SiC限流装置（CLD）
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【选型】CALY SiC限流装置（CLD）选型指南
CALY Technologies是碳化硅（SiC）保护设备专家，可提供碳化硅定制设计方面的全套服务。其SiC产品在运输和EV应用中提供无与伦比的保护和卓越的性能，广泛用于电池组和电源转换器，以限制浪涌或短路电流。
丰富SiC保护器件、SiC功率转换器件、SiC限流装置，世强代理CALY
全球领先的碳化硅（SiC）保护设备和电源转换器专家——CALY Technologies正式入驻世强元件电商。世强是CALY的官方授权一级代理商，本次合作，一方面意味着硬创企业可在世强元件电商上，购买SiC保护器件、SiC功率转换器件、SiC限流装置等全线CALY产品，并获取相关服务。另一方面也意味着世强元件电商的第三代半导体产品不断丰富。
全球领先的碳化硅（SiC）保护设备和电源转换器件专家——CALY（卡利技术）
CALY Technologies（卡利技术）是碳化硅（SiC）保护设备专家，可提供碳化硅定制设计方面的全套服务。其SiC产品在运输和EV应用中提供无与伦比的保护作用和卓越的性能，并广泛用于电池组和电源转换器，以限制浪涌或短路电流。其中用于浪涌和防雷应用的SiC限流装置（CLD）系列，以及适用于1200V，1700V和3300V应用的扩展浪涌电容SiC肖特基二极管都是CALY的最具优势和特色的产品
【产品】1200V，600mOHM，具有标准短路电路功能的SIC限流装置KE12LS060B
CALY Technologies公司推出的KE12LS060是一款600 mΩ SIC限流装置（CLD），设计用于将最大正向电流钳位在15A，并能够承受高达1200V的浪涌瞬变。在反向模式下，KE12LS060表现为恒定电阻。其高坚固性使其成为在连续和故障条件下限制通过负载的电流的理想设备。
【产品】采用碳化硅制作具备限流功能的CLD产品，助力雷击浪涌抑制
CALY科技公司推出电流抑制器（CLD）是采用碳化硅（SiC）材料制作的两端口器件，当端口间的电压超过一定阈值后该器件会限制通过的电流。CALY的CLD产品主要包括KE12LS200B，KE12LS200T47，KE12LSB400T47，KE12LS060B，KE12LS060T47和KE12LS060SB多个型号，可以用于抑制浪涌。
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【经验】使用碳化硅制作的CLD限流器件巧搭π型端口防护电路，提高产品抗浪涌能力
CALY科技采用碳化硅（SiC）材料制作出新一代浪涌抑制类器件-CLD限流器。这是一种两端口器件，当端口间的电压达到一定阈值后会限制通过器件的电流，可以增强电路抵抗雷击浪涌冲击的能力。本文为用户介绍如何巧妙利用CLD配合其他防护器件（包括气体放电管，TVS管等）搭建π型端口电路，提高防护效果。
Cree将投资10亿美元，扩大SiC碳化硅产能、满足EV电动汽车和5G市场需求
CREE先进的制造园区，将加速从Si硅向SiC碳化硅的产业转型，满足EV电动汽车和5G市场需求。此次产能扩大，将带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和SiC碳化硅材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长。科锐是Wolfspeed功率和RF射频半导体、照明级LED、照明产品的创新者。Wolfspeed产品包括了SiC碳化硅材料、功率器件、射频器件，广泛应用于电动汽车、快速充电等。
【选型】ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件选型指南
罗姆在全球首家量产碳化硅功率元器件具有高耐压、低损耗、高速开关性能等传统的硅材料元器件所不具备的优异特性。在功率元器件领域，碳化硅作为新一代材料备受瞩目。与以往的硅(Si)材料元器件相比，碳化硅(SiC)材料功率元器件可以实现低导通电阻、高速开关、高温作业。
【选型】泰科天润(GPT)SiC碳化硅肖特基二极管选型指南
【选型】基本半导体(BASiC) SiC碳化硅功率器件 选型指南
【选型】CALY SiC肖特基二极管选型指南
【选型】CALY 扩展浪涌能力SiC肖特基二极管选型指南
ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件介绍
在功率元器件领域，碳化硅作为新一代材料备受瞩目。与以往的硅(Si)材料元器件相比，碳化硅(SiC)材料功率元器件可以实现低导通电阻、高速开关、高温作业。碳化硅元器件活跃于各种领域， 包括电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费类电子设备等。
【应用】双向碳化硅限流器CLD在复杂电源网络中对敏感设备的防护应用
在一个电源环境中，电源要给多个设备供电，多个设备的启停会给电源带来负载的波动，特别是负载比较重的设备，这种设备会给整个供电网络带来类似浪涌的冲击，对网络中敏感的用电设备造成致命危险，因此非常有必要采取合理的防护措施。本文介绍使用CALY的限流器产品CLD KE12LSB200在电源网络中保护敏感设备的方案，这种器件能在端口电压上升到一定阈值时对电流进行限制，以达到保护后端器件的目的。
| 型号 | 描述 | 价格（含增值税） | |
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SiC-MOSFET BM2SCQ12xT-LBZ、BM2SCQ124系列 Quasi-resonant AC/DC Converter;Built-in 1700 V SiC-MOSFET;碳化硅新品 TO220-6M 选型推荐 供货保障 原厂认证 世强代理 |
现货34 价格¥ 185.9929 |
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SiC-MOSFET BM2SCQ12xT-LBZ、BM2SCQ122系列 Quasi-resonant AC/DC Converter;Built-in 1700 V SiC-MOSFET;碳化硅新品 TO220-6M 选型推荐 供货保障 原厂认证 世强代理 |
现货34 价格¥ 185.9929 |
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SiC-MOSFET BM2SCQ12xT-LBZ、BM2SCQ121系列 Quasi-resonant AC/DC Converter;Built-in 1700 V SiC-MOSFET;碳化硅新品 TO220-6M 选型推荐 供货保障 原厂认证 世强代理 |
现货34 价格¥ 185.9929 |
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SiC-MOSFET BM2SCQ12xT-LBZ、BM2SCQ123系列 Quasi-resonant AC/DC Converter;Built-in 1700 V SiC-MOSFET;碳化硅新品 TO220-6M 选型推荐 供货保障 原厂认证 世强代理 |
现货34 价格¥ 185.9929 |
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SiC MOSFET SCT2H12NZ系列 SiC MOSFET TO-3PFM 原厂认证 世强代理 |
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SiC SBD SCS210AJ系列 SiC SBD TO-263AB (LPTL) 原厂认证 世强代理 |
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SiC SBD SCS208AJ系列 SiC SBD TO-263AB (LPTL) 原厂认证 世强代理 |
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SiC SBD SCS240AE2系列 SiC SBD TO-247 原厂认证 世强代理 |
