SiC限流装置（CLD）

VINCOTECH功率模块选型表

提供PIM模块，6管（sixpack）模块，半桥（Half-Bridge）模块，全桥（H-Bridge）模块，I型三电平（NPC）模块，T三电平（MNPC）模块，升压（Booster）模块等数十种拓扑的IGBT模块选型，电压范围600-1600V，电流范围4-1800A。

【选型】CALY SiC限流装置（CLD）选型指南

CALY Technologies是碳化硅（SiC）保护设备专家，可提供碳化硅定制设计方面的全套服务。其SiC产品在运输和EV应用中提供无与伦比的保护和卓越的性能，广泛用于电池组和电源转换器，以限制浪涌或短路电流。

【产品】Caly推出基于碳化硅的混合电涌抑制器模块，用于保护交流和直流电源电路

Caly Technology推出了一种新颖的基于碳化硅的混合电涌抑制器模块（SCVLD），用于保护交流和直流电源电路。这一装置最终将采用三引脚模块的形式，包括一个MOV，一个齐纳二极管和一个基于SiC的限流二极管（CLD）。通过使用适当大小的组件，可以避免MOV和齐纳二极管的缺点，同时获得它们的优点。

【经验】SiC限流装置（CLD）KE12LS200T的电热LTSpice模型说明

CALY Technologies采用碳化硅（SiC）材料制作出用于雷电保护应用的1.2kV/2 Ohm SiC限流装置（CLD）KE12LS200T，本文描述了SiC CLD电热LTSpice模型，旨在帮助客户设计和部署基于SiC CLD的雷电和电涌保护应用，通过帮助他们将建议的SiC CLD模型集成到LTSpice中以执行设备和系统级仿真。

【选型】CALY Technologies SIC限流装置，为有线网络中电流馈入设备的短路浪涌保护提供解决方案

碳化硅（SiC）限流装置（CLD）是设计用于通过它们将电流钳位在给定值的半导体器件，因此限制了到达要保护的设备的能量的量。本方案就介绍CALY Technologies的碳化硅（SiC）限流装置（CLD）在保护有线网络中电流馈入设备，防止短路浪涌。据此，本方案推荐CALY Technologies的碳化硅限流装置。【世强硬创沙龙2019】

【选型】为保护LVDS输入、输出端口免受雷电和浪涌影响选择合适的碳化硅限流装置（CLD）

本文推荐CALY Technologies的碳化硅限流装置（CLD）KE12LE150B、KE12LEB150T20、KE12LS060B、KE12LS060SB、KE12LS060T47、KE12LS200B、KE12LS200T47、KE12LSB200S20、KE12LSB400T47，为保护LVDS输入、输出端口免受雷电和浪涌提供理想解决方案。

【应用】短路能力优异的碳化硅限流装置（CLD）作为自恢复保险丝在电路中实现保护作用

本方案将介绍CALY Technologies限流装置（CLD）KE12LE150B、KE12LEB150T20作为自恢复保险丝在电路中实现保护作用。碳化硅（SiC）限流装置（CLD）保护自恢复保险丝遭雷电、过流、短路、过压，以及对重型设备开关的过程中产生的浪涌方面特别有用。

【选型】具有双向限流能力的碳化硅限流装置（CLD）推荐，为保护敏感设备免受重载切换产生的瞬变提供解决方案

CALY Technologies是碳化硅（SiC）保护设备专家，可提供碳化硅定制设计方面的全套服务。其SiC产品在运输和EV应用中提供无与伦比的保护和卓越的性能，广泛用于电池组和电源转换器，以限制浪涌或短路电流。本方案主要介绍CALY Technologies的限流装置（CLD）在保护敏感设备免受重载切换产生的瞬变。

【选型】击穿电压超过1200V的碳化硅限流装置，保护数据线免受共模故障的影响

本方案介绍CALY Technologies的碳化硅（SiC）限流装置（CLD）在保护数据线免受共模干扰中的影响，在防止数据中心等数据线遭雷电、过流、短路、过压等影响。据此，本方案推荐CALY Technologies的碳化硅（SiC）CLD器件，为数据线保护提供解决方案。

CALY SiC限流装置 (CLD)产品介绍

击穿电压高达1200V的CALY碳化硅（SiC）限流装置（ CLD）

CALY（卡利技术）的碳化硅（SiC）限流装置（CLD）击穿电压高达1200V，爬电能力强，具有低电流饱和度，温度范围- 55°C~+ 175°C，适用于航空电子、工业、医疗、数据中心、汽车和住宅等要求严苛的市场领域中的抗浪涌、雷击及过流保护应用。推荐KE12LS060T47,KE12LEB150T20该两款型号。

【产品】1200V/600mΩ的SIC限流装置KE12LS060B，具有标准短路电路功能

CALY Technologies的KE12LS060是一款600mΩ SIC限流装置（CLD），设计用于将最大正向电流钳位在15A，并能够承受高达1200V的浪涌瞬变。在反向模式下，KE12LS060表现为恒定电阻。其高坚固性使其成为在连续和故障条件下限制通过负载的电流的理想设备。

CALY KE12LEB060T20碳化硅限流装置数据手册

KE12LEB060T20 SiC CLD DATASHEET

【选型】CALY SiC肖特基二极管选型指南

CALY Technologies是碳化硅（SiC）保护设备专家，可提供碳化硅定制设计方面的全套服务。其SiC产品在运输和EV应用中提供无与伦比的保护和卓越的性能，广泛用于电池组和电源转换器，以限制浪涌或短路电流。其中用于浪涌和防雷应用的SiC限流装置（CLD）系列，以及适用于1200V，1700V和3300V应用的扩展浪涌电容SiC肖特基二极管都是CALY的极具优势和特色的产品。

全球领先的碳化硅（SiC）保护设备和电源转换器件专家——CALY（卡利技术）

CALY Technologies（卡利技术）是碳化硅（SiC）保护设备专家，可提供碳化硅定制设计方面的全套服务。其SiC产品在运输和EV应用中提供无与伦比的保护作用和卓越的性能，并广泛用于电池组和电源转换器，以限制浪涌或短路电流。其中用于浪涌和防雷应用的SiC限流装置（CLD）系列，以及适用于1200V，1700V和3300V应用的扩展浪涌电容SiC肖特基二极管都是CALY的最具优势和特色的产品

