【选型】高特（GoalTop）极快恢复二极管（Hyper Fast Recovery Diode）选型指南
发布时间：
2019-03-20
类型：
选型指南，选型手册、器件选型指南、产品选择指南
品牌：
高特（GoalTop）
型号：
HFD06G40Z; HFD10G40Z; HFD10G40D; HFD10G60Z; HFD10G60F; HFD08S60; HFD08S60F; HFD08S60D2; HFD10S60; HFD10S60F; HFD10S60D2; HFD15S60; HFD15S60F; HFD15S60D2; HFD10G60; HFD10G60D
本选型指南详细介绍了高特极快恢复二极管的产品特性与应用方案。该器件凭借极低反向恢复时间、极高结温、超低反向漏电流及超低正向电压等核心技术优势，能够满足高效能电路设计需求。资料重点阐述了其在网络通讯、消费电子、安防监控、汽车电子、工业电源、充电桩、LED照明及物联网等领域的广泛应用，并提供了不同型号的具体参数信息，为工程师的精准选型提供参考。高特在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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高特官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是高特的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供高特的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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高特（GOALTOP）——专注于线路保护类器件和绿色能源方案的高新企业
高特半导体/高特微电子,成立于2012年，是一家专注于线路保护类器件和绿色能源方案的设计研发、生产及营销于一体的国家高新技术企业。产品涵盖ESD防护器件，极快恢复二极体，低正向肖特基二极体等产品，广泛应用于汽车电子，网络通讯，安防工控，智能终端及消费类电子产品等领域。
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现货平台 / 高特 授权代理店
| 订货型号 | GESD5B244JDO | 品牌 | 高特 |
| 型号系列 | GESD5B244JDO | 品类 | ESD Protection Diode |
| 描述/说明 | Ultra Low Capacitance ESD Protection Diode | 封装/外壳/尺寸 | DFN2510 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Pᴘᴘ(W) | 140 | Vʀᴡᴍ(V) | 24/5 |
| Vʙʀ(V) | 26/5.6 | Vᴄ(V) | 50/15 |
| Iᴘᴘ(A) | 2.8/6 | Cj(pF) | 25/15 |
| Iʀ(μA) | 0.5/0.5 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2250
库存：
0
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| 订货型号 | HFD10G60D | 品牌 | 高特 |
| 型号系列 | HFD10G60D | 品类 | Hyper Fast Recovery Diode |
| 描述/说明 | Hyper Fast Recovery Diode,Hyper fast recovery time,Soft recovery characteristics,Low forward voltage,Low stored charge | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Iᴏ(A) | 10 | Vʀʀᴍ(V) | 600 |
| Iғsᴍ(A) | 80 | Vғ max(V) | 1.6 |
| Vғ@Iғ(A) | 10 | IR@Vʀʀᴍ(uA) | 2 |
| Tʀʀtyp(ns) | 26 | Tᴊ(℃) | 175 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.6000
库存：
40
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| 订货型号 | HFD15S60F | 品牌 | 高特 |
| 型号系列 | HFD15S60F | 品类 | Hyper Fast Recovery Diode |
| 描述/说明 | Hyper Fast Recovery Diode,Hyper fast recovery time,Soft recovery characteristics,Low forward voltage,Low stored charge | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F-AC |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Iᴏ(A) | 15 | Vʀʀᴍ(V) | 600 |
| Iғsᴍ(A) | 150 | Vғ max(V) | 2.3 |
| Vғ@Iғ(A) | 15 | IR@Vʀʀᴍ(uA) | 10 |
| Tʀʀtyp(ns) | 18 | Tᴊ(℃) | 175 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.6800
库存：
26
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| 订货型号 | HFD10G60Z | 品牌 | 高特 |
| 型号系列 | HFD10G60Z | 品类 | Hyper Fast Recovery Diode |
| 描述/说明 | Hyper Fast Recovery Diode,Hyper fast recovery time,Soft recovery characteristics,Low forward voltage,Low stored charge | 封装/外壳/尺寸 | DO-201AD |
| 最小包装量 | 1,250 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Iᴏ(A) | 10 | Vʀʀᴍ(V) | 600 |
| Iғsᴍ(A) | 80 | Vғ max(V) | 1.6 |
| Vғ@Iғ(A) | 10 | IR@Vʀʀᴍ(uA) | 2 |
| Tʀʀtyp(ns) | 26 | Tᴊ(℃) | 175 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.6000
库存：
20
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| 订货型号 | HFD10G40Z | 品牌 | 高特 |
| 型号系列 | HFD10G40Z | 品类 | Hyper Fast Recovery Diode |
| 描述/说明 | Hyper Fast Recovery Diode,Hyper fast recovery time,Soft recovery characteristics,Low forward voltage,Low stored charge | 封装/外壳/尺寸 | DO-201AD |
| 最小包装量 | 1,250 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Iᴏ(A) | 10 | Vʀʀᴍ(V) | 400 |
