SDRAM
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New 2Gb/4Gb/8Gb LPDDR4 SDRAMs with on-chip ECC Offer lower Power Consumption
Alliance Memory has expanded its offering of high-speed CMOS mobile low-power SDRAMs with new LPDDR4 devices featuring on-chip ECC. For improved performance with higher power efficiency than previous-generation LPDDR3 SDRAMs, the 2Gb AS4C128M16MD4-062BAN, 4Gb AS4C256M16MD4-062BAN and AS4C128M32MD4-062BAN, and 8Gb AS4C256M32MD4-062BAN offer lower power consumption and faster speeds in the 200-ball FBGA package.
Reliability Qualification Report for DDR4 SDRAM with Pb/Halogen Free (512M×8, 25nm SDRAM AS4C512M8D4)
Reliability Qualification Report for DDR4 SDRAM with Pb/Halogen Free (Industrial) (512M×8, 25nm SDRAM AS4C512M8D4)
Automotive AEC-Q100 Grade 2 Compliance DDRIIIL SDRAM with Pb/Halogen Free (256Mx16, 25nm SDRAM AS4C256M16D3LC-xxBAN
Reliability Qualification Report for DDRIIIL SDRAM with Pb/Halogen Free (512M×8, 25nm SDRAM AS4C512M8D3LC-12BCN)
型号 | 描述 | 品质保证 | 价格(含增值税) |
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S1D13517 External SDRAM LCD Controller 最小包装量:1 |
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FPGA SL2S;SL2S-25E;Sealion 2000S系列 海狮2000S系列,55nm的低功耗技术工艺,25K逻辑单元,集成SDRAM,BGA213封装 BGA213 最小包装量:1,890 |
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FPGA SL2S;SL2S-25E;Sealion 2000S系列 海狮2000S系列,55nm的低功耗技术工艺,25K逻辑单元,集成SDRAM,BGA213封装 BGA213 最小包装量:1,890 |
西安智多晶微电子有限公司 原厂直发 |
价格¥ 41.0000 现货30,000 发货地西安 预计交期 预计交期? |
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FPGA SL2S;SL2S-12E;Sealion 2000S系列 海狮2000S系列,55nm的低功耗技术工艺,12K逻辑单元,集成SDRAM,LQFP176封装 LQFP176 最小包装量:600 |
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FPGA SL2S;SL2S-12E;Sealion 2000S系列 海狮2000S系列,55nm的低功耗技术工艺,12K逻辑单元,集成SDRAM,LQFP176封装 LQFP176 最小包装量:600 |
西安智多晶微电子有限公司 原厂直发 |
价格¥ 35.0000 现货30,000 发货地西安 预计交期 预计交期? |
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DRAM AS4C64M16D2A系列 64M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM) FBGA 最小包装量:2,500 |
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32M x 16 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM) AS4C32M16D3L系列 32M x 16 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM) 96-ball FBGA 最小包装量:190 |
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64M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM) AS4C64M16D2A系列 64M x 16 1.8V 400MHz 800Mbps/pin Industrial (-40 ~ 95°C) 84ball FBGA 84 ball FBGA 最小包装量:209 |
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64M x 16 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM) AS4C64M16D3LB系列 64M x 16 1.35V 800MHz DDR3-1600bps/pin Industrial (-40 ~ 95°C) 96-ball FBGA 96ball FBGA 最小包装量:190 |
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256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM;SDRAM AS4C256M8D3LC系列 256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM) 78-ball FBGA 最小包装量:210 |
