MMG30301BT1 Driver or Pre--driver Amplifier for Doherty Power Amplifiers Technical Data
发布时间：
2019-03-21
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
NXP（恩智浦）
型号：
MMG30301BT1; GJM0225C1E1R5WB; GJM0225C1ER50WB; GRM188B11E103MA; GRM1555C81E105ME; GJM0225C1ER70WB; GJM0225C1E1R1WB; 0603CS-10NX; 0402CS-1N0X; ERJ2GE0R00X; M128499; GJM0225C1E1R3WB; GJM0225C1E3R9WB; GCM1555R71E103KA37; GRM1555R61A104KA01D; GJM0225C1E3R3WB; GRM1555C1H101JA01; GJM0225C1E1R2WB; GJM0225C1E2R7WB; GRM1555C1H220GA01; LL1005-FHL1N0S; GRM188B11E103MA19L; GRM1555C81E105ME15; GJM0225C1E2R4WB; GJM0225C1ER30WB; GJM0225C1ER80WB; GRM1555C1H100GA01; 0603CS-6N8X
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MMG20271H9T1增强型pHEMT电子迁移率晶体管技术（E—pHEMT电子迁移率晶体管）技术数据
Rev. 1
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M5213EVB材料清单
Rev C
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
LFDBGK73KT3A BGA Aurora接口适配器MPC5773K 257针0.8mm间距
23/03/2016
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMG20271HT1增强型pHEMT电子迁移率晶体管技术（E—pHEMT电子迁移率晶体管）高线性放大器技术数据
Rev. 1
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MHT2001NR1有毒有害物质和元素中国RoHS
Septmber 2016
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
LFK77CIDBZ2W1A PPC5777C集成调试板
rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MML09212HT1增强型pHEMT电子迁移率晶体管技术（E--pHEMT电子迁移率晶体管）低噪声放大器数据表
Rev. 3,
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
垂直校准SRAM板
05/30/2007
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MML20211HT1增强型pHEMT电子迁移率晶体管技术（E—pHEMT电子迁移率晶体管）
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BGU7060模拟高线性低噪声可变增益放大器产品数据表
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BGU7061模拟高线性低噪声可变增益放大器产品数据表
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BGU7073模拟控制高线性低噪声可变增益放大器产品数据表
Rev. 6
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BGU7075模拟控制高线性低噪声可变增益放大器产品数据表
Rev. 4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMG20241HT1驱动或预驱动放大器用于Doherty功率放大器技术数据
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MML20242HT1增强型pHEMT电子迁移率晶体管技术（E—pHEMT电子迁移率晶体管）数据表