丰富SiC保护器件、SiC功率转换器件、SiC限流装置，世强代理CALY

全球领先的碳化硅（SiC）保护设备和电源转换器专家——CALY Technologies正式入驻世强元件电商。世强是CALY的官方授权一级代理商，本次合作，一方面意味着硬创企业可在世强元件电商上，购买SiC保护器件、SiC功率转换器件、SiC限流装置等全线CALY产品，并获取相关服务。另一方面也意味着世强元件电商的第三代半导体产品不断丰富。

【产品】1200 V、2 Ohm双向碳化硅（SiC）限流装置KE12LSB200S20，具有标准的短路功能

CALY Technologies（卡利技术）推出的KE12LSB200S20限流装置是一款1200V、2 Ohm双向碳化硅（SiC）限流装置，具有标准的短路功能，设计用于以2.5A的典型值正向或反向钳位电流。其高强度使其成为在故障情况下，故障消失或断路器（机械或电子）可能发生反应之前限制通过负载的电流的理想设备。

【产品】1.5Ohm碳化硅单向限流装置KE12LE150B，能够承受高达1200V的浪涌瞬变

CALY Technologies（卡利技术）是碳化硅（SiC）保护设备专家，可提供碳化硅（SiC）定制设计方面的全套服务。其SiC产品在运输和EV应用中提供无与伦比的保护作用和卓越的性能，并广泛用于电池组和电源转换器，以限制浪涌或短路电流。其推出的KE12LE150B限流装置是一款1.5Ohm碳化硅（SiC）单向限流装置，设计用于钳位每个器件典型值4A的电流，并能够承受高达1200V的浪涌瞬变。

【产品】采用碳化硅制作具备限流功能的CLD产品，助力雷击浪涌抑制

CALY科技公司推出电流抑制器（CLD）是采用碳化硅（SiC）材料制作的两端口器件，当端口间的电压超过一定阈值后该器件会限制通过的电流。CALY的CLD产品主要包括KE12LS200B，KE12LS200T47，KE12LSB400T47，KE12LS060B，KE12LS060T47和KE12LS060SB多个型号，可以用于抑制浪涌。

【经验】使用碳化硅制作的CLD限流器件巧搭π型端口防护电路，提高产品抗浪涌能力

CALY科技采用碳化硅（SiC）材料制作出新一代浪涌抑制类器件-CLD限流器。这是一种两端口器件，当端口间的电压达到一定阈值后会限制通过器件的电流，可以增强电路抵抗雷击浪涌冲击的能力。本文为用户介绍如何巧妙利用CLD配合其他防护器件（包括气体放电管，TVS管等）搭建π型端口电路，提高防护效果。【世强硬创沙龙2019】

【应用】双向碳化硅限流器CLD在复杂电源网络中对敏感设备的防护应用

在一个电源环境中，电源要给多个设备供电，多个设备的启停会给电源带来负载的波动，特别是负载比较重的设备，这种设备会给整个供电网络带来类似浪涌的冲击，对网络中敏感的用电设备造成致命危险，因此非常有必要采取合理的防护措施。本文介绍使用CALY的限流器产品CLD KE12LSB200在电源网络中保护敏感设备的方案，这种器件能在端口电压上升到一定阈值时对电流进行限制，以达到保护后端器件的目的。

CALY用限流装置改善电涌保护电路的性能应用笔记

KE12LS200T IMPROVING PERFORMANCE OF SURGE PROTECTION CIRCUITS WITH CURRENT LIMITING DEVICES APPLICATION NOTE

【产品】1200V/1.5Ω双碳化硅限流器KE12LEB150T20，具有扩展短路能力

CALY Technologies（卡利技术）推出的KE12LEB150T20是一款1500mΩ双碳化硅（SiC）限流器，可用于单向（S1连接到S2）或双向（S1和S2之间的装置）模式，能够承受高达1200V的浪涌瞬变，短路承受能力超过350μs @600V、250μs @1200V。【世强硬创沙龙2019】

【应用】1200V/2 OHM碳化硅限流器，为汽车CAN总线负载率变化导致的启动问题提供解决方案

本文介绍了CALY Technologies的碳化硅（SiC）限流器（CLD）KE12LSB400T47、KE12LSB200S20如何避免汽车CAN总线负载率变化导致的无法起动问题，为其提供理想解决方案。【世强硬创沙龙2019】

【选型】推荐三款可承受1200V浪涌瞬变的碳化硅限流器用于保护5G、工业领域中天线接收器

针对目前市场上大多数限流器无法承受较高的浪涌瞬变的问题，本方案推荐CALY Technologies的可承受1200V浪涌瞬变的碳化硅限流器KE12LE150B、KE12LEB150T20、KE12LSB200S20。其具备的高强度可在故障消失或断路（机械或电子）发生反应之前，限制通过负载的电流，为与5G、工业设备的天线连接提供保护方案。

【产品】1.2 kV、2 Ohm限流装置KE12LS200，具备出色的电流钳制能力

KE12LS200是CALY Technologies推出的1.2 kV、2 Ohm限流装置，可将正向电流钳制在2.5A（最大值），在反向模式下相当于一个恒定电阻。KE12LS200具有高强度，因此是在故障条件下限制通过负载的电流的理想器件，它会在故障消失或断路器（机械式或电子式）反应之前起作用。

【产品】1200V/8Ω的双向碳化硅限流器KE12LEB800S223，具有扩展的短路能力

CALY Technologies的KE12LEB800S223是一款1200V/8Ω的双向碳化硅（SiC）限流器，可用于单向（S1连接到S2）或双向（S1和S2之间的设备）模式，旨在将电流钳制在典型值1.5A，并能够承受高达1200V的浪涌瞬变。

卡利技术（CALY）新推耐压达到3300V的碳化硅限流管和碳化硅二极管——世强硬创沙龙2019

【产品】采用DFN123F封装的50V/50-80mA可调限流二极管（CLD）CMJA5050

CMJA5050是Central Semiconductor推出的一款50V限流二极管（CLD），其开发目的是满足设计要求，以在50mA至80mA的可调电流范围内保持恒定电流。 这种可调设备无需使用多个单独的CLD即可满足所需的当前调节值。该器件包装在扁平的DFN123F表面贴装外壳中，非常适合需要节省空间的电流调节器件的任何应用，包括LED照明和测试/测量设备。