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SiC SBD SCS220AE2系列 SiC SBD TO-247 原厂认证 世强代理 |
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SiC SBD SCS240KE2系列 SiC SBD TO-247 原厂认证 世强代理 |
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Cree成为大众汽车集团FAST项目SiC碳化硅独家合作伙伴，将助力加速EV电动汽车市场转型
2019年5月14日，作为SiC碳化硅半导体的全球引领者，成为大众汽车集团（Volkswagen Group）FAST（Future Automotive Supply Tracks, 未来汽车供应链）项目SiC碳化硅独家合作伙伴。FAST的目标旨在推进共同合作，比以往更为快速地实施技术创新，并且更有效率地、更有效果地实现全球汽车项目。
Littelfuse宣布投资碳化硅技术
作为Littelfuse强力进军工业和汽车用功率半导体元件市场战略的一项举措，Littelfuse对碳化硅技术研发领域的初创公司Monolith Semiconductor公司进行了投资。
【产品】1.2 kV、2 Ohm限流装置KE12LS200，具备出色的电流钳制能力
KE12LS200是CALY Technologies推出的1.2 kV、2 Ohm限流装置，可将正向电流钳制在2.5A（最大值），在反向模式下相当于一个恒定电阻。KE12LS200具有高强度，因此是在故障条件下限制通过负载的电流的理想器件，它会在故障消失或断路器（机械式或电子式）反应之前起作用。
【产品】碳化硅JBS二极管和碳化硅MOSFET裸芯片，1200V和1700v可选
基于3D SiCTM技术，基本半导体自主研发碳化硅JBS二极管和碳化硅MOSFET芯片产品系列。目前已开发出650V、1200V和1700V 碳化硅JBS二极管，以及1200V 碳化硅MOSFET，提供裸芯片。
【应用】N沟道强型碳化硅功率MOSFET C2M0080120D提供全碳化硅MOS电源方案
电源性能的改进，电源中的功率器件发挥着至关重要的作用，CREE做为全球领先的SiC肖特基二极管和MOSFET制造商。其碳化硅MOS方案凭借优良的性能，可以给电源带来更高开关频率及系统效率，同时降低系统的尺寸和重量，使电源更能适应恶劣环境。
【产品】首款碳化硅MOSFET产品系列，可在电力电子应用中实现超高速切换
Littelfuse推出收个碳化硅（SiC）MOSFET产品系列LSIC1MO120E0080，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。
【技术】碳化硅MOSFET开关管：小小封装，也有乾坤
CREE提供的MOSFET开关管C3M0065090D和C3M0065090J，都具有65毫欧的导通电阻及900V的漏源电压，两者最大的差异只是封装不同。C3M0065090D采用TO-247-3封装，而C3M0065090J采用TO-263-7封装，又称D2PAK-7L封装。
【产品】具有高浪涌电流能力的碳化硅（SiC）肖特基二极管KE12DJ50B
CALY推出的KE12DJ50B是一系列高性能1200V，50A碳化硅（SiC）肖特基二极管，具有高浪涌电流能力，可在高频和超过175℃的温度下工作。SiC肖特基二极管提供零反向恢复和零正向恢复，使其成为高频和高效应用的理想选择同时散热要求最低。具有极低的待机和开关功率损耗，与Si二极管相比使用效率更高，高频操作等特点。
【产品】1200V，2A碳化硅SIC肖特基二极管KE12DJ02B，可在高频和超过175℃的温度下工作
KE12DJ02是一系列高性能1200V，2A碳化硅（SiC）肖特基二极管，具有增强的浪涌电流能力，可在高频和超过175℃的温度下工作。SiC肖特基二极管的零反向和前向恢复特性，使其成为高频和高效应用的理想选择，并且散热要求最低。
【产品】高浪涌电流能力、高结温的碳化硅肖特基二极管KE33DJ20
CALY Technologies KE33DJ20是一款高性能3300V，2A碳化硅肖特基二极管，具有增强的浪涌电流能力，能够在超过175℃的高频和温度下工作。碳化硅肖特基二极管提供零反向和正向恢复，非常适合高频和高效率应用，散热要求最低
【产品】3300V、3A碳化硅（SiC）肖特基二极管KE33DJ03T47，高频、高效应用的理想选择
CALY Technologies推出的KE33DJ03T47是一款高性能3300V、3A碳化硅（SiC）肖特基二极管，具有增强的浪涌电流能力，能够在高达175°C的高工作结温下工作。可快速切换且与温度无关，提供零反向和正向恢复，使其成为高频率和高效率应用的理想选择，并且散热要求最低。符合ROHS标准，是环境友好型器件。
【产品】1700V SiC MOSFET栅极驱动板，为第三代碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体量身定做
Wolfspeed将最先进的SiC MOSFET技术引入新型低电感离散封装中，从而扩大了在SiC技术领域的领先地位。其推出的CGD15SG00D2系列产品是第三代SiC MOSFET栅极驱动板,重9g，为第三代(C3M)碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)量身定做。具有短路保护功能，其电源供电采用隔离电源设计，输入到输出隔离电压的典型值为±1700V。
ROHM的SIC碳化硅功率模块/MOSFET/SBD/肖特基势垒二极管/栅极驱动器，帮助实现电力的有效利用
ROHM的“全碳化硅”功率模块可最大限度发挥碳化硅的高速性能，将开关损耗最大减少85％；SiC-MOSFET可实现高速开关和低导通电阻，高温下也具备优良的电气特性；SiC-SBD的反向恢复电荷量 (Qrr) 小，可大幅降低开关损耗；内置绝缘元件的栅极驱动器采用碳化硅实现高速工作。
【产品】高频，超低损耗的全碳化硅半桥功率模块，业界首款1.7kV全碳化硅功率模块
CAS300M12BM2和CAS300M17BM2是Wolfspeed（原CREE）推出的两款全碳化硅半桥功率模块，其中CAS300M17BM2是业界首款全碳化硅1.7kV功率模块。两款模块都采用CREE公司特有的Z-Rec二极管和C2M系列场效应管，Z-Rec二极管具有零反向恢复电流，C2M场效应管具有零关断拖尾电流，因此具有超低损耗，另外还能在高频下工作。
【产品】扩展的碳化硅肖特基二极管产品系列，可降低开关损耗、提高效率和耐用性
2018年2月初，Littelfuse推出LSIC2SD120A08、LSIC2SD120A15和LSIC2SD120A20系列第2代1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，能够显著降低开关损耗，助于极大地提高电力电子系统的效率和耐用性。
【产品】可承受高浪涌电流能力的3300V，3A碳化硅(SIC)肖特基二极管KE33DJ03B
CALY公司的KE33DJ03是一款高性能3300V，3A碳化硅（SiC）肖特基，具有增强的浪涌电流能力，能够在超过175℃的高频和高温下工作。SiC肖特基二极管提供零反向和正向恢复，使其非常适合高频和高效率应用，具有最低的散热要求。
国内碳化硅（SiC）产业链企业是怎样的情况？
碳化硅产业国内起步较晚，但是政府在该产业已经在布局，国内也出现了一批做碳化硅材料，碳化硅器件和应用碳化硅的企业。有一篇帖子讲解的比较详细：https://www.eefocus.com/component/425428/r0
求推荐交期好的碳化硅器件，现在市场上碳化硅肖特基分立二极管和碳化硅MOSFET缺货严重。
Littelfuse碳化硅肖特基二极管对标Wolfspeed 碳化硅肖特基二极有何优势？
Littelfuse新推出的 SiC二极管品质如何？之前用过其他品牌碳化硅产品有发生过炸机。
1200V的碳化硅二极管和600V的碳化硅二极管相同容量40A,哪个发热量大?