| Iғsᴍ(A) | 80 | Vғ max(V) | 1.4 |
| Vғ@Iғ(A) | 10 | IR@Vʀʀᴍ(uA) | 2 |
| Tʀʀtyp(ns) | 21 | Tᴊ(℃) | 175 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5520
库存：
20
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| 订货型号 | HFD10S60 | 品牌 | 高特 |
| 型号系列 | HFD10S60 | 品类 | Hyper Fast Recovery Diode |
| 描述/说明 | Hyper Fast Recovery Diode,Hyper fast recovery time,Soft recovery characteristics,Low forward voltage,Low stored charge | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-AC |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Iᴏ(A) | 10 | Vʀʀᴍ(V) | 600 |
| Iғsᴍ(A) | 110 | Vғ max(V) | 2.3 |
| Vғ@Iғ(A) | 10 | IR@Vʀʀᴍ(uA) | 2 |
| Tʀʀtyp(ns) | 17 | Tᴊ(℃) | 175 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.1400
库存：
20
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| 订货型号 | HFD06G40Z | 品牌 | 高特 |
| 型号系列 | HFD06G40Z | 品类 | Hyper Fast Recovery Diode |
| 描述/说明 | Hyper Fast Recovery Diode,Hyper fast recovery time,Soft recovery characteristics,Low forward voltage,Low stored charge | 封装/外壳/尺寸 | DO-201AD |
| 最小包装量 | 1,250 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Iᴏ(A) | 6 | Vʀʀᴍ(V) | 400 |
| Iғsᴍ(A) | 50 | Vғ max(V) | 1.4 |
| Vғ@Iғ(A) | 6 | IR@Vʀʀᴍ(uA) | 2 |
| Tʀʀtyp(ns) | 21 | Tᴊ(℃) | 175 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3720
库存：
20
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| 订货型号 | HFD10G60F | 品牌 | 高特 |
| 型号系列 | HFD10G60F | 品类 | Hyper Fast Recovery Diode |
| 描述/说明 | VRRM 600V，IF 10A，Trr 26ns | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F-AC |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.8400
库存：
20
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世强硬创平台提供HFD10G60F批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
HFD10G60F 批量询价 >>
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| 订货型号 | HFD10S60F | 品牌 | 高特 |
| 型号系列 | HFD10S60F | 品类 | Hyper Fast Recovery Diode |
| 描述/说明 | Hyper Fast Recovery Diode,Hyper fast recovery time,Soft recovery characteristics,Low forward voltage,Low stored charge | 封装/外壳/尺寸 | TO-220FAC |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Iᴏ(A) | 10 | Vʀʀᴍ(V) | 600 |
| Iғsᴍ(A) | 80 | Vғ max(V) | 1.6 |
| Vғ@Iғ(A) | 10 | IR@Vʀʀᴍ(uA) | 2 |
| Tʀʀtyp(ns) | 26 | Tᴊ(℃) | 175 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.1400
库存：
20
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| 订货型号 | HFD08S60F | 品牌 | 高特 |
| 型号系列 | HFD08S60F | 品类 | Hyper Fast Recovery Diode |
| 描述/说明 | Hyper Fast Recovery Diode,Hyper fast recovery time,Soft recovery characteristics,Low forward voltage,Low stored charge | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F-AC |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Iᴏ(A) | 8 | Vʀʀᴍ(V) | 600 |
| Iғsᴍ(A) | 80 | Vғ max(V) | 2.3 |
| Vғ@Iғ(A) | 8 | IR@Vʀʀᴍ(uA) | 2 |
| Tʀʀtyp(ns) | 16 | Tᴊ(℃) | 175 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9600
库存：
20
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HFD08S60F 样品申请 >>
世强硬创平台提供HFD08S60F批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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HFD08S60F 交期查询 >>
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合高特原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
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加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
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HFD10G60D/HFD10G60/HFD10g60F超快恢复二极管