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2.7V to 5.5V Input, 600mA Single Synchronous Buck DC/DC Converter;SDRAM BD9S000NUX-C系列 2.7V to 5.5V Input, 600mA Single Synchronous Buck DC/DC Converter VSON008X2020 最小包装量:4,000 |
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4.5-18V 3.0A 1ch Synchronous Buck Converter;SDRAM BD9D320EFJ系列 4.5-18V 3.0A 1ch Synchronous Buck Converter HTSOP-J8 最小包装量:2,500 |
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Automotive AEC-Q100 Grade 2 Compliance Reliability Qualification Report for DDRIIIL SDRAM with Pb/Halogen Free (512M×8, 25nm SDRAM AS4C512M8D3LC-xxBAN)
Reliability Qualification Report for DDR SDRAM with Pb/Halogen Free (32M×16, 45nm SDRAM AS4C32M16D1-5BCN)
Reliability Qualification Report for DDR4 SDRAM with Pb/Halogen Free (20nm 8Gb DDR4 SDRAM)
Reliability Qualification Report for SDR SDRAM with Pb/Halogen Free (64M4, 38nm SDRAM AS4C64M4SA-7TCN)
Reliability Qualification Report for SDR SDRAM with Pb/Halogen Free (64M4, 38nm SDRAM AS4C64M4SA-6TIN)
Reliability Qualification Report for SDR SDRAM with Pb/Halogen Free (1M16, 63nm SDRAM AS4C1M16S-6TCN)
Reliability Qualification Report for DDRIII SDRAM with Pb/Halogen Free (64M8, 38nm SDRAM AS4C64M8D3-12BIN)
Reliability Qualification Report for DDRIII SDRAM with Pb/Halogen Free (64M8, 38nm SDRAM AS4C64M8D3-12BCN)
Reliability Qualification Report for DDRIII SDRAM with Pb/Halogen Free (32M16, 38nm SDRAM AS4C32M16D3-12BIN)
Reliability Qualification Report for DDRIII SDRAM with Pb/Halogen Free (32M16, 38nm SDRAM AS4C32M16D3-12BCN)
RX Family Read/Write Operations in SDRAM Using the SDRAMC
Cyclone II DDR2 SDRAM Demonstration
【选型】Alliance AS4C4M16SA SDRAM替代W品牌W9864G6JT的可行性分析
Alliance Memory公司新推出的64Mb同步动态随机存取存储器AS4C4M16SA。它在内部配置为具有同步接口的4个1M字x 16 DRAM库(所有信号都记录在时钟信号CLK的上升沿)。 本文讨论Alliance的AS4C4M16SA SDRAM替代W品牌的W9864G6JT可行性。
【应用】256Mb SDRAM AS4C16M16SA-7TCN助力6寸智能控制面板高速表现
笔者设计的这款智能控制面板,搭载6寸TFT液晶显示器,可以显示丰富的UI图片和效果,屏幕分辨率达到720*1440。采用Alliance公司推出AS4C16M16SA-7TCN作为SDRAM芯片,时钟频率可达到143 MHz,容量为256Mb(4M word * 16bit * 4),图片显示和切换的效果可以满足产品设计要求。
【产品】时钟频率分别为100/133 MHz的SDRAM,内存模块数据带宽可达800/1066 MB/s
SDRAM是PC100和PC133单数据速率(SDR) SDRAM的通称,时钟频率分别为100/133 MHz,内存模块数据带宽可达800/1066 MB/s。 ATP致力于为客户提供最高可靠性的产品,并提供定制化服务,帮助客户满足专业及特定的应用需求。
【产品】512Mx8bit的SDRAM AS4C512M8D4,最高时钟速率1200/1333MHz
AS4C512M8D4是Alliance 推出的大小为512M x 8 bit的SDRAM,符合JEDEC标准、RoHS要求,支持低功耗自动自刷新切功耗低,采用无铅和无卤素FBGA封装。
【应用】SDRAM AS4C16M16SA用于智能控制面板,具有快速时钟频率、加快数据传输速度等优势
在智能控制面板中,Alliance Memory的AS4C16M16SA是高速动态同步储存器(SDRAM),供电电压典型值3.3V,功耗最大仅为1W,最高可支持的工作温度范围-40~85ºС,能够满足恶劣环境的温度要求,可靠性高。主要优势包括:快速的时钟频率;可适应高速CPU,缩短周期,加快数据传输速度等。
【产品】256M x 16 bit的SDRAM AS4C256M16D4,最高时钟速率1200/1333MHz
AS4C256M16D4是Alliance推出的大小为256M x 16 bit的SDRAM,符合JEDEC标准、RoHS要求,支持自动刷新和自更新功能,采用无铅和无卤素FBGA封装。
具可编程读写的256M SDRAM,存取时间低至5.4ns!
