Using Nonvolatile Static RAMs
发布时间：
2019-03-22
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
Maxim（美信）
型号：
DS1220; DS1225; DS1230; DS1245; DS1250; DS1645; MK48Z08; MK48Z18
该应用笔记详细阐述了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的技术特点与应用优势。NV SRAM融合了SRAM的高速读写性能与EEPROM的非易失性特征，有效解决了传统存储器在掉电数据保存与访问速度之间的矛盾。文章深入对比了NV SRAM与DRAM、SRAM、EEPROM及Flash等其他存储技术的差异，明确了其在便携式设备、数据记录系统及系统BIOS存储等关键领域的适用性，为需要快速读写和持久存储数据的应用场景提供了理想的存储方案。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持，涵盖选型指导、设计验证及调试服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
DS1225AB/AD 64k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1245Y可靠性报告，版本B1 Maxim集成产品
3/7/2009
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS1265W勘误表
Rev: 122002
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| 数据手册 - 英文 |
DS9034PC/PCI PowerCap产品介绍
100102
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
11/8/04
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
8/2/05
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| 数据手册 - 英文 |
DS1245Y/AB 1024k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
模块包的可靠性监控报告
04/27/2005
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| 数据手册 - 英文 |
DS1220AB/AD 16k非易失性SRAM
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1220Y DS1220修订版D2 AD使用此部件的可靠性报告
02/11/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1250Y/AB 4096k Nonvolatile SRAM
Rev 12/10
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| 测试报告 - 英文 |
20131105-E141114 DS1643#UL合规证书
2013-NOVEMBER-05
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| 数据手册 - 英文 |
DS1230W 3.3V 256k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 数据手册 - 英文 |
DS1225Y 64k非易失性SRAM
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1747模块包MAXIM集成产品可靠性监控报告
5/18/2009
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| 数据手册 - 英文 |
DS1245W 3.3V 1024k非易失性SRAM数据手册
11/10
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| 技术文档 - 英文 |
马克西姆综合REACH声明欧盟（EU）法规（EC）第1907/2006号，REACH
Revision 22
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| 数据手册 - 英文 |
DS1220Y 16k非易失性SRAM产品介绍
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
20131227-E141114 DS1201#UL合格证书
2013-DECEMBER-27
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| 测试报告 - 英文 |
20131227-E141114 DS1201#UL合格证书
2013-DECEMBER-27
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| 数据手册 - 英文 |
DS1230Y/AB 256k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 数据手册 - 英文 |
DS1250W 3.3V 4096k非易失性SRAM
Rev 12/10
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| 测试报告 - 英文 |
带SMT的DS1245W 32引脚模块的可靠性报告
09/16/2004
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| 数据手册 - 英文 |
带晶体的DS9034PCX PowerCap
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1230 DAL 0.8μm硅栅CMOS MAXIM集成产品可靠性监测报告
4/11/2009
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| 电路原理图 - 英文 |
RTC Reference Design - R.T.C. Inf. 电路原理图
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
DS1249Y/AB 2048k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1249W达拉斯半导体可靠性报告
09/13/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1248/DS1248P 1024K NV SRAM with Phantom Clock
Rev 11/11
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| 测试报告 - 英文 |
DS1254 BGA模块包MAXIM集成产品可靠性监控报告
4/20/2008
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| 数据手册 - 英文 |
DS1249W 3.3V 2048kb非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
达拉斯半导体可靠性监测报告
07/28/2004
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| 测试报告 - 英文 |
达拉斯半导体可靠性监测报告
11/8/04