Rev. 2,
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MML09211HT1增强型pHEMT电子迁移率晶体管技术（E—pHEMT电子迁移率晶体管）低噪声放大器
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MML25231HT1增强型pHEMT电子迁移率晶体管技术（E—pHEMT电子迁移率晶体管）技术数据
Rev. 0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMZ09312BT1异质结双极晶体管技术（InGaP-HBT）高效率/线性放大器
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
用于蜂窝基础设施技术数据的2 W高增益功率放大器
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
用于蜂窝基础设施技术数据的2 W高增益功率放大器
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
用于蜂窝基础设施技术数据的2 W高增益功率放大器
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2.5 GHz低功率放大器模块初步数据
Rev. 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MML09231HT1增强型pHEMT电子迁移率晶体管技术（E—pHEMT电子迁移率晶体管）技术数据
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMZ09332BT1异质结双极晶体管技术（InGaP HBT）高效/线性放大器数据表
8/2015
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMZ25332BT1异质结双极晶体管技术（InGaP HBT）
Rev. 3
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
BGU7007 GPS低噪声放大器评估板用户手册
本资料为NXP Semiconductors公司BGU7007 GPS低噪声放大器评估板的用户手册。手册详细介绍了BGU7007 LNA的性能特点、应用电路、PCB布局、物料清单以及评估板的测试方法和结果。BGU7007 LNA适用于GPS接收器应用，具有低噪声、高增益、高线性和低功耗等特点。评估板简化了BGU7007 LNA的评估过程，并提供了详细的测试指导。
阅读原文 >>
BGU7003 GPS LNA演示板v2.0用户手册
本资料为NXP Semiconductors公司发布的BGU7003 GPS LNA评估板用户手册。手册详细介绍了BGU7003 GPS低噪声放大器（LNA）的性能和应用。内容包括BGU7003的内部电路、应用电路、PCB布局、物料清单、所需设备、连接设置以及典型测试结果等。手册旨在帮助用户评估BGU7003在GPS LNA应用中的性能。
阅读原文 >>
BGU6005/N2 GNSS低噪声放大器评估板应用说明
本资料介绍了NXP Semiconductors的BGU6005/N2 GNSS低噪声放大器（LNA）评估板，用于评估GNSS LNA的性能。评估板包含BGU6005/N2 LNA、匹配电感和去耦电容，并提供了应用电路、PCB布局、物料清单和典型测试结果。资料还涉及GNSS相关性能参数，如带外输入三阶截点、干扰下的增益压缩和干扰下的噪声。
阅读原文 >>
采用BFG425W的900 MHz驱动放大器应用信息
本文介绍了使用Philips Semiconductors的BFG425W双多晶硅宽带晶体管设计900 MHz驱动放大器的应用信息。文章详细描述了放大器的设计，包括电路描述、组件列表、板布局和测量结果。在900 MHz频率和25°C环境下，该放大器具有大于12 dB的功率增益和小于2 dB的噪声系数。
阅读原文 >>
【产品】1500MHz~2700MHz驱动放大器FW2202，典型功耗350mA@+5V，具有高线性度、高增益特性
FW2202是通量科技推出的一款2W驱动放大器，采用GaAs HBT工艺设计，封装为QFN 3x3mm 12 Lead，能够在1500MHz~2700MHz的工作频率范围内实现高增益、高线性度。作为一款高线性度、高增益的放大器。
阅读原文 >>
BGU8061 700-1500MHz高线性旁路低噪声放大器应用说明
