SDRAM

【产品】Alliance宣布新的8Gb高速CMOS DDR4 SDRAM：AS4C1G8D4和AS4C512M16D4

2020年9月—为了满足对更高密度CMOS DDR4 SDRAM不断增长的需求，Alliance Memory宣布通过两款新的8Gb高速CMOS DDR4 SDRAM，从而进一步扩展了其产品组合。与上一代DDR3 SDRAM相比，AS4C1G8D4和AS4C512M16D4提供了更高的性能，分别采用78-ball和96-ball FBGA封装，具有更低的功耗和更快的数据传输速率。

【选型】替代M品牌的MT41K256M16HA-125E的SDRAM AS4C256M16D3LC-12BCN，功耗更低

Alliance Memory公司新推出的4Gb容量、双倍数据速率-同步DRAM AS4C256M16D3LC（32M words x 16 bits x 8 banks），内部配置为八个bank，采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。本文讨论Alliance消费级 AS4C256M16D3LC-12BCN替代M品牌 的MT41K256M16HA-125E可行性。

【产品】1Gb低功耗DDR SDRAM AS4C32M32MD1A-5BIN，采用90-ball FBGA封装

Alliance推出的1Gb低功耗DDR SDRAM AS4C32M32MD1A-5BIN是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含1,073,741,824位，在内部由4组DRAM内存构成，每个268,435,456位 bank由16.384行x 1,024列x 32位构成。采用90-ball FBGA封装。

【产品】4Gb低功耗DDR2 SDRAM AS4C128M32MD2A，134-Ball FBGA封装

Alliance推出的4Gb低功耗DDR2 SDRAM（LPDDR2）AS4C128M32MD2A，包括AS4C128M32MD2A-18BIN，AS4C128M32MD2A-25BIN，是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包括4,294,967,296位，LPDDR2器件在内部由8组DRAM内存构成，x32的4,294,967,296位存储区中的每一个结构为16,384行×1024列×32位。

【产品】DDR3同步DRAM（SDRAM）AS4C32M16D3-12BIN，AS4C32M16D3-12BCN

Alliance Memory推出的DDR3同步DRAM（SDRAM）AS4C32M16D3-12BIN，AS4C32M16D3-12BCN，总容量可达512Mb，8组DRAM内存构成，结构4Mbit x 16 I/Os x 8 bank。该芯片采用双倍数据速率架构，可实现高速运行，一般应用，可实现高达1866 Mb / sec / pin的高速双数据传输速率。该产品96ball FBGA 封装。

【经验】基于西安智多晶FPGA的SDRAM控制器设计

随着科技的不断发展，电子系统要处理的信息也越来越庞大，但是处理器一般都没有内置大容量的内存，此时外置SDRAM器件显得尤为重要。本文将介绍如何使用西安智多晶FPGA实现SDRAM控制器设计，给出设计控制器代码，以及应用层代码例子，讲述如何使用该控制器模块进行二次开发。

【产品】8Gbit双倍数据速率DDR3L同步DRAM（SDRAM）AS4C1G8D3LA，78-ball FPGA封装

Alliance Memory推出了一款结构为128M words x 8 bits x 8 banks、双倍数据速率（DDR3L）同步DRAM（SDRAM）AS4C1G8D3LA。采用双倍数据速率架构，每个时钟周期可传输两次数据，8位预流水线结构可实现高速数据传输。

【产品】4Gb容量双倍数据速率架构DDR3L同步DRAM（SDRAM）AS4C256M16D3LB

Alliance推出4Gb容量（32M words x 16 bits x 8 banks）、双倍数据速率-3（DDR3L）同步DRAM（SDRAM）AS4C256M16D3LB，内部配置为八个bank，采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。

【产品】Alliance推出4Gb高速CMOS DDR4 SDRAMs：AS4C256M16D4、AS4C512M8D4

Alliance Memory扩大了其产品范围，推出了高速CMOS DDR4 SDRAMs。4Gb AS4C256M16D4和AS4C512M8D4具有更低的功耗和更快的数据传输速率，有96焊球和78焊球FBGA封装。

Alliance全新4Gb高速CMOS DDR4 SDRAMs、5V并行NOR闪存在“嵌入式世界2020”大会上展示

​Alliance Memory在2月25日~27日于德国纽伦堡举行的“嵌入式世界2020”大会上展示用于传统和新设计的SRAMs、DRAMs和闪存芯片。此外Micron（镁光）MT41K512M16HA-125 IT：8G DDR3L SDRAM的用户（最近一次购买日期为2019年1月13日）现在可以从Alliance Memory购买相同的设备，零件编号为AS4C512M16D3L-12BIN

