DS1233 How to Save Data During a Power Fail Without Corrupting It APPLICATION NOTE
发布时间：
2019-03-11
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
Maxim（美信）
型号：
DS1233; DS1220; DS1225; DS1230; DS1245; DS1250
该应用笔记详细阐述了如何利用DS1233器件在电源故障期间安全保存数据，防止NV SRAM（非易失性静态随机存取存储器）受损。文章深入分析了NV SRAM的易用性、内置写保护电路以及长达10年的数据存储能力，并重点探讨了通过引入第二电压监测设备（如DS1233B）来提前预判电源故障的技术方案。该方案旨在为微处理器争取宝贵的执行时间，使其能够在内存进入写保护状态前完成系统维护及关键数据的保存操作。文中还结合具体计算与示例，量化了在电源电压下降5%至10%的区间内微处理器可执行的指令数量，进一步论证了提前检测电源故障对于保障系统数据完整性的重要性。基于该技术方案，Maxim（美信）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
DS1225AB/AD 64k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1245Y可靠性报告，版本B1 Maxim集成产品
3/7/2009
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS1265W勘误表
Rev: 122002
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| 数据手册 - 英文 |
DS9034PC/PCI PowerCap产品介绍
100102
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| 测试报告 - 英文 |
DS1220Y DS1220修订版D2 AD使用此部件的可靠性报告
02/11/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1245Y/AB 1024k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
11/8/04
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
8/2/05
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
9/2/2010
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DS1220AB/AD 16k非易失性SRAM
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
模块包的可靠性监控报告
04/27/2005
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| 数据手册 - 英文 |
DS1250Y/AB 4096k Nonvolatile SRAM
Rev 12/10
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| 测试报告 - 英文 |
SOT封装可靠性监测报告
7/28/04
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| 测试报告 - 英文 |
SOT封装可靠性监测报告
04/27/2005
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| 数据手册 - 英文 |
DS1230W 3.3V 256k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 数据手册 - 英文 |
DS1225Y 64k非易失性SRAM
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
圣安东尼奥0.8μm硅栅CMOS（EC8）MAXIM集成可靠性监测报告
7/24/2013
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| 测试报告 - 英文 |
圣安东尼奥0.8μm硅栅CMOS（EC8）MAXIM集成可靠性监测报告
10/15/2013
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| 数据手册 - 英文 |
DS1220Y 16k非易失性SRAM产品介绍
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
SOT封装达拉斯半导体可靠性监测报告
1/21/05
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| 测试报告 - 英文 |
SOT封装达拉斯半导体可靠性监测报告
10/20/06
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| 测试报告 - 英文 |
SOT封装达拉斯半导体可靠性监测报告
1/20/2007
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| 数据手册 - 英文 |
DS1336加力燃烧室芯片数据表
050699
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| 技术文档 - 英文 |
马克西姆综合REACH声明欧盟（EU）法规（EC）第1907/2006号，REACH
Revision 22
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| 数据手册 - 英文 |