请问一下怎么选合适的碳化硅？
半碳化硅是什么意思？
氮化硅器件要比碳化硅器件要有优势吗？
Rohm的SIC碳化硅MOSFET的驱动电压最低是多少V
选择新型碳化硅(SiC)肖特基二极管,其优点是什么？
Littelfuse SiC碳化硅MOSFET-交期短·可靠供应，替代替换C2M0080120D,SCT2080KE缺货
Littelfuse高频高效率高性能高性价比SiC碳化硅MOSFET供货可靠，替代C2M0080120D,C2M0160120D,SCT2080KE，SCT2160KE，应用于车载DC/DC、车载OBC、光伏能逆变器、大功率储能系统、开关模式电源设备和功率转换器、UPS系统、电机驱动器、大功率高压直流/直流转换器、电池充电器和感应加热、充电桩等领域
【产品】可承受高浪涌电流能力的3300V，2A碳化硅SIC肖特基二极管KE33DJ02B
CALY的KE33DJ02是一种高性能3300V，2A碳化硅肖特基，具有增强的浪涌电流能力，能够在超过175C的高频和高温下工作。SiC肖特基二极管提供零反向和正向恢复，使其成为高频和高效率应用的理想选择，具有最低的散热要求特征高冲击电流能力碳化硅肖特基二极管最高工作结温度超过175℃零反向和正向恢复快速温度独立开关VF上的正温度系数 优势和利益极低的备用和开关电源损耗比使用硅二极管时效率高。
现货替换Cree碳化硅二极管，货期更短
Littelfuse碳化硅二极管可替换Cree碳化硅二极管，不缺货，货期较Cree 碳化硅二极管更短，并已获得市场上大量客户使用验证，性价比高。
【产品】性能优异的Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管
Wolfspeed（原CREE POWER独立更名）成立于1987年，一直以“SiC技术”见长。该品牌的 SiC肖特基二极管具有可高温高频工作，可忽略的开关损耗， dV/dt最高可达200V/ns等产品特性。产品可应用于开关电源（SMPS），电机驱动，AC/DC转换等场景中。
国内首家碳化硅器件制作与应用解决方案提供商泰科天润入驻世强元件电商
国内首家碳化硅器件制作与应用解决方案提供商泰科天润与世强签署代理协议，世强全线代理其碳化硅二极管、Mosfet、芯片等产品。 泰科天润总部总部位于北京，在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺，并拥有目前国内唯一一条碳化硅器件生产线。作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方
Cree碳化硅二极管替换，货期更短，价格便宜5%
LITTELFUSE碳化硅二极管可替换Cree碳化硅二极管，货期较Cree 碳化硅二极管更短，价格较Cree 碳化硅二极管便宜5%，性能也较Cree碳化硅二极管优越。世强是LITTELFUSE官方授权代理商，大量现货，供货稳定，且LITTELFUSE碳化硅二极管已获得市场上大量客户使用验证，性价比高。
国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商——泰科天润(GPT)
泰科天润(GPT)（全称：泰科天润半导体科技 (北京)有限公司）成立于2011年，总部在北京，是中国碳化硅（SIC）功率器件产业化的倡导者之一，也是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商与应用方案提供商。泰科天润(GPT)拥有一座完整的半导体晶圆厂和目前国内唯一一条批量化面对市场的碳化硅器件生产线，可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。
Littelfuse完成对Monolith Semiconductor的收购，增添新兴的半导体材料——碳化硅
2018年11月1日，Littelfuse宣布最近完成了对Monolith Semiconductor，Inc.的收购。Monolith Semiconductor，Inc.专门从事碳化硅功率器件技术的开发。Littelfuse于2017年5月推出其首款商用碳化硅肖特基二极管，随后于2017年10月首次推出商用SiC MOSFET。
碳化硅二极管有助于提高电路开关频率
cree所研发的碳化硅器件逐步取代硅基电力电子器件，碳化硅力电子器件将为电力电子带来重要的技术革新，并推动电力电子领域在今后的发展。
【技术】100/150mm 碳化硅外延片，具有极佳的均匀性和极低的缺陷密度
基本半导体生产100/150mm 碳化硅外延片，具有极佳的均匀性和极低的缺陷密度。基本半导体是中国第三代半导体行业领军企业，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。针对不同规格要求，提供一套完整的碳化硅外延材料解决方案。
【应用】 碳化硅MOSFET实现超高速切换，为电动车快速充电提供宽带隙解决方案
Littelfuse的LSIC1MO120E0080额定电压为1200 V，额定电阻为80mOhm，采用TO-247-3L封装，首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。
交期短，可替换Cree 碳化硅MOSFET： C2M0080120D，C2M0160120D
电路保护领域的全球领先企业Littelfuse(力特)推出了全新高性能超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET系列，其中LSIC1MO120E0080,LSIC1MO120E0160可PIN to PIN替换Cree碳化硅MOSFET C2M0080120D,C2M0160120D。
【应用】Wolfspeed碳化硅功率MOSFET帮助降低电机驱动功率损耗，导通延迟仅5.2ns
电动机能耗占整个工业用电的63％，可以依靠Wolfspeed SiC器件来降低功率损耗并提高电力转换的效率。本文推荐Wolfspeed的一款C2M0280120D的碳化硅功率MOSFET，的一款N沟道增强型碳化硅功率MOSFET，具有延迟极短、超高耐压、小封装等优势，为电动机驱动提供解决方案，具有巨大的市场前景。
货期更短，可替换Cree碳化硅二极管C4D05120A，C4D05120E，C4D08120A，C4D08120E
Littelfuse(力特) 新推出经过扩展的碳化硅二极管产品系列可以替换科锐Cree碳化硅二极管C4D05120A，C4D05120E， C4D08120A，C4D08120E，货期更短，性价比高。
【产品】1200V军品级碳化硅功率场效应晶体管，N通道增强模式
Wolfspeed（原CREE）推出的CPM2-1200-0160B系列碳化硅功率场效应晶体管，N通道增强模式，采用新C2M 碳化硅功率场效应晶体管技术。CPM2-1200-0160B系列碳化硅功率场效应晶体管操作温度和存储温度均为-55~150℃，符合军品级产品的温度要求，具有极高的产品可靠性。此款产品非常适用于太阳能逆变器、高压直流/直流转换器、LED照明电源等应用领域。
【产品】超低导通电阻的1200V碳化硅MOSFET
Littelfuse推出的LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻(RDS(ON))，分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。 这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。
低开通损耗碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080在光伏直流侧升压应用