【选型】Alliance AS4C4M16SA SDRAM替代W品牌W9864G6JT的可行性分析

Alliance Memory公司新推出的64Mb同步动态随机存取存储器AS4C4M16SA。它在内部配置为具有同步接口的4个1M字x 16 DRAM库（所有信号都记录在时钟信号CLK的上升沿）。 本文讨论Alliance的AS4C4M16SA SDRAM替代W品牌的W9864G6JT​可行性。

【经验】32bit MCU RH850/D1M1A缓存SDRAM的两种接法

随着用户多样化的需求以及半导体技术的发展，越来越多的设备，尤其是图像采集设备或实时显示系统应用中，高速的，大量的数据需要通过缓存再输入给前端MCU/SOC/FPGA等处理器；本文介绍了Renesas RH850/D1M1A缓存SDRAM的两种接法。

【应用】256Mb SDRAM AS4C16M16SA-7TCN助力6寸智能控制面板高速表现

笔者设计的这款智能控制面板，搭载6寸TFT液晶显示器，可以显示丰富的UI图片和效果，屏幕分辨率达到720*1440。采用Alliance公司推出AS4C16M16SA-7TCN作为SDRAM芯片，时钟频率可达到143 MHz，容量为256Mb（4M word * 16bit * 4），图片显示和切换的效果可以满足产品设计要求。

【产品】时钟频率分别为100/133 MHz的SDRAM，内存模块数据带宽可达800/1066 MB/s

SDRAM是PC100和PC133单数据速率(SDR) SDRAM的通称，时钟频率分别为100/133 MHz，内存模块数据带宽可达800/1066 MB/s。 ATP致力于为客户提供最高可靠性的产品，并提供定制化服务，帮助客户满足专业及特定的应用需求。

sdram怎么叠加使用

sdram叠加原理理解为两个内存数据脚分别充当32位高低16位数据，但是sdram因为速度太快，数据线、地址线、控制线，全部要匹配，线路的长度、阻抗、延迟、都要严格计算，还有，用的PCB板材料都要考虑好。

【产品】512Mx8bit的SDRAM AS4C512M8D4，最高时钟速率1200/1333MHz

AS4C512M8D4是Alliance 推出的大小为512M x 8 bit的SDRAM，符合JEDEC标准、RoHS要求，支持低功耗自动自刷新切功耗低，采用无铅和无卤素FBGA封装。

【产品】256M x 16 bit的SDRAM AS4C256M16D4，最高时钟速率1200/1333MHz

​AS4C256M16D4是Alliance推出的大小为256M x 16 bit的SDRAM，符合JEDEC标准、RoHS要求，支持自动刷新和自更新功能，采用无铅和无卤素FBGA封装。

【应用】SDRAM AS4C16M16SA用于智能控制面板，具有快速时钟频率、加快数据传输速度等优势

在智能控制面板中，Alliance Memory的AS4C16M16SA是高速动态同步储存器（SDRAM），供电电压典型值3.3V，功耗最大仅为1W，最高可支持的工作温度范围-40~85ºС，能够满足恶劣环境的温度要求，可靠性高。主要优势包括：快速的时钟频率；可适应高速CPU，缩短周期，加快数据传输速度等。

【产品】AEC-Q100兼容的2Gb DDR3L SDRAM: AS4C128M16D3LC-12BAN/（-TR）

为了满足高温应用中对高速，低压DDR3L SDRAM的需求，Alliance Memory推出了新型2Gb DDR3L SDRAM：AS4C128M16D3LC-12BAN和AS4C128M16D3LC-12BANTR，特点是符合汽车级2级，工作温度范围-40°C至+ 105℃。

Alliance Memory提供完整的具有汽车级温度范围的CMOS SDRAM产品系列

Alliance Memory大大缩短了其额定温度范围为-40℃～+105℃（温度等级：汽车级）的DRAM的交付周期，产品交期是从库存到6个星期的时间。该公司提供完整的具有汽车级温度范围的CMOS SDRAM产品系列，包括双倍数据速率（DDR）、DDR2和DDR3器件。

【产品】面向低功耗移动应用的SDRAM，数据高速读写就靠它

AS4C128M16MD2和AS4C64M32MD2是两款采用双速率架构以实现高速数据读写操作的存储器。

【产品】面向低功耗内存新标准的高速率SDRAM，助力移动应用

AS4C64M16MD2和AS4C32M32MD2采用了面向低功耗内存的全新标准——LPDDR2，内部配置8位存储器。

具可编程读写的256M SDRAM，存取时间低至5.4ns！

Alliance Memory 推出两款型号为AS4C8M32S-6TIN 和AS4C8M32S-7TCN的256M高速CMOS SDRAM，存取时间低至5.4ns，采用3.3V（±0.3V）的单电源供电广泛应用于工业、商业、电信和医疗等许多应用场景。

