Central Semiconductor（中央半导体）CP219晶体管芯片停产通知（PDN01121）
发布时间：
2019-03-22
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CP219; CP219-2N5338-WN; CP219-2N5339-CM; CP219-2N5339-CT; CP219-2N5339-WN; 2N5339; 2N5430
本产品变更通知详细说明了Central Semiconductor（中央半导体）CP219晶体管工艺正式停产并进入生命终结（EOL）状态的相关事宜。由于客户需求低于最低可持续水平，依据行业惯例，该产品已停止生产。通知明确了关键的时间节点，最后购买订单截止日期为通知发布之日起六个月，最终发货日期为发布之日起十二个月，且可能适用最小订购量；若库存充足，相关日期可能延长。针对受影响的用户，资料中提供了替代产品信息，若无直接替代方案，公司将协助寻找替代来源并提供技术数据支持。Central Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该停产通知，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台专职FAE团队可协助用户进行选型替代、设计验证及调试，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA | 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW | 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0679
库存：
8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA | 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW | 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0424
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMPT3820 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT3820 | 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor-Small Signal (<=1A) | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.041666666666666664 | 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 280mV @ 100mA，1A | 电流 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V | 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.4513
库存：
6,415
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| 订货型号 | CMPT491E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT491E | 品类 | Surface mount Transistor |
| 描述/说明 | Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.041666666666666664 | 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 100mA，1A | 电流 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V | 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5403
库存：
6,000
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| 订货型号 | MPS651 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | MPS651 | 品类 | 双极结型晶体管 |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A | 集电极—发射极最大电压 VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压 VCBO | 80 V | 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 500 mV | Pd-功率耗散 | 625 mW |
| 增益带宽产品fT | 75 MHz | 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 150 ℃ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9153
库存：
0
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| 订货型号 | CMUT5179 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMUT5179 | 品类 | Surface mount Transistor |
| 描述/说明 | Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 工作频率 | 100 MHz | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 25 |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 15 V | 发射极 - 基极电压 VEBO | 2.5 V |
| 集电极连续电流 | 50 mA | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥3.9409
库存：
3,000
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| 订货型号 | CXDM4060N TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CXDM4060N | 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | Surface mount MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current | 封装/外壳/尺寸 | SOT-89 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V | 25°C 时电流 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | 20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 730 pF @ 20 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥1.2077
库存：
2,950
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| 订货型号 | PN4392 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | PN4392 | 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | Through-Hole JFET N Channel | 封装/外壳/尺寸 | TO-92 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V | Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| 闸/源截止电压 | 10 V | 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 175 ℃ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.9874
库存：
2,500
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| 订货型号 | CMPDM7002AHC TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPDM7002AHC | 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | Surface mount MOSFET N-Channel Enhancement Mode | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V | 25°C 时电流 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | 20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 240 pF @ 25 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.7310
库存：
1,196
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CMPDM7002AHC TR PBFREE 样品申请 >>
世强硬创平台提供CMPDM7002AHC TR PBFREE批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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世强硬创平台提供CMPDM7002AHC TR PBFREE期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | 2N2907A PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N2907A | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | TO-18 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 600 mA | 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.6V @ 50mA，500mA | 电流 集电极截止（最大值） | 10nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V | 功率 最大值 | 400 mW |
| 频率 跃迁 | 200MHz | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥9.1530
库存：
970
世强硬创平台提供2N2907A PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
2N2907A PBFREE 在线购买 >>
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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PROCESS CP219 Power TransistorNPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP219 Power Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R3
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP219 Power Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R3
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP219功率晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R3