Cree将投资10亿美元，扩大SiC碳化硅产能、满足EV电动汽车和5G市场需求

CREE先进的制造园区，将加速从Si硅向SiC碳化硅的产业转型，满足EV电动汽车和5G市场需求。此次产能扩大，将带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和SiC碳化硅材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长。科锐是Wolfspeed功率和RF射频半导体、照明级LED、照明产品的创新者。Wolfspeed产品包括了SiC碳化硅材料、功率器件、射频器件，广泛应用于电动汽车、快速充电等。

Cree成为大众汽车集团FAST项目SiC碳化硅独家合作伙伴，将助力加速EV电动汽车市场转型

2019年5月14日，作为SiC碳化硅半导体的全球引领者，成为大众汽车集团（Volkswagen Group）FAST（Future Automotive Supply Tracks, 未来汽车供应链）项目SiC碳化硅独家合作伙伴。FAST的目标旨在推进共同合作，比以往更为快速地实施技术创新，并且更有效率地、更有效果地实现全球汽车项目。

Littelfuse宣布投资碳化硅技术

作为Littelfuse强力进军工业和汽车用功率半导体元件市场战略的一项举措，Littelfuse对碳化硅技术研发领域的初创公司Monolith Semiconductor公司进行了投资。

全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商——UnitedSiC（联合碳化硅）

UnitedSiC（联合碳化硅）成立于1999年，是美国一家专业的碳化硅（SiC）功率半导体制造商，也是全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商。UnitedSiC开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管（FET）、碳化硅结型场效应晶体管（JFET）和碳化硅肖特基二极管（Schottky Diode）等功率半导体器件，且可定制。世强是UnitedSiC（联合碳化硅）官方授权一级代理

专供新能源汽车耐压达3300V的碳化硅二极管，CALY（卡利技术）入驻提供SiC全套定制服务

CALY（卡利技术）与世强签约，能提供新能源汽车市场耐压达3300V的碳化硅二极管，并可能提供SiC全套定制服务，能提供SiC方案设计、测试到量产的定制服务。

国产第三代半导体领军企业探究SiC材料特性及缺陷产生的原因，提升碳化硅功率器件的可靠性

碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，国产第三代半导体领军企业基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。

最大工作结温超过175°C，0反向和正向恢复时间的CALY碳化硅（SiC）肖特基二极管

CALY（卡利技术）推出了适用于1200V，1700V和3300V应用的碳化硅（SiC）肖特基二极管，具有高浪涌电流能力，最大工作结温超过175℃；0反向和正向恢复时间，极低的待机、开通和关断损耗，独立于负载电流、速度和温度的开关损耗，且器件在并联时无热失控现象。

中国碳化硅（SiC）功率器件的领先品牌：南方半导体（South Semiconductor）

南方半导体（South Semiconductor）是一家致力于碳化硅（SiC）功率器件的研发生产商，也是广东省宽禁带半导体材料和器件创新中心，产品线涉及碳化硅、氮化镓外延片等，核心产品以SiC肖特基二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅外延材料等为主，其中碳化硅肖特基二极管已在军方及众多龙头客户处经过批量使用验证，质量比肩国际同等行业先进水平。

【产品】碳化硅JBS二极管和碳化硅MOSFET裸芯片，1200V和1700v可选

基于3D SiCTM技术，基本半导体自主研发碳化硅JBS二极管和碳化硅MOSFET芯片产品系列。目前已开发出650V、1200V和1700V 碳化硅JBS二极管，以及1200V 碳化硅MOSFET，提供裸芯片。

中国第一批国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆生产商：瞻芯电子（InventChip）

瞻芯电子（InventChip）是一家由碳化硅（SiC）高科技芯片公司，致力于开发以碳化硅为核心，高性价比的功率半导体器件和驱动控制IC产品，为电源和电驱动系统的小型化、轻量化和高效化，提供完整的半导体解决方案。世强是瞻芯电子官方授权一级代理商，代理瞻芯电子旗下驱动芯片，碳化硅肖特基二极管，碳化硅MOSFET等产品，库存丰富，正品保证。

国内首家6英寸SiC晶圆制造工艺厂商入驻，新增1700V、3300V的碳化硅肖特基二极管

世强元件电商平台新增泰科天润（GPT） 650V、1200V、1700V、3300V的碳化硅肖特基二极管等碳化硅（SIC）功率器件。

【产品】首款碳化硅MOSFET产品系列，可在电力电子应用中实现超高速切换

Littelfuse推出收个碳化硅（SiC）MOSFET产品系列LSIC1MO120E0080，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。

【技术】碳化硅MOSFET开关管：小小封装，也有乾坤

CREE提供的MOSFET开关管C3M0065090D和C3M0065090J，都具有65毫欧的导通电阻及900V的漏源电压，两者最大的差异只是封装不同。C3M0065090D采用TO-247-3封装，而C3M0065090J采用TO-263-7封装，又称D2PAK-7L封装。

【技术】UnitedSiC的共源共栅器件提供从硅技术到未来碳化硅技术的桥梁

UnitedSiC的共源共栅器件可以提供从过去的硅到未来的碳化硅的桥梁，这是某些系统供应商所需要的。将低压硅MOSFET与SiC JFET联合封装以完成繁重的工作，可以实现可用的嵌入式升级，从而最大程度地降低了获得碳化硅效率，坚固性和功率密度优势所需的投入。

【产品】高浪涌电流能力、高结温的碳化硅肖特基二极管KE33DJ20

CALY Technologies KE33DJ20是一款高性能3300V，2A碳化硅肖特基二极管，具有增强的浪涌电流能力，能够在超过175℃的高频和温度下工作。碳化硅肖特基二极管提供零反向和正向恢复，非常适合高频和高效率应用，散热要求最低

【应用】N沟道强型碳化硅功率MOSFET C2M0080120D提供全碳化硅MOS电源方案

电源性能的改进，电源中的功率器件发挥着至关重要的作用，CREE做为全球领先的SiC肖特基二极管和MOSFET制造商。其碳化硅MOS方案凭借优良的性能，可以给电源带来更高开关频率及系统效率，同时降低系统的尺寸和重量，使电源更能适应恶劣环境。

基本半导体碳化硅功率器件系列产品以及碳化硅应用亮相2020慕尼黑上海电子展

7月3日至5日，有着“中国电子行业风向标”之称的慕尼黑上海电子展隆重举行基本半导体首次亮相“慕展，”基本半导体碳化硅功率器件系列产品以及碳化硅应用产品悉数亮相、

SILICON CARBIDE CoolSiC Trench MOSFET Combining SiC Performance With Silicon Ruggedness

臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室，加速开发以SiC为中心的创新型电源解决方案

中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司与全球知名半导体厂商ROHM宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室”，并于2020年6月9日举行了揭牌仪式。此次联合实验室的成立，旨在利用罗姆的SiC MOSFET裸芯片和隔离型栅极驱动器，进行车载功率模块和逆变器的开发。今后，双方将进一步加速开发以SiC为中心的创新型电源解决方案。

【产品】3300V、3A碳化硅（SiC）肖特基二极管KE33DJ03T47，高频、高效应用的理想选择

CALY Technologies推出的KE33DJ03T47是一款高性能3300V、3A碳化硅（SiC）肖特基二极管，具有增强的浪涌电流能力，能够在高达175°C的高工作结温下工作。可快速切换且与温度无关，提供零反向和正向恢复，使其成为高频率和高效率应用的理想选择，并且散热要求最低。符合ROHS标准，是环境友好型器件。【世强硬创沙龙2019】

基本半导体完成数亿元B轮融资，重点拓展车规级碳化硅功率模块的研发和量产，打造行业领先的碳化硅IDM企业

2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研发及产业化的国内第三代半导体行业领军企业基本半导体宣布完成数亿元人民币B轮融资，所融资金将主要用于加强碳化硅器件的核心技术研发、重点市场拓展和制造基地建设，特别是车规级碳化硅功率模块的研发和量产。

【产品】扩展的碳化硅肖特基二极管产品系列，可降低开关损耗、提高效率和耐用性

2018年2月初，Littelfuse推出LSIC2SD120A08、LSIC2SD120A15和LSIC2SD120A20系列第2代1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，能够显著降低开关损耗，助于极大地提高电力电子系统的效率和耐用性。

臻驱科技基于ROHM第四代SiC芯片对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估

2019年底，臻驱科技与日本罗姆半导体公司成立了联合实验室，并签订战略合作协议，进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块，及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估。

【产品】1700V SiC MOSFET栅极驱动板，为第三代碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体量身定做

Wolfspeed将最先进的SiC MOSFET技术引入新型低电感离散封装中，从而扩大了在SiC技术领域的领先地位。其推出的CGD15SG00D2系列产品是第三代SiC MOSFET栅极驱动板,重9g，为第三代(C3M)碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)量身定做。具有短路保护功能，其电源供电采用隔离电源设计，输入到输出隔离电压的典型值为±1700V。

【选型】车载充电机OBC上碳化硅功率器件SiC二极管选型

随着技术的进步和产品设计的升级，独立车载充电机的发展越来越受到集成化功率单元的挑战。为了满足车载充电机市场不断升级的实际需求，泰科天润特开发多款不同规格和封装形式的碳化硅功率器件，本文泰科天润针对车载充电机市场介绍碳化硅功率器件的选型。

ROHM的SIC碳化硅功率模块/MOSFET/SBD/肖特基势垒二极管/栅极驱动器，帮助实现电力的有效利用

ROHM的“全碳化硅”功率模块可最大限度发挥碳化硅的高速性能，将开关损耗最大减少85％；SiC-MOSFET可实现高速开关和低导通电阻，高温下也具备优良的电气特性；SiC-SBD的反向恢复电荷量 (Qrr) 小，可大幅降低开关损耗；内置绝缘元件的栅极驱动器采用碳化硅实现高速工作。

【选型】碳化硅（SiC）二极管助力PFC系统降低工作温度，提升系统可靠性

泰科天润的碳化硅肖特基二极管G3S06510A等器件已经广泛应用到各类PFC系统中，可以为产品带来更高的效率，以及更高的功率密度和更小的系统尺寸。碳化硅二极管相比于硅材质的快恢复二极管拥有更优秀的反向恢复时间，（快恢复二极管一般反向恢复时间为50ns左右；碳化硅二极管反向恢复时间一般在10ns以内）与极少的反向恢复电流，这能大大降低MOSFET和二极管开关过程中产生的损耗。

【产品】可承受高浪涌电流能力的3300V，3A碳化硅(SIC)肖特基二极管KE33DJ03B

CALY公司的KE33DJ03是一款高性能3300V，3A碳化硅（SiC）肖特基，具有增强的浪涌电流能力，能够在超过175℃的高频和高温下工作。SiC肖特基二极管提供零反向和正向恢复，使其非常适合高频和高效率应用，具有最低的散热要求。【世强硬创沙龙2019】

国内碳化硅(SiC)功率器件先进供应商：森国科（SGKS）

森国科成立于2013年，是无晶圆半导体设计企业，产品覆盖碳化硅（SiC）功率器件、无刷电机驱动（BLDC）、Vision-ADAS 及 AI 记录仪芯片。森国科具备低成本高性能的设计能力，在4G记录仪、ADAS、智能猫眼门铃等市场提供整体芯片与系统解决方案。

博世投资国内一流碳化硅功率器件提供商基本半导体，重点推进车规级碳化硅产品研发

近日，隶属于博世集团的罗伯特·博世创业投资公司（RBVC）已完成对基本半导体的投资。在博世创投支持下，基本半导体将继续坚持自主创新，加大研发投入，重点推进车规级碳化硅产品的研发、制造及规模化应用，提升公司的综合竞争力。

【产品】高频，超低损耗的全碳化硅半桥功率模块，业界首款1.7kV全碳化硅功率模块

CAS300M12BM2和CAS300M17BM2是Wolfspeed（原CREE）推出的两款全碳化硅半桥功率模块，其中CAS300M17BM2是业界首款全碳化硅1.7kV功率模块。两款模块都采用CREE公司特有的Z-Rec二极管和C2M系列场效应管，Z-Rec二极管具有零反向恢复电流，C2M场效应管具有零关断拖尾电流，因此具有超低损耗，另外还能在高频下工作。

Littelfuse SiC碳化硅MOSFET-交期短·可靠供应，替代替换C2M0080120D,SCT2080KE缺货

Littelfuse高频高效率高性能高性价比SiC碳化硅MOSFET供货可靠，替代C2M0080120D,C2M0160120D,SCT2080KE，SCT2160KE，应用于车载DC/DC、车载OBC、光伏能逆变器、大功率储能系统、开关模式电源设备和功率转换器、UPS系统、电机驱动器、大功率高压直流/直流转换器、电池充电器和感应加热、充电桩等领域