【产品】一种频率两倍速度，第三代SDRAM就是任性

新品来袭：一种频率却可以有两倍速度，第三代SDRAM AS4C128M16D3-12BAN就是这么牛！

【产品】64M/128M/256M通用SDRAM系列，广泛应用于电视,​医疗,PC,车载等

MD56V62161M/MD56V72161C/MD56V82161A是ROHM推出的容量依次为64M/128M/256M的通用SDRAM系列，采用50pin的塑料TSOP(Ⅱ)封装，最大工作频率可达166MHz，广泛应用于电视,​医疗,PC,车载等。

【产品】多种容量和封装选项的低工作电压SDRAM

Alliance Memory推出多种SDRAM产品，将低工作电压与省电功能相结合，可延长移动设备的电池寿命。

【产品】1.0V至5.5V，1A用于DDR-SDRAM的单通道终端稳压器BD3533

ROHM推出的BD3533是单通道终端稳压器，符合JEDEC标准对DDR-SDRAM的要求。 该线性电源采用内置N沟道MOSFET和专为提供出色瞬态响应而设计的高速运算放大器。 它具有高达1A的电流能力，并且具有3.3V至5.0V的电源偏置要求，用于驱动N沟道MOSFET。

【产品】符合JEDEC标准对DDR1、DDR2和DDR3-SDRAM要求的终端稳压器，可提供最高1A的输出电流

全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了两款符合JEDEC对DDR1-SDRAM，DDR2-SDRAM和DDR3-SDRAM要求的终端稳压器——BD3539FVM和BD3539NUX。该芯片内置N沟道MOSFET和专门设计的高速运算放大器可以提供出色的瞬态响应。这两款芯片具有高的电流输出能力，可以提供最高1A的输出电流。

【产品】512Mbit DDR2同步DRAM(SDRAM)AS4C64M8D2，面向有数据存储需求的高端数字仪器

Alliance推出的AS4C64M8D2是一款512Mb的DDR2同步动态随机存取存储器（SDRAM）。该产品是一款高速的DDR2存储器。其容量高达512Mb，拥有8 bit数据宽度的I/O，内部配置为四通道DRAM。这款产品在设计上完全依照了DDR2 DRAM的关键特性，例如离线驱动器（OCD）以及内置终结电阻器（ODT）。可以防止信号在电路上行成反射，进而提高信号完整性。

【产品】容量达1Gb的双倍数据速率架构DDR3L SDRAM，传输速率高达1600 Mb/sec /pin

ALLIANCE MEMORY公司推出一款双倍数据速率架构DDR3L同步动态随机存取存储器（即SDRAM），容量达1Gb，可实现高速运行。它在内部配置为八个bank DRAM，内部结构为8Mbit x 16 I / Os x 8 bank。对于一般应用，该芯片可实现高达1600 Mb / sec / pin的高速双数据传输速率。

【产品】512Mbit SDRAM AS4C32M16SA，可实现高达143 MHz的高速数据传输速率

本文概述了Alliance推出的 AS4C32M16SA 512Mbit SDRAM产品并描述了其主要特性，产品型号有AS4C32M16SA-7TCN、AS4C32M16SA-7TIN、AS4C32M16SA-7BCN、AS4C32M16SA-7BIN。可实现高达143 MHz的高速数据传输速率，也可实现高达143mhz的连续无间隙数据速率。

【产品】AS4C4M16SA系列64Mb同步DRAM (SDRAM)，特别适合高性能PC应用

Alliance推出的AS4C4M16SA系列64Mb SDRAM是一个包含64 Mbits的高速CMOS同步DRAM。通过具有可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高存储器带宽的应用，特别适合高性能PC应用。

【产品】适于高性能PC应用的128Mb SDRAM：AS4C8M16SA

Alliance的AS4C8M16SA 128Mb SDRAM是一个包含128 Mbits的高速CMOS同步DRAM。它内部配置为具有同步接口的4个2M word x 16bit 的DRAM组（所有信号都在时钟信号的上升沿CLK有效）。可以对SDRAM进行突发读写访问。 SDRAM提供1,2,4,8或整页的可编程读或写突发长度，具有突发终止选项。

【产品】64Mbit同步DRAM (SDRAM) AS4C4M16SA，特别适合高性能PC应用

Alliance推出的AS4C4M16SA 64Mb SDRAM是一个包含64 Mbits的高速CMOS同步DRAM。通过具有可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高存储器带宽的应用，特别适合高性能PC应用。

【产品】2M x 32 bit同步DRAM (SDRAM) AS4C2M32S，非常适合需要高存储器带宽应用

Alliance推出的AS4C2M32S 64Mb SDRAM是一个包含64 Mbits的高速CMOS同步DRAM。通过具有可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高存储器带宽的应用。

