Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components
发布时间：
2019-03-20
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
Maxim（美信）
型号：
DS1220; DS1225; DS1230; DS1330; DS1245; DS1345; DS1249; DS1250; DS1350; DS1265; DS1270; DS1225Y; DS1230W; DS1245AB; DS1220AB; DS1220AD; DS1220Y; DS1225AB; DS1225AD; DS1230AB; DS1230Y; DS1245W; DS1245Y; DS1249AB; DS1249W; DS1249Y; DS1250AB; DS1250W; DS1250Y; DS1265AB; DS1265W; DS1265Y; DS1270AB; DS1270W; DS1270Y; DS1330AB; DS1330W; DS1330Y; DS1345AB; DS1345W; DS1345Y; DS1350AB; DS1350W; DS1350Y; DS1230Y-200; DS1230Y-70+
本技术指南详细阐述了在现有设计中替换非易失性（NV）存储器组件的基本规则与实施策略。资料深入解析了如何依据产品编号精准选择适配的存储器组件，核心考量指标涵盖内存密度、I/O配置、电源容忍度、功能速度及温度范围等关键参数。同时，文中还涉及RoHS合规性要求，并重点分析了组件升级对系统性能的具体影响，通过明确的替换规则与实例，强调了正确选型对于保障系统稳定性的重要性。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足库存以覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外，平台提供专职FAE团队支持，协助用户完成选型、设计验证及调试工作，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
DS9034PC/PCI PowerCap产品介绍
100102
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| 测试报告 - 英文 |
20131105-E141114 DS1643#UL合规证书
2013-NOVEMBER-05
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS1265W勘误表
Rev: 122002
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| 数据手册 - 英文 |
DS1249W 3.3V 2048kb非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 数据手册 - 英文 |
DS1249Y/AB 2048k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1245Y可靠性报告，版本B1 Maxim集成产品
3/7/2009
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| 数据手册 - 英文 |
DS1225AB/AD 64k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1220Y DS1220修订版D2 AD使用此部件的可靠性报告
02/11/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1245Y/AB 1024k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
11/8/04
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| 数据手册 - 英文 |
DS1220AB/AD 16k非易失性SRAM
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
模块包的可靠性监控报告
04/27/2005
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| 数据手册 - 英文 |
DS1250Y/AB 4096k Nonvolatile SRAM
Rev 12/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1747模块包MAXIM集成产品可靠性监控报告
5/18/2009
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| 数据手册 - 英文 |
DS1265W 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
带SMT的DS1245W 32引脚模块的可靠性报告
09/16/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1265Y/AB 8M非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 数据手册 - 英文 |
带电池监控器的DS1330Y/AB 256k非易失性SRAM
REV 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
20131227-E141114 DS1201#UL合格证书
2013-DECEMBER-27
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| 测试报告 - 英文 |
20131227-E141114 DS1201#UL合格证书
2013-DECEMBER-27
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| 技术文档 - 英文 |
马克西姆综合REACH声明欧盟（EU）法规（EC）第1907/2006号，REACH
Revision 22
