可编程CMOS SDRAM，高存储带宽应用的理想选择

该系列SDRAM提供可编程的读写突发长度为1、2、4、8页或全页。通过配置一个可编程的模式寄存器，系统可以选择一个最适合的模式以达到最佳性能。

【产品】新一代SDRAM！增加便携式电子产品的电池寿命

LPDDR2 SDRAM为智能手机和平板电脑等移动设备的超低电压内核和I/O电源提供了可靠的pin to pin兼容替代方案。

【产品】54引脚TSOP II封装的新型256Mb高速CMOS SDRAM

Alliance Memory最新推出AS4C32M8SA和AS4C64M4SA系列SDRAM分别内部配置4个32M x 8位和64M x 4位的存储区，能够为消费产品，工业产品，以及可穿戴设备中图像存储，视频缓冲提供可靠的插入式，引脚兼容的解决方案。SDRAM提供同步接口，采用+ 3.3V（±0.3V）单电源供电，产品无铅无卤素。

【产品】专为高存储宽带应用而设计的高速CMOS SDRAM

AS4C32M16SB是ALLIANCE MEMORY公司推出的一款容量为512Mb高速SDRAM，其内部由4个块组成，每个块有16×8M word，十分适合应用于需要高存储带宽的场合，尤其适用于高性能PC设备。

【产品】256Mb高速CMOS SDRAM，采用54引脚TSOP II封装

Alliance近期推出了一系列x4和x8比特的256Mb高速CMOS SDRAM，采用54引脚400-mil塑料TSOP II封装，适用于图像存储和视频缓冲等多种解决方案中。

512 Mbit SDRAM“重返江湖”，可自刷新和预充电

本已停产的512 Mbit SDRAM 得以“重返江湖”，还具备自刷新和预充电功能，开辟了Alliance内存产品市场的新局面。

时钟频率高达400MHz的DDR2 SDRAM，支持同步操作

AS4C16M16D2-25BCN是Alliance Memory推出的一款高速CMOS DDR2 SDRAM，最快时钟频率可达400MHz。

【产品】128M,5.4 ns,适用于高存储带宽的CMOS SDRAM

ALLIANCE公司推出的AS4C4M32SA系列SDRAM产品是128Mb高速的CMOS同步动态随机存储器。

【产品】总容量512Mb的DDR3和DDR3L SDRAM

Alliance近期推出了一系列总容量为512Mb的DDR3和DDR3L SDRAM，分为x8 and x16位宽两个大类，采用了78球和96球FBGA封装，能够提供1600Mbps的极速传输速率和800MHz的时钟速率，适用于显卡、DIMM模块、电脑、无线基站等多种应用。

高性能PC应用的福音： 512Mbit SDRAM又回来了！

Micron重启了512Mbit SDRAM产品线，并由Alliance Memory代理。适合于医疗、工业、汽车和电信应用等需要高存储带宽的场合，尤其适合于高性能计算机应用。

无缝数据传输速率可达166MHz的SDRAM来袭

512Mbit 单数据速率的SDRAM AS4C32M16SA可以实现高速数据传输，且顺序无缝数据速率最高可达到166MHz！

【产品】峰值速率达333Mbps的1Gb DDR SDRAM

AS4C64M16MD1为ALLIANCE的一款容量达1Gb的DDR SDRAM，最高时钟频率达166MHz，具有多种节电模式，适合移动应用。

第三代双倍数据率SDRAM:让您的数据传输事半功倍

AS4C512M8D3通过双倍数据率架构的设计，可根据两个不同时钟对数据进行锁存，通过该种方式，该器件可在与其他普通SDRAM相同时钟频率的情况下，将数据传输速率提升一倍。

【产品】支持外部SDRAM显示缓冲区的彩色LCD图形控制器，支持18/24位TFT接口

EPSON公司推出的S1D13517，支持的外部SDRAM内存大小可以为16M位、64M位或128M位，SDRAM时钟最大为90MHz，还支持8/16位间接主机接口，同时可以为外部SDRAM提供高性能带宽，允许快速更新屏幕。