【产品】适用于JEDEC标准DDR－SDRAM的终端稳压器线性稳压器BD3531F

ROHM的BD3531F是适用于JEDEC标准DDR－SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET，漏型/源型最大可提供1.5A电流的线性电源；内部的OP-AMP采用高速设计，实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET，需要5.0V偏压电源。本产品具有优异的输出电压精度和负载调整率，适合用于DDR I/II - SDRAM供电的场合。

【产品】256Mx8 bit 2Gb DDR3L 同步DRAM（SDRAM）——AS4C256M8D3L

Alliance推出2Gb容量（32Mbit x 8 I/Os x 8个bank）、双倍数据速率-3（DDR3L）同步DRAM（SDRAM）AS4C256M8D3L，内部配置为八个bank，采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。对于一般应用，该存储器可实现高达1600Mb/ sec/pin的高速双倍数据传输速率。

【产品】64M x 16 bit 的大容量DDR3L SDRAM，容量达到1Gb

AS4C64M16D3LB是一款由美国Alliance Memory公司全新推出的一款64M x 16 bit 的大容量DDR3L SDRAM内存，工作电压降低到了+1.35V，其功率损耗也相应的变得更低，更为节能。高速度传输和读写速度的同时，该内存的总容量也达到了1Gb。分为商业款（AS4C64M16D3LB-12BCN）和工业款（AS4C64M16D3LB-12BIN）两种型号。

【产品】全新8、16和32比特512Mb单片CMOS SDRAM，在高存储带宽应用中提供插入式、引脚直接兼容的替代方案

2018年11月6日，全Alliance Memory推出了全新系列的x8、x16和x32比特512Mb单片CMOS SDRAM，均采用TSOP II封装，采用+ 3.3V（±0.3V）的单电源供电，时钟频率高达133MHz，性能更快，功耗更低，在通用计算、医疗、工业、销售点,、汽车和电信领域有极大的应用空间。

【产品】汽配级别的DDR3L SDRAM AS4C128M8D3LB-12BAN，符合汽车行业专门标准AEC-Q100

AS4C128M8D3LB-12BAN是美国Alliance Memory公司最新推出的一款DDR3型同步动态随机存取存储器，该款内存产品为低电压低功耗版本的DDR3系列。其特点是供电电压VDD ＆ VDDQ降低到了现在的+1.35V，同时其功耗也相应的降低了15%左右，是一款能效更高，更节能环保的产品。该内存可兼容普通DDR的供电电压，也可兼容DDR、DDR2的突发操作构架。

【产品】一款高带宽、高读写速度、高性能的CMOS双倍数据速率同步DRAM（SDRAM）

AS4C4M16D1A是一款由美国Alliance公司推出的高速CMOS双倍数据速率同步DRAM（即SDRAM），该款内存如图1所示，可分为商用款和工业款两种，商用款（AS4C4M16D1A-5TCN）的工作温度范围为0~70°C，工业款（AS4C4M16D1A-5TIN）为了符合工业应用的要求，温度范围为-40~85°C。可满足需要高存储器带宽和高性能应用的要求。

【产品】符合JEDEC标准的高速CMOS AS4C128M8D2A DDR2 SDRAM，标准1.8V I/O接口

AS4C128M8D2A是Alliance Memory公司推出的一款全新高速CMOS DDR2的同步动态随机存取存储器（即SDRAM），该内存产品的总容量达到1024Mb，配置的I/O数据接口为8字节宽度，符合JEDEC标准1.8V I/O接口（SSTL_18），时钟频率为400MHz时，实际的数据传输速率可达到800Mbit/sec/pin。可分为商业款和工业款两种，完全符合JEDEC标准。

【产品】64M x 16 bit的DDR2 SDRAM内存，面向有数据存储需求的高端数字仪器

AS4C64M16D2A是一款由Alliance公司推出的全新同步动态随机存取存储器（SDRAM），该产品是一款高速的双倍速率二代（DDR2）CMOS存储器。其容量达到1024Mb，并带有16位数据宽度的I/O。这款产品在设计上完全依照了DDR2 DRAM的关键特性，例如离线驱动器（OCD）以及内置终结电阻器（ODT）。可以防止信号在电路上行成反射，进而提高信号完整性。

【产品】32M×16bit的高速DDR2 SDRAM内存AS4C32M16D2B, 提供工业款和商用款

AS4C32M16D2B是Alliance公司推出的一款全新产品，其全称为高速CMOS DDR2同步动态随机存取存储器（SDRAM）。该内存产品容量达到512Mb，并配置16位数据宽度的I/O接口，内部结构由4组DRAM构成。这款内存按照工作温度范围可分为商用款（AS4C32M16D2B-25BCN）和工业款（AS4C32M16D2B-25BIN）两种型号。