新品耐压3300V的碳化硅二极管，亮相世强硬创沙龙

法国碳化硅（SiC）保护设备专家卡利（CALY），首次亮相世强硬创沙龙，带来了其新品耐压3300V的碳化硅二极管。

基本半导体将加快研发更高功率密度、更大电压电流等级的碳化硅功率器件，实现碳化硅功率器件的自主可控、国产替代

近日，国内第三代半导体行业领军企业——深圳基本半导体宣布了一则重磅消息：一辆搭载了基本半导体碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管的新能源汽车，至今已累计无故障行驶120天、运行里程超过1万公里！

国产第三代半导体企业探究SiC芯片研发及封装的可靠性，提升碳化硅功率器件质量

质量的狭义概念是衡量器件在当前是否满足规定的标准要求，即产品性能是否与规格书描述的内容一致。广义上质量和可靠性有关，可靠性是衡量器件寿命期望值的指标，即通过可靠性结果计算器件能持续多久满足规范要求。本文中，国产碳化硅领军企业的基本半导体将从碳化硅芯片研发和封装方面探讨可靠性问题。

【经验】第三代碳化硅场效应管（SiC FET）在高温条件下的开关特性详解

UnitedSiC公司推出的第三代碳化硅场效应管（SiC FET）有一个比较独特的特性，该产品在高温条件下的开关损耗以及反向恢复电荷Qrr会减少。这一特性能够在设备工作温度上升时获得更高的效率。本文将会详细地阐述该特性背后的原因。

国内碳化硅（SiC）产业链企业是怎样的情况？

碳化硅产业国内起步较晚，但是政府在该产业已经在布局，国内也出现了一批做碳化硅材料，碳化硅器件和应用碳化硅的企业。有一篇帖子讲解的比较详细：https://www.eefocus.com/component/425428/r0

泰科天润具备成熟SiC产品线，碳化硅肖特基二极管覆盖650/1200/1700/3300V

国内品牌泰科天润的碳化硅肖特基二极管目前主要分为650V/1200V/1700V/3300V四个电压等级，650V/1200V产品针对普通应用场合，1700V/3300V产品针对高压应用。其中650V/1200V电压等级的产品已经广泛应用于光伏、通信、电动汽车等应用领域。

【经验】在高速开关碳化硅场效应管（SiC FET）中接入RC缓冲电路，能有效解决高速开关损耗以及振铃效应

基于半桥结构这一典型应用，本文介绍了在开关速度快的SiC器件的漏极和源极之间接入RC缓冲吸收电路的优势，解决了如何抑制过多的电压冲击和振铃噪声的问题。此外本文还介绍了一种将RC缓冲吸收电路使用在高速碳化硅开关器件的实用方案——UnitedSiC推出的UF3C系列SiC FET，该方案通过了双脉冲测试的结果验证。

【经验】如何通过增加Si旁路二极管改善碳化硅（SiC）二极管的Ifsm能力

在Ifsm能力上，ROHM的碳化硅（SiC）二极管SCS306AHG基本是SCS206AG的两倍左右，SCS308AHG是SCS208AG的两倍左右。本文推荐采用并联旁路二极管的方式进行改善，从而提升已经采用 SCS206AG和SCS208AG设计的电路回路的Ifsm能力。需要注意，并联的Si旁路二极管的耐受电流需满足电路中浪涌电流最大值的1.5倍以上。

现货替换Cree碳化硅二极管，货期更短

Littelfuse碳化硅二极管可替换Cree碳化硅二极管，不缺货，货期较Cree 碳化硅二极管更短，并已获得市场上大量客户使用验证，性价比高。

【产品】可承受高浪涌电流能力的3300V，2A碳化硅SIC肖特基二极管KE33DJ02B

CALY的KE33DJ02是一种高性能3300V，2A碳化硅肖特基，具有增强的浪涌电流能力，能够在超过175C的高频和高温下工作。SiC肖特基二极管提供零反向和正向恢复，使其成为高频和高效率应用的理想选择，具有最低的散热要求特征高冲击电流能力碳化硅肖特基二极管最高工作结温度超过175℃零反向和正向恢复快速温度独立开关VF上的正温度系数 优势和利益极低的备用和开关电源损耗比使用硅二极管时效率高。

国内首家碳化硅器件制作与应用解决方案提供商泰科天润入驻世强元件电商

国内首家碳化硅器件制作与应用解决方案提供商泰科天润与世强签署代理协议，世强全线代理其碳化硅二极管、Mosfet、芯片等产品。 泰科天润总部总部位于北京，在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺，并拥有目前国内唯一一条碳化硅器件生产线。作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方

【应用】采用开环LLC＋电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计

国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%，揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。

【产品】性能优异的Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管

Wolfspeed（原CREE POWER独立更名）成立于1987年，一直以“SiC技术”见长。该品牌的 SiC肖特基二极管具有可高温高频工作，可忽略的开关损耗， dV/dt最高可达200V/ns等产品特性。产品可应用于开关电源（SMPS），电机驱动，AC/DC转换等场景中。

全球碳化硅MOSFET顶尖制造商之一：美浦森(Maplesemi)

美浦森(Maplesemi)成立于2008年，2009年在韩国成立FABOWN工厂，致力于POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产。目前VDMOSFET和碳化硅产品已获得韩国政府60多项技术专利，成为韩国首家跻身全球SiC MOSFET顶尖制造商。世强是美浦森官方授权一级代理商，代理美浦森旗下高压MOSFET, 超结MOSFET，碳化硅二极管等产品，库存丰富，正品保证。

【技术】第三代碳化硅技术相比硅解决方案的优势及其驱动能力、封装和性能的未来发展

作为一种半导体技术，碳化硅（SiC）已经发展到可以与硅竞争的水平。如今，碳化硅已进入第三代产品，其性能随着越来越多的应用而增加。 SiC具有带隙更宽、临界击穿电压更高、电子速度更高、开关速度更快等优点。其规模经济性使其可与硅的价格水平保持一致，并用于大众市场应用以及尖端的创新产品。 未来，改善SiC FET的驱动能力、碳化硅改良参数，SiC封装优化将成为SiC技术发展的几个方向。