这款DDR3 SDRAM电源效率更出色

AS4C1G8MD3L是Alliance Memory推出的一款具有双倍数据速率的CMOS DDR3 SDRAM，容量可达8Gb，时钟频率可达800MHz，单引脚的数据传输速率可达1600Mbps，可为高端计算机和存储系统提供更高的电源效率。

【产品】第二代SDRAM 1GB容量助力解决高速存储

AS4C128M8D2-25BIN是一款容量为1Gb的DDR2 CMOS SDRAM，符合JEDEC时钟抖动规范，采用交叉存取的方式，相比起标准DRAM具有更快的速度，大容量小尺寸因此应用范围极广。

时钟频率高达400MHz的1G DDR2 SDRAM

AS4C64M16D2-25BCN是Alliance Memory的一款高速CMOS DDR2 SDRAM，容量为1GB，内部被配置成8个bank DRAM，最高时钟频率可达400MHz，具有离线驱动调整（OCD）、片内终结器（ODT）等关键技术。

具可编程读写的256M SDRAM，存取时间低至5.4ns！

Alliance Memory 推出两款型号为AS4C8M32S-6TIN 和AS4C8M32S-7TCN的256M高速CMOS SDRAM，存取时间低至5.4ns，采用3.3V（±0.3V）的单电源供电广泛应用于工业、商业、电信和医疗等许多应用场景。

【产品】64MB高速CMOS同步SDRAM，具有5.4/5.4ns快速访问时间

AS4C2M32SA系列是​Alliance memory推出的64MB高速CMOS同步SDRAM，采用86 pin TSOP II封装，尺寸仅为400 x 875mil。其中AS4C2M32SA-6TCN和AS4C2M32SA-7TCN是商业级存储器，工作温度为0 ~+70℃，AS4C2M32SA-6TIN是工业级存储器，工作温度为-40 ~+85℃。

【产品】一种频率两倍速度，第三代SDRAM就是任性

新品来袭：一种频率却可以有两倍速度，第三代SDRAM AS4C128M16D3-12BAN就是这么牛！

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA4ATF51264HZ – 4GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA8ATF51264HZ – 4GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA18ASF2G72HZ – 16GB

DDR4 SDRAM SODIMM

MTA16ATF2G64HZ – 16GB

DDR3 SDRAM SODIMM

MT8JTF12864HDZ – 1GB,MT8JTF51264HDZ – 4GB

Automotive DDR SDRAM

MT46V32M8 – 8 Meg x 8 x 4 banks,MT46V16M16 – 4 Meg x 16 x 4 banks

Mobile SDRAM

MT48H4M16LF – 1 Meg x 16 x 4 banks

Mobile SDRAM

MT48LC8M16LF, MT48V8M16LF, MT48LC4M32LF, MT48V4M32LF

Mobile SDRAM

MT48H16M16LF – 4 Meg x 16 x 4 banks,MT48H8M32LF – 2 Meg x 32 x 4 banks

TwinDie™ DDR3 SDRAM

MT41J2G4 – 128 Meg x 4 x 8 Banks x 2 Ranks,MT41J1G8 – 64 Meg x 8 x 8 Banks x 2 Ranks

TwinDie™ DDR2 SDRAM

MT47H512M4 – 32 Meg x 4 x 8 Banks x 2 Ranks,MT47H256M8 – 16 Meg x 8 x 8 Banks x 2 Ranks

【产品】采用FBGA封装的512Mb x8和x16比特的DDR3和DDR3L SDRAM

Alliance近期推出了一系列CMOS DDR3和低电压DDR3L SDRAM产品，该系列512Mb x8和x16器件使用了78球和96球FBGA封装，采用DDR架构，能提供1600Mbps的极速传输速率和800MHz的时钟速率。

新品【产品】Alliance扩展低功耗SDRAM IC组合，可将低功耗与省电功能相结合

2018年5月8日，Alliance推出高速CMOS移动低功耗SDRAM包括SDR（LPSDR），LPDDR和DDR2（LPDDR2）器件。该公司的LPSDR SDRAM使用1.8V的电压供电，可提供的存储空间分别为128Mb，256Mb和512Mb，使用54pin和90pin的FBGA封装。