Alliance SRAM/SDRAM现货供应，大批量价格优惠、交期短

Alliance的SRAM/SDRAM可直接在世强元件电商上进行采购，其中小批量采购可保障2-5个工作日到货，大批量采购可保障提供具有竞争力的价格。

Alliance 512 Mbits高速CMOS同步SDRAM，提供商业级及工业级产品

Alliance的SDRAM AS4C32M16SB-7TCN和AS4C32M16SB-7TIN提供商用和工业温度范围。这些器件为Micron Technology已停产的32M x 16 MT48LC32M16A2P-75：C（AS4C32M16SM-7TCN）和MT48LC32M16A2P-75 IT：C（AS4C32M16SM-7TIN）SDRAM提供引脚对引脚替换。

【产品】128M高速CMOS双倍数据速率的同步动态随机存储器（SDRAM），兼容SSTL_2 I/O接口标准

Alliance推出的AS4C4M32D1A是一款128Mb的高速CMOS双倍数据速率同步动态随机存储器（SDRAM），兼容SSTL_2 I/O接口标准，时钟频率200MHz，基本供电电压为2.3V~2.7V，输入漏电流和输出漏电流分别仅为±2μA和±5μA，产品的功率耗散仅为2W，尤其是高性能主存储器和图形应用，比如高性能主存储器，图形显示应用，需要高存储器带宽，显卡应用等领域。

【产品】支持突发（burst）模式，具有FBGA封装的256M高速同步动态存储器（SDRAM）AS4C16M16SA

Alliance公司最近推出的AS4C16M16SA高速动态同步存储器（SDRAM）带有突发功能的54球型引脚的FBGA封装，供电电压典型值为3.3V，功率耗散最大值仅为1W；存储温度范围为-55~150℃，包含内部流水线结构，具有可编程模式的寄存器，可提供1,2,4,8或整页的可编程读或写突发长度，突发类型（顺序、交叉），且具有突发终止选项。主要应用于计算机,高性能PC和汽车电子等领域。

可替换美光MT41K512M16HA-125的不涨价、不缺货Alliance DDR3L SDRAM

当前市面上存储器严重缺货涨价，针对当前情况，笔者推荐使用Alliance公司推出的存储器替代美光MT41K512M16HA-125 DDR3L SDRAM。AS4C512M16D3L-12BIN是Alliance公司推出的一款高性能存储器，和MT41K512M16HA-125均使用96-ball FBGA封装，可以很好的替换。且世强备货充足，提供专业技术支持。

【产品】64MB高速CMOS同步SDRAM，具有5.4/5.4ns快速访问时间

AS4C2M32SA系列是​Alliance memory推出的64MB高速CMOS同步SDRAM，采用86 pin TSOP II封装，尺寸仅为400 x 875mil。其中AS4C2M32SA-6TCN和AS4C2M32SA-7TCN是商业级存储器，工作温度为0 ~+70℃，AS4C2M32SA-6TIN是工业级存储器，工作温度为-40 ~+85℃。

【产品】Alliance扩展低功耗SDRAM IC组合，可将低功耗与省电功能相结合

2018年5月8日，Alliance推出高速CMOS移动低功耗SDRAM包括SDR（LPSDR），LPDDR和DDR2（LPDDR2）器件。该公司的LPSDR SDRAM使用1.8V的电压供电，可提供的存储空间分别为128Mb，256Mb和512Mb，使用54pin和90pin的FBGA封装。

【技术大神】高速SDRAM突发传输模式在LVDS视频电缆测试中的应用心得

本文介绍LVDS视频电缆测试仪项目的设计经验，该项目为视频系统集成商研制了一种LVDS视频电缆测试仪器，能够稳定捕捉信号传输误码信号，有效测试出LVDS电缆传输性能。项目采用采用世强代理器件：Alliance公司 256Mbits存储器AS4C32M8SA ，采用SDRAM的突发传输模式存储两路视频源信号，显著提高了视频数据传输效率，减小了控制器压力。

【产品】54引脚TSOP II封装的新型256Mb高速CMOS SDRAM

Alliance Memory最新推出AS4C32M8SA和AS4C64M4SA系列SDRAM分别内部配置4个32M x 8位和64M x 4位的存储区，能够为消费产品，工业产品，以及可穿戴设备中图像存储，视频缓冲提供可靠的插入式，引脚兼容的解决方案。SDRAM提供同步接口，采用+ 3.3V（±0.3V）单电源供电，产品无铅无卤素。

【产品】总容量512Mb的DDR3和DDR3L SDRAM

Alliance近期推出了一系列总容量为512Mb的DDR3和DDR3L SDRAM，分为x8 and x16位宽两个大类，采用了78球和96球FBGA封装，能够提供1600Mbps的极速传输速率和800MHz的时钟速率，适用于显卡、DIMM模块、电脑、无线基站等多种应用。

Reliability Qualification Report for DDR SDRAM with Pb/Halogen Free (32M×16, 45nm SDRAM AS4C32M16D1-5BCN)