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| 测试报告 - 英文 |
达拉斯半导体可靠性监测报告
7/20/2007
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
DS1233如何在断电时保存数据而不损坏It应用程序说明
本文探讨了如何使用DS1233在电源故障期间保存数据而不会损坏NV SRAM。文章介绍了NV SRAM的特点，如易用性、写保护电路和10年的信息存储能力。此外，文章还讨论了如何通过使用第二电压监测设备（如DS1233B）来提前检测即将发生的电源故障，以便微处理器有足够的时间执行系统维护功能，从而在内存被写保护之前保存数据。文章通过计算和示例说明了在电源电压从5%下降到10%之间，微处理器能够执行的指令数量，强调了提前检测电源故障的重要性。
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非易失性存储器元件的替换规则
本文介绍了在现有设计中替换非易失性（NV）存储器组件的基本指南。文章详细解释了如何根据产品编号选择合适的存储器组件，包括内存密度、I/O配置、电源容忍度、功能速度和温度范围。此外，还提供了关于RoHS合规性和组件升级对系统性能影响的信息。文章强调了选择正确组件的重要性，并提供了替换规则和示例。
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Maxim产品中锂电池含量应用说明
本文档介绍了Maxim产品中嵌入的锂电池内容。由于环境和运输法规的变化，客户询问了部分产品中的电池。表格1列出了含有锂硬币电池的活跃产品。文档还提供了如何查找相关电池的安全数据表（MSDS）的信息。
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MAX17000完整的DDR2和DDR3内存电源管理解决方案
MAX17000是一款专为笔记本DDR、DDR2和DDR3内存提供完整电源管理解决方案的PWM控制器。它包括降压控制器、源/汇LDO稳压器和参考缓冲器，用于生成所需的VDDQ、VTT和VTTR电源轨。该控制器具有高效率、恒定导通时间PWM控制器，能够轻松处理宽输入/输出电压比，并提供100ns的负载瞬态响应。MAX17000还具备过压、欠压和热保护功能，支持三种运行模式：高效跳过模式、低噪声强制PWM模式和待机模式。
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NV SRAM设备编程器
本应用笔记列出了制造支持Dallas Semiconductor NV SRAM模块的第三方编程器的供应商。这些供应商包括BPM Microsystems、Xeltek、Data I/O、B+K Precision、EE Tools、Needham's Electronics、Dataman、Advin、Hi-LO SYSTEMS、Minato Electronics Inc.和Phyton等。该列表并非详尽无遗，但可作为寻找设备编程器时的起点。供应商列表无特定顺序，具体编程器信息请参考各公司网站。
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如何用等效密度的NV SRAM模块替换DS1213 SmartSocket
本文介绍了如何使用与DS1213 SmartSocket兼容的5V NV SRAM模块来替换已达到生命周期的DS1213产品。文章详细说明了替换决策过程，包括选择合适的NV SRAM模块，以及针对不同型号的SmartSocket进行PCB修改的步骤。此外，还提供了相关替换产品的信息和技术规格。
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NV SRAM常见问题
本应用笔记详细讨论了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的理论、操作和应用，包括DS1220、DS1225和DS1230等型号。内容涵盖NV SRAM模块结构、电池、控制器和SRAM的概述，以及与8位Motorola和Intel总线结构的接口信息。此外，还解答了在设计、测试、制造和使用NV SRAM过程中常见的疑问，并讨论了某些旧型号产品的替代方案。
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非易失性SRAM的低温数据保持
本文探讨了在低温环境下非易失性SRAM（静态随机存储器）的数据保持问题。文章详细介绍了在极端低温环境条件下支持非易失性存储器所需的电流特性。通过对比不同类型的锂电池（如BR2032和ML2020R）在不同温度下的性能，分析了SRAM的数据保持电流和电池寿命。文章指出，在低温环境下，电池性能会受到影响，但通过选择合适的电池和SRAM组件，可以实现超过5年的连续电池备份。
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使用NVSRAM时的时序考虑
本文介绍了Maxim非易失性SRAM（NVSRAM）在系统内存时序方面的考虑。内容包括NVSRAM模块的构成、操作模式、读写周期、时序图解析以及时序定义的重要性。文章强调了VCC电压、地址总线稳定性和周期时间等关键因素，并提供了读写操作的详细说明和时序要求。
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非易失性SRAM在嵌入式系统中的应用
本文介绍了如何将非易失性SRAM (NV SRAM) 集成到嵌入式系统中，并比较了NV SRAM与其他存储解决方案（如EPROM、EEPROM、Flash）的优缺点。文章详细阐述了NV SRAM的特点，包括无限制的写入周期、与标准SRAM相同的接口和访问时间，以及如何将其用作程序或数据存储。此外，还讨论了NV SRAM在微控制器系统中的应用，包括校准信息存储、数据记录应用等，并提供了使用NV SRAM的电路设计和注意事项。
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NV SRAM对照表技术简介
本资料提供了一份NV SRAM（非易失性静态随机存储器）的交叉参考表，列出了Dallas Semiconductor、STMicroelectronics和TI公司生产的NV SRAM产品之间的对应关系。表格中包含了不同型号的NV SRAM及其对应的型号，方便用户进行产品选择和替换。资料还提供了获取相关数据表的网站链接。
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如何用等效密度幻像时钟模块替换DS1216 SmartSocket应用说明
本文介绍了如何使用与DS1216 SmartSocket兼容的等效密度5V Phantom时钟模块来替换DS1216 SmartWatch产品。由于PDIP SRAM的供应减少，DS1216 SmartWatch产品正迅速接近停产。大多数SmartWatch产品可以使用这种模块进行替换，提供即插即用的解决方案，并保证至少10年的数据保留寿命。文章还提供了替换模块的选择表，以及有关模块的技术规格和订购信息。
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DS1216使用达拉斯幻像实时时钟（RTCs）应用说明
本文档介绍了如何将达拉斯幽灵实时时钟（RTC）与微控制器内存系统接口，并描述了一些编程考虑因素和常见问题。达拉斯幽灵实时时钟是一种结合了透明CMOS计时器和非易失性静态RAM的设备，其时间保持器对RAM/ROM内存映射是透明的，不占用任何现有RAM/ROM位置。文档详细介绍了DS1315幽灵时间芯片、DS1216智能插座以及DS124x和DS1254非易失性SRAM模块，并提供了与8051微控制器接口的示例代码。此外，文档还讨论了故障排除、常见问题和常见陷阱。
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