NV SRAM Cross Reference Table Tech Brief
发布时间：
2019-03-22
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
Maxim（美信）
型号：
DS1220AB; DS1220AD; DS1225AB; DS1230AB; DS1230Y; DS1230W; DS1245AB; DS1245Y; DS1245W; DS1249AB; DS1249Y; DS1249W; DS1250AB; DS1250Y; DS1250W; DS1258AB; DS1265AB; DS1265Y; DS1265W; DS1270AB; DS1270Y; DS1270W; M48Z02; M48Z12; M48Z08; M48Z18; M48Z35; M48Z35Y; M48Z35AV; M48Z128; M48Z128Y; M48Z129V; M48Z512A; M48Z512AY; M48Z512AV; M48Z2M1Y; M48Z2M1V; BQ4010MA; BQ4010YMA; BQ4011MA; BQ4011YMA; BQ4013MA; BQ4013YMA; BQ4014MB; BQ4014YMB; BQ4015MA; BQ4015YMA; BQ4016MC; BQ4016YMC; BQ4017MC; BQ4017YMC; DS1258AB/Y/W
本技术简报详细提供了一份NV SRAM（非易失性静态随机存储器）的交叉参考表，重点阐述了Dallas Semiconductor、STMicroelectronics和TI公司生产的NV SRAM产品之间的对应关系。资料通过详细的型号列表，清晰展示了不同品牌器件的互换性，旨在帮助用户在产品选型与替换过程中快速识别兼容方案，并提供了获取相关数据表的链接以供深入查阅。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。Dallas Semiconductor、STMicroelectronics和TI在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外，平台专职FAE团队提供选型、设计验证及调试支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
DS1220AB/AD 16k非易失性SRAM
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1245Y可靠性报告，版本B1 Maxim集成产品
3/7/2009
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS1265W勘误表
Rev: 122002
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| 数据手册 - 英文 |
DS1245Y/AB 1024k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
带SMT的DS1245W 32引脚模块的可靠性报告
09/16/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1249Y/AB 2048k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1220Y DS1220修订版D2 AD使用此部件的可靠性报告
02/11/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1230Y/AB 256k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1230W，28针模块w/SMT达拉斯半导体可靠性报告
09/16/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1225AB/AD 64k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1230AB可靠性报告，28针模块，带SMT
09/16/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1245W 3.3V 1024k非易失性SRAM数据手册
11/10
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
11/8/04
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
8/2/05
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
9/2/2010
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| 数据手册 - 英文 |
DS1230W 3.3V 256k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
模块包的可靠性监控报告
04/27/2005
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| 数据手册 - 英文 |
DS9034PC/PCI PowerCap产品介绍
100102
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| 测试报告 - 英文 |
20131105-E141114 DS1643#UL合规证书
2013-NOVEMBER-05
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| 数据手册 - 英文 |
DS1249W 3.3V 2048kb非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 数据手册 - 英文 |
DS1225Y 64k非易失性SRAM
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1747模块包MAXIM集成产品可靠性监控报告