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）采用TO-18封装的单结晶体管停产通知（PDN01113）
2019年3月19日
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加工CP210小信号晶体管N沟道硅放大器jfet芯片
R5
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加工CP210小信号晶体管N沟道硅放大器jfet芯片
R5
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（美国中央半导体公司）Chip process CP210产品变更通知（PCN174）
2019年8月13日
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工艺CP211功率晶体管NPN-Amp/Switch晶体管芯片
R5
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）CP232V Chip Process产品变更通知（PCN#174）
R0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）关于CP210晶圆停产由CP232V晶圆取代的通知（PCN# 174）
Rev 1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）关于CP210晶圆停产由CP232V晶圆取代的通知（PCN# 174）
Rev 1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
芯片工艺CP216、N沟道场效应晶体管、晶圆和裸片（PCN#202）
R0
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| 数据手册 - 英文 |
2N4851 PN SILICON UNIJUNCTION TRANSISTOR
R2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PCN#202_Rev 1：CP216晶片工艺已停产，并被CP226v晶片工艺取代
Rev 1
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CP210-2N4416 N-Channel JFET Die
R1
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| 数据手册 - 英文 |
CP210-2N4416 N-Channel JFET Die
9-February 2016
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| 数据手册 - 英文 |
CP210-2N4416 N-Channel JFET Die
9-February 2016
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CP210-2N4416 N-Channel JFET Die
9-February 2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） 关于CP206晶圆停产由CP216晶圆取代的通知（PDN01136）
REV 002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）关于CP210晶圆停产由CP232V晶圆取代的通知（PDN01135）
REV 002
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PROCESS CP210 Small Signal TransistorsN - Channel Silicon Amplifer J FET Chip
22-March 2010
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PROCESS CP210 Small Signal TransistorsN - Channel Silicon Amplifer J FET Chip
22-March 2010
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PROCESS CP210 Small Signal Transistors N - Channel Silicon Amplifer J FET Chip
22-March 2010
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PROCESS CP210 Small Signal Transistors N - Channel Silicon Amplifer J FET Chip
22-March 2010
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PROCESS CP210 Small Signal Transistors N - Channel Silicon Amplifer J FET Chip
R5
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PROCESS CP210 Small Signal Transistors N - Channel Silicon Amplifer J FET Chip
R5
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CP216晶片工艺已停产，现由CP226V晶片工艺（PDN01171）取代
4/01/21
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
功率晶体管产品停产通知（PDN01224）
4/19/22
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Central Semiconductor（中央半导体） CP206已停产由CP216取而代之（PCN#165）
2018年4月16日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）关于CP206晶圆停产由CP216晶圆取代的通知（PCN# 165）
Rev 1
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Central Semiconductor（中央半导体）关于CP206晶圆停产由CP216晶圆取代的通知（PCN# 165）
Rev 1
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PROCESS CP211 Power TransistorNPN - Amp/Switch Transistor Chip
22-March 2010
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PROCESS CP211 Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
22-March 2010
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PROCESS CP211 Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
22-March 2010
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PROCESS CP211 Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
22-March 2010
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PROCESS CP211 Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
R5
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PROCESS CP211 Power TransistorNP N - Amp/Switch Transistor Chip
R5
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
裸片晶体管器件产品停产通知（PDN01242）
REV 002
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
按工艺类型排序的每片总模具数
该资料详细列出了不同工艺类型和晶圆尺寸下的裸晶片（Gross Die）数量。内容涵盖了多种工艺过程（如CPD04、CPD06、CPD102X等），不同晶圆尺寸（4英寸、5英寸、6英寸等），以及每个工艺和尺寸组合下的裸晶片数量。资料旨在为读者提供关于裸晶片产量的详细信息，以便于行业内部参考和比较。
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通用晶体管
该资料提供了一系列通用晶体管和射频振荡晶体管的详细规格，包括关键参数如VCEO MIN、IC MIN、VCE(SAT)、hFE MIN、芯片尺寸、厚度以及金属化层厚度等。资料中列出了不同型号的晶体管，并提供了产品链接以便查看详细信息。
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通用晶体管
该资料详细列出了多种通用晶体管的产品信息，包括中央零件编号、最小VCEO、最小IC、VCE(SAT)、hFE最小值、晶圆尺寸、晶圆厚度、顶部金属化和底部金属化等参数。资料中涵盖了不同电压和电流规格的晶体管，适用于各种电子应用。
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MOSFETs JFETs
该资料提供了一系列MOSFET和JFET的详细规格信息，包括最大漏源电压、最大电流、导通电阻、栅极电荷、芯片尺寸、厚度以及金属化层等信息。资料中列出了多个产品型号，并提供了查看详细信息的链接。
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【产品】40V/50mA的硅N沟道结型场效应管CP216-2N4391，可用于模拟开关和斩波应用
Central Semiconductor公司推出了一款用于模拟开关和斩波应用的硅N沟道结型场效应管CP216-2N4391，以裸片形式提供。其栅极-漏极电压为40V，栅源电压为40V，栅电流为50mA，其具有低阻抗、低功耗的优点，适用于小信号场合。可用于模拟开关和斩波应用等场合。
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【产品】40V/50mA 硅N沟道小信号JFET ，适用于模拟开关和斩波，操作和储存结温范围-65℃~175℃
Central Semiconductor公司推出了一款硅N沟道小信号JFET CP216-2N4393，其小信号结型场效应管栅极-漏极电压为40V，栅源电压为40V，栅电流为50mA，其具有低阻抗、低功耗和低保持电压的优点，可用于模拟开关和斩波应用等场合。
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【产品】一款具有低噪声系数的硅N沟道JFET,关断电压最大值为6.0V
CP210-2N4416A是CENTRAL半导体公司推出的一款硅N沟道JFET。其具有很低的噪声系数，专为VHF放大器和混频器应用而设计。CP210-2N4416A N沟道JFET的栅极-源极电压VGS为35V，漏极-源极电压VDS为35V，栅极电流IG为10mA。另外，其关断电压VGS(OFF)最大值为6.0V。该N沟道JFET的工作和存储结温为-65℃~+150℃，能够适应高温环境。
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【产品】10mAN沟道小信号结型场效应管，为VHF放大器和混频器应用而设计
Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，推出的CP210-2N4416系列场效应管是一款为VHF放大器和混频器应用而设计的硅N沟道结型场效应管。适用于高可靠性系统的设计。主要应用于高电压、快速开关、马达驱动器、新能源逆变器、半导体照明等领域。
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