光伏电站并网认证中对于系统效率有比较严格要求，这就要求光伏逆变器在设计中要考虑器件损耗。很多工程师会选择在BOOST部分选择碳化硅MOSFET来提高开关频率减小系统损耗。本文将介绍Littelfuse 公司的1200V 80mΩ SiC MOSFET，从器件损耗方面详细说明优势。
【经验】碳化硅MOSFET在并联应用中的动态和静态特性研究
本文将着重介绍碳化硅MOSFET在并联应用中的动态和静态特性，以及器件结温的敏感特性。本文选择的样品WOLFSPEED的1200V/10A第一代（Gen-I）碳化硅MOSFET CMF10120D和C2MTM碳化硅MOSFET C2M0160120D
【产品】最高结温175°C二代碳化硅肖特基二极管，具有可忽略的反向恢复电流
LITTELFUSE是全球领先的电路保护产品供应商，从汽车到计算机，再到电信设备，Littelfuse为各行各业的电路板保护提供完美的解决方案。其生产的GEN2功率半导体产品——LSIC2SD系列碳化硅肖特基二极管，在大功率、高效率、高可靠性的功率产品应用中发挥着巨大的作用LSIC2SD120A10系列碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略的反向恢复电流，高浪涌能力以及175°C的最高工作结温度。
【产品】600V，20A碳化硅快速恢复肖特基二极管助力高频应用
新电元公司推出的一款碳化硅肖特基二极管S20SC60WV，正向导通电压最大值仅为1.9V，最大反向电流为0.1mA，具备快速恢复能力。
交期短，可替换Cree碳化硅二极管C4D10120A，C4D10120E，C4D15120A，C4D20120A
Littelfuse碳化硅二极管可替换CREE 碳化硅二极管C4D10120A，C4D10120E，C4D15120A，C4D20120A，交期更短，已有大量客户使用，性价比高。
【产品】1200V碳化硅肖特基分立二极管，IF具有10/15/20A可选
Littelfuse推出三款封装为表面贴装TO-263-2L的碳化硅肖特基分立二极管，型号分别为LSIC2SD120D20、LSIC2SD120D15和LSIC2SD120D10。三款TO-263-2L的碳化硅肖特基分立二极管反向最大直流电压均为1200V，正向压降1.5V，反向电流IR为100μA。
碳化硅MPS二极管为光伏电源插上一对给力的翅膀
近几年来，新能源汽车、光伏电源等清洁能源备受关注，而SiC又可为清洁能源提供一个良好的解决方案，因此可以预见碳化硅二极管的增长将是突飞猛进式的。
【产品】碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，额定电压为1700V，1 Ohm
2018年9月24日，Littelfuse碳化硅(SiC) MOSFET LSIC1MO170E1000 额定电压为1700 V，1 Ohm，采用TO-247-3L封装。专为高频、高效应用优化，极低栅极电荷和输出电容，低栅极电阻，适用于高频开关。
【产品】Littelfuse首批GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理
2019年2月11日，Littelfuse推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖基特二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。 是需要增强效率、可靠性与热管理的应用的理想选择。
碳化硅肖特基二极管的技术演变及选型方法
本文从技术演变的角度来讲述有关碳化硅肖特基二极管的演变特点，以及它们在性能、可靠性和坚固性上的不同之处，有助于在设计选型阶段考虑这些因素，合理选型。Cree提供商用JBS和MPS SiC二极管已有十余年，这些器件的现场使用时间累积约达1万亿小时。它们的总单位时间故障率(FIT)为0.095，还不到历史悠久的硅器件可比数值的二十分之一。
【产品】三款1200V GEN2碳化硅肖特基二极管，均采用TO-252-2L封装
Littelfuse推出的此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，该二极管系列是理想选择。
现货替换Cree碳化硅二极管C4D10120D，C4D15120D，C4D20120D， C4D30120D价格便宜5%
LITTELFUSE碳化硅二极管可替换Cree碳化硅二极管C4D10120D，C4D15120D，C4D20120D， C4D30120D，C4D40120D，且货期较短，价格较Cree碳化硅二极管C4D10120D，C4D15120D，C4D20120D， C4D30120D，C4D40120D便宜5% 。
【产品】1200V GEN2碳化硅肖特基二极管， 159 °C工作温度下5/8A可选
Littelfuse推出的此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，该二极管系列是理想选择。
【产品】车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1，专为新能源汽车主逆变器应用设计
BMB200120P1是基本半导体为新能源汽车主逆变器应用推出的车规级全碳化硅功率模块。该模块采用业内主流的单面水冷散热形式，为高效电机控制器设计提供便利。单模块采用半桥拓扑形式，内部集成两单元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅续流二极管。单模块200A的输出电流能力可有效减少逆变器中功率器件数量，降低系统设计难度，同时提升系统可靠性。
中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）
世强是基本半导体（BASiC）官方授权一级代理商，代理基本半导体（BASiC）旗下SiC碳化硅功率器件，库存丰富，正品保证。用户可以查询获取来自基本半导体（BASiC）的最新产品和技术资讯、官方资料库，以低于行业的价格，购买基本半导体（BASiC）最新产品，享受供货保障。
【产品】1200V反向重复峰值电压的碳化硅肖特基二极管，具有极佳的正向浪涌能力
Wolfspeed（原CREE）公司推出TO-247封装的C4D15120H系列碳化硅肖特基二极管，在TC= 25°C的标准下正向持续电流高达39A。C4D15120H系列碳化硅肖特基二极管具有更高的效率并且减少了对散热器要求，极快的切换可以更显著地降低开关损耗，提升电源效率,使其非常适合高可靠性的系统设计。
【产品】国产碳化硅肖特基二极管，零反向恢复，提供行业标准封装
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/mK)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积和重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。
【产品】1200V军品级碳化硅肖特基二极管芯片，几乎无切换损耗
Wolfspeed（原CREE）公司推出的CPW4-1200-S002B系列碳化硅肖特基二极管芯片，其反向重复峰值电压高达1200V，在TC= 175°C的标准下正向持续电流达2A。CPW4-1200-S002B系列碳化硅肖特基二极管具有零反转恢复、零正向恢复等特性，极快的切换可以更显著地降低开关损耗，提升电源效率,使其非常适合高可靠性的系统设计。
【经验】不缺货、高性能的肖特基碳化硅二极管C3D10060A替换STPSC1206