Alliance Memory 推出两款型号为AS4C8M32S-6TIN 和AS4C8M32S-7TCN的256M高速CMOS SDRAM,存取时间低至5.4ns,采用3.3V(±0.3V)的单电源供电广泛应用于工业、商业、电信和医疗等许多应用场景。
AS4C4M32S 4M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM)
AS4C2M32S 2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM)
PC100 ATP SDRAM DRAM Solutions DATA SHEET
AS4C16M16D1-5BAN 16M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
DDR3L SDRAM
UT8SDMQ64M40 2.5-Gigabit SDRAM MCM UT8SDMQ64M48 3.0-Gigabit SDRAM MCM November, 2017 Datasheet
512M (32M x16bit)MobileDDR SDRAM LPDDRMEMORY512M (32Mx16bit) MobileDDRSDRAM
HYM72V16636B(L)T6 PC133 SDRAM Unbuffered DIMM based on 8Mx16 SDRAM with LVTTL, 4 banks & 4K Refresh
16Mx72 bits PC100 SDRAM Unbuffered DIMM based on 16Mx8 SDRAM with LVTTL, 4 banks & 4K Refresh HYM71V16755HCT8 Series
32Mx72 bits PC100 SDRAM Unbuffered DIMM based on 16Mx8 SDRAM with LVTTL, 4 banks & 4K Refresh HYM71V32755HCT8 Series
【产品】多种容量和封装选项的低工作电压SDRAM
Alliance Memory推出多种SDRAM产品,将低工作电压与省电功能相结合,可延长移动设备的电池寿命。
【产品】512Mbit DDR2同步DRAM(SDRAM)AS4C64M8D2,面向有数据存储需求的高端数字仪器
Alliance推出的AS4C64M8D2是一款512Mb的DDR2同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该产品是一款高速的DDR2存储器。其容量高达512Mb,拥有8 bit数据宽度的I/O,内部配置为四通道DRAM。这款产品在设计上完全依照了DDR2 DRAM的关键特性,例如离线驱动器(OCD)以及内置终结电阻器(ODT)。可以防止信号在电路上行成反射,进而提高信号完整性。
【产品】512Mbit SDRAM AS4C32M16SA,可实现高达143 MHz的高速数据传输速率
本文概述了Alliance推出的 AS4C32M16SA 512Mbit SDRAM产品并描述了其主要特性,产品型号有AS4C32M16SA-7TCN、AS4C32M16SA-7TIN、AS4C32M16SA-7BCN、AS4C32M16SA-7BIN。可实现高达143 MHz的高速数据传输速率,也可实现高达143mhz的连续无间隙数据速率。
【产品】AS4C4M16SA系列64Mb同步DRAM (SDRAM),特别适合高性能PC应用
Alliance推出的AS4C4M16SA系列64Mb SDRAM是一个包含64 Mbits的高速CMOS同步DRAM。通过具有可编程模式寄存器,系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高存储器带宽的应用,特别适合高性能PC应用。
【产品】适于高性能PC应用的128Mb SDRAM:AS4C8M16SA
Alliance的AS4C8M16SA 128Mb SDRAM是一个包含128 Mbits的高速CMOS同步DRAM。它内部配置为具有同步接口的4个2M word x 16bit 的DRAM组(所有信号都在时钟信号的上升沿CLK有效)。可以对SDRAM进行突发读写访问。 SDRAM提供1,2,4,8或整页的可编程读或写突发长度,具有突发终止选项。
sdram怎么叠加使用
sdram叠加原理理解为两个内存数据脚分别充当32位高低16位数据,但是sdram因为速度太快,数据线、地址线、控制线,全部要匹配,线路的长度、阻抗、延迟、都要严格计算,还有,用的PCB板材料都要考虑好。
