Central Semiconductor（中央半导体）采用TO-18封装的单结晶体管停产通知（PDN01113）
发布时间：
2019-03-20
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
2N2647; 2N4851; 2N4852; 2N4853; 2N4948; 2N4949; 2N5431
本产品变更通知（PDN01113）正式宣布，Central Semiconductor（中央半导体）因市场需求下降，决定停止生产并进入生命终结（EOL）状态，涉及采用TO-18封装的2N2647、2N4851、2N4852、2N4853、2N4948、2N4949及2N5431型号单结晶体管。通知明确了关键时间节点，规定最后购买订单截止日期为通知发布之日起六个月，最终发货日期为通知发布之日起十二个月，建议用户及时调整采购计划并咨询工程部门获取替代产品信息。Central Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。针对文中所述器件及替代选型需求，平台提供专职FAE团队支持，协助用户完成选型、设计验证及调试工作。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CMPT3820 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT3820 |
| 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor-Small Signal (<=1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.041666666666666664 |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 280mV @ 100mA，1A |
| 电流 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V |
| 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.4513
库存：
6,415
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| 订货型号 | CMPT491E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT491E |
| 品类 | Surface mount Transistor |
| 描述/说明 | Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.041666666666666664 |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 100mA，1A |
| 电流 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V |
| 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5403
库存：
6,000
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| 订货型号 | MPS651 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | MPS651 |
| 品类 | 双极结型晶体管 |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压 VCBO | 80 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 500 mV |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| 增益带宽产品fT | 75 MHz |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9153
库存：
0
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| 订货型号 | CMUT5179 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMUT5179 |
| 品类 | Surface mount Transistor |
| 描述/说明 | Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | |
| 工作频率 | 100 MHz |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 25 |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 15 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 2.5 V |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥3.9409
库存：
3,000
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| 订货型号 | CXDM4060N TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CXDM4060N |
| 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | Surface mount MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-89 |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 730 pF @ 20 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.2077
库存：
2,950
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| 订货型号 | PN4392 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | PN4392 |
| 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | Through-Hole JFET N Channel |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-92 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| 闸/源截止电压 | 10 V |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 175 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.9874
库存：
2,500
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| 订货型号 | CMPDM7002AHC TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPDM7002AHC |
| 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | Surface mount MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 240 pF @ 25 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.7310
库存：
1,196
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| 订货型号 | CMLDM8120G TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMLDM8120G |
| 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | Surface mount MOSFET P-Channel Enhancement Mode |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-563 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 连续漏极 (Id) | 860mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.56 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 200 pF @ 16 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5530
库存：
530
世强硬创平台提供CMLDM8120G TR PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货530，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供CMLDM8120G TR PBFREE批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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世强硬创平台提供CMLDM8120G TR PBFREE交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
CMLDM8120G TR PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMLDM8120G TR PBFREE期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | CMPT3904G TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT3904G |
| 品类 | SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| 描述/说明 | VCEO:40V,IC:200mA,PD:350mW,Surface mount Transistor-Small Signal(<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| IC | 200mA |
| VCEO | 40V |
| VCE(SAT) | 300mV@IB=5mA,IC=50mA |
| hFE | 100@IC=10mA,VCE=1V |
| PD | 350mW |
| fT | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.5891
库存：
262
世强硬创平台提供CMPT3904G TR PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货262，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | CMNT3904E BK PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E |
| 品类 | Surface mount Transistor |
| 描述/说明 | Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0679
库存：
230
世强硬创平台提供CMNT3904E BK PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货230，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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2N4851 PN SILICON UNIJUNCTION TRANSISTOR
R2
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工艺CP219功率晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R3
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）CP219晶体管芯片停产通知（PDN01121）
REV002
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| 数据手册 - 英文 |
2N4851 2N4852 2N4853 PN SILICON UNIJUNCTION TRANSISTOR
R2
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| 数据手册 - 英文 |
2N4851 2N4852 2N4853 PN SILICON UNIJUNCTION TRANSISTOR
13-December 2010
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| 数据手册 - 英文 |
2N4851 2N4852 2N4853 PN SILICON UNIJUNCTION TRANSISTOR
13-December 2010
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
减少源产品支持EOL
11 November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4851, 2N4852, and 2N4853 are Silicon PN Unijunction Transistors designed for timing, sensing, and trigger circuits.