【产品】650V碳化硅（SIC）肖特基二极管B1D06/08065F，TO-263-2小尺寸封装

基本半导体的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B1D06065F和B1D08065F，反向重复峰值电压为650V，连续正向电流分别为6A和8A，总电容电荷分别为17nC和24nC。两款产品反向电流极低，反向恢复电流可忽略，VF具有正温度系数，还具有优秀的浪涌电流保护能力和低电容的特点。

国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商——泰科天润(GPT)

泰科天润(GPT)（全称：泰科天润半导体科技 (北京)有限公司）成立于2011年，总部在北京，是中国碳化硅（SIC）功率器件产业化的倡导者之一，也是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商与应用方案提供商。泰科天润(GPT)拥有一座完整的半导体晶圆厂和目前国内唯一一条批量化面对市场的碳化硅器件生产线，可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。

【技术】第三代半导体宽禁带材料碳化硅功率器件的优点讲解

碳化硅（SiC）又叫金刚砂，特点是：化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，硬度大、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。目前以碳化硅为代表的第三代半导体材料正在迅速崛起，在国防军工、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。本文中美浦森详细分析了碳化硅的使用优势。

【经验】碳化硅功率MOSFET的开关特性以及如何评估？

碳化硅（SiC）功率MOSFET受到很多关注，因为它们即可以快速切换，又能同时保持高阻断电压。但是它们出色的开关特性也存在潜在的缺点。本篇，Littelfuse将为大家讲述为什么很难描述SiC功率MOSFET的特性以及如何评估碳化硅器件的开关性能。

【产品】采用TO-220-2L封装的650V/20A碳化硅肖特基势垒二极管LSIC2SD065A20A系列

LSIC2SD065A20A是Littelfuse推出的SiC肖特基二极管，此系列碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175的最高运行结温 °C。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，该二极管系列是理想选择。

Cree碳化硅二极管替换，货期更短，价格便宜5%

LITTELFUSE碳化硅二极管可替换Cree碳化硅二极管，货期较Cree 碳化硅二极管更短，价格较Cree 碳化硅二极管便宜5%，性能也较Cree碳化硅二极管优越。世强是LITTELFUSE官方授权代理商，大量现货，供货稳定，且LITTELFUSE碳化硅二极管已获得市场上大量客户使用验证，性价比高。

科锐宣布将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂

2019年9月23日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化硅（SiC）技术全球领先企业的科锐宣布计划在美国东海岸创建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频（RF）晶圆制造工厂，而与之相辅相成的超级材料工厂（mega materials factory）的建造扩产正在公司达勒姆总部

【产品】1200V的碳化硅（SiC）肖特基二极管B1D02/10120E，TO-252-2封装

​基本半导体的B1D02120E和B1D10120E型碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管），反向重复峰值电压为1200V，连续正向电流分别为2A和10A，总电容电荷分别为11.8nC和52nC。两款产品反向电流极低，反向恢复电流可忽略，VF具有正温度系数，还具有优秀的浪涌电流保护能力和低电容的特点，不含卤素，符合RoHS标准。

【产品】基于UnitedSiC专有共源共栅配置的1200V高性能碳化硅MOS管UF3C系列

碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出其UF3C FAST系列1200 V高性能碳化硅FET，与现有的UJC3系列相比，FAST系列提供了更高的开关速度和更高的效率水平。该新系列基于UnitedSiC的专有共源共栅配置，提供了更高的开关速度。

碳化硅功率器件与驱动芯片整合供应商瞻芯电子（InventChip），为电源和电驱动系统提供完整的半导体解决方案

日前，上海瞻芯电子科技有限公司与世强硬创电商签订授权代理协议，世强成为其战略合作伙伴，双方将在世强硬创平台线上及线下展开深入广泛合作。瞻芯电子已在平台上线其全线产品以及相关技术资料。瞻芯电子（InventChip）专注于碳化硅（SiC）半导体领域， 已成为中国第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工艺以及SiC MOSFET驱动芯片的公司。碳化硅是第三代半导体的主要材料之一，能实现设备的小型

Cree和安森美半导体宣布推出多年碳化硅晶圆供应协议

Cree公司和安森美半导体公司宣布了一项为期多年的协议，其中Cree公司将生产和供应Wolfspeed®碳化硅晶圆给安森美半导体公司。安森美半导体是全球半导体领导者，为各种电子应用领域的客户提供服务。该协议价值超过8500万美元，用于向安森美半导体公司供应Cree公司先进的150mm碳化硅（SiC）裸晶圆和外延晶圆，用于目前的高增长市场，如电动汽车和工业应用。

Littelfuse完成对Monolith Semiconductor的收购，增添新兴的半导体材料——碳化硅

2018年11月1日，Littelfuse宣布最近完成了对Monolith Semiconductor，Inc.的收购。Monolith Semiconductor，Inc.专门从事碳化硅功率器件技术的开发。Littelfuse于2017年5月推出其首款商用碳化硅肖特基二极管，随后于2017年10月首次推出商用SiC MOSFET。

Cree 900V碳化硅（SiC）MOSFET 晶圆尺寸由100mm改为150mm变更通知（PCN-PW077）

Cree is transitioning the900V65mQ Silicon Carbide (SiC) MOSFETs from existing 100mm wafers to 150mm wafers.

FIRECOMMS与EGRTECH合作开发高效的碳化硅（SIC）栅极驱动器

2019年4月29日，在爱尔兰科克，作为提供光纤解决方案和光收发器的全球领导者的Firecomms很高兴宣布与全球可再生能源和工业应用电力电子解决方案提供商Egrtech合作，采用稳健可靠的光通信解决方案开发高效碳化硅门驱动器。

碳化硅二极管有助于提高电路开关频率

cree所研发的碳化硅器件逐步取代硅基电力电子器件，碳化硅力电子器件将为电力电子带来重要的技术革新，并推动电力电子领域在今后的发展。

【应用】 碳化硅MOSFET实现超高速切换，为电动车快速充电提供宽带隙解决方案

Littelfuse的LSIC1MO120E0080额定电压为1200 V，额定电阻为80mOhm，采用TO-247-3L封装，首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。

【选型】以SCT2080KE和SCT3040KL为例说明罗姆第三代和第二代碳化硅MOS的性能区别

罗姆的碳化硅MOS，通常用于电源等行业用于提升产品性能。最近笔者遇到客户在问罗姆第三代碳化硅MOS与第二代的区别，于是以第三代碳化硅MOS SCT3040KL和第二代碳化硅MOS SCT2080KE为例进行对比说明。