【产品】采用FBGA封装的512Mb x8和x16比特的DDR3和DDR3L SDRAM

Alliance近期推出了一系列CMOS DDR3和低电压DDR3L SDRAM产品，该系列512Mb x8和x16器件使用了78球和96球FBGA封装，采用DDR架构，能提供1600Mbps的极速传输速率和800MHz的时钟速率。

【产品】256Mb高速CMOS SDRAM，采用54引脚TSOP II封装

Alliance近期推出了一系列x4和x8比特的256Mb高速CMOS SDRAM，采用54引脚400-mil塑料TSOP II封装，适用于图像存储和视频缓冲等多种解决方案中。

Alliance Memory 512M SDRAM产品变更通知（PCN20020601）

Product Change Notification (PCN) for Alliance 512M SDRAM，Product will only be offered in a B Die Revision

【产品】支持外部SDRAM显示缓冲区的彩色LCD图形控制器，支持18/24位TFT接口

EPSON公司推出的S1D13517，支持的外部SDRAM内存大小可以为16M位、64M位或128M位，SDRAM时钟最大为90MHz，还支持8/16位间接主机接口，同时可以为外部SDRAM提供高性能带宽，允许快速更新屏幕。

【产品】1866Mbps数据率的第三代SDRAM，存储容量为2Gb

Alliance公司推出的AS4C128M16D3A系列产品是第三代低压双倍数据率动态随机存储器（DDR3 DRAM）,其存储容量为2Gb，使用1.5V±0.075V单电源供电。该SDRAM可以将数据传输速率提升为传统SDRAM存储器的两倍，可以利用双倍数据率架构的优势将时钟频率降低，从而有效降低设计难度、功耗以及设计成本。

【产品】支持外部SDRAM存储器的高集成度彩色LCD控制器芯片S1D13515

EPSON的高集成度彩色LCD控制器芯片S1D13515使用灵活的外部SDRAM存储器接口来提供帧缓冲器。支持多种CPU接口和LCD面板输出，通过嵌入一个专有的32位RISC CPU和相关的加速器模块来增加灵活性和功能。它的例行程序提供了音频回放、2D BitBLT操作、变换和过滤操作以及提供OpenGL-ES 1.1支持的能力。是汽车平视显示器（HUD）市场或3D导航显示器的理想选择。

【产品】128Mb,5.4 ns,适用于高存储带宽的高速CMOS SDRAM AS4C4M32SA

ALLIANCE公司推出的AS4C4M32SA系列SDRAM产品是128Mb高速的CMOS同步动态随机存储器。AS4C4M32SA系列设备适合需要高内存带宽的应用场景。

【产品】256M高速COMS同步SDRAM，适合需要高存储带宽应用

Alliance公司推出的AS4C8M32SA系列SDRAM是高速的，CMOS同步（synchronous）动态随机存取存储器（DRAM）系列, 存储容量为256M。其内部配置4组2M字x 32位存储器，带有同步接口（所有信号都在时钟信号CLK的上升沿寄存）。AS4C8M32SA提供了1、2、4、8 或全页面可编程读或写猝发长度，带有猝发端接选择。

【应用】800Mbps/pin读写速率的DDR2 SDRAM，助力车载设备实现大量数据缓存

Alliance AS4C128M16D2A-25BIN 是第二代高速CMOS 双倍数据率同步动态随机存储器，16bit 宽I/O口保存 2048 Mbit 数据。