DS1245W 3.3V 1024k非易失性SRAM数据手册
11/10
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| 数据手册 - 英文 |
DS1230Y/AB 256k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1233可靠性报告，版本B2
01/13/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1250W 3.3V 4096k非易失性SRAM
Rev 12/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1747模块包MAXIM集成产品可靠性监控报告
5/18/2009
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| 数据手册 - 英文 |
DS1233A 3.3V EconoReset
122001
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| 数据手册 - 英文 |
DS1249Y/AB 2048k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
20131105-E141114 DS1643#UL合规证书
2013-NOVEMBER-05
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
使用非易失性静态RAM
本文介绍了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的特点和应用。NV SRAM结合了SRAM的高性能和EEPROM的非易失性，适用于需要快速读写和持久存储数据的应用。文章比较了NV SRAM与其他存储器技术，如DRAM、SRAM、EEPROM、Flash等，并讨论了NV SRAM在便携式设备、数据记录和系统BIOS存储等领域的应用。
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非易失性存储器元件的替换规则
本文介绍了在现有设计中替换非易失性（NV）存储器组件的基本指南。文章详细解释了如何根据产品编号选择合适的存储器组件，包括内存密度、I/O配置、电源容忍度、功能速度和温度范围。此外，还提供了关于RoHS合规性和组件升级对系统性能影响的信息。文章强调了选择正确组件的重要性，并提供了替换规则和示例。
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Maxim产品中锂电池含量应用说明
本文档介绍了Maxim产品中嵌入的锂电池内容。由于环境和运输法规的变化，客户询问了部分产品中的电池。表格1列出了含有锂硬币电池的活跃产品。文档还提供了如何查找相关电池的安全数据表（MSDS）的信息。
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工业IO手册
本手册详细介绍了Maxim Integrated的工业I/O解决方案，包括数字I/O、模拟I/O、可配置I/O和相关互补IC。内容涵盖数字输入和输出模块的设计，包括高电流电感负载的数字输出模块设计、系统设计建议、数字输入类型、工业I/O评估板和外围模块等。此外，还介绍了模拟输入和输出模块，以及可配置模拟I/O。手册中还提供了多个参考设计，以帮助快速将产品推向市场。
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过程控制方案指南
本指南介绍了Maxim Integrated针对工业过程控制的解决方案，涵盖电源、测量与控制、通信和保护等方面。内容包括隔离电源、高压降压稳压器、超摆幅技术、DeepCover安全方案、模拟输入参考设计、ADC、DAC和输出调理器、传感器数字转换器、可靠通信、过压/过流保护器、IO-Link主机和设备收发器以及RS-485收发器等。指南旨在帮助工程师快速找到适合其应用的解决方案。
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使用MAX98357A音频放大器，帮助听众以全新的方式感受音乐
Flexound Systems利用MAX98357A音频放大器，将音频与振动技术结合，为听音体验带来全新维度。公司旨在通过其Flexound Xperience模块，将触觉融入游戏椅、治疗床等多种设备。MAX98357A提供高性价比、低功耗解决方案，简化设计流程，助力Flexound Systems实现快速上市。
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NV SRAM设备编程器
本应用笔记列出了制造支持Dallas Semiconductor NV SRAM模块的第三方编程器的供应商。这些供应商包括BPM Microsystems、Xeltek、Data I/O、B+K Precision、EE Tools、Needham's Electronics、Dataman、Advin、Hi-LO SYSTEMS、Minato Electronics Inc.和Phyton等。该列表并非详尽无遗，但可作为寻找设备编程器时的起点。供应商列表无特定顺序，具体编程器信息请参考各公司网站。
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如何用等效密度的NV SRAM模块替换DS1213 SmartSocket
本文介绍了如何使用与DS1213 SmartSocket兼容的5V NV SRAM模块来替换已达到生命周期的DS1213产品。文章详细说明了替换决策过程，包括选择合适的NV SRAM模块，以及针对不同型号的SmartSocket进行PCB修改的步骤。此外，还提供了相关替换产品的信息和技术规格。
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NV SRAM常见问题