2018年碳化硅二极管供应紧张，交期持续延长。对于需要短时间内拿货，同时想要提高效率和可靠性的应用而言，Wolfspeed推出经过扩展的碳化硅二极管产品C3D10060A是理想的选择，C3D10060A将双极整流器替换成单极整流器 ，具有较高的开关效率，开关切换能量损失几乎为0，可以大幅减少发热量，可以替换ST公司的STPSC1206碳化硅肖特基二极管。
【产品】正向压降同类最佳的碳化硅肖特基二极管，可承受强浪涌电流
全球领先的电路保护方案供应商Littelfuse公司，近日发布了最新LFUSCD系列碳化硅（SiC ）肖特基二极管，该产品能让设计师降低开关损耗，在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流，并在更高的结温下运行 。
【产品】650V/6A 碳化硅肖特基势垒二极管LSIC2SD065A06A
Littelfuse推出LSIC2SD065A06A 系列碳化硅(SiC)肖特基二极管具有可以忽略的反向恢复电流、不错的浪涌能力以及175℃的最大工作结温度。这些二极管对于在效率、可靠性和热管理有改善需求的应用来说是一个理想的选择。
【应用】46A SiC碳化硅肖特基二极管C3D16060D，高效、高压应用下的完美选择
工业产品的应用都离不开电源，本文推荐Wolfspeed的一款C3D16060D的SiC肖特基二极管，可取代市场上现有的标准肖特基势垒二极管。用户使用C3D16060D可以获得体积更小、重量更轻的电源。
CREE 碳化硅二极管 C3D16065D 现货5折优惠！
CREE ZRecTM 2x8A, 650V SiC Schottky Diode 碳化硅二极管 C3D16065D 数据手册、供应信息、采购，请查看以下“相关推荐”
CREE 碳化硅二极管 C4D08120A 现货5折优惠！
CREE ZRecTM 7.5A 1200V SiC Schottky Diode 碳化硅二极管 C4D08120A 数据手册、供应信息、采购，请查看以下“相关推荐”
两款全新1200V碳化硅MOSFET助力光伏逆变器设计，具有超低导通电阻80/160毫欧姆
LITTELFUSE推出1200V全新高性能SiC MOSFET分别为 LSIC1MO120E0080和LSIC1MO120E0160，该产品符合RoHS标准、无铅、不含卤素，非常适用于光伏逆变器等效率、体积及发热要求较高的应用。 LSIC1MO120E0080和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻(RDS(ON))，分别仅为80毫欧姆和160毫欧。
CREE 碳化硅二极管 CSD01060A 现货5折优惠！
CREE 1A, 600V SiC Schottky Diode 碳化硅二极管 CSD01060A 数据手册、供应信息、采购，请查看以下“相关推荐”
【经验】反向电流低于1uA 碳化硅二极管LSIC2SD120A05 pin to pin替换C4D05120A
延续2017年缺货、涨价的势头，今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价缺货。其中碳化硅二极管供应紧张，交期持续延长。对于需要短时间内拿货，同时想要提高效率和可靠性的应用而言，Littelfuse推出经过扩展的碳化硅二极管产品LSIC2SD120A05是理想的选择，可以pin to pin替换Wolfspeed公司的C4D05120A。
【产品】1200V GEN2碳化硅肖特基二极管，相比硅双极二极管，切换损耗显著减少
Littelfuse推出的此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，该二极管系列是理想选择。
浅析采用全碳化硅功率器件设计50KW光伏升压转换器较硅功率器件的优势
采用全碳化硅功率器件设计的50KW光伏升压转换器，比采用硅功率器件设计的50KW光伏升压转换器，开关频率高、功率效率高、散热特性好、功率密度大，体积小、重量轻，方便运输和安装。采用碳化硅功率器件设计的50KW光伏升压转换器，堪称小个子大力士。
【产品】1200V GEN2碳化硅肖特基二极管，150 °C工作温度下10/15/20A可选
Littelfuse推出的此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，该二极管系列是理想选择。
【产品】由SiC-UMOSFET和SiC-SBD组成的碳化硅功率模块，符合ROHM标准
ROHM新推出了两款碳化硅功率模块——BSM400C12P3G202和BSM600C12P3G201（简称G系列），由SiC-UMOSFET和SiC-SBD组成的斩波模块，符合ROHM标准，适用于电机驱动，转换器，光伏，风力发电。
可pin to pin替代C4D10120A的1200V/15A碳化硅肖特基二极管，低成本、不断供
延续2017年缺货、涨价的势头，今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价缺货。其中碳化硅二极管供应紧张，交期持续延长。对于需要短时间内拿货，同时想要提高效率和可靠性的应用而言，Littelfuse推出经过扩展的碳化硅二极管产品LSIC2SD120A10是理想的选择，可以pin to pin替换Wolfspeed公司的C4D10120A。
【产品】1200V零反向恢复碳化硅二极管，超快开关速度
IXYS公司推出的DCG10P1200HR/DCG17P1200HR/DCG20C1200HR/DCG35C1200HR系列超快开关速度、零反向恢复碳化硅二极管，ISO247（隔离）封装，该系列碳化硅二极管在大功率系统中，可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。
【产品】重30g零反向恢复碳化硅二极管，反向阻断电压为1200V
IXYS公司推出的DCG45X1200NA/DCG85X1200NA系列超快开关速度、零反向恢复碳化硅二极管，采用MiniBLOC (SOT-227B)封装，隔离电压达3000V，具有先进的电源循环性能，采用氮化铝基板，符合RoHS、UL 94V-0标准，符合行业标准大纲。该系列碳化硅二极管重30g，操作温度和储存温度范围均是-40℃~150℃，结温范围为-40℃~175℃。
【产品】 一款支持高频操作及超快转换的1700V碳化硅肖特基二极管
Wolfspeed（原CREE）推出的CPW5-1700-Z050B系列碳化硅肖特基二极管芯片，反向重复峰值电压高达1700V，最大直流电流高达50A，并具有零反向恢复和零正向恢复的优点，支持高频操作和超快转换。CPW5-1700-Z050B系列碳化硅肖特基二极管非常适用于手机、数码相机、平板电脑和笔记本电脑等领域。
【产品】600V/15A碳化硅肖特基势垒二极管RJS6005TDPP-EJ，反向恢复时间只有15ns
RJS6005TDPP-EJ是瑞萨电子推出的一款碳化硅肖特基势垒二极管，其最大反向电压为600V，持续正向电流为15A，正向浪涌脉冲电流最高可达到90A，可以避免浪涌电流造成器件的损坏。碳化硅肖特基势垒二极管RJS6005TDPP-EJ在IF = 15 A的条件下，其正向电压压降典型值为1.5V；在VR = 600 V的条件下，其反向电流最大只有10uA。
Cree 900V碳化硅（SiC）MOSFET 晶圆尺寸由100mm改为150mm变更通知（PCN-PW077）
Cree is transitioning the900V65mQ Silicon Carbide (SiC) MOSFETs from existing 100mm wafers to 150mm wafers.