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高特（GoalTop）HFD10G60Z Hyper Fast Recovery Diode 数据手册
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HFD10G40Z Hyper Fast Recovery Diode
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HFD10G40D Hyper Fast Recovery Diode
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HFD08S60/HFD08S60F/HFD08S60D2 Hyper Fast Recovery Diode
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HFD08S120/HFD08S120F Hyper Fast Recovery Diode
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请问高特快恢复二极管HFD15S60D2有何特征优势？
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地铁设备故障记录仪DC-DC电源（24V转5V）项目开关电源直流输出需要一款600V/8A以上，TO-263封装，反向恢复时间小于40ns的快恢复二极管，请问是否有合适型号推荐？
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120W地铁门机驱动控制器项目，反激式开关电源直流输出需要经过一颗600V/8A以上快恢复二极管整流，封装要求TO-263，反向恢复时间小于40ns，请问是否有合适的快恢复二极管型号可推荐？
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高特的极快恢复二极管HFD15S60可否用于开关电源的整流？
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R1560S331B-E2-FE Nisshinbo 有没有替代料推荐
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请问有没有替代OMSEMI二极管MUR1560的国产器件？
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【经验】pin-to-pin替代MUR1560的国产极快恢复二极管HFD15S60，成本降低30%
为实现低成本国产化替代ONsemi公司超快恢复二极管MUR1560，推荐选用国产高特（GOALTOP）的极快恢复二极管HFD15S60，其反向恢复时间达25ns，是低成本高性能的首选。
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【产品】超快恢复二极管HFD10G60D，HFD10G60，HFD10S60F，可适应大多数的恶劣工业环境
高特推出的型号为HFD10G60D/HFD10G60/HFD10S60F的超快速恢复二极管符合ROHS标准，分别采用TO-252、TO-220AC、TO-220FAC进行封装，按照MIL-STD-750的2026方法哑光镀锡、可焊接。
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【产品】恢复时间最大仅50ns的超快速恢复二极管 ，主要应用于开关电源与电机控制领域
高特（GOALTOP）半导体有限公司是一家专注于线路保护类器件和绿色能源方案的设计研发、生产及营销与一体的国家高新技术企业。高特推出的HFD08S120、HFD08S120F、HFD15S120、HFD15S120F 4款超快速恢复二极管，采用TO-220AC、TO-220FAC两种塑料封装方式，每箱数量分别是1000盒，具有外延平面结构和软恢复特性，可焊性均符合MIL-STD-750标准。
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【产品】超快速恢复二极管HFD10G60Z，最大正向压降可达1.60V
GOALTOP推出的型号为HFD10G60Z的超快速恢复二极管采用外延平面结构设计，符合ROHS标准。采用DO-201AD(DO-27)进行封装，按照MIL-STD-750的2026方法镀锡、焊接。其具有超快恢复时间，具备软恢复特性，低正向电压等特性。
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【产品】8A、10A/600V国产超快速恢复二极管，反向恢复时间仅16ns
高特推出的HFD08S60、HFD08S60D2、HFD08S60F、HFD10S60、HFD10S60D2、HFD10S60F 六款超快速恢复二极管，采用TO-220AC、TO-220FAC、TO-263三种塑料封装方式，每箱数量分别是1000个或者每卷800个，可焊性均符合MIL-STD-750标准，符合ROHS标准，是环境友好型器件。可燃性等级UL94v-0，具有极强的防火性。
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【产品】五款具有外延平面结构超快速恢复二极管，主要应用于极性保护等领域
高特（GOALTOP）半导体有限公司是一家专注于线路保护类器件和绿色能源方案的设计研发、生产及营销与一体的国家高新技术企业。高特推出的HFD08S120、HFD08S120F、HFD15S60、HFD15S60D2、HFD15S60F 五款超快速恢复二极管，采用TO-220AC、TO-220FAC、TO-263三种塑料封装方式，每箱数量分别是1000个或者每卷800个（HFD15S60、HFD15
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【产品】400V，DO-201AD（DO-27）/TO-252封装超快恢复二极管，反向恢复时间仅为20ns
高特推出的HFD06G40Z、HFD10G40D、HFD10G40Z3款超快速恢复二极管，采用DO-201AD（DO-27）、TO-252两种塑料封装方式，可焊性均符合MIL-STD-750标准，符合ROHS标准，是环境友好型器件。可燃性等级UL94v-0，具有极强的防火性。恢复时间超快，达20ns。主要应用于开关电源、电机控制、逆变器、转换器、续流。
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高特（GoalTop）极快恢复二极管产品介绍
该资料介绍了极快恢复二极管的产品特性、应用场景和性能对比。产品具有超快恢复时间（trr<25ns）、软恢复特性、低正向电压、低存储电荷、低漏电流等特点，适用于功率因数校正（PFC）、工业电机驱动和LED驱动电源等应用。资料还对比了HFD10G40Z、HFD10G40D和SF56G三种二极管的性能，指出HFD10G40Z和HFD10G40D在效率上略低于SF56G，但稳定性更高。
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高特GESD0502ED ESD二极管：极致信号守护，瞬态无忧防护
随着USB、串行ATA（SATA）等高速数据接口在现代电子设备中的普及，信号完整性已成为设计工程师面临的关键挑战。高速数据传输极易受到静电放电（ESD）和浪涌瞬态的干扰，导致数据丢失、通信中断甚至硬件永久性损坏。针对这一痛点，GESD0502ED 超低电容ESD二极管专为保护敏感的高速数据线而生，以其近乎无损的信号完整性表现和强大的防护能力，成为精密电子系统的理想守护者。
