1SS181 SWITCHING DIODESULTRA HIGH SPEED SWITCHING
发布时间：
2019-03-21
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
AIT（创瑞科技）
型号：
1SS181
本数据手册详细介绍了AiT Components Inc.生产的1SS181超高速开关二极管。该器件采用SOT-23封装，具备低正向电压（VF典型值0.92V）、快速反向恢复时间（tRR典型值1.6ns）以及小总电容（CT典型值2.2pF）等关键特性，并完全符合RoHS标准。资料提供了详尽的电气特性、典型特性曲线及封装尺寸信息，为电路设计提供了精准参考。AiT Components Inc.在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
AIT官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是AIT的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供AIT的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
AIT 授权代理店 >>
电源管理IC国内领导品牌——创瑞科技(AiT)
创瑞科技(AiT)，致力于设计和行销高性能的类比与混合信号IC，为全球消费类电子产品市场提供音频放大及电源管理等解决方案，结合控股集团高品质的电感、晶振及保险丝提供技术整合支援，缩短产品设计周期。
访问AIT 品牌主页 >>
技术支持/研发服务
世强硬创平台整合AIT原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
立即获取 AIT 技术支持 >>
企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供AIT快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
立即获取 AIT 企业采购服务 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
1SS181开关二极管超高速开关
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1SS226开关二极管超高速开关
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1SS184开关二极管超高速开关
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1SS184 SWITCHING DIODESULTRA HIGH SPEED SWITCHING
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1SS226 SWITCHING DIODES ULTRA HIGH SPEED SWITCHING
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
DAN202U双开关二极管
REV1.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
DAN222双开关二极管共阴极硅
REV1.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AiT Semiconductor Inc. SPI总线 256K位（32768 x 8）串行EEPROM A25C256
2026/03/01
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ESD4.5D3HV
2026/02/19
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
直流电阻 www.ait-ic.com 色环电感器
2026/01/19
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM3016K 高性能N沟道MOSFET数据表
2026/01/14
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM2295A 高效N沟道MOSFET数据表
Rev1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
通常位于文档材料的最开始部分
2026/01/14
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
肖特基势垒整流器反向电压-20V至200V 正向电流-5A
2025/12/04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
肖特基势垒整流器反向电压-20V至200V 正向电流-5A
2025/10/04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BZX84B2V4~BZX84B75 稳压二极管数据手册
2025/12/04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AEC-Q 1200V 70A 碳化硅（SiC）MOSFET
2025/09/04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM40P04PJ 负载开关
2025/09/04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM50N06D TO-252封装 N沟道MOSFET
2025/09/04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ESDA6V1W5 单片抑制器
Rev1.01 - FEB 2011 RELEASED – JUL 2025 UPDATED
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
www.ait-ic.com 存储器 2.3V~3.6V 128M-BIT 串行NOR闪存，具有双通道和四通道SPI接口
2025/08/16
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
A9910 PWM 高效率LED驱动控制集成电路
Not specified
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AP8022C - 高性能离线转换器PWM控制器和功率MOSFET
2025/05/16
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
A7106H - 高压降压开关稳压器
2025/05/16
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PIA www.ait-ic.com 功率电感器
2025/05/03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AiT Semiconductor Inc. - 2SB806-R、2SB806-Q、2SB806-P晶体管数据手册
Not specified
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM15N10 - 高频开关和同步整流MOSFET
2025/02/21
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
A7335A - 全功能和高性能降压直流-直流转换器
2025/01/16
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
A7425 宽输入电压、高效率电流模式同步降压DC/DC转换器
2024/12/04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AiT Semiconductor Inc. 2SA1162 www.ait-ic.com 晶体管
2024/12/04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM50N06 MOSFET 60V 50A N沟道增强型功率MOSFET
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AL1G00逻辑单通道双输入正与非门
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
集成基准电压的AO3011运算放大器3uA比较器
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AMD8837直流电机驱动器2.7-12V，1.5A低压H桥驱动器
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AD8816电机驱动器1.5A、3.0-25.0V H桥驱动器
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM6003 30V，3A N沟道MOSFET
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SM520AF~SM5200AF肖特基势垒整流器20V至200V反向电压5.0A正向电流
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
A7142 DC-DC转换器/降压（降压）简单开关电源转换器150kHz，2A PWM
REV2.2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1SMA5913-1SMA5957齐纳二极管1.5W宽齐纳电压3.3V至240V
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM2301C MOSFET-20V P沟道增强型MOSFET
REV1.0
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
【产品】采用SOT-23封装的开关二极管，正向电压低、快速反向恢复时间、总电容小
创瑞科技（AiT）公司生产的三款开关二极管1SS181、1SS184、1SS226都采用SOT-23封装，电压电流都为85V/300mA，而且都具有正向电压低，快速反向恢复时间，总电容小等优势，且符合RoHS标准。另外这三款开关二极管的功耗都为150mW，结温都为125℃，存储温度范围为-55℃~125℃，功耗小，工作温度范围广，能够满足恶劣的环境温度需求。
阅读原文 >>
高特微电子SS54B：超高速肖特基，具有较快的开关速度和恢复时间，为电子设备助力
SS54B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在40V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。即使在40V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
阅读原文 >>
如何正确的使用肖特基二极管？
提到低功耗、大电流、超高速半导体器件，熟悉电子元器件的肯定能首先想到肖特基二极管（SBD）。但是你真的会用肖特基二极管吗？和其他的二极管比起来，肖特基二极管又有什么特别之处呢？下面一起来划重点吧。肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。在不同的应用中，需要考虑不同的因素，而且，不同的器件在性能上也有差别，因此，在选用肖特基二极管时，下面这些关键参数需要综合考虑。
阅读原文 >>
肖特基二极管检测方法以及性能的比较
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管，它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。本文介绍肖特基二极管检测方法以及性能的比较。
阅读原文 >>
【产品】60V/200mA双路硅开关二极管BAS56，反向恢复时间6ns、适于高速开关应用
CENTRAL设计的BAS56由两个电气隔离的超高速硅开关二极管组成，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装型环氧树脂SOT-143封装。该器件专为高速开关应用而设计。该二极管最大功耗仅为350mW，在电路设计中可以减小系统负担，提高系统的安全性。工作和存储结温范围均为-65℃至150℃，符合军工级产品温度要求。
阅读原文 >>
【产品】100V/30A肖特基二极管,可承受250A正向峰值浪涌电流
FCH30A10是京瓷半导体公司推出的一款针对工业化应用的肖特基二极管，利用独有的势垒层形成技术,使用日本首条8英寸肖特基二极管生产线生产。正向导通压降低至0.88V，反向漏电流仅为2mA，因而具有低功耗的特点。环氧树脂封装，阻燃等级符合UL94V-0标准，适用于混频、检波、调制、倍频以及超高速开关、低噪声放大等应用。
阅读原文 >>
【产品】具有快开关速度最大耐压250V的高压开关二极管
Kodenshi推出的SUD495Z正向压降仅为1.25V，功耗不超过200mW。其反向恢复时间得到有效降低仅为50ns，可显著提高器件的响应速度与整个电路的开关频率，从而广泛应用于超高速开关应用中。
阅读原文 >>
聚焦高特微电子SS212B二极管的独特魅力，具有低VF值、较快的开关速度和恢复时间和极高的稳定性特点
SS212B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在120V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。
阅读原文 >>