【产品】16Gb低功耗SDRAM，延长移动设备电池寿命

20nm工艺制造，667MHz，1333Mbps，-25 ℃至+ 85℃可扩展的温度范围。

【产品】4banks×16M×32bit DDR SDRAM

AS4C64M32MD1采用预取多位的芯片架构，实现了高速数据传输速率，非常适合移动应用。

【产品】16M CMOS SDRAM，高内存带宽应用必备

AS4C1M16S-C&I快速访问时间仅为5.4ns，具有自动刷新和自刷新功能，刷新周期为64ms。

【产品】双倍速率SDRAM，高性能存储器应用的最佳选择！

AS4C16M16MD1是一款高性能CMOS技术制造的256Mb双倍数据速率同步动态随机存取存储器。

【产品】速率高达1600Mbps的SDRAM，存储设备的福音

AS4C128M8D3容量达1G，兼容DDR3 DRAM的关键特性，保障数据的高效稳定传输。

【产品】支持外部SDRAM存储器的高集成度彩色LCD控制器芯片

EPSON公司的高集成度彩色LCD控制器芯片S1D13515，使用灵活的外部SDRAM存储器接口来提供帧缓冲器，支持多种CPU接口和LCD面板输出。

【产品】面向低功耗移动应用的SDRAM，数据高速读写就靠它

AS4C128M16MD2和AS4C64M32MD2是两款采用双速率架构以实现高速数据读写操作的存储器。

【产品】面向低功耗内存新标准的高速率SDRAM，助力移动应用

AS4C64M16MD2和AS4C32M32MD2采用了面向低功耗内存的全新标准——LPDDR2，内部配置8位存储器。

【产品】2Gb DDR3L SDRAM，高存储带宽设备上选

AS4C128M16D3L采用双数据率架构，可实现最高达1600Mbps的高速数据读写操作。

具备刷新功能的64Mb SDRAM，面向高内存带宽应用

Alliance推出64位高速同步动态随机存储器AS4C4M16SA，大容量带宽应用的首选，完美地实现了Pin to Pin兼容。

环境恶劣？通过多重测试的SDRAM解决你的后顾之忧！

AS4C8M16SA-6BIN是Alliance Memory公司专为有迫切需求的高品质、高可靠性的集成电路市场而设计，该芯片不仅拥有丰富的可选择功能还经过一系列可靠性测试。

新型2Gb容量SDRAM：时钟频率高达400MHz

ALLIANCE推出了一款2Gb容量的第二代双倍数据率同步动态随机存储器（DDR2），最高时钟速率可达400MHz，大容量小尺寸，以及宽工作温度范围，保障其具有广泛的应用领域。

【产品】256Mb高速COMS同步SDRAM，高性能PC应用的最佳选择

Alliance公司推出的AS4C8M32SA系列SDRAM是高速的，CMOS同步（synchronous）动态随机存取存储器（DRAM）系列, 存储容量为256M。

SDR SDRAM Controller

iCE40,MachXO3L

SDR SDRAM Controller

ECP5™,LatticeECP3™,LatticeECP™,MachXO2™,MachXO™,Lattice XP2™,Lattice XP™,ispMACH® 4000ZE7,ispLSI® 5000VE

Mobile LPSDR SDRAM

MT48H32M32LF/LG – 8 Meg x 32 x 4 Banks

高速数据处理应用怎能缺少这款新一代双倍频率SDRAM

ALLIANCE MEMORY推出的第三代双倍数据率同步动态随机存储器（DDR3 SDRAM）AS4C256M32D3-12BCN，其存储容量可达8G bits，最高时钟频率可达800MHz，封装尺寸仅为12mm x 14mm x 1.4mm。

