1SS184 SWITCHING DIODESULTRA HIGH SPEED SWITCHING
发布时间：
2019-03-21
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
AIT（创瑞科技）
型号：
1SS184
本数据手册详细介绍了AiT Components Inc.生产的1SS184超高速开关二极管。该器件采用SOT-23封装，具备低正向电压、快速反向恢复时间及小总电容等显著特性，其典型正向电压为0.9V，反向恢复时间仅为1.6ns，总电容典型值为0.9pF，且产品符合RoHS标准。资料内容涵盖了该二极管的详细电气特性、典型特性曲线及封装尺寸信息，为相关电路设计提供了关键参数参考。AiT Components Inc.在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
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1SS184开关二极管超高速开关
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1SS226开关二极管超高速开关
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1SS181开关二极管超高速开关
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1SS181 SWITCHING DIODESULTRA HIGH SPEED SWITCHING
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1SS226 SWITCHING DIODES ULTRA HIGH SPEED SWITCHING
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DAN202U双开关二极管
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DAN222双开关二极管共阴极硅
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AM039NS10HPJ
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AiT Semiconductor Inc. AM2312A SOT-23S封装 N沟道MOSFET
2026/03/19
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PESD0603-240 用于ESD保护的瞬态电压抑制器
2026/03/01
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AM0414AD
2026/02/02
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MMBT3906L 晶体管
2026/01/14
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2026/01/14
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| 技术文档 - 英文 |
SPI总线256K位（32768×8）串行EEPROM-存储器EEPROM-A25C256由AiT半导体公司生产。
2026/01/14
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AM55N06D www.ait-ic.com 金属氧化物半导体场效应晶体管
Rev1.0
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AL164A - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
2025/12/25
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| 技术文档 - 英文 |
BZT52C2V4-Q ~ BZT52C51-Q SOD-123 封装稳压二极管
2025/12/25
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DTD113Z
2025/12/04
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AM6003 SOT-23 封装 N-沟道 MOSFET
Rev1.01 - DEC 2021 RELEASED – DEC 2025 UPDATED
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A7110H SPI总线256K位（32768×8）串行EEPROM，DC-DC转换器降压（降压）4.5V至100V输入，1.0A输出，异步降压电压转换器。
2025/10/04
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SPI总线256K位（32768×8）串行EEPROM - A25C256
2025/09/04
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AiT Semiconductor Inc. BD136、BD138、BD140晶体管数据手册
Not specified
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AM2301E - -20V -2A N沟道增强型功率MOSFET
2025/09/04
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AM14P06D - TO-252 封装负载开关
2025/09/04
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AM016NS06HPJ - 60V，200A，1.6mΩ PDFN8(5x6)封装MOSFET
2025/08/16
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AM80R750TF 800V 7A N沟道MOSFET
2025/08/16
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AO321 - 低功耗、宽电源电压范围性能运算放大器
Not specified
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AiT Semiconductor Inc. S40SC650TL TO-247-3 封装高压MOSFET
2025/08/03
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| 数据手册 - 英文 |
A4055 - 适用于单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器
Rev2.0 - OCT 2011 RELEASED, JUL 2025 UPDATED
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AM100N03D www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL 30V, 100A, 2.8mΩ TYP. 功率MOSFET
2025/07/16
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AiT Semiconductor Inc. - 双电源单比特双向电平转换器（AEC-Q）
2025/07/16
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AD8424 - 匹配的双路功率MOSFET驱动器
2025/07/16
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AiT Semiconductor Inc. - AO4122 四路CMOS运算放大器
2025/07/05
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AiT Semiconductor Inc. - AO2122 双CMOS运算放大器
2025/07/05
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AM700R500D TO-252封装MOSFET
2025/07/05
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8位双向电压转换器，适用于开漏和推挽应用的电压转换器
2025/07/05
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AiT Semiconductor Inc. - FMMT591 - 大电流NPN晶体管
2025/06/02
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AM01N70 SOT-23 封装 MOSFET
2025/05/03
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A7933 - 宽输入电压6.0V–90V，高达500kHz开关频率，PWM控制，3.2A输出电流，13μA静态电流，PSOP8封装。
Rev1.0 - MAR 2025 RELEASED
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BC846_BC847_BC848_BC849_BC850 NPN 晶体管数据手册
2025/04/01
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SM220B~SM2200B
2025/04/01
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世强AI
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应用/方案
【产品】采用SOT-23封装的开关二极管，正向电压低、快速反向恢复时间、总电容小
创瑞科技（AiT）公司生产的三款开关二极管1SS181、1SS184、1SS226都采用SOT-23封装，电压电流都为85V/300mA，而且都具有正向电压低，快速反向恢复时间，总电容小等优势，且符合RoHS标准。另外这三款开关二极管的功耗都为150mW，结温都为125℃，存储温度范围为-55℃~125℃，功耗小，工作温度范围广，能够满足恶劣的环境温度需求。
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高特微电子SS54B：超高速肖特基，具有较快的开关速度和恢复时间，为电子设备助力
SS54B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在40V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。即使在40V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
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如何正确的使用肖特基二极管？
提到低功耗、大电流、超高速半导体器件，熟悉电子元器件的肯定能首先想到肖特基二极管（SBD）。但是你真的会用肖特基二极管吗？和其他的二极管比起来，肖特基二极管又有什么特别之处呢？下面一起来划重点吧。肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。在不同的应用中，需要考虑不同的因素，而且，不同的器件在性能上也有差别，因此，在选用肖特基二极管时，下面这些关键参数需要综合考虑。
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肖特基二极管检测方法以及性能的比较
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管，它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。本文介绍肖特基二极管检测方法以及性能的比较。
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【产品】60V/200mA双路硅开关二极管BAS56，反向恢复时间6ns、适于高速开关应用
CENTRAL设计的BAS56由两个电气隔离的超高速硅开关二极管组成，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装型环氧树脂SOT-143封装。该器件专为高速开关应用而设计。该二极管最大功耗仅为350mW，在电路设计中可以减小系统负担，提高系统的安全性。工作和存储结温范围均为-65℃至150℃，符合军工级产品温度要求。
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【产品】100V/30A肖特基二极管,可承受250A正向峰值浪涌电流
FCH30A10是京瓷半导体公司推出的一款针对工业化应用的肖特基二极管，利用独有的势垒层形成技术,使用日本首条8英寸肖特基二极管生产线生产。正向导通压降低至0.88V，反向漏电流仅为2mA，因而具有低功耗的特点。环氧树脂封装，阻燃等级符合UL94V-0标准，适用于混频、检波、调制、倍频以及超高速开关、低噪声放大等应用。
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【产品】具有快开关速度最大耐压250V的高压开关二极管
Kodenshi推出的SUD495Z正向压降仅为1.25V，功耗不超过200mW。其反向恢复时间得到有效降低仅为50ns，可显著提高器件的响应速度与整个电路的开关频率，从而广泛应用于超高速开关应用中。
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聚焦高特微电子SS212B二极管的独特魅力，具有低VF值、较快的开关速度和恢复时间和极高的稳定性特点
SS212B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在120V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。
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