 4 x 8 Banks x 2 Ranks,MT41J1G8 – 64 Meg x 8 x 8 Banks x 2 Ranks

TwinDie™ DDR2 SDRAM

MT47H512M4 – 32 Meg x 4 x 8 Banks x 2 Ranks,MT47H256M8 – 16 Meg x 8 x 8 Banks x 2 Ranks

32Mx64 DDR SDRAM

W3E32M64S-XBX

DDR3L SDRAM

MT41K1G4 – 128 Meg x 4 x 8 banks,MT41K512M8 – 64 Meg x 8 x 8 banks,MT41K256M16 – 32 Meg x 16 x 8 banks

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA8ATF1G64HZ – 8GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA4ATF25664HZ – 2GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA9ASF1G72HZ – 8GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA18ASF1G72HZ – 8GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA16ATF1G64HZ – 8GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA4ATF51264HZ – 4GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA8ATF51264HZ – 4GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA18ASF2G72HZ – 16GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA16ATF2G64HZ – 16GB

DDR4 SDRAM LRDIMM

MTA36ASF4G72LZ – 32GB

DDR3 SDRAM SODIMM

MT8JTF12864HDZ – 1GB,MT8JTF51264HDZ – 4GB

DDR2 SDRAM FBDIMM

MT36HTF25672FZ – 2GB,MT36HTF51272FZ – 4GB

Automotive DDR SDRAM

MT46V32M8 – 8 Meg x 8 x 4 banks,MT46V16M16 – 4 Meg x 16 x 4 banks

Mobile SDRAM

MT48H4M16LF – 1 Meg x 16 x 4 banks

Mobile SDRAM

MT48LC8M16LF, MT48V8M16LF, MT48LC4M32LF, MT48V4M32LF

Mobile SDRAM

MT48H16M16LF – 4 Meg x 16 x 4 banks,MT48H8M32LF – 2 Meg x 32 x 4 banks

Samsung Memory for Supercomputing 20nm class DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM,M393A1G40EB1-CPB/RC,M393A1G43EB1-CPB/RC,M393A2G40EB1-CPB/RC,M393A2K40BB%-CPB/RC,M393A2K43BB1-CPB/RC,M393A4K40BB%-CPB/RC MP,M393A8K40B21-CRB/TC CS,M393AAG40B41-CRB/TC CS(4Q),M386A4K40BB0-CRC

【产品】一大波-40℃至105°C汽车级DRAM组件任您组装

全系列高速CMOS SDRAM存储器，包括DDR、DDR2和DDR3器件。

【产品】1.8V紧凑型MSDR SDRAM出炉！

为便携式消费电子产品、医疗设备、网络和电信设备提供高带宽和高性能存储器系统应用。

SDR SDRAM Controller

iCE40,MachXO3L

SDR SDRAM Controller

ECP5™,LatticeECP3™,LatticeECP™,MachXO2™,MachXO™,Lattice XP2™,Lattice XP™,ispMACH® 4000ZE7,ispLSI® 5000VE

Mobile LPSDR SDRAM

MT48H32M32LF/LG – 8 Meg x 32 x 4 Banks

Mobile Low-Power SDR SDRAM

MT48H8M16LF – 2 Meg x 16 x 4 banks,MT48H4M32LF – 1 Meg x 32 x 4 banks

gDDR3 SDRAM Graphics Addendum

MT41J256M16 – 32 Meg x 16 x 8 Banks

【产品】16M CMOS SDRAM，高内存带宽应用必备

AS4C1M16S-C&I快速访问时间仅为5.4ns，具有自动刷新和自刷新功能，刷新周期为64ms。

【产品】速率高达1600Mbps的SDRAM，存储设备的福音

AS4C128M8D3容量达1G，兼容DDR3 DRAM的关键特性，保障数据的高效稳定传输。

【产品】读写速率达800Mbps的DDR2 SDRAM

AS4C128M8D2容量达1G，时钟频率达400MHz，最高读写速率达800Mbps，适合高存储带宽应用。

TwinDie™ 1.2V DDR4 SDRAM

MT40A4G4 – 128 Meg x 4 x 16 Banks x 2 Ranks,MT40A2G8 – 64 Meg x 8 x 16 Banks x 2 Ranks

TwinDie™ 1.2V DDR4 SDRAM

MT40A2G4 – 128 Meg x 4 x 16 Banks x 2 Ranks,MT40A1G8 – 64 Meg x 8 x 16 Banks x 2 Ranks