Cyclone III Device Handbook Volume 2

DDR2 SDRAM, DDR SDRAM, QDRII SRAM

8. External Memory Interfaces in the Cyclone III Device Family

DDR2 SDRAM, DDR SDRAM, QDRII SRAM

【产品】缓存操作飞起来！1866Mbps数据率的第三代SDRAM

Alliance公司推出的AS4C128M16D3A系列产品是第三代低压双倍数据率动态随机存储器（DDR3 DRAM）,其存储容量为2Gb，使用1.5V±0.075V单电源供电。该SDRAM可以将数据传输速率提升为传统SDRAM存储器的两倍，可以利用双倍数据率架构的优势将时钟频率降低，从而有效降低设计难度、功耗以及设计成本。

【技术大神】高速SDRAM突发传输模式在LVDS视频电缆测试中的应用心得

本文介绍LVDS视频电缆测试仪项目的设计经验，该项目为视频系统集成商研制了一种LVDS视频电缆测试仪器，能够稳定捕捉信号传输误码信号，有效测试出LVDS电缆传输性能。项目采用采用世强代理器件：Alliance公司 256Mbits存储器AS4C32M8SA ，采用SDRAM的突发传输模式存储两路视频源信号，显著提高了视频数据传输效率，减小了控制器压力。

【产品】容量4G数据速率1600Mbps的DDR3L SDRAM

AS4C256M16D3LB-12BCN采用8位预取流水线架构，实现高速数据传输。

时钟速率166MHz的SDRAM，数据访问速度快人一步！

AS4C16M16SA-6BIN的总容量为256Mb，时钟速率最低为143MHz，最高可达166 MHz，具备自动刷新和自刷新功能，而每一次刷新时间为7.8125μs。

【产品】最高速率达1600Mb/s的DDR3L SDRAM

AS4C512M8D3L是一款最高速率达1600Mb/s的DDR3L SDRAM，采用1.35V的单电源供电，其内存容量为4GB（512M×8bit），内置8个I/O接口，8个Bank，符合JEDEC时钟抖动规范。可为工业、医疗、网络、电信和航空航天等领域的新一代微处理器提供更高的带宽。

【产品】这款512Mb移动SDRAM，可提供高性能存储器系统

AS4C32M16MS速率高达166MHz，1.8V低功耗，具有多种节能特性。

【产品】容量为4G的DDR3 SDRAM，数据传输快速又稳定

这两款DDR3存储器符合JEDEC要求，读写速率可达1866Mb/sec/pin。

3. External Memory Interfaces in Stratix II and Stratix II GX Devices

(DDR) SDRAM, DDR2 SDRAM, RLDRAM II, QDRII SRAM,(SDR) SDRAM

32Mx64 DDR SDRAM

W3E32M64S-XBX

DDR3L-RS SDRAM

EDJ4208EFBG-L – 64 Meg x 8 x 8 banks,EDJ4216EFBG-L – 32 Meg x 16 x 8 banks

DDR4 SDRAM LRDIMM

MTA36ASF4G72LZ – 32GB

DDR2 SDRAM FBDIMM

MT36HTF25672FZ – 2GB,MT36HTF51272FZ – 4GB

Automotive DDR3L SDRAM

MT41K128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks,MT41K64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks

DDR3 SDRAM Reduced tFAW Addendum

MT41J256M16 – 32 Meg x 16 x 8 Banks

8. SDRAM 控制器子系统

Blackfin®处理器与SDRAM技术

Designing for 1Gb DDR SDRAM

TwinDie™ 1.2V DDR4 SDRAM

MT40A1G16 – 64 Meg x 16 x 16 Banks x 1 Ranks

Mobile DDR SDRAM AT Addendum

MT46H32M16LF – 8 Meg x 16 x 4 banks MT46H16M32LF – 4 Meg x 32 x 4 banks

Mobile DDR SDRAM Addendum

MT46H64M16LF – 16 Meg x 16 x 4 banks,MT46H32M32LF – 8 Meg x 32 x 4 banks

QuadDie DDR3 SDRAM

MT41J2G4 – 64 Meg x 4 x 8 Banks x 4 Ranks,MT41J1G8 – 32 Meg x 8 x 8 Banks x4 Ranks