【产品】64Mbit同步DRAM (SDRAM) AS4C4M16SA,特别适合高性能PC应用
Alliance推出的AS4C4M16SA 64Mb SDRAM是一个包含64 Mbits的高速CMOS同步DRAM。通过具有可编程模式寄存器,系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高存储器带宽的应用,特别适合高性能PC应用。
【产品】2M x 32 bit同步DRAM (SDRAM) AS4C2M32S,非常适合需要高存储器带宽应用
Alliance推出的AS4C2M32S 64Mb SDRAM是一个包含64 Mbits的高速CMOS同步DRAM。通过具有可编程模式寄存器,系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高存储器带宽的应用。
【产品】符合JEDEC标准的高速CMOS AS4C128M8D2A DDR2 SDRAM,标准1.8V I/O接口
AS4C128M8D2A是Alliance Memory公司推出的一款全新高速CMOS DDR2的同步动态随机存取存储器(即SDRAM),该内存产品的总容量达到1024Mb,配置的I/O数据接口为8字节宽度,符合JEDEC标准1.8V I/O接口(SSTL_18),时钟频率为400MHz时,实际的数据传输速率可达到800Mbit/sec/pin。可分为商业款和工业款两种,完全符合JEDEC标准。
【产品】64M x 16 bit的DDR2 SDRAM内存,面向有数据存储需求的高端数字仪器
AS4C64M16D2A是一款由Alliance公司推出的全新同步动态随机存取存储器(SDRAM),该产品是一款高速的双倍速率二代(DDR2)CMOS存储器。其容量达到1024Mb,并带有16位数据宽度的I/O。这款产品在设计上完全依照了DDR2 DRAM的关键特性,例如离线驱动器(OCD)以及内置终结电阻器(ODT)。可以防止信号在电路上行成反射,进而提高信号完整性。
【产品】32M×16bit的高速DDR2 SDRAM内存AS4C32M16D2B, 提供工业款和商用款
AS4C32M16D2B是Alliance公司推出的一款全新产品,其全称为高速CMOS DDR2同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该内存产品容量达到512Mb,并配置16位数据宽度的I/O接口,内部结构由4组DRAM构成。这款内存按照工作温度范围可分为商用款(AS4C32M16D2B-25BCN)和工业款(AS4C32M16D2B-25BIN)两种型号。
Alliance SRAM/SDRAM现货供应,大批量价格优惠、交期短
Alliance的SRAM/SDRAM可直接在世强元件电商上进行采购,其中小批量采购可保障2-5个工作日到货,大批量采购可保障提供具有竞争力的价格。
Alliance 512 Mbits高速CMOS同步SDRAM,提供商业级及工业级产品
Alliance的SDRAM AS4C32M16SB-7TCN和AS4C32M16SB-7TIN提供商用和工业温度范围。这些器件为Micron Technology已停产的32M x 16 MT48LC32M16A2P-75:C(AS4C32M16SM-7TCN)和MT48LC32M16A2P-75 IT:C(AS4C32M16SM-7TIN)SDRAM提供引脚对引脚替换。
【产品】支持突发(burst)模式,具有FBGA封装的256M高速同步动态存储器(SDRAM)AS4C16M16SA
Alliance公司最近推出的AS4C16M16SA高速动态同步存储器(SDRAM)带有突发功能的54球型引脚的FBGA封装,供电电压典型值为3.3V,功率耗散最大值仅为1W;存储温度范围为-55~150℃,包含内部流水线结构,具有可编程模式的寄存器,可提供1,2,4,8或整页的可编程读或写突发长度,突发类型(顺序、交叉),且具有突发终止选项。主要应用于计算机,高性能PC和汽车电子等领域。
【产品】64MB高速CMOS同步SDRAM,具有5.4/5.4ns快速访问时间
AS4C2M32SA系列是Alliance memory推出的64MB高速CMOS同步SDRAM,采用86 pin TSOP II封装,尺寸仅为400 x 875mil。其中AS4C2M32SA-6TCN和AS4C2M32SA-7TCN是商业级存储器,工作温度为0 ~+70℃,AS4C2M32SA-6TIN是工业级存储器,工作温度为-40 ~+85℃。
【技术大神】高速SDRAM突发传输模式在LVDS视频电缆测试中的应用心得