【经验】碳化硅肖特基二极管对比硅快速恢复二极管，更低开关损耗可提高效率、降低噪音

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上。本文通过理论分析及使用安邦产品实验对比碳化硅肖特基二极管和硅快速恢复二极管，说明碳化硅肖特基二极管性能更优。

Evaluation Board for E/G-type Full SiC Module with 3rd Generation SiC-MOSFET User’s Guide

货期更短，可替换Cree碳化硅二极管C4D05120A，C4D05120E，C4D08120A，C4D08120E

Littelfuse(力特) 新推出经过扩展的碳化硅二极管产品系列可以替换科锐Cree碳化硅二极管C4D05120A，C4D05120E， C4D08120A，C4D08120E，货期更短，性价比高。

【技术】100/150mm 碳化硅外延片，具有极佳的均匀性和极低的缺陷密度

基本半导体生产100/150mm 碳化硅外延片，具有极佳的均匀性和极低的缺陷密度。基本半导体是中国第三代半导体行业领军企业，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。针对不同规格要求，提供一套完整的碳化硅外延材料解决方案。

【应用】Wolfspeed碳化硅功率MOSFET帮助降低电机驱动功率损耗，导通延迟仅5.2ns

电动机能耗占整个工业用电的63％，可以依靠Wolfspeed SiC器件来降低功率损耗并提高电力转换的效率。本文推荐Wolfspeed的一款C2M0280120D的碳化硅功率MOSFET，的一款N沟道增强型碳化硅功率MOSFET，具有延迟极短、超高耐压、小封装等优势，为电动机驱动提供解决方案，具有巨大的市场前景。

活动泰科天润、瞻芯电子、中电国基南方等国产碳化硅器件，支持650V-3300V，10倍抗浪涌电流 ，VF值1.23V

世强硬创电商代理泰科天润、上海瞻芯、中电国基、基本半导体、美浦森、派恩杰，六家国产碳化硅器件 。本次活动厂牌的型号，支持免费样品申请，并且保证100%原厂正品。下载【活动资料】￥400网红潮品Hi-Fi音箱、￥188 无线手机充电器×5！品牌及主要产品中国碳化硅（SIC）功率器件产业化的倡导者之一，也是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商与应用方案提供商。泰科天润(GPT)拥有一座完整的半导体

【产品】最高结温175°C二代碳化硅肖特基二极管，具有可忽略的反向恢复电流

LITTELFUSE是全球领先的电路保护产品供应商，从汽车到计算机，再到电信设备，Littelfuse为各行各业的电路板保护提供完美的解决方案。其生产的GEN2功率半导体产品——LSIC2SD系列碳化硅肖特基二极管，在大功率、高效率、高可靠性的功率产品应用中发挥着巨大的作用LSIC2SD120A10系列碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略的反向恢复电流，高浪涌能力以及175°C的最高工作结温度。

【产品】1200V军品级碳化硅功率场效应晶体管，N通道增强模式

Wolfspeed（原CREE）推出的CPM2-1200-0160B系列碳化硅功率场效应晶体管，N通道增强模式，采用新C2M 碳化硅功率场效应晶体管技术。CPM2-1200-0160B系列碳化硅功率场效应晶体管操作温度和存储温度均为-55~150℃，符合军品级产品的温度要求，具有极高的产品可靠性。此款产品非常适用于太阳能逆变器、高压直流/直流转换器、LED照明电源等应用领域。

碳化硅MPS二极管为光伏电源插上一对给力的翅膀

近几年来，新能源汽车、光伏电源等清洁能源备受关注，而SiC又可为清洁能源提供一个良好的解决方案，因此可以预见碳化硅二极管的增长将是突飞猛进式的。

【产品】高浪涌电流能力、高结温的碳化硅肖特基二极管KE12DJ15DT47

CALY Technologies推出的KE12DJ15DT47是一款高性能1200V，双5A共阴极碳化硅肖特基(SiC)，具有增强的浪涌电流能力(MPS)，能够在高达175°C的温度和高频率下工作。碳化硅肖特基二极管具有良好的零反向和正向恢复功能，是理想的高频和高效率应用，具有最低的散热要求。

【产品】1200V N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0021120K，采用C3M™ MOSFET技术

C3M0021120K是Wolfspeed（原Cree Power）推出的N沟道增强型1200V碳化硅功率MOSFET，采用了第三代SiC MOSFET技术；具有优化的封装，独立的驱动源极引脚；漏极和源极间的爬电距离为8mm；开关速度快，电容低。

【产品】超低导通电阻的1200V碳化硅MOSFET

Littelfuse推出的LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻(RDS(ON))，分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。 这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。

【技术】碳化硅肖特基二极管的应用优势分析，耐压可以达到6000V

本文介绍了碳化硅肖特基二极管器件的结构和特征、正向特性，在介绍恢复特性时，基于基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D20065K的测试结果，与硅快速恢复二极管进行了对比。基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品，具有极高的工作效率。

低开通损耗碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080在光伏直流侧升压应用

光伏电站并网认证中对于系统效率有比较严格要求，这就要求光伏逆变器在设计中要考虑器件损耗。很多工程师会选择在BOOST部分选择碳化硅MOSFET来提高开关频率减小系统损耗。本文将介绍Littelfuse 公司的1200V 80mΩ SiC MOSFET，从器件损耗方面详细说明优势。

【产品】1200V碳化硅肖特基分立二极管，IF具有10/15/20A可选

Littelfuse推出三款封装为表面贴装TO-263-2L的碳化硅肖特基分立二极管，型号分别为LSIC2SD120D20、LSIC2SD120D15和LSIC2SD120D10。三款TO-263-2L的碳化硅肖特基分立二极管反向最大直流电压均为1200V，正向压降1.5V，反向电流IR为100μA。

【产品】1700V/3300V国产高压碳化硅肖特基二极管，可应用于光伏、轨道牵引等领域

国产泰科天润具有针对于高压应用领域的1700V/3300V电压等级产品。1700V碳化硅肖特基二极管产品型号齐全，也是同行中极少数可以批量供货3300V碳化硅产品的功率半导体器件厂商。泰科天润1700V产品对比同类产品VF约低8-10%，浪涌电流能力约高50-100%；文中3300V碳化硅二极管可针对特殊应用进行双面银芯片产品、高压二极管模组等特殊封装的定制服务。