本资料为NXP Semiconductors公司发布的BGU8061 700-1500MHz高线性旁路LNA应用笔记。内容涵盖BGU8061的电路图、布局、物料清单和典型评估板性能。BGU8061是一款高性能集成低噪声放大器，具有旁路功能，适用于700MHz至1500MHz频段，特别适合作为无线基础设施应用的接收链第三级放大器。资料中提供了BGU8061在900MHz频段的典型应用电路、PCB布局信息和组件选择，以及测量结果。
阅读原文 >>
BGU8007 GPS低噪声放大器评估板用户手册
本手册详细介绍了NXP Semiconductors的BGU8007 GPS低噪声放大器评估板（EVB）。BGU8007是一款适用于GPS接收器应用的低噪声放大器，具有低噪声、高增益、高线性度等特点。评估板旨在评估BGU8007作为GPS LNA的性能，包括应用电路、板布局、物料清单和典型结果。手册还提供了GPS相关性能参数的解释，如带外输入三阶截点、干扰下的增益压缩和干扰下的噪声。
阅读原文 >>
BGU8019[GPS1202M]为GNSS L2频段评估应用程序调谐说明
本资料介绍了NXP Semiconductors的BGU8019（GPS1202M）GNSS低噪声放大器（LNA）评估板，专为GNSS L2频段设计。评估板包含GPS1202M LNA、匹配电感器和去耦电容器，用于评估GNSS LNA的性能。资料详细描述了评估板的电路图、PCB布局、物料清单和典型测试结果，并提供了测试所需设备和连接方法。
阅读原文 >>
BGU8M1 LTE低噪声放大器评估板应用说明
本资料介绍了NXP Semiconductors的BGU8M1 LTE低噪声放大器（LNA）评估板。该评估板旨在评估BGU8M1 LNA的性能，包括其匹配电感、去耦电容和电路布局。资料详细描述了评估板的组件、PCB布局、物料清单以及典型测试结果，包括S参数、增益压缩和噪声性能。此外，还提供了关于BGU8M1 LNA的详细描述，包括其低噪声、高增益、高线性度以及低功耗等特性。
阅读原文 >>
低噪声快速开启/关闭2.4-2.5GHz WiFi低噪声放大器，带BFU730LX应用说明
本文档提供了关于2.4-2.5GHz WiFi（WLAN）低噪声放大器（LNA）的电路仿真、原理图、布局、物料清单和典型评估板性能。主要内容包括BFU730LX晶体管的介绍、LNA的设计和仿真结果、应用电路图和评估板测试结果。该LNA具有低噪声、高增益、快速开关等特点，适用于802.11a/b/g/n和802.11ac“MIMO”WiFi应用。
阅读原文 >>
BGU8010 GNSS LNA评估板应用说明
本资料介绍了NXP Semiconductors的BGU8010 GNSS低噪声放大器评估板。该评估板用于评估BGU8010 GNSS LNA的性能，包括应用电路、PCB布局、物料清单和典型测试结果。资料详细描述了BGU8010的特性，如低噪声、系统优化增益、高线性和低功耗，以及如何使用该评估板进行RF性能测试。
阅读原文 >>
【产品】采用SMD封装的单片单级驱动放大器CHA5005-QDG，在1dB增益压缩点的输出功率为26.5dBm
CHA5005-QDG是UMS推出的一款单片单级驱动放大器，在1dB增益压缩点的输出功率为26.5dBm，功率附加效率PAE为33%。它被设计用于广泛的应用，从军事到商业通信系统。该放大器电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度0.25μm。
阅读原文 >>
【应用】ASB驱动放大器ASX401应用于室内直放站，通频带为100MHz-3GHz
为了达到预计的信号可覆盖范围，信号要先通过驱动放大器预先放大后，信号再进入功率放大器进行放大。下图为模块框图，在本方案直放站中RRU的发射链路中的驱动放大器采用ASB的ASX401，工作频率100MHz~3GHz。
阅读原文 >>
【产品】高效GaAs HBT MMIC驱动放大器CBG9326，通过优化设计可实现高于40%的PAE
芯佰特推出的高效GaAs HBT MMIC驱动放大器CBG9326，其工作频率为3.0~4.5GHz。该放大器在+3.3V电源电压下可提供19dB增益和+25dBm饱和功率，在+5V电源电压下可提供23dB增益和+26dBm饱和功率。
阅读原文 >>
带旁路开关的BGS8M2 LTE低噪声放大器评估板应用说明
本资料介绍了NXP Semiconductors的BGS8M2 LTE低噪声放大器（LNA）评估板。评估板用于评估BGS8M2 LNA在典型应用中的性能，包括其应用图、板布局、物料清单和典型性能。BGS8M2 LNA具有14.4 dB的增益和0.9 dB的噪声系数，适用于LTE接收器应用。评估板还包括匹配电感器和去耦电容器，简化了RF评估过程。资料还提供了关于LTE相关RF参数的解释，如输入三阶截点IIP3、增益压缩和噪声。