本文介绍LVDS视频电缆测试仪项目的设计经验,该项目为视频系统集成商研制了一种LVDS视频电缆测试仪器,能够稳定捕捉信号传输误码信号,有效测试出LVDS电缆传输性能。项目采用采用世强代理器件:Alliance公司 256Mbits存储器AS4C32M8SA ,采用SDRAM的突发传输模式存储两路视频源信号,显著提高了视频数据传输效率,减小了控制器压力。
【产品】54引脚TSOP II封装的新型256Mb高速CMOS SDRAM
Alliance Memory最新推出AS4C32M8SA和AS4C64M4SA系列SDRAM分别内部配置4个32M x 8位和64M x 4位的存储区,能够为消费产品,工业产品,以及可穿戴设备中图像存储,视频缓冲提供可靠的插入式,引脚兼容的解决方案。SDRAM提供同步接口,采用+ 3.3V(±0.3V)单电源供电,产品无铅无卤素。
【产品】总容量512Mb的DDR3和DDR3L SDRAM
Alliance近期推出了一系列总容量为512Mb的DDR3和DDR3L SDRAM,分为x8 and x16位宽两个大类,采用了78球和96球FBGA封装,能够提供1600Mbps的极速传输速率和800MHz的时钟速率,适用于显卡、DIMM模块、电脑、无线基站等多种应用。
【产品】采用FBGA封装的512Mb x8和x16比特的DDR3和DDR3L SDRAM
Alliance近期推出了一系列CMOS DDR3和低电压DDR3L SDRAM产品,该系列512Mb x8和x16器件使用了78球和96球FBGA封装,采用DDR架构,能提供1600Mbps的极速传输速率和800MHz的时钟速率。
【产品】256Mb高速CMOS SDRAM,采用54引脚TSOP II封装
Alliance近期推出了一系列x4和x8比特的256Mb高速CMOS SDRAM,采用54引脚400-mil塑料TSOP II封装,适用于图像存储和视频缓冲等多种解决方案中。
【产品】支持外部SDRAM显示缓冲区的彩色LCD图形控制器,支持18/24位TFT接口
EPSON公司推出的S1D13517,支持的外部SDRAM内存大小可以为16M位、64M位或128M位,SDRAM时钟最大为90MHz,还支持8/16位间接主机接口,同时可以为外部SDRAM提供高性能带宽,允许快速更新屏幕。
【产品】容量2G的DDR3 SDRAM,最高速率达1866Mb/s/pin
AS4C256M8D3A-12BAN支持JEDEC时钟抖动规范,数据传输的稳定性高。
【产品】采用内部流水线架构实现高速运行的512Mb SDRAM
Alliance Memory的该系列SDRAM采用CMOS技术设计,具有高可靠性和高稳定性等优点。
Long-Term Mobile SDRAM Support: Replacements for Mobile SDRAM 128Mb Devices
288pin DDR4 SDRAM Registered DIMM DDR4 SDRAM Registered DIMM Based on 8Gb C-die HMA81GR7CJR8N HMA82GR7CJR8N HMA82GR7CJR4N HMA84GR7CJR4N
【产品】读写速率800Mbps/pin的DDR2 SDRAM
AS4C128M16D2是一款采用预取多位芯片架构的8频双倍数据速率高性能SDRAM,存储容量为2G。
【产品】新一代1Gb高速CMOS DDR SDRAM
DDR SDRAM采用单个+2.5V(±0.2V)电源供电,具有掉电模式以降低功耗,并提供写入控制的数据掩码。
DDR4 SDRAM Specification
【产品】高带宽和高性能存储器系统应用必选DDR SDRAM
AS4C32M16MD1A为ALLIANCE的一款512Mb的同步动态随机存取存储器,采用双倍数据率架构,时钟频率达200MHz。
【产品】峰值速率达333Mbps的1Gb DDR SDRAM
AS4C64M16MD1为ALLIANCE的一款容量达1Gb的DDR SDRAM,最高时钟频率达166MHz,具有多种节电模式,适合移动应用。
【产品】1G DDR SDRAM,多种节电模式与移动设备更配
AS4C32M32MD1是ALLIANCE的一款容量达1Gb的DDR SDRAM,最高数据率达400Mbps,具多种低功耗模式,适合移动应用。
【产品】新一代SDRAM!增加便携式电子产品的电池寿命
LPDDR2 SDRAM为智能手机和平板电脑等移动设备的超低电压内核和I/O电源提供了可靠的pin to pin兼容替代方案。
【产品】双倍速率SDRAM,高性能存储器应用的最佳选择!