【产品】650V碳化硅肖基特二极管，新的封装尺寸以及6A至40A的额定电流
2019年3月19日 ，Littelfuse公司推出LSIC2SD065DxxA,LSIC2SD065ExxCCA碳化硅肖基特二，进一步扩大了其二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅肖基特二极管系列。 相比传统的硅基器件，两个系列均为电力电子系统设计人员提供多种优势，包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C最高运行结温，因此是需要增强效率、可靠性与热管理的应用的理想选择。
pin to pin替换Wolfspeed C4D40120D的碳化硅二极管LSIC2SD120E40CC，交期短不缺货
碳化硅二极管供应紧张，交期持续延长。对于需要短时间内拿货，同时想要提高效率和可靠性的应用而言，Littelfuse推出经过扩展的碳化硅二极管产品LSIC2SD120E40CC是理想的选择，可以pin to pin替换Wolfspeed公司的C4D40120D。
【产品】pin to pin替换C4D08120A，反向漏电流低至1uA碳化硅肖特基二极管LSIC2SD120A08
延续2017年缺货、涨价的势头，今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价缺货。其中碳化硅二极管供应紧张，交期持续延长。对于需要短时间内拿货，同时想要提高效率和可靠性的应用而言，Littelfuse推出经过扩展的碳化硅二极管产品LSIC2SD120A08是理想的选择，可以pin to pin替换Wolfspeed公司的C4D08120A。
【产品】1200V GEN2碳化硅肖特基二极管，40/65/80/120/140A浪涌电流可选
Littelfuse推出TO-247-3L封装GEN2碳化硅肖特基二极管，最高运行结温高达175 °C。型号分别有LSIC2SD120E40CC,LSIC2SD120E10CC,LSIC2SD120E15CC,LSIC2SD120E20CC,LSIC2SD120E30CC。
【产品】1200V C2M系列碳化硅MOSFET，助力HEV/EV功率变换器效率突破
Cree新型C2M系列碳化硅MOSFET实现业界领先的96%效率，助力电动车功率变换器！
【产品】最新超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET，可超越硅MOSFET和IGBT在电源转换系统中实现超快切换
2018年3月6日，Littelfuse与Monolith新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，该产品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能，在电源转换系统中实现超快切换。
【产品】1200V碳化硅肖特基二极管C3DXX065I，拥有零反向恢复电流！
Wolfspeed（Cree旗下公司）是全球领先的碳化硅功率器件和氮化镓射频功率解决方案的主要半导体元件供应商之一。近期Wolfspeed公司推出了C4DXX120E系列碳化硅肖特基二极管——包含C4D02120E（2A/1200V）、C4D05120E（5A/1200V）、C4D10120E（10A/1200V）系列型号，拥有零反向恢复电流、支持高频操作、具有温度独立的开关等特性。
【经验】可高性能替换STPSC10H12的碳化硅肖特基二极管，平面型MOSFET避免炸管风险
对于需要短时间内拿货，同时想要提高效率和可靠性的应用而言，Wolfspeed推出经过扩展的碳化硅肖特基二极管产品C4D20120D是理想的选择，C4D20120D将双极整流器替换成单极整流器 ，具有较高的开关效率，开关切换能量损失较少，可以大幅减少发热量，可以替换ST公司的STPSC10H12碳化硅肖特基二极管。
可pin to pin替代C4D15120A Littelfuse碳化硅肖特基二极管，更低成本、供货稳定
延续2017年缺货、涨价的势头，今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价缺货。其中碳化硅二极管供应紧张，交期持续延长。对于需要短时间内拿货，同时想要提高效率和可靠性的应用而言，Littelfuse推出经过扩展的碳化硅二极管产品LSIC2SD120A15是理想的选择，可以pin to pin替换Wolfspeed公司的C4D15120A。
【产品】采用TO-220-F2封装C3DXX060F系列碳化硅肖特基二极管，重复峰值反向电压达600V
Wolfspeed公司是碳化硅功率器件和氮化镓射频功率等应用的宽带隙半导体产品行业巨头。近期，Wolfspeed公司研发出一款C3DXX060F（C3D02060F、C3D03060F、C3D04060F）系列碳化硅肖特基二极管，具有零反向恢复电流、零正向恢复电压、优化PFC升压二极管应用、支持高频操作和可极快切换方式等特点。
【产品】1000V碳化硅MOSFET，可再生能源市场的福音！
C3M0120100K是一款1000V、25A的SiC MOSFET，采用先进的C3M SiC MOSFET技术，开关速度快，导通电阻仅120mΩ，损耗低。
【产品】反向恢复电荷为220nC的C3M0075120J碳化硅功率MOSFET，反向恢复时间低至18ns
C3M0075120J是美国Wolfspeed公司推出的一款全新的碳化硅功率MOSFET芯片，该器件为N沟增强型MOSFET，与普通硅MOSFET相比，其具有导通电阻和开关损耗大幅降低的优点，适合用于更高的工作频率，另外因其高温工作特性，大大提高了MOSFET的高温稳定性。C3M0075120J碳化硅功率MOSFET的温度特性为其标志性特点，热稳定性能可谓极其优异，也降低了系统整体的散热需求。
【产品】正温度系数碳化硅二极管可替代硅功率二极管，正向导通电压更低
WOLFSPEED（原CREE）可提供高性能的碳化硅功率二极管、MOSFET和功率模块，并为你提供优质的服务。
【产品】最高工作温度为175℃的650V/10A碳化硅肖特基功率二极管G3S06510P
泰科天润推出的碳化硅肖特基功率二极管G3S06510P，具有正温度系数，易于并联使用，开关特性不受温度影响，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压。可极大降低开关损耗，并联器件中没有热崩溃，降低系统对散热片的依赖。
【产品】N通道1200 V碳化硅MOSFET，专为高频、高效应用
Littelfuse高性价比碳化硅（SiC）MOSFET LSIC1MO120E0080额定电阻为80 mΩ，采用TO-247-3L封装，具有极低栅极电荷、输出电容、栅极电阻，以及极低的导通电阻，是更高性价比的选择。
【产品】1700V碳化硅肖特基二极管，用单极整流器代替双极整流器
Wolfspeed推出的C3D25170H是1700伏碳化硅肖特基二极管，反向重复峰值电压为1700V，正向持续电流为26.3A(温度＜135˚C)。可实现用单极整流器代替双极整流器，基本上没有开关损耗，效率更高，减少散热要求，并行器件不需额外散热
【产品】反向重复峰值电压高达1200V的碳化硅肖特基二极管芯片CPW4-1200-S020B
Wolfspeed推出的CPW4-1200-S020B系列碳化硅肖特基二极管芯片，具有零反向恢复和零正向恢复的优点，并具有不依赖于温度的转换行为，可进行超快转换和高频操作。CPW4-1200-S020B系列碳化硅肖特基二极管的反向重复峰值电压高达1200V，非常适用于电池驱动的手持应用领域。
【产品】国产1200V碳化硅 MOSFET，具有低的RDS(ON)
基本半导体（BASiC）碳化硅 MOSFET具有低的RDS(ON)，开关性能优良，可提高器件工作效率，减少芯片面积。它们能在更高的开关频率下，通过更低的热损耗实现高效率。这些产品可在电机驱动器、开关电源、太阳能逆变器和UPS等领域广泛使用。