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高特RB1040FC Low VF肖特基二极管，助力低功耗设计
在追求高效能与节能设计的今天，元器件的高效转换与低损耗特性成为工程师选型的核心考量。高特推出的 RB1040FC 肖特基二极管，以其 极低的正向压降（Low VF） 和出色的电气性能，成为低电压整流与高效能量管理的理想选择。无论是移动设备、便携式电子产品，还是对功耗敏感的低压应用，RB1040FC都能提供稳定可靠的性能支持。
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高特RB20L60HH：Low VF肖特基二极管，助力高效低功耗设计
在当今追求高效能与节能的电子设计领域，RB20L60HH 肖特基势垒二极管以其卓越的低正向电压（Low VF） 特性，成为低电压整流与低功耗应用的理想选择。无论是便携设备、电源管理系统，还是反向极性保护电路，RB20L60HH 都能在提升效率的同时，显著降低能量损耗。
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高特RB2040HHCT：高效能Low VF肖特基二极管
在追求极致能效的现代电子设计中，每一个微瓦的损耗都至关重要。高特RB2040HHCT肖特基二极管的核心使命，就是通过其业界领先的低正向压降（Low VF） 特性，彻底攻克效率瓶颈，为您的产品赋予更长的续航与更冷静的运行。
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GSD12T TVS二极管：智能防护，稳定护航
在电子设备日益精密化的今天，瞬态电压干扰已成为电路设计中的一大挑战。GSD12T TVS二极管凭借其卓越的防护性能与紧凑设计，成为工程师应对ESD、EFT及浪涌的首选解决方案。
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SSL55C肖特基二极管：低VF值与低漏电，保障高效运行的不二之选
SSL55C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在50V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.45V，展示了其优秀的节能特性。即使在50V高压环境下，其漏电电流也仅有0.5mA，充分体现了产品的高效能表现。
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GESD05F6BE ESD二极管：在 5V 电压下展现卓越节能与高效能
GESD05F6BE是高特微电子研发的一款卓越的超低电容ESD二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理高速数据接口提供静电放电(ESD)保护而设计，具有出色的稳定性，在5V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为18V，展示了其优秀的节能特性。
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高特GESD03F6BUS ESD二极管：满足多领域3.3 需求的低功耗高性能利器
GESD03F6BUS是高特微电子研发的一款卓越的超低电容ESD二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计，具有出色的稳定性，在3.3V工作电压下，最大正向导通电流可达4A，尤其在4A电流条件下VF值仅为5V，展示了其优秀的节能特性。即使在3.3V的工作环境下，其漏电电流也仅有1μA，充分体现了产品的高效能表现。
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高特GESD1V2C6BU ESD二极管：具有出色的稳定性和节能特性
GESD1V2C6BU是高特微电子研发的一款卓越的超低电容ESD二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计，具有出色的稳定性，在1.2V工作电压下，最大正向导通电流可达9A，尤其在9A电流条件下VF值仅为7.4V，展示了其优秀的节能特性。即使在1.2V的工作环境下，其漏电电流也仅有100nA，充分体现了产品的高效能表现。
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高特SS510F：小型封装助力便携，100V高稳定性肖特基二极管
SS510F是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在100V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在100V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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高特微电子SS58F：超高速且节能的80V肖特基二极管首选
SS58F是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在80V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.7V，展示了其优秀的节能特性。即使在80V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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SS56F肖特基二极管，低功耗超高速，尺寸紧凑，节省电路空间
SS56F是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在60V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.7V，展示了其优秀的节能特性。即使在60V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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高特SS52F：符合环保标准的20V高性能肖特基二极管，未来可期
SS52F是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在20V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。即使在20V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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高特SS515C肖特基二极管：低功耗超高速，适配多领域的可靠之选
SS515C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在150V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在150V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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SS510C肖特基二极管：满足多领域100V需求的低功耗高性能利器