5/18/2009
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| 技术文档 - 英文 |
马克西姆综合REACH声明欧盟（EU）法规（EC）第1907/2006号，REACH
Revision 22
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| 数据手册 - 英文 |
DS1220Y 16k非易失性SRAM产品介绍
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1249W达拉斯半导体可靠性报告
09/13/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1248/DS1248P 1024K NV SRAM with Phantom Clock
Rev 11/11
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| 电路原理图 - 英文 |
3721，图4。电路原理图
Revision B
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| 数据手册 - 英文 |
DS1222银行交换机芯片
111899
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| 测试报告 - 英文 |
DS1230 DAL 0.8μm硅栅CMOS MAXIM集成产品可靠性监测报告
4/11/2009
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| 电路原理图 - 英文 |
511Fig01 电路原理图
2018/10/27
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| 数据手册 - 英文 |
DS1244/DS1244P 256K NV SRAMwith Phantom Clock
Rev 11/11
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世强AI
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应用/方案
NV SRAM设备编程器
本应用笔记列出了制造支持Dallas Semiconductor NV SRAM模块的第三方编程器的供应商。这些供应商包括BPM Microsystems、Xeltek、Data I/O、B+K Precision、EE Tools、Needham's Electronics、Dataman、Advin、Hi-LO SYSTEMS、Minato Electronics Inc.和Phyton等。该列表并非详尽无遗，但可作为寻找设备编程器时的起点。供应商列表无特定顺序，具体编程器信息请参考各公司网站。
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非易失性SRAM的低温数据保持
本文探讨了在低温环境下非易失性SRAM（静态随机存储器）的数据保持问题。文章详细介绍了在极端低温环境条件下支持非易失性存储器所需的电流特性。通过对比不同类型的锂电池（如BR2032和ML2020R）在不同温度下的性能，分析了SRAM的数据保持电流和电池寿命。文章指出，在低温环境下，电池性能会受到影响，但通过选择合适的电池和SRAM组件，可以实现超过5年的连续电池备份。
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非易失性存储器元件的替换规则
本文介绍了在现有设计中替换非易失性（NV）存储器组件的基本指南。文章详细解释了如何根据产品编号选择合适的存储器组件，包括内存密度、I/O配置、电源容忍度、功能速度和温度范围。此外，还提供了关于RoHS合规性和组件升级对系统性能影响的信息。文章强调了选择正确组件的重要性，并提供了替换规则和示例。
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用Maxim镜头驱动为视障人士聚焦世界
Evergaze公司开发的seeBOOST可穿戴设备，通过集成电子视觉增强系统，帮助视力受损者改善视力。该设备采用自动对焦、对比度和亮度增强、可选颜色模式和可调节放大等功能。Evergaze与Maxim Integrated合作，使用其MAX44009镜头驱动器等组件，满足了小尺寸、低功耗和高可靠性的要求。seeBOOST眼镜为用户提供了即时的视觉改善，帮助他们完成日常任务，如阅读邮件、支付账单或玩桥牌游戏。
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电源•接口•模拟•通信•传感器嵌入式安全•iButton•微控制器
Maxim Integrated提供广泛的元器件产品，涵盖电源、接口、模拟、通信、传感器、嵌入式安全和微控制器等领域。产品包括电池管理、充电器、开关、模拟开关、宽带开关、DC-DC转换器、控制器、音频设备、电源管理IC、数字I/O、电源模块、时钟发生器、MOSFET驱动器、高速信号、充电泵、数据转换器、IO-Link、显示电源和控制、隔离IC、滤波器、保护和控制、实时时钟、电平转换器、隔离电源、传感器接口、视频产品、LED驱动器、信号线保护、电压参考、低 dropout线性稳压器、信号完整性、以太网供电、收发器、电机驱动器、监控器和序列器、USB产品。此外，还提供iButton、内存、传感器和微控制器等解决方案。
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Tecnofingers（TNFG）通过Maxim电源管理和传感器ic加速电子产品开发客户成功案例
Tecnofingers (TNFG) 利用Maxim的电源管理和传感器IC，开发了rhomb.io模块化系统，以加速电子产品开发。该系统提供多种预组装组件，如处理器核心和功能模块，支持设计师快速构建、设计和测试产品。Maxim的IC产品，如MAX30101脉搏血氧仪和心率传感器、MAX44005 RGB颜色、温度和红外接近传感器、MAX8814 28V线性Li+电池充电器等，满足了TNFG对小型化IC和良好技术支持的需求，支持了其产品开发。