【产品】三款反向重复峰值电压最大可达650V的Z-Rec新型碳化硅肖特基二极管
Wolfspeed其下推出的CPW20650系列产品是新型Z-Rec碳化硅肖特基二极管，其反向重复峰值电压VRRM最大可为650V，具有零反向恢复和零正向恢复的特性，可以有效提高工作效率。而且可以做到与温度无关的开关行为和极快速切换，可广泛用于开关电源和功率因数校正领域。
【产品】1200V/29A零反向恢复碳化硅肖特基二极管C2D20120D，总充电电容为122nC
Wolfspeed推出的C2D20120D是碳化硅肖特基二极管，采用TO-247-3三引脚封装方式封装，具有高效率、超高耐压、超大电流、零正向恢复电压，零反向恢复电流以及低正向压降等优点。支持高频操作和超快速切换，可用于开关模式电源，功率因数校正器，电机驱动器。
【产品】基于C3M碳化硅MOSFET的6.6 kW双向EV车载充电器CRD-06600FF10N
WOLFSPEED推出了基于C3MTM 1000V，65mΩ碳化硅（SiC）MOSFET（P / N：C3M0065100K）的CRD-06600FF10N-6.6 kW双向EV车载充电器（如图1所示），其中MOS采用TO-247-4封装，具有Kelvin 源可用性。 Cree的C3M SiC MOSFET的主要特性包括低开关损耗，快速本征体二极管和高频操作，这降低了系统的整体重量和尺寸。
【应用】适用工业开关电源的1.7kV全碳化硅功率模块CAS300M17BM2
所有工业产品的应用都离不开电源。因此需要SiC功率器件来满足不同工业应用领域电源的安全性和可靠性要求，可提高效率，缩小系统尺寸并减少散热 。本文推荐Wolfspeed的一款CAS300M17BM2的碳化硅功率模块，该模块不但能在高频下工作还具有极低的功耗，非常适用于高功率电机驱动开关和并网逆变器等应用。
【产品】25mΩ低静态导通电阻碳化硅功率模块，漏极电流达90A
IXYS公司推出超快开关速度、低电容MCB60I1200TZ系列碳化硅功率模块，采用采用氮化铝基板TO-268AA (D3Pak-HV)封装，隔离电压达3000V（t=1s），具有先进的电源循环性能，符合RoHS、UL 94V-0标准，符合行业标准大纲。主要应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、高电压DC/DC转换器、电机驱动器、电池充电器、开关电源、感应加热等领域。
可pin to pin替换C4D20120D的碳化硅二极管，低成本、稳定供应
Littelfuse的LSIC2SD120E20CC碳化硅二极管不缺货、供货快、价格低，可以pin to pin替换C4D20120D。LSIC2SD120E20CC使用TO-247-3L，C4D20120D使用TO-247-3。在尺寸公差允许范围内，LSIC2SD120E20CC可以直接pin to pin替换C4D20120D。LSIC2SD120E20CC的开关速度极快且不受温度影响。
【产品】全新N沟增强型碳化硅功率MOSFET，与普通硅MOSFET相比，具有更低的导通电阻和开关损耗
CPM2-1700-0045B是美国Wolfspeed公司推出的一款全新的碳化硅功率MOSFET芯片，该器件为N沟增强型MOSFET，与普通硅MOSFET相比，其具有更高的系统效率和功率密度，适合用于更高的工作频率，另外因其高温工作特性，大大提高了MOSFET的高温稳定性。CPM2-1700-0045B碳化硅功率MOSFET的温度特性为其标志性特点，热稳定性能优异，因此降低了系统整体的散热需求。
【产品】六款反向重复峰值电压为600V的碳化硅肖特基二极管，反向恢复电流和正向恢复电压均为0A
该系列碳化硅肖特基二极管都采用符合RoHS标准的TO-220-2封装，同时通过汽车行业的AEC-Q101标准规范，是绿色的、环境友好型的器件。该系列碳化硅肖特基二极管的反向重复峰值电压、反向浪涌峰值电压、直流阻断电压均为600V，能够承受较高的反向电压，均为主载子二极管，因此没有反向恢复电荷。
【产品】650V/29A的N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF，导通阻抗只有120mΩ
SCT2120AF是ROHM公司推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET，其最大漏源电压为650V；在Tc = 25°C时，其持续漏极电流为29A，脉冲漏极电流为72A，栅源电压范围为-6~+22V，其具有导通阻抗低、切换速度快、反向恢复快速、易于并联和驱动简单等优势，且不含铅并符合ROHS标准，可用于太阳能逆变器、DC / DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等场合。
【产品】高速大功率碳化硅MOSFET，反向传输电容仅13pF
IXYS公司推出的IXFN50N120SIC系列碳化硅MOSFET具有开关速度快、传输电容低的特点，其采用SOT-227B封装，隔离电压达3000V（t=1s），具有更高的电源效率，采用氮化铝基板，符合RoHS、阻燃等级符合UL 94V-0标准，符合行业标准大纲。主要应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、高电压DC/DC转换器、电机驱动器、电池充电器、开关电源、感应加热等领域。
可pin to pin替换C4D30120D的1200V/42A碳化硅肖特基二极管，低成本、交期短
Littelfuse的碳化硅二极管产品LSIC2SD120E30CC可以pin to pin替换Wolfspeed公司的C4D30120D。二者的反向重复峰值电压均为1200V，反向电流（VR=1200V , TJ=25°C）LSIC2SD120E30CC典型值不超过1uA，C4D30120D典型值为35uA，相比之下，在反向截止状态时LSIC2SD120E30CC具有更低的电能消耗，热损更低。
反向电压等级为650V~3300V的国产碳化硅肖特基二极管，具有不受温度影响的开关特性
泰科天润可提供的碳化硅肖特基二极管反向电压等级为650V、1200V、1700V、3300V。具有正温度系数，易于并行使用；不受温度影响的开关特性；最高工作温度175℃；零反向恢复电流；零正向恢复电压。广泛应用于车载电源、光伏逆变器、UPS、PFC、DC-DC等领域。
【产品】可进行超快转换和高频操作的碳化硅肖特基二极管芯片
Wolfspeed推出的CPW2-0600-S006B系列碳化硅肖特基二极管，具有零反向恢复和零正向恢复的优点，并具有不依赖于温度的转换行为，可进行超快转换和高频操作。非常适用于整流，电池驱动的手持应用，包括手机、数码相机、平板电脑和笔记本电脑，以及需要具有快速转换能力的领域。
【产品】罗姆1200V的五款N沟道碳化硅功率MOSFET，漏极漏电流典型值仅1uA
SCT3022KL、SCT3030KL、SCT3040KL、SCT3080KL和SCT3160KL是ROHM公司推出的N沟道碳化硅功率MOSFET，其最大漏源电压都为1200V，栅源电压范围都为-4~+22V，栅极-源极阈值电压范围都为2.7V~5.6V，漏极漏电流典型值都只有1uA，栅极漏电流最大都为±100nA，具有导通阻抗低、切换速度快、反向恢复快速、易于并联和驱动简单等优势。
【产品】漏极连续电流可达36A的N沟道增强型碳化硅MOSFET裸片CPM3-1000-0065B，反向恢复时间仅14ns
Wolfspeed推出的碳化硅功率MOSFET裸片CPM3-1000-0065B，该器件为N沟道增强型MOSFET，设计上采用了该公司独特的C3MTMMOSFET技术。此款产品具有低导通电阻和高阻断电压的特点，易于驱动。且具有较高的电气安全性，低电容特性。实物轮廓如图1所示，可用于太阳能逆变器，EV电池充电器，高压DC/DC转换器以及开关电源。