本应用笔记详细讨论了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的理论、操作和应用，包括DS1220、DS1225和DS1230等型号。内容涵盖NV SRAM模块结构、电池、控制器和SRAM的概述，以及与8位Motorola和Intel总线结构的接口信息。此外，还解答了在设计、测试、制造和使用NV SRAM过程中常见的疑问，并讨论了某些旧型号产品的替代方案。
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非易失性SRAM的低温数据保持
本文探讨了在低温环境下非易失性SRAM（静态随机存储器）的数据保持问题。文章详细介绍了在极端低温环境条件下支持非易失性存储器所需的电流特性。通过对比不同类型的锂电池（如BR2032和ML2020R）在不同温度下的性能，分析了SRAM的数据保持电流和电池寿命。文章指出，在低温环境下，电池性能会受到影响，但通过选择合适的电池和SRAM组件，可以实现超过5年的连续电池备份。
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使用NVSRAM时的时序考虑
本文介绍了Maxim非易失性SRAM（NVSRAM）在系统内存时序方面的考虑。内容包括NVSRAM模块的构成、操作模式、读写周期、时序图解析以及时序定义的重要性。文章强调了VCC电压、地址总线稳定性和周期时间等关键因素，并提供了读写操作的详细说明和时序要求。
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Tecnofingers（TNFG）利用Maxim电源管理和传感器IC加速电子产品开发
Tecnofingers (TNFG) 利用Maxim的电源管理和传感器IC，加速了其电子产品的开发。TNFG开发了一个名为rhomb.io的模块化系统，帮助电子设计师快速构建、设计或测试产品。Maxim的IC产品，如MAX30101脉搏血氧仪和心率传感器、MAX44005 RGB颜色、温度和红外接近传感器、MAX8814 28V线性Li+电池充电器等，满足了TNFG对小型IC和良好技术支持的需求。这些IC产品帮助TNFG实现了其模块化系统的小型化设计，并提供了高效、可靠和耐用的性能。
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iButton数据记录器手册
本资料介绍了iButton数据记录器的特点和应用。iButton是一种具有全球唯一地址的计算机芯片，封装在不锈钢外壳中，具有读写存储器、实时时钟和温度/湿度数据记录功能。iButton数据记录器适用于环境数据记录、访问控制、电子现金交易和资产跟踪等应用。资料详细介绍了iButton的温度和湿度数据记录器，包括Thermochron和Hygrochron系列，以及iButton的数据记录器产品选择指南。此外，还提供了iButton的接口方式、软件开发工具和配件概述。
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非易失性SRAM在嵌入式系统中的应用
本文介绍了如何将非易失性SRAM (NV SRAM) 集成到嵌入式系统中，并比较了NV SRAM与其他存储解决方案（如EPROM、EEPROM、Flash）的优缺点。文章详细阐述了NV SRAM的特点，包括无限制的写入周期、与标准SRAM相同的接口和访问时间，以及如何将其用作程序或数据存储。此外，还讨论了NV SRAM在微控制器系统中的应用，包括校准信息存储、数据记录应用等，并提供了使用NV SRAM的电路设计和注意事项。
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NV SRAM对照表技术简介
本资料提供了一份NV SRAM（非易失性静态随机存储器）的交叉参考表，列出了Dallas Semiconductor、STMicroelectronics和TI公司生产的NV SRAM产品之间的对应关系。表格中包含了不同型号的NV SRAM及其对应的型号，方便用户进行产品选择和替换。资料还提供了获取相关数据表的网站链接。
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如何用等效密度幻像时钟模块替换DS1216 SmartSocket应用说明
本文介绍了如何使用与DS1216 SmartSocket兼容的等效密度5V Phantom时钟模块来替换DS1216 SmartWatch产品。由于PDIP SRAM的供应减少，DS1216 SmartWatch产品正迅速接近停产。大多数SmartWatch产品可以使用这种模块进行替换，提供即插即用的解决方案，并保证至少10年的数据保留寿命。文章还提供了替换模块的选择表，以及有关模块的技术规格和订购信息。
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DS1216使用达拉斯幻像实时时钟（RTCs）应用说明
本文档介绍了如何将达拉斯幽灵实时时钟（RTC）与微控制器内存系统接口，并描述了一些编程考虑因素和常见问题。达拉斯幽灵实时时钟是一种结合了透明CMOS计时器和非易失性静态RAM的设备，其时间保持器对RAM/ROM内存映射是透明的，不占用任何现有RAM/ROM位置。文档详细介绍了DS1315幽灵时间芯片、DS1216智能插座以及DS124x和DS1254非易失性SRAM模块，并提供了与8051微控制器接口的示例代码。此外，文档还讨论了故障排除、常见问题和常见陷阱。
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DS1216使用SmartWatch/Phantom时钟与微控制器应用说明
本应用笔记展示了如何将Phantom实时时钟（RTC）与微控制器接口连接。内容包括电路图和示例代码，介绍了如何通过独特的64位序列访问时间数据，以及如何使用DS1216C、DS1216E、DS1243Y或DS1244Y与DS2250微控制器进行连接。
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