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| 数据手册 - 英文 |
带电池监控器的DS1345Y/AB 1024k非易失性SRAM
Rev 10/10
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| 数据手册 - 英文 |
带电池监控器的DS1350Y/AB 4096k非易失性SRAM
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1249W达拉斯半导体可靠性报告
09/13/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1230W 3.3V 256k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1265W，36引脚模块，带高密度SMT达拉斯半导体可靠性报告
09/13/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1225Y 64k非易失性SRAM
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1254W W/DS3800 Cap Fastech，单面PCB Dallas Semiconductor的可靠性报告
03/04/04
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
DS1233如何在断电时保存数据而不损坏It应用程序说明
本文探讨了如何使用DS1233在电源故障期间保存数据而不会损坏NV SRAM。文章介绍了NV SRAM的特点，如易用性、写保护电路和10年的信息存储能力。此外，文章还讨论了如何通过使用第二电压监测设备（如DS1233B）来提前检测即将发生的电源故障，以便微处理器有足够的时间执行系统维护功能，从而在内存被写保护之前保存数据。文章通过计算和示例说明了在电源电压从5%下降到10%之间，微处理器能够执行的指令数量，强调了提前检测电源故障的重要性。
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使用非易失性静态RAM
本文介绍了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的特点和应用。NV SRAM结合了SRAM的高性能和EEPROM的非易失性，适用于需要快速读写和持久存储数据的应用。文章比较了NV SRAM与其他存储器技术，如DRAM、SRAM、EEPROM、Flash等，并讨论了NV SRAM在便携式设备、数据记录和系统BIOS存储等领域的应用。
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NV SRAM常见问题
本应用笔记详细讨论了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的理论、操作和应用，包括DS1220、DS1225和DS1230等型号。内容涵盖NV SRAM模块结构、电池、控制器和SRAM的概述，以及与8位Motorola和Intel总线结构的接口信息。此外，还解答了在设计、测试、制造和使用NV SRAM过程中常见的疑问，并讨论了某些旧型号产品的替代方案。
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Engineering Journal 第五十六期:集成直流对数放大器/精密计时—自动化和大众化/用USB为电池充电
本资料主要探讨了集成直流对数放大器、精密计时技术以及USB电池充电技术。内容包括对数放大器的工作原理、分类、应用实例和误差分析，精密计时技术的改进方法，以及利用USB端口为电池充电的电路设计和注意事项。
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工业IO手册
本手册详细介绍了Maxim Integrated的工业I/O解决方案，包括数字I/O、模拟I/O、可配置I/O和相关互补IC。内容涵盖数字输入和输出模块的设计，包括高电流电感负载的数字输出模块设计、系统设计建议、数字输入类型、工业I/O评估板和外围模块等。此外，还介绍了模拟输入和输出模块，以及可配置模拟I/O。手册中还提供了多个参考设计，以帮助快速将产品推向市场。
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过程控制方案指南
本指南介绍了Maxim Integrated针对工业过程控制的解决方案，涵盖电源、测量与控制、通信和保护等方面。内容包括隔离电源、高压降压稳压器、超摆幅技术、DeepCover安全方案、模拟输入参考设计、ADC、DAC和输出调理器、传感器数字转换器、可靠通信、过压/过流保护器、IO-Link主机和设备收发器以及RS-485收发器等。指南旨在帮助工程师快速找到适合其应用的解决方案。
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使用NVSRAM时的时序考虑
本文介绍了Maxim非易失性SRAM（NVSRAM）在系统内存时序方面的考虑。内容包括NVSRAM模块的构成、操作模式、读写周期、时序图解析以及时序定义的重要性。文章强调了VCC电压、地址总线稳定性和周期时间等关键因素，并提供了读写操作的详细说明和时序要求。
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Maxim产品中锂电池含量应用说明
本文档介绍了Maxim产品中嵌入的锂电池内容。由于环境和运输法规的变化，客户询问了部分产品中的电池。表格1列出了含有锂硬币电池的活跃产品。文档还提供了如何查找相关电池的安全数据表（MSDS）的信息。
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NV SRAM设备编程器
本应用笔记列出了制造支持Dallas Semiconductor NV SRAM模块的第三方编程器的供应商。这些供应商包括BPM Microsystems、Xeltek、Data I/O、B+K Precision、EE Tools、Needham's Electronics、Dataman、Advin、Hi-LO SYSTEMS、Minato Electronics Inc.和Phyton等。该列表并非详尽无遗，但可作为寻找设备编程器时的起点。供应商列表无特定顺序，具体编程器信息请参考各公司网站。