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使用NVSRAM时的时序考虑
本文介绍了Maxim非易失性SRAM（NVSRAM）在系统内存时序方面的考虑。内容包括NVSRAM模块的构成、操作模式、读写周期、时序图解析以及时序定义的重要性。文章强调了VCC电压、地址总线稳定性和周期时间等关键因素，并提供了读写操作的详细说明和时序要求。
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如何用等效密度的NV SRAM模块替换DS1213 SmartSocket
本文介绍了如何使用与DS1213 SmartSocket兼容的5V NV SRAM模块来替换已达到生命周期的DS1213产品。文章详细说明了替换决策过程，包括选择合适的NV SRAM模块，以及针对不同型号的SmartSocket进行PCB修改的步骤。此外，还提供了相关替换产品的信息和技术规格。
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Maxim产品中锂电池含量应用说明
本文档介绍了Maxim产品中嵌入的锂电池内容。由于环境和运输法规的变化，客户询问了部分产品中的电池。表格1列出了含有锂硬币电池的活跃产品。文档还提供了如何查找相关电池的安全数据表（MSDS）的信息。
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NV SRAM常见问题
本应用笔记详细讨论了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的理论、操作和应用，包括DS1220、DS1225和DS1230等型号。内容涵盖NV SRAM模块结构、电池、控制器和SRAM的概述，以及与8位Motorola和Intel总线结构的接口信息。此外，还解答了在设计、测试、制造和使用NV SRAM过程中常见的疑问，并讨论了某些旧型号产品的替代方案。
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UnaliWear通过Maxim ModelGauge燃油表帮助人们保持独立客户成功案例
UnaliWear的Kanega智能手表旨在帮助老年人保持独立生活。该手表无需连接到家庭系统或智能手机，内置电池系统和多种通信技术（包括蜂窝、蓝牙、Wi-Fi和GPS）。为了满足严格的电源管理需求，UnaliWear选择了Maxim Integrated的多款IC产品，如MAX77818燃料计量器、MAX17201独立式燃料计量器和MAX14634双向电池开关等，以确保电池状态信息的准确性。这些解决方案有助于缩短设计周期并提高产品质量。
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HD Medical可视化记录心脏波形，使用MAX32620更好地筛选患者客户成功案例
HD Medical利用MAX32620等高性能、低功耗、小尺寸的IC，开发了ViScope电子听诊器，通过实时视觉显示心电波形，帮助医生进行更准确的初步患者筛查。随后，公司推出了集成心电图功能的智能电子听诊器HD Steth，可通过蓝牙将数据传输到智能手机，并开发了基于云的预测算法，进一步分析数据。Maxim的芯片组在性能、尺寸和功耗方面优于竞争对手，显著提高了听诊器的电池寿命和设计周期。
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Healcerion Co.利用MAX2082 AFE和MAX4968B模拟开关为偏远地区提供经济实惠的高品质医疗服务客户成功案例
Healcerion公司利用MAX2082模拟前端放大器和MAX4968B模拟开关，成功开发出便携式超声设备SONON，为偏远地区的医疗工作者提供低成本、高质量的医疗服务。该设备连接智能手机，通过云平台实现远程指导，输出高质量的超声图像，有助于非专业用户进行诊断。与市场上昂贵的超声设备相比，SONON的价格仅为十分之一。通过使用MAXIM的元器件，Healcerion实现了小型化、低功耗的设计要求，并获得了多项奖项。
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DS1233如何在断电时保存数据而不损坏It应用程序说明
本文探讨了如何使用DS1233在电源故障期间保存数据而不会损坏NV SRAM。文章介绍了NV SRAM的特点，如易用性、写保护电路和10年的信息存储能力。此外，文章还讨论了如何通过使用第二电压监测设备（如DS1233B）来提前检测即将发生的电源故障，以便微处理器有足够的时间执行系统维护功能，从而在内存被写保护之前保存数据。文章通过计算和示例说明了在电源电压从5%下降到10%之间，微处理器能够执行的指令数量，强调了提前检测电源故障的重要性。
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使用非易失性静态RAM
本文介绍了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的特点和应用。NV SRAM结合了SRAM的高性能和EEPROM的非易失性，适用于需要快速读写和持久存储数据的应用。文章比较了NV SRAM与其他存储器技术，如DRAM、SRAM、EEPROM、Flash等，并讨论了NV SRAM在便携式设备、数据记录和系统BIOS存储等领域的应用。
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非易失性SRAM在嵌入式系统中的应用
本文介绍了如何将非易失性SRAM (NV SRAM) 集成到嵌入式系统中，并比较了NV SRAM与其他存储解决方案（如EPROM、EEPROM、Flash）的优缺点。文章详细阐述了NV SRAM的特点，包括无限制的写入周期、与标准SRAM相同的接口和访问时间，以及如何将其用作程序或数据存储。此外，还讨论了NV SRAM在微控制器系统中的应用，包括校准信息存储、数据记录应用等，并提供了使用NV SRAM的电路设计和注意事项。
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