阅读原文 >>
AN11525 BGU6009/N2 GNSS LNA评估板应用说明
本资料介绍了NXP Semiconductors的BGU6009/N2 GNSS低噪声放大器（LNA）评估板，用于评估GNSS LNA的性能。评估板包含BGU6009/N2 LNA、匹配电感和去耦电容，并提供了应用电路、PCB布局、物料清单和典型测试结果。资料详细说明了BGU6009/N2 LNA的特点，包括低噪声、系统优化增益、高线性和低功耗，以及如何使用评估板进行RF性能测试。
阅读原文 >>
AN11313 BGU7062N2评估板应用说明
本资料为NXP Semiconductors公司发布的BGU7062N2评估板应用笔记。内容涵盖BGU7062N2评估板的设计、典型性能以及测试设置。BGU7062N2是一款完全集成的模拟可控变增益放大器模块，适用于蜂窝基站等敏感接收器应用。评估板包括电路图、物料清单、PCB材料信息和 artwork，并提供典型测试结果。
阅读原文 >>
BGX7221开发板申请说明
本资料为NXP Semiconductors公司发布的BGX7221评估板（EVB）应用笔记，介绍了BGX7221评估板的设计及其性能。BGX7221是一款专为基站应用设计的双通道下混频器。该评估板包含所需的IF变压器，以便进行差分到单端阻抗转换，并使用50Ω标准SMA连接器方便评估。资料详细描述了EVB电路原理图、物料清单、PCB技术及其工艺、典型测试设置所需设备列表，以及预期的典型测试结果。
阅读原文 >>
BGX7220开发板申请说明
本资料为BGX7220评估板（EVB）应用笔记，介绍了BGX7220双下混频器的设计及其性能。BGX7220适用于基站应用，包含所需的IF变压器，以实现差分到单端阻抗转换，并方便使用50Ω标准SMA连接器进行评估。资料详细描述了EVB电路原理图、物料清单、PCB技术和其工艺信息，以及典型的测试设置框图。
阅读原文 >>
AN11514 BGU8H1 LTE低噪声放大器评估板应用说明
本资料介绍了NXP Semiconductors的BGU8H1 LTE低噪声放大器（LNA）评估板，旨在评估BGU8H1在LTE接收应用中的性能。评估板包括BGU8H1 LNA、匹配电感和去耦电容，并提供了电路图、PCB布局、物料清单和典型测试结果。资料详细说明了BGU8H1的特点，如低噪声、系统优化增益、高线性和低功耗，以及如何使用评估板进行RF性能测试。
阅读原文 >>
【产品】2.0-4.2 GHz宽频率、36.5dB高增益驱动放大器GSP702AQ
时代速信GSP702AQ是一款宽频带、高增益和高线性驱动放大器，在2.6GHz下提供36.5dB增益，峰值功率为28.5dBm P3dB，可以提供高达200 MHz宽5G NR信号的宽带信号以及良好的DPD线性性能，非常适合应用于m-MIMO。
阅读原文 >>
【产品】集成单通道视频运放与视频同轴线控解码的视频驱动放大器，带宽达35MHz，功耗低至16mA
瑞盟科技的MS7682M是一颗集成单通道视频放大器与视频同轴线控解码为一体的视频驱动放大器。视频放大器内部集成6dB增益轨到轨输出驱动器以及6阶滤波器，-3dB带宽达35MHz。
阅读原文 >>
【产品】0.5W高线性度射频驱动放大器F1471，工作频率400~4200MHz
瑞萨电子（Renesas）推出的F1471是一款0.5W高线性度射频驱动放大器，工作频率范围为400MHz至4200MHz，采用5V单电源供电，ICQ仅130mA。F1471的增益为17dB，OP1dB为+28.5dBm。采用3×3mm的16-VFQFPN封装，具有50Ω输入和输出阻抗，便于集成到信号路径中。
阅读原文 >>
AN11656 BGS8H2 LTE低噪声放大器带旁路开关评估板应用说明
本资料为NXP Semiconductors提供的BGS8H2 LTE低噪声放大器（LNA）评估板应用笔记。内容涵盖BGS8H2 LNA的性能评估，包括其电路设计、PCB布局、物料清单、典型性能以及LTE相关射频参数的解释。资料还提供了评估板的测试方法和结果分析，包括S参数、增益压缩、IIP3测试和启用时序测试。
阅读原文 >>
AN11512 BGU8L1 LTE LNA评估板应用说明
本资料介绍了NXP Semiconductors的BGU8L1 LTE低噪声放大器（LNA）评估板。该评估板旨在评估BGU8L1在LTE接收应用中的性能，包括其增益、噪声系数、线性度等关键参数。资料详细描述了评估板的电路设计、PCB布局、物料清单以及典型测试结果，为用户提供了BGU8L1 LNA的评估和测试指南。
阅读原文 >>