TwinDie™ 1.2V DDR4 SDRAM

MT40A1G16 – 64 Meg x 16 x 16 Banks x 1 Ranks

Mobile SDRAM Interface Design Example

DDR4 SDRAM Memory Product Guide

DDR3 SDRAM Memory Product Guide

EP504 AHB Bus to SDRAM Controller

EP504

PC100 Registered SDRAM Module Design

PC100,2509A,2510A,PI74ALVC16334,PI74ALVC162334 ,I74ALVC16835,PI74ALVC162835,PI74ALVC162836,PI6C2510A,PI6C2509A,

DDR3L-RS SDRAM

EDJ4208EFBG-L – 64 Meg x 8 x 8 banks,EDJ4216EFBG-L – 32 Meg x 16 x 8 banks

1.35V DDR3L-RS SDRAM

MT41K256M8 – 32 Meg x 8 x 8 banks,MT41K128M16 – 16 Meg x 16 x 8 banks

1.35V DDR3L-RS SDRAM

MT41K1G4 - 128 Meg x 4 x 8 banks,MT41K512M8 – 64 Meg x 8 x 8 banks,MT41K256M16 – 32 Meg x 16 x 8 banks

Automotive DDR3L SDRAM

MT41K128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks,MT41K64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks

Automotive DDR3L-RS SDRAM

MT41K512M8 – 64 Meg x 8 x 8 banks,MT41K256M16 – 32 Meg x 16 x 8 banks

1.55V DDR2 SDRAM FBDIMM

MT18RTF25672FDZ – 2GB

Automotive DDR3L-RS SDRAM

MT41K1G4 – 128 Meg x 4 x 8 banks,MT41K512M8 – 64 Meg x 8 x 8 banks,MT41K256M16 – 32 Meg x 16 x 8 banks

DDR SDRAM Small-Outline DIMM

MT9VDDT1672PH(I) – 128MB,MT9VDDT3272PH(I) – 256MB,MT9VDDT6472PH(I) – 512MB,MT9VDDT12872PH(I) – 1GB (Advance‡)

DDR3 SDRAM Reduced tFAW Addendum

MT41J256M16 – 32 Meg x 16 x 8 Banks

8. SDRAM 控制器子系统

DDR and DDR2 SDRAM ECC Reference Design

Blackfin®处理器与SDRAM技术

Blackfin® Processor and SDRAM Technology

ADSP-BF51x,ADSP-BF52x,ADSP-BF533/2/1,ADSP-BF537/6/4,ADSP-BF539/8,ADSP-BF561

Designing for 1Gb DDR SDRAM

New Features of DDR3 SDRAM Document

DDR SDRAM Point-to-Point Simulation Process

TwinDie™ 1.35V DDR3L SDRAM

MT41K1G16 – 64 Meg x 16 x 2 Banks

TwinDie™ 1.35V DDR3L-RS SDRAM

MT41K512M16 – 32 Meg x 16 x 8 Banks

Addendum Automotive DDR3L SDRAM

MT41K128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks,MT41K64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks

Mobile Low-Power DDR SDRAM

MT46H32M16LF – 8 Meg x 16 x 4 Banks,MT46H16M32LF – 4 Meg x 32 x 4 Banks

Mobile DDR SDRAM AT Addendum

MT46H32M16LF – 8 Meg x 16 x 4 banks MT46H16M32LF – 4 Meg x 32 x 4 banks

Mobile DDR SDRAM Addendum

MT46H64M16LF – 16 Meg x 16 x 4 banks,MT46H32M32LF – 8 Meg x 32 x 4 banks

Mobile Low-Power DDR SDRAM

MT46H64M16LF – 16 Meg x 16 x 4 Banks,MT46H32M32LF – 8 Meg x 32 x 4 Banks

128M高速CMOS同步DRAM 计算机应用程序的得力助手

128Mb SDRAM AS4C8M16SA-6TAN是基于高速CMOS电路的同步DRAM，内部包含了16个8M的同步DRAM，适用于需要高内存的医疗、工业、汽车和电信应用程序，特别适合于高性能计算机的应用程序。

专为车载宽温度范围应用而设计的DDR2内存芯片

专为汽车应用而设计的内存芯片AS4C64M16D2-25BAN是高速CMOS DDR2同步动态随机存储器（SDRAM）芯片。

LatticeMico SDR SDRAM Controller

LatticeMico SDR

IXP42X Product Line and IXC1100 Control Plane Processor: Memory Management Unit and Cache Operation

IXP42X, IXC1100, IXDP425, IXP22x, PC133 SDRAM

IXP45X and IXP46X Product Line of Network Processors

IXP45X, IXP46X, IXDP465, IXP460, IXP455, DDR-266 SDRAM, RS-232, IXDP465