13-December 2010
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP219 Power TransistorNPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP219 Power Transistor NPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP219 Power Transistor NPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP219 Power Transistor NPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP219 Power Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R3
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP219 Power Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R3
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| 数据手册 - 英文 |
工艺CP624可编程单结晶体管
R5
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
工艺CP624可编程单结晶体管
R5
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| 数据手册 - 英文 |
小电压处理晶体管CP595芯片PNP晶体管
27-January 2011
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| 测试报告 - 英文 |
小电压处理晶体管CP595芯片PNP晶体管
R4
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor 2N4870和2N4871单结晶体管停产通知（PDN01115）
Rev.002
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| 数据手册 - 英文 |
2N6027 2N6028硅可编程单结晶体管
R2
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| 数据手册 - 英文 |
2N6027 2N6028硅可编程单结晶体管
R2
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| 数据手册 - 英文 |
工艺CP622可编程单结晶体管
22-March 2010
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
工艺CP622可编程单结晶体管
R6
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP176功率晶体管NPN-Amp/开关晶体管芯片
R4
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）CP681射频晶体管停产通知（PDN01102）
REV 002
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| 测试报告 - 英文 |
加工CP792V小型信号晶体管PNP-Amp/开关晶体管芯片
R2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）2N5038 & 2N5039功率晶体管停产通知（PDN01117）
REV 002
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
处理CP555小信号晶体管PNP饱和开关晶体管芯片
R4
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP211功率晶体管NPN-Amp/Switch晶体管芯片
R5
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PDN01180晶体管产品生命周期终止通知
Rev:001
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| 数据手册 - 英文 |
硅可编程单结晶体管中央半导体2N6027 2N6028
REV:R1
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP235功率晶体管NPN-功率晶体管芯片
R3
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
BCY79-VIII等晶体管产品停产通知（PDN01247）
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMPP6027R/CMPP6028R可编程单结硅晶体管数据手册
R0
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技术论坛
双极晶体管MMBT3640有没有可以完全PIN对PIN替代的国产型号或者进口都可以，请求大神们推荐，谢谢！
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有没有介质频率2GHz的NPN射频晶体管推荐？品牌和封装不限
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世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答，帮助您快速完成研发及采购。
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应用/方案
【产品】采用SOT-23封装NPN晶体管BCV72，规格80V/100mA
Central Semiconductor（中央半导体）采用SOT-23封装NPN晶体管BCV72，使用外延平面工艺制造，环氧树脂模压，表面贴装封装。集电极电流的最大额定值为100mA，标记代码为K8。
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2N6027 2N6028硅可编程单结晶体管
本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的2N6027和2N6028硅可编程单结晶体管。这些器件采用环氧封装，具有可调整的特性，如谷电流（IV）、峰值电流（IP）和固有 standoff 比率（η）。资料中提供了最大额定值、电气特性、典型电气特性以及机械尺寸图。此外，还提供了产品支持、设计师支持/服务以及联系方式等信息。
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【产品】集电极电流200mA的CMNT3904E、CMNT3906E晶体管，封装尺寸仅1 x 0.8mm
Central Semiconductor（中央半导体）的 CMNT3904E和CMNT3906E低VCE（SAT）（C-E饱和压降）NPN和PNP晶体管分别设计用于要求超小尺寸和功耗是主要要求的应用。 这些组件采用FEMTOmini™ SOT-953封装，可提供适合最苛刻的尺寸限制应用的性能特征。其标记代码分别为CL和CM。
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【产品】80V/1A的NPN晶体管CMPT491E，采用SOT-23封装
Central Semiconductor（中央半导体）的CMPT491E类型是工业标准491 NPN硅晶体管的增强版本。该器件通过外延平面工艺制造，并在SOT-23表面贴装封装中进行环氧树脂成型。CMPT491E具有低VCE（SAT）（C-E饱和压降），高hFE(共发射极电流放大系数)，采用SOT-23封装，专为大电流通用放大器应用而设计。
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功率晶体管功率晶体管TO-3外壳
本资料详细列出了多种TO-3封装的功率晶体管的技术参数，包括最大集电极电流、最大功耗、最小击穿电压、最小放大系数、饱和电压、截止频率等关键性能指标。资料中涵盖了不同型号的晶体管，包括NPN和PNP类型，并标注了达林顿配置。
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达林顿晶体管
该资料提供了一系列达林顿晶体管的详细规格，包括最大集电极-发射极电压、最大集电极电流、饱和电压、最小电流增益、芯片尺寸、芯片厚度、顶部和底部金属化层厚度等参数。资料中列出了多种型号的达林顿晶体管，涵盖了不同的电压和电流规格，适用于不同的应用场景。
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达林顿晶体管
该资料提供了一系列达林顿晶体管的详细规格，包括最大集电极电压、最大集电极电流、饱和电压、最小电流增益、芯片尺寸、芯片厚度、顶层和底层金属化层厚度等信息。资料中列出了不同型号的晶体管，并提供了查看详细产品信息的链接。
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