【产品】容量4G数据速率1600Mbps的DDR3L SDRAM

AS4C256M16D3LB-12BCN采用8位预取流水线架构，实现高速数据传输。

【产品】高速CMOS DDR2 SDRAM，容量为512M

Alliance的AS4C32M16D2A-25BAN采用全同步操作,适合高存储应用。

【产品】容量2G的DDR3 SDRAM，最高速率达1866Mb/s/pin

AS4C256M8D3A-12BAN支持JEDEC时钟抖动规范,数据传输的稳定性高。

【产品】16M CMOS SDRAM，高内存带宽应用必备

AS4C1M16S-C&I快速访问时间仅为5.4ns，具有自动刷新和自刷新功能，刷新周期为64ms。

【产品】容量为4G的DDR3 SDRAM，数据传输快速又稳定

这两款DDR3存储器符合JEDEC要求，读写速率可达1866Mb/sec/pin。

【产品】512Mb容量的DDR2 SDRAM，可实现高速数据传输

AS4C64M8D2-25BAN采用高速CMOS技术设计，最大时钟频率为400MHz。

【产品】采用内部流水线架构实现高速运行的512Mb SDRAM

Alliance Memory的该系列SDRAM采用CMOS技术设计，具有高可靠性和高稳定性等优点。

【产品】64Mb DDR SDRAM 高存储带宽应用不二之选

AS4C2M32D1A采用双倍数据率架构，容量64Mb，时钟频率达200MHz，具有高速操作能力，适合高存储带宽应用。

【产品】读写速率800Mbps/pin的DDR2 SDRAM

AS4C128M16D2是一款采用预取多位芯片架构的8频双倍数据速率高性能SDRAM，存储容量为2G。

【产品】4banks×16M×32bit DDR SDRAM

AS4C64M32MD1采用预取多位的芯片架构，实现了高速数据传输速率，非常适合移动应用。

【产品】读写速率达800Mbps的DDR2 SDRAM

AS4C128M8D2容量达1G，时钟频率达400MHz，最高读写速率达800Mbps，适合高存储带宽应用。

【产品】容量达1G的DDR SDRAM助力高存储带宽应用

AS4C64M16D1A时钟频率达166MHz，具有高速读写能力。

【产品】新一代1Gb高速CMOS DDR SDRAM

DDR SDRAM采用单个+2.5V（±0.2V）电源供电，具有掉电模式以降低功耗，并提供写入控制的数据掩码。

【产品】针对汽车市场的DDR2 SDRAM AS4C64M16D2，时钟频率高达400MHz

AS4C64M16D2-25BAN是Alliance针对汽车市场推出的一款高速DDR2 SDRAM产品，该款存储器分为8个扇区，每个扇区的容量为8Mbit x16 ，使用CK的上升沿和下降沿锁存数据，来提高数据的传输效率，支持最高400MHZ时钟频率，-40°C~105°C的芯片工作温度。

【产品】高带宽和高性能存储器系统应用必选DDR SDRAM

AS4C32M16MD1A为ALLIANCE的一款512Mb的同步动态随机存取存储器，采用双倍数据率架构，时钟频率达200MHz。

【产品】峰值速率达333Mbps的1Gb DDR SDRAM

AS4C64M16MD1为ALLIANCE的一款容量达1Gb的DDR SDRAM，最高时钟频率达166MHz，具有多种节电模式，适合移动应用。

【产品】1G DDR SDRAM，多种节电模式与移动设备更配

AS4C32M32MD1是ALLIANCE的一款容量达1Gb的DDR SDRAM，最高数据率达400Mbps，具多种低功耗模式，适合移动应用。

【产品】新一代SDRAM！增加便携式电子产品的电池寿命

LPDDR2 SDRAM为智能手机和平板电脑等移动设备的超低电压内核和I/O电源提供了可靠的pin to pin兼容替代方案。

【产品】512Mb DDR SDRAM可让数据访问更加高效

AS4C16M32MD1最高时钟频率达200MHz具备自动温度补偿自刷新功能以及两种低功耗模式。

【产品】这款512Mb移动SDRAM，可提供高性能存储器系统

AS4C32M16MS速率高达166MHz，1.8V低功耗，具有多种节能特性。

【产品】16Gb低功耗SDRAM，延长移动设备电池寿命

20nm工艺制造，667MHz，1333Mbps，-25 ℃至+ 85℃可扩展的温度范围。

【产品】双倍速率SDRAM，高性能存储器应用的最佳选择！

AS4C16M16MD1是一款高性能CMOS技术制造的256Mb双倍数据速率同步动态随机存取存储器。

【产品】面向移动应用的高性能SDRAM，存储器容量达4G

AS4C128M32MD2是一款面向低功耗内存新标准的同步动态随机存储器（SDRAM）。

【产品】256Mb！这款高速CMOS同步SDRAM逆天了

256Mb高速CMOS 同步SDRAM，具有166/143MHz的高时钟频率。

【产品】2Gb DDR3L SDRAM，高存储带宽设备上选

AS4C128M16D3L采用双数据率架构，可实现最高达1600Mbps的高速数据读写操作。

入门手册 SDRAM 内存系统：嵌入式测试和测量挑战

【产品】速率高达1600Mbps的SDRAM，存储设备的福音

AS4C128M8D3容量达1G，兼容DDR3 DRAM的关键特性，保障数据的高效稳定传输。

【应用】永不停产的Alliance SDRAM携三个“不”承诺立足电子秤应用，量产再无忧

Alliance Memory的SDRAM产品承诺：不停产、不缩die、不改版，为工程师带去真正实用的价值。

【产品】最高速率达1600Mb/s的DDR3L SDRAM

AS4C512M8D3L是一款最高速率达1600Mb/s的DDR3L SDRAM，采用1.35V的单电源供电，其内存容量为4GB（512M×8bit），内置8个I/O接口，8个Bank，符合JEDEC时钟抖动规范。可为工业、医疗、网络、电信和航空航天等领域的新一代微处理器提供更高的带宽。

【产品】第二代SDRAM 1GB容量助力解决高速存储

AS4C128M8D2-25BIN是一款容量为1Gb的DDR2 CMOS SDRAM，符合JEDEC时钟抖动规范，采用交叉存取的方式，相比起标准DRAM具有更快的速度，大容量小尺寸因此应用范围极广。

