MASWSS0192 GaAs SPDT SwitchDC -3.0 GHz
发布时间：
2018-12-17
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MACOM
型号：
MASWSS0192; MASWSS0192TR-3000; MASWSS0192SMB
加工定制
可定制平板变压器、主变压器的开关频率2MHz以内、输入电压1400V以内、输出电压1400V以内，50%以上的产品采用自动化生产，最快3天提供样品、7天交货。
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资料平台
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砷化镓单刀双掷开关直流-3.0千兆赫
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砷化镓单刀双掷开关直流-3.0千兆赫
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砷化镓单刀双掷开关直流-3.0千兆赫
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砷化镓单刀双掷开关直流-3.0千兆赫
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MASWCC0006 GaAs SP6T开关，吸收式，单电源DC-4.0 GHz
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MASW-000834-000SMB样本板应用MASW-000834-13560T T/R开关样本板操作说明
REV.3
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MASWCC0009 GaAs SP4T开关，吸收式DC-3.0 GHz
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用于0.05-6 GHz高功率应用的MASW-000936 PIN二极管单刀双掷120 W开关
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用于0.05-6 GHz高功率应用的MASW-000936 PIN二极管单刀双掷120 W开关
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无阻塞电容器的MASWSS0167（观察低频性能）
2019/10/16
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MASWCC0010 GaAs SP4T开关，吸收式，单电源DC-4.0 GHz
Rev. V4
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MASWCC0010 GaAs SP4T开关，吸收式，单电源DC-4.0 GHz
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MASW-007107 GaAs宽带单刀双掷开关DC-8.0 GHz
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MASW-007107砷化镓宽带单刀双掷开关DC-8 GHz
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MASW-000932 HMIC™PIN二极管单刀双掷80 W开关，适用于0.01-6.0 GHz高功率应用
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MACOM的AlGaAs引脚开关产品
2017/11/16
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MASW-008899砷化镓单刀双掷开关DC-3.0 GHz
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MASW-007074带ASIC驱动器的GaAs SP3T吸收式开关，DC-3.0 GHz
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MASW-000936用于0.05-6.0 GHz更高功率应用的120瓦PIN二极管单刀双掷开关
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MASW-000936用于0.05-6.0 GHz更高功率应用的120瓦PIN二极管单刀双掷开关
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MASW-008543单刀双掷高隔离端接开关0.01-4.0 GHz
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MASW-007587高功率GaAs DPDT分集开关DC-4.0 GHz
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MASW-007587高功率GaAs DPDT分集开关DC-4.0 GHz
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MASW-009588 GaAs SP2T开关DC-4.0 GHz
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MASWSS0202 GaAs宽带单刀双掷开关DC-6.0 GHz
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MASWSS0202 GaAs宽带单刀双掷开关DC-6.0 GHz
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MASWSS0202 GaAs宽带单刀双掷开关DC-6.0 GHz
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MASWSS0161高功率GaAs单刀双掷开关DC-2.0 GHz
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MASWSS0178单刀双掷高隔离端接开关0.01-3.0 GHz
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MASW-000822 HMIC™PIN二极管SP2T 10 W开关，适用于0.05-6.0 GHz高功率应用
Rev. V7
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MASW-000822-1277OT HMICTMPIN二极管SP2T 10瓦开关，适用于0.05-6.0 GHz更高功率应用
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MASW-000932 HMICTMPIN 80瓦单刀双掷二极管开关，适用于0.01-6.0 GHz更高功率应用
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MASW-009444 GaAs SP2T 1.8 V开关DC-6.0 GHz
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MASWSS0121单刀双掷高隔离端接开关0.5-3.0 GHz
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MASWSS0157 GaAs单刀双掷开关DC-2.5 GHz
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MASWSS0157 GaAs单刀双掷开关DC-2.5 GHz
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MASWSS0157 GaAs单刀双掷开关DC-2.5 GHz
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应用/方案
应用说明S2079砷化镓场效应晶体管开关和数字衰减器驱动器
本应用笔记介绍了如何使用驱动器控制M/A-COM Technology Solutions的GaAs FET开关和数字衰减器。内容涵盖GaAs FET开关和数字衰减器的工作原理、电路拓扑、驱动方式以及相关驱动器IC的应用。此外，还讨论了不同驱动器IC的性能特点、设计注意事项以及与开关和衰减器的配合使用。
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MASW-000834-000SMB样本板应用MASW-000834-13560T T/R开关样本板操作说明
本资料为M/A-COM公司关于MASW-000834-13560T T/R开关的样本板操作指南。指南详细介绍了如何使用MASW-000834-13560T与M/A-COM提供的样本板结合使用，包括单正电源和可选的双极性电源的操作。资料中涵盖了开关的电气/热图、样本板的构造、偏置网络、组件选择以及不同偏置方案下的性能参数。
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GaAs场效应管开关驱动器和数字衰减器应用说明
本应用笔记介绍了如何使用驱动器控制M/A-COM Technology Solutions的GaAs FET开关和数字衰减器。内容涵盖GaAs FET开关和数字衰减器的工作原理、电路拓扑、驱动方式以及相关驱动器的选择和应用。此外，还讨论了不同驱动器的性能参数和设计注意事项，以实现最佳RF线性、快速切换速度、低功耗和小型板尺寸。
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应用M515技术实现GaAs微波单片集成电路开关芯片的高隔离度
本文介绍了使用GaAs MMIC开关芯片实现高隔离的技术。主要内容包括：1. 芯片安装技术，如直接将芯片底部安装在接地平面上，使用短连接线连接接地焊盘和接地平面；2. 通过降低接地焊盘与接地平面之间的电感来提高隔离度；3. 减少寄生效应，如接地路径电感和射频路径间的串扰。文章还提到了M/A-COM公司采用的技术和产品信息。
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MASW-000834-13560T T/R开关样板操作应用说明
本资料为M/A-COM公司关于MASW-000834-13560T T/R开关的样品板操作指南。指南详细介绍了如何使用单正电源和其他可选的双极性电源来操作T/R开关。资料中包含了MASW-000834-13560T开关的详细技术参数、样品板的组装图、电路图以及不同偏置方案下的性能分析。
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【产品】低损耗大功率GaAs SPDT开关NJG1802K51，1.8V切换电压，具有高隔离度、高线性特点
Nisshinbo（日清纺）推出的NJG1802K51是最适合LTE/UMTS/CDMA/GSM等通讯终端用途的大功率SPDT开关。该产品能对应1.8V切换电压，具有低损耗、高隔离度、到2.7GHz的高线性特性等特点。
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【产品】在DC-3 GHz频率下工作的GaAs SPDT开关TPG617 ，可用于无线数字通信系统
台舟电子TPG617是一款在DC-3 GHz频率下工作的GaAs SPDT开关，采用低成本SOT-363塑料无铅 (Pb) 封装。TPG617具有低插入损耗和极低的直流功耗。该开关可用于许多无线数字通信系统，如IEEE 802.11 b/g WLAN 和蓝牙，实现发送/接收选择或天线分集功能。
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GaAs微波单片集成电路开关an3007esd/EOS保护应用说明
本应用笔记（AN3007）探讨了如何通过简单的两元件电路为GaAs MMIC开关提供8KV接触放电和15KV空气放电的ESD/EOS保护。文中介绍了电路组件，包括一个电感和一个Inpaq ESD保护器件，并展示了电路在不同位置和方向的实施情况。通过实验验证了该电路的有效性，并推荐了在传输线上并接电感和Inpaq EGA1器件以实现ESD/EOS保护。
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