TwinDie™ 1.2V DDR4 SDRAM

MT40A4G4 – 128 Meg x 4 x 16 Banks x 2 Ranks,MT40A2G8 – 64 Meg x 8 x 16 Banks x 2 Ranks

TwinDie™ 1.2V DDR4 SDRAM

MT40A2G4 – 128 Meg x 4 x 16 Banks x 2 Ranks,MT40A1G8 – 64 Meg x 8 x 16 Banks x 2 Ranks

External Memory Interface Handbook Volume 1: Altera Memory Solution Overview and Design Flow

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM,QDR II,QDR II+ SRAM,RLDRAM II

External Memory Interface Handbook Volume 1: Altera Memory Solution Overview and Design Flow

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM,QDR II,QDR II+ SRAM,RLDRAM II

External Memory Interface Handbook Volume 1: Introduction to Altera External Memory Interfaces

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM,QDR II,QDR II+ SRAM,RLDRAM II

【产品】容量1Gb、速率1866Mbps这款SDRAM逆天了

AS4C128M8D3A可支持ZQ校准和动态ODT，完美解决高存储带宽场景的信号完整性问题。

面向高存储带宽应用的256Mb SDRAM，自动选择工作模式

该存储器内含可编程模式寄存器，系统工作时可以自动选择相应的的工作模式，使存储器的性能最大化。除此之外，该存储器具有简单易用的刷新选项，包括自动刷新和自刷新功能。

7. External Memory Interfaces in HardCopy IV Devices

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM,QDR II,QDR II+ SRAM,RLDRAM II

7. External Memory Interfaces in HardCopy III Devices

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM,QDR II,QDR II+ SRAM,RLDRAM II

External Memory Interface Handbook Volume 1: Introduction and Specifications

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM,QDR II,QDR II+ SRAM,RLDRAM II

External Memory Interface Handbook Volume 1: Introduction and Specifications

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM,QDR II,QDR II+ SRAM,RLDRAM II

第三代高速SRAM、SDRAM，数据传输率可达1600Mb

第三代高速双倍数据率同步动态随机存取存储器—AS4C64M16D3-12BAN震撼来袭！

【产品】1.8V紧凑型MSDR SDRAM出炉！

为便携式消费电子产品、医疗设备、网络和电信设备提供高带宽和高性能存储器系统应用。

【产品】容量2G的DDR3 SDRAM，最高速率达1866Mb/s/pin

AS4C256M8D3A-12BAN支持JEDEC时钟抖动规范,数据传输的稳定性高。

【产品】512Mb容量的DDR2 SDRAM，可实现高速数据传输

AS4C64M8D2-25BAN采用高速CMOS技术设计，最大时钟频率为400MHz。

Memory Extender SDRAM,Senal Flash and USD

LatticeMico SDR SDRAM Controller

LatticeMico SDR

Mobile Low-Power SDR SDRAM

MT48H8M16LF – 2 Meg x 16 x 4 banks,MT48H4M32LF – 1 Meg x 32 x 4 banks

这片256M存储器时钟频率可达400MHz，数据访问更加高效

AS4C16M16D2是Alliance Memory公司推出的一款容量为256Mb的DDR2 SDRAM。该款SDRAM的时钟频率可达400MHz，采用双倍数据率架构，可针对商业级和工业级应用提供两种不同版本。

Long-Term Mobile SDRAM Support: Replacements for Mobile SDRAM 128Mb Devices

Samsung Memory for Supercomputing 20nm class DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM,M393A1G40EB1-CPB/RC,M393A1G43EB1-CPB/RC,M393A2G40EB1-CPB/RC,M393A2K40BB%-CPB/RC,M393A2K43BB1-CPB/RC,M393A4K40BB%-CPB/RC MP,M393A8K40B21-CRB/TC CS,M393AAG40B41-CRB/TC CS(4Q),M386A4K40BB0-CRC

【产品】容量达1G的DDR SDRAM助力高存储带宽应用

AS4C64M16D1A时钟频率达166MHz，具有高速读写能力。