【产品】碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，额定电压为1700V，1 Ohm

2018年9月24日，Littelfuse碳化硅(SiC) MOSFET LSIC1MO170E1000 额定电压为1700 V，1 Ohm，采用TO-247-3L封装。专为高频、高效应用优化，极低栅极电荷和输出电容，低栅极电阻，适用于高频开关。

【选型】国产碳化硅MOSFET IV1Q12080T3可PIN-PIN替换C2M0080120D，更高工作结温175℃

为实现设备小型化，目前也在不断的用碳化硅（SiC）器件替换升级原先的硅（Si）器件。本文推荐国产瞻芯电子碳化硅MOSFET IV1Q12080T3，TO-247-3L封装，漏源电压1200V，导通电阻为80mR，可PIN-PIN替换市场主流的wolfspeed C2M0080120D，工作结温范围更宽-55℃到175℃，工作可靠性更高。

交期短，可替换Cree 碳化硅MOSFET： C2M0080120D，C2M0160120D

电路保护领域的全球领先企业Littelfuse(力特)推出了全新高性能超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET系列，其中LSIC1MO120E0080,LSIC1MO120E0160可PIN to PIN替换Cree碳化硅MOSFET C2M0080120D,C2M0160120D。【世强硬创沙龙2019】

【经验】碳化硅MOSFET在并联应用中的动态和静态特性研究

本文将着重介绍碳化硅MOSFET在并联应用中的动态和静态特性，以及器件结温的敏感特性。本文选择的样品WOLFSPEED的1200V/10A第一代（Gen-I）碳化硅MOSFET CMF10120D和C2MTM碳化硅MOSFET C2M0160120D

【经验】浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面。基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。

泰科天润1200V碳化硅肖特基二极管率先通过车规AEC-Q101可靠性认证

国内碳化硅功率半导体领军企业泰科天润的1200V碳化硅肖特基二极管由广电计量基于汽车电子委员会发布的AEC-Q101《汽车级离散半导体元件应力测试》标准，进行了历时5个月之久的测试。测试的器件满足所有规定的鉴定方法和标准，所有鉴定测试中均未观察到失效。泰科天润成为国内碳化硅功率器件率先由权威第三方检测机构测试并通过AEC-Q101认证的制造商。

中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）

世强是基本半导体（BASiC）官方授权一级代理商，代理基本半导体（BASiC）旗下SiC碳化硅功率器件，库存丰富，正品保证。用户可以查询获取来自基本半导体（BASiC）的最新产品和技术资讯、官方资料库，以低于行业的价格，购买基本半导体（BASiC）最新产品，享受供货保障。

UnitedSiC推出UF3C FAST系列650V和1200V高性能碳化硅FET，采用标准TO-247- 3

2018年11月5日，碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出其UF3C FAST系列650 V和1200 V高性能碳化硅FET，采用标准TO-247- 3L包装。与现有的UJC3系列相比，FAST系列提供了更高的开关速度和更高的效率水平。

交期短，可替换Cree碳化硅二极管C4D10120A，C4D10120E，C4D15120A，C4D20120A

Littelfuse碳化硅二极管可替换CREE 碳化硅二极管C4D10120A，C4D10120E，C4D15120A，C4D20120A，交期更短，已有大量客户使用，性价比高。

【经验】以SCS310AP和SCS210AG为例说明第三代和第二代碳化硅肖特基二极管的性能区别

罗姆的碳化硅肖特基二极管，通常用于电源等行业用于提升产品性能。最近笔者遇到客户在问罗姆第三代碳化硅肖特基二极管与第二代的区别，于是以第三代碳化硅肖特基二极管SCS310AP和第二代碳化硅肖特基二极管SCS210AG为例进行对比，来说明其区别。

【产品】中央半导体推出650V、1200V碳化硅肖特基整流器，电流分别为4~30A、2~50A

2020年8月25日，领先的创新型分立半导体解决方案制造商Central Semiconductor（中央半导体）推出了新的碳化硅肖特基整流器（裸芯片形式），新产品针对高温应用进行了优化，提供电流4~30A的650V碳化硅肖特基整流器，以及电流2~50A的1200V碳化硅肖特基整流器。

【产品】Littelfuse首批GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理

2019年2月11日，Littelfuse推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖基特二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。 是需要增强效率、可靠性与热管理的应用的理想选择。

【产品】600V，20A碳化硅快速恢复肖特基二极管助力高频应用

新电元公司推出的一款碳化硅肖特基二极管S20SC60WV，正向导通电压最大值仅为1.9V，最大反向电流为0.1mA，具备快速恢复能力。

【产品】三款1200V GEN2碳化硅肖特基二极管，均采用TO-252-2L封装

Littelfuse推出的此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，该二极管系列是理想选择。

中国碳化硅功率器件领先企业基本半导体入选毕马威“芯科技”新锐企业50榜单

近期，毕马威中国“芯科技”新锐企业50榜单颁奖典礼举行。基本半导体凭借深厚的技术实力和优秀的市场表现力，入选“芯科技”新锐企业50榜单。作为中国碳化硅功率器件领先企业，基本半导体掌握碳化硅功率器件核心技术，得到了市场充分认可。

【产品】1200V GEN2碳化硅肖特基二极管， 159 °C工作温度下5/8A可选

Littelfuse推出的此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，该二极管系列是理想选择。

碳化硅肖特基二极管的技术演变及选型方法

本文从技术演变的角度来讲述有关碳化硅肖特基二极管的演变特点，以及它们在性能、可靠性和坚固性上的不同之处，有助于在设计选型阶段考虑这些因素，合理选型。Cree提供商用JBS和MPS SiC二极管已有十余年，这些器件的现场使用时间累积约达1万亿小时。它们的总单位时间故障率(FIT)为0.095，还不到历史悠久的硅器件可比数值的二十分之一。

【产品】1200V、0.7A碳化硅肖特基二极管，重复峰值正向浪涌电流为4.5A

KE12DJ01B是CALY Technologies推出的一款高性能1200V，0.7A碳化硅（SiC）肖特基，具有增强的浪涌电流能力，能够在高达175°C的高温和高频下工作，碳化硅肖特基二极管具有良好的零反向和正向恢复功能，是理想的高频和高效率的应用，具有最低的散热要求

现货替换Cree碳化硅二极管C4D10120D，C4D15120D，C4D20120D， C4D30120D价格便宜5%

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