AS4C16M16MD1是一款高性能CMOS技术制造的256Mb双倍数据速率同步动态随机存取存储器。
【应用】永不停产的Alliance SDRAM携三个“不”承诺立足电子秤应用,量产再无忧
Alliance Memory的SDRAM产品承诺:不停产、不缩die、不改版,为工程师带去真正实用的价值。
【产品】第二代SDRAM 1GB容量助力解决高速存储
AS4C128M8D2-25BIN是一款容量为1Gb的DDR2 CMOS SDRAM,符合JEDEC时钟抖动规范,采用交叉存取的方式,相比起标准DRAM具有更快的速度,大容量小尺寸因此应用范围极广。
【产品】专为高存储宽带应用而设计的高速CMOS SDRAM
AS4C32M16SB是ALLIANCE MEMORY公司推出的一款容量为512Mb高速SDRAM,其内部由4个块组成,每个块有16×8M word,十分适合应用于需要高存储带宽的场合,尤其适用于高性能PC设备。
这款DDR3 SDRAM电源效率更出色
AS4C1G8MD3L是Alliance Memory推出的一款具有双倍数据速率的CMOS DDR3 SDRAM,容量可达8Gb,时钟频率可达800MHz,单引脚的数据传输速率可达1600Mbps,可为高端计算机和存储系统提供更高的电源效率。
时钟频率高达400MHz的1G DDR2 SDRAM
AS4C64M16D2-25BCN是Alliance Memory的一款高速CMOS DDR2 SDRAM,容量为1GB,内部被配置成8个bank DRAM,最高时钟频率可达400MHz,具有离线驱动调整(OCD)、片内终结器(ODT)等关键技术。
400MHz时钟频率的SDRAM,外部差分时钟让存储时间更短
AS4C32M16D2-25BIN是Alliance Memory推出的一款DDR2 SDRAM。该SDRAM容量为512M,最快时钟频率为400MHz,在医疗、工业、汽车和电信等领域有极大应用空间。
高性能PC应用的福音: 512Mbit SDRAM又回来了!
Micron重启了512Mbit SDRAM产品线,并由Alliance Memory代理。适合于医疗、工业、汽车和电信应用等需要高存储带宽的场合,尤其适合于高性能计算机应用。
【产品】时钟频率高达400MHz的DDR2 SDRAM AS4C16M16D2-25BCN,支持同步操作
AS4C16M16D2-25BCN是Alliance Memory推出的一款高速CMOS DDR2 SDRAM,最快时钟频率可达400MHz。
第三代双倍数据率SDRAM:让您的数据传输事半功倍
AS4C512M8D3通过双倍数据率架构的设计,可根据两个不同时钟对数据进行锁存,通过该种方式,该器件可在与其他普通SDRAM相同时钟频率的情况下,将数据传输速率提升一倍。
低功耗SDRAM的优势及应用
ALLANCE的DDR3 SDRAM系列具有其速度快、容量大、价格便宜以及功耗低等各种优势,因此可以广泛的应用于图像处理与高速数据采集等场合。
【产品】专为3.3 v内存系统而设计的512 Mbit 工、商业SDRAM,可自刷新和预充电
本已停产的512 Mbit SDRAM 得以“重返江湖”,还具备自刷新和预充电功能,开辟了Alliance内存产品市场的新局面。 AS4C32M16SM-7TXN是一款第三代高速CMOS的512 Mb工、商业SDRAM。其内部采用流水线架构,能够实现高速运行。