【应用】1.2kv的CCS050M12CM2三相碳化硅MOSFET模块，是太阳能光伏逆变器的理想选择
围绕Wolfspeed SiC设计的太阳能系统可提供巨大的效率提升，并允许更小的系统尺寸，重量和成本，从而提高全球太阳能的使用率，是太阳能光伏逆变器的理想选择。据此，本文推荐Wolfspeed的一款CCS050M12CM2的三相碳化硅MOSFET模块。
【产品】可在325℃持续工作10分钟，耐高温汽车级碳化硅肖特基二极管CPW2-0600-S006B
CPW2-0600-S006B是wolfspeed公司推出的一款碳化硅肖特基二极管。CPW2-0600-S006B的工作温度范围为-55-175℃，可在325℃下持续工作10分钟，耐高温性能较为优秀。持续正向电流在最大为19A，重复峰值正向浪涌电流最大为30A，正向导通电压最大为2.4V，具有极为强大的正向电流通过性。反击穿峰值电压为600V，此时反向电流为132uA，反击穿性能参数优异。
【产品】900V高频率碳化硅MOSFET面世，助力开关电源！
C3M0120090J和C3M0280090J采用C3M SiC MOSFET技术，满足高频功率开关需求。
可pin to pin替换C4D05120E的1200V碳化硅肖特基二极管，库存丰富、低成本
Littelfuse的碳化硅肖特基二极管LSIC2SD120C05可以pin to pin替换Wolfspeed公司的C4D05120E。两款产品的连续正向电流分别为8.7A和9A。在TC=25 °C, TP=10 ms时，正向不重复浪涌电流为42A。LSIC2SD120C05使用TO-252-2L，C4D05120E使用TO-252-2，在尺寸公差允许范围内，可以直接pin to pin替换。
【应用】CCS050M12CM2三相碳化硅MOSFET模块用于工业电源，具有25mΩ超低内阻
工业是推动经济发展的引擎，而所有工业产品的应用都离不开电源（比如工业自动化控制、LED照明、工控设备、通讯设备、电力设备、仪器仪表等工业领域电源）。因此，工业电源需要SiC功率器件来满足不同工业应用领域电源的安全性和可靠性要求。据此，本文推荐Wolfspeed的一款CCS050M12CM2的三相碳化硅MOSFET模块。
【产品】1200 V GEN2碳化硅肖特基二极管，最高运行结温175 °C
Littelfuse的LSIC2SD120A05碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温，采用TO-220-2L封装，是需要提高效率、可靠性与热管理等应用的高性价比之选。
【应用】C3D20060D碳化硅肖特基二极管，能减少高频衰减震荡，助力IT服务器电源应用
在服务器各个部件中，电源负责各配件能量的供给，担当着非常重要的角色，其重要性不言而喻。随着工程师对在线存储需求的猛增，随之而来的是对更高效服务器需求的飙升。Wolfspeed 的SiC器件可显着提高IT服务器电源的效率，其碳化硅肖特基二极管可以使IT服务器电源达到80PLUS白金和钛金等级认证，这是传统硅无法达到的水平。
【产品】最大重复峰值反向电压值为1200V的碳化硅肖特基二极管，无开关损耗
Cree旗下的Wolfspeed公司研发的C2D10120D系列碳化硅肖特基二极管是一款18A/1200V（TC=135℃）高效率和无开关损耗二极管，具有零反向恢复电流、零正向恢复电压、支持高频操作、具有温度独立开关特性和可极快切换等特性，可应用于开关模式电源、功率因数校正器和电机驱动器等领域。
【产品】基本半导体推出通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET
基本半导体采用业内最成熟可靠的平面栅工艺，结合自身技术优势和特点，开发出了高可靠性、各项技术指标优异的1200V系列碳化硅MOSFET，特别是在器件短路耐受能力方面，基本半导体运用其独有的技术优势，将器件的短路耐受时间提升到6μs级别，给工程师应用带来更多选择的同时，大大降低了驱动保护电路的设计成本和要求。
【产品】Wolfspeed推出碳化硅功率MOSFET CPM3-1200-0032A, 采用C3M MOSFET技术
Wolfspeed公司推出的碳化硅功率MOSFET CPM3-1200-0032A, 采用C3M平面MOSFET技术和N沟道增强模式。这款新器件实现导通电阻Rds(on)低到仅32mΩ，并且在整个工作温度范围内具有1200V阻断电压，从而大大降低了降额要求。它可以应用于太阳能逆变器，EV充电器，高压DC / DC转换器，开关模式电源和负载开关。
C4D10120D碳化硅肖特基整流二极管替代STPSC10H12，频率可以提高近1倍
相比传统的Si和GaAs材料，SiC在阻断电压、漏电流、损耗方面有明显的优势。使用SiC制成的肖特基二极管，阻断电压达到1200V，远高于Si和GaAs的可以实现的阻断电压。STPSC10H12与C4D10120D是两款1200V阻断电压的Sic肖特基二极管，本文通过比较开关损耗和开关频率两个指标来说明它们在应用方面的差别。
【产品】1200 V/20A碳化硅肖特基二极管LSIC2SD120A20，最高运行结温175 °C
Littelfuse的LSIC2SD120A20 系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力，采用TO-220-2L封装，性价比更高。
【产品】具有优化封装的新型碳化硅MOSFET，可降低开关损耗高达30%
Wolfspeed公司研究出新型封装技术的SiC MOSFET芯片，其具有较高阻断电压和较低阻断电阻，漏极和源极之间的爬电距离为8mm，此外该技术可以减少开关损耗并最大限度地降低门限报警，从而提高系统的效率。
【选型】可替代IDW40G120C5B的1200V/40A碳化硅二极管LSIC2SD120E40CC，更低反向漏电流
IDW40G120C5B为1200V/40A的碳化硅二极管，当其缺货或者其它原因需要替代时，Littelfuse的LSIC2SD120E40CC（1200V/40A）可实现完美替代。
碳化硅——让车载充电机（OBC）拥有更强竞争力
随着新能源汽车行业的发展与进步，提升新能源汽车续航里程成为了行业发展的主要任务之一，在动力电池能量密度不能持续增加的情况下，降低车用部件重量是提升续航里程的首选方案，碳化硅功率器件替代硅器件对OBC功率密度提升和重量降低有着显著的效果。
功率半导体的未来：高性能碳化硅（SiC）晶体管
【产品】1200 V/8 A碳化硅肖特基二极管LSIC2SD120C08，切换操作不受温度影响
Littelfuse的LSIC2SD120C08 系列的GEN2碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力，采用TO-252-2L封装，性价比更高。
【产品】1.2kV碳化硅肖特基二极管C4D10120H,C4D20120H，无切换损耗，非常适合大功率开关电源设计
C4D10120H/C4D20120H是Wolfspeed推出的碳化硅肖特基二极管。C4D10120H/C4D20120H具有高达1.2kV的反向重复峰值电压。在TC=135℃时，C4D10120H的正向电流高达15A，C4D20120H正向电流高达26A，二者皆具有非常强的负载能力。C4D10120H/C4D20120H采用Z-Rec®技术，具有0反向恢复电流的特点。
【产品】超快开关无反向恢复电流的碳化硅肖特基二极管，隔离电压3000V
IXYS公司推出的DCG100X1200NA系列超快开关速度、零反向恢复碳化硅二极管，采用MiniBLOC (SOT-227B)封装，具有先进的电源循环性能，采主要应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊接设备、开关模式电源、医用器材、高速整流器等领域。
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