【产品】专为高存储宽带应用而设计的高速CMOS SDRAM

AS4C32M16SB是ALLIANCE MEMORY公司推出的一款容量为512Mb高速SDRAM，其内部由4个块组成，每个块有16×8M word，十分适合应用于需要高存储带宽的场合，尤其适用于高性能PC设备。

这款DDR3 SDRAM电源效率更出色

AS4C1G8MD3L是Alliance Memory推出的一款具有双倍数据速率的CMOS DDR3 SDRAM，容量可达8Gb，时钟频率可达800MHz，单引脚的数据传输速率可达1600Mbps，可为高端计算机和存储系统提供更高的电源效率。

DDR4 SDRAM Specification

Cyclone II DDR2 SDRAM Demonstration

DDR3L SDRAM

时钟频率高达400MHz的1G DDR2 SDRAM

AS4C64M16D2-25BCN是Alliance Memory的一款高速CMOS DDR2 SDRAM，容量为1GB，内部被配置成8个bank DRAM，最高时钟频率可达400MHz，具有离线驱动调整（OCD）、片内终结器（ODT）等关键技术。

400MHz时钟频率的SDRAM，外部差分时钟让存储时间更短

AS4C32M16D2-25BIN是Alliance Memory推出的一款DDR2 SDRAM。该SDRAM容量为512M，最快时钟频率为400MHz，在医疗、工业、汽车和电信等领域有极大应用空间。

高性能PC应用的福音： 512Mbit SDRAM又回来了！

Micron重启了512Mbit SDRAM产品线，并由Alliance Memory代理。适合于医疗、工业、汽车和电信应用等需要高存储带宽的场合，尤其适合于高性能计算机应用。

【产品】时钟频率高达400MHz的DDR2 SDRAM AS4C16M16D2-25BCN，支持同步操作

AS4C16M16D2-25BCN是Alliance Memory推出的一款高速CMOS DDR2 SDRAM，最快时钟频率可达400MHz。

【产品】通过多重测试的SDRAM AS4C8M16SA-6BIN，恶劣环境下具有极强的耐受性

Alliance Memory公司推出了型号为AS4C8M16SA-6BIN的8M×16bit的SDRAM。基于高速CMOS管的AS4C8M16SA- 6BIN内部由4个2M word×16的DRAM块构成。AS4C8M16SA-6BIN是Alliance Memory公司专为有迫切需求的高品质、高可靠性的集成电路市场而设计，该芯片不仅拥有丰富的可选择功能还经过一系列可靠性测试。

【产品】128Mbits可编程CMOS SDRAM AS4C8M16SA，高存储带宽应用的理想选择

该系列SDRAM提供可编程的读写突发长度为1、2、4、8页或全页。通过配置一个可编程的模式寄存器，系统可以选择一个最适合的模式以达到最佳性能。

【产品】采用双倍数据率架构设计的新型2Gb容量SDRAM AS4C128M16D2-25BAN

ALLIANCE推出了一款2Gb容量的第二代双倍数据率同步动态随机存储器（DDR2），最高时钟速率可达400MHz，大容量小尺寸，以及宽工作温度范围，保障其具有广泛的应用领域。

第三代高速SRAM、SDRAM，数据传输率可达1600Mb

第三代高速双倍数据率同步动态随机存取存储器—AS4C64M16D3-12BAN震撼来袭！

第三代双倍数据率SDRAM:让您的数据传输事半功倍

AS4C512M8D3通过双倍数据率架构的设计，可根据两个不同时钟对数据进行锁存，通过该种方式，该器件可在与其他普通SDRAM相同时钟频率的情况下，将数据传输速率提升一倍。

低功耗SDRAM的优势及应用

ALLANCE的DDR3 SDRAM系列具有其速度快、容量大、价格便宜以及功耗低等各种优势，因此可以广泛的应用于图像处理与高速数据采集等场合。

Micron的512M SDRAM产品死而复生了？什么情况？

2014年7月，半导体行业巨头Micron把512Mbit的SDRAM授权给美国Alliance Memory。Alliance将提供Micron的MT48LC32M16A2P-75：C（商业级温度）、MT48LC32M16A2P-75 IT：C（工业级温度）和MT48LC64M8A2P-75：C的销售与技术支持。

【产品】专为3.3 v内存系统而设计的512 Mbit 工、商业SDRAM，可自刷新和预充电

本已停产的512 Mbit SDRAM 得以“重返江湖”，还具备自刷新和预充电功能，开辟了Alliance内存产品市场的新局面。 AS4C32M16SM-7TXN是一款第三代高速CMOS的512 Mb工、商业SDRAM。其内部采用流水线架构，能够实现高速运行。