SS510C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在100V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在100V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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高特SS54C肖特基二极管：满足多领域需求的40V低功耗高性能产品
SS54C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在40V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。即使在40V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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SS52C肖特基二极管：助力多领域，高特微电子出品的可靠之选
SS52C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在20V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.45V，展示了其优秀的节能特性。即使在20V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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高特SS520C：小型封装助力便携，200V高稳定性肖特基二极管
SS520C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在200V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在200V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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高特SS515肖特基二极管：节能与高速完美结合
高特SS515是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在150V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在150V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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高特LOW VF肖特基二极管SS520：低功耗超高速之星
SS520是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在200V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在200V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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SS54肖特基二极管：电子领域闪耀星
SS54是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在40V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。即使在40V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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SS56：顺应技术发展，前景无限的二极管
一、产品介绍SS56是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在60V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.7V，展示了其优秀的节能特性。即使在60V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。该器件采用先进的SMA小型封装技术，超低VF肖特基
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LOW VF肖特基二极管SS315F，从日常到专业的全能伙伴
SS315F是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在150V工作电压下，最大正向导通电流可达3A，尤其在3A电流条件下VF值仅为0.95V，展示了其优秀的节能特性。即使在150V高压环境下，其漏电电流也仅有0.3mA，充分体现了产品的高效能表现。
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SS38F肖特基二极管：电子领域的节能先锋
SS38F是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在80V工作电压下，最大正向导通电流可达3A，尤其在3A电流条件下VF值仅为0.7V，展示了其优秀的节能特性。即使在80V高压环境下，其漏电电流也仅有0.3mA，充分体现了产品的高效能表现。
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SS32C肖特基二极管：开启电子高效稳定新时代
SS32C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在20V工作电压下，最大正向导通电流可达3A，尤其在3A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。即使在20V高压环境下，其漏电电流也仅有0.5mA，充分体现了产品的高效能表现。
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SS38C肖特基二极管：电子世界的高效节能稳定之星
SS38C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在80V工作电压下，最大正向导通电流可达3A，尤其在3A电流条件下VF值仅为0.7V，展示了其优秀的节能特性。即使在80V高压环境下，其漏电电流也仅有0.3mA，充分体现了产品的高效能表现。
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SS310C肖特基二极管：点亮电子未来的超强引擎
SS310C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在100V工作电压下，最大正向导通电流可达3A，尤其在3A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在100V高压环境下，其漏电电流也仅有0.3mA，充分体现了产品的高效能表现。
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SS310BF 肖特基二极管：适应多场景的微型可靠元件
SS310BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在100V工作电压下，最大正向导通电流可达3A，尤其在3A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。
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