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非易失性SRAM的低温数据保持
本文探讨了在低温环境下非易失性SRAM（静态随机存储器）的数据保持问题。文章详细介绍了在极端低温环境条件下支持非易失性存储器所需的电流特性。通过对比不同类型的锂电池（如BR2032和ML2020R）在不同温度下的性能，分析了SRAM的数据保持电流和电池寿命。文章指出，在低温环境下，电池性能会受到影响，但通过选择合适的电池和SRAM组件，可以实现超过5年的连续电池备份。
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使用MAX98357A音频放大器，帮助听众以全新的方式感受音乐
Flexound Systems利用MAX98357A音频放大器，将音频与振动技术结合，为听音体验带来全新维度。公司旨在通过其Flexound Xperience模块，将触觉融入游戏椅、治疗床等多种设备。MAX98357A提供高性价比、低功耗解决方案，简化设计流程，助力Flexound Systems实现快速上市。
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Tecnofingers（TNFG）利用Maxim电源管理和传感器IC加速电子产品开发
Tecnofingers (TNFG) 利用Maxim的电源管理和传感器IC，加速了其电子产品的开发。TNFG开发了一个名为rhomb.io的模块化系统，帮助电子设计师快速构建、设计或测试产品。Maxim的IC产品，如MAX30101脉搏血氧仪和心率传感器、MAX44005 RGB颜色、温度和红外接近传感器、MAX8814 28V线性Li+电池充电器等，满足了TNFG对小型IC和良好技术支持的需求。这些IC产品帮助TNFG实现了其模块化系统的小型化设计，并提供了高效、可靠和耐用的性能。
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iButton数据记录器手册
本资料介绍了iButton数据记录器的特点和应用。iButton是一种具有全球唯一地址的计算机芯片，封装在不锈钢外壳中，具有读写存储器、实时时钟和温度/湿度数据记录功能。iButton数据记录器适用于环境数据记录、访问控制、电子现金交易和资产跟踪等应用。资料详细介绍了iButton的温度和湿度数据记录器，包括Thermochron和Hygrochron系列，以及iButton的数据记录器产品选择指南。此外，还提供了iButton的接口方式、软件开发工具和配件概述。
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NV-SRAM模块中的电池监测
本文介绍了Maxim公司NV SRAM模块中的电池监控功能。文章首先阐述了在需要长期运行或环境可能影响电池可靠性的场合，定期检查电池剩余容量的重要性。接着，详细解释了电池监控电路的工作原理，包括使用已知负载测试电池电压，以及如何通过电池电压下降至预设阈值来触发警告。文章还提供了电池警告输出的监控方法和在检测到电池警告时应采取的纠正措施。最后，文章列出了相关产品信息和技术支持链接。
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如何用等效密度的NV SRAM模块替换DS1213 SmartSocket
本文介绍了如何使用与DS1213 SmartSocket兼容的5V NV SRAM模块来替换已达到生命周期的DS1213产品。文章详细说明了替换决策过程，包括选择合适的NV SRAM模块，以及针对不同型号的SmartSocket进行PCB修改的步骤。此外，还提供了相关替换产品的信息和技术规格。
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NV SRAM对照表技术简介
本资料提供了一份NV SRAM（非易失性静态随机存储器）的交叉参考表，列出了Dallas Semiconductor、STMicroelectronics和TI公司生产的NV SRAM产品之间的对应关系。表格中包含了不同型号的NV SRAM及其对应的型号，方便用户进行产品选择和替换。资料还提供了获取相关数据表的网站链接。
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非易失性SRAM在嵌入式系统中的应用
本文介绍了如何将非易失性SRAM (NV SRAM) 集成到嵌入式系统中，并比较了NV SRAM与其他存储解决方案（如EPROM、EEPROM、Flash）的优缺点。文章详细阐述了NV SRAM的特点，包括无限制的写入周期、与标准SRAM相同的接口和访问时间，以及如何将其用作程序或数据存储。此外，还讨论了NV SRAM在微控制器系统中的应用，包括校准信息存储、数据记录应用等，并提供了使用NV SRAM的电路设计和注意事项。
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DS1216使用达拉斯幻像实时时钟（RTCs）应用说明
本文档介绍了如何将达拉斯幽灵实时时钟（RTC）与微控制器内存系统接口，并描述了一些编程考虑因素和常见问题。达拉斯幽灵实时时钟是一种结合了透明CMOS计时器和非易失性静态RAM的设备，其时间保持器对RAM/ROM内存映射是透明的，不占用任何现有RAM/ROM位置。文档详细介绍了DS1315幽灵时间芯片、DS1216智能插座以及DS124x和DS1254非易失性SRAM模块，并提供了与8051微控制器接口的示例代码。此外，文档还讨论了故障排除、常见问题和常见陷阱。
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DS1216使用SmartWatch/Phantom时钟与微控制器应用说明
本应用笔记展示了如何将Phantom实时时钟（RTC）与微控制器接口连接。内容包括电路图和示例代码，介绍了如何通过独特的64位序列访问时间数据，以及如何使用DS1216C、DS1216E、DS1243Y或DS1244Y与DS2250微控制器进行连接。
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