UMS CHK8101a99F 20W Power Bar GaN HEMT on SiC
发布时间：
2019-03-26
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
UMS
型号：
CHK8101a99F; CHK8101a99F/00
本数据手册详细介绍了UMS公司推出的CHK8101a99F器件，这是一款基于碳化硅衬底开发的20W氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）。该产品采用0.5微米栅长技术，具备卓越的宽频带能力，频率范围最高可达6GHz，并支持脉冲和连续波（CW）两种操作模式。在技术特性方面，CHK8101a99F展现了高输出功率和高功率附加效率（PAE）的优势，其直流偏置VDS高达50V，芯片尺寸紧凑，仅为1.05x1.55x0.1毫米。此外，该器件符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006环保规定，适用于雷达和电信等多种射频功率应用场景。针对文中所述器件，UMS在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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UMS官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是UMS的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供UMS的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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UMS——24G雷达解决方案全球出货量第一供应商
United Monolithic Semiconductors (UMS)是欧洲领先的射频MMIC产品和专门市场的foundry service代工服务，包括国防和航天、电信、汽车雷达和24G工业雷达传感器。
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现货平台 / UMS 授权代理店
| 订货型号 | CHK8101A99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHK8101A99F | 品类 | Power Bar, GaN HEMT on SiC |
| 描述/说明 | 20W Power Bar;GaN HEMT on SiC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| Glin(dB) @ Freq(GHz) | 14 @ 6 | Operating Frequency(GHz) | Up to 6 |
| Saturated Power(W) | 20 | PAE(%) @ Freq(GHz) | 60 @ 6 |
| Bias(mA) | 0.1 | Bias(V) | 50 |
| Case | Die | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥296.1504
库存：
0
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| 订货型号 | CHA3666-QAG/20 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3666-QAG/20 | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package | 封装/外壳/尺寸 | 16L-QFN |
| 最小包装量 | 120 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 5.8 | RF Bandwidth (GHz)max | 17 |
| Gain(dB) | 21 | Noise Figure(dB) | 1.8 |
| P1dB OUT(dBm) | 16 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 4 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥191.1053
库存：
2,985
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| 订货型号 | CHA2069-99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA2069-99F | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 18-31GHz Low Noise Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 16 | RF Bandwidth (GHz)max | 31 |
| Gain(dB) | 22 | Gain Flatness(+/dB) | 1 |
| Noise Figure(dB) | 2.5 | P1dB OUT(dBm) | 10 |
| Bias(mA) | 55 | Bias(V) | 4.5 |
| Case | Die | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥183.5117
库存：
2,350
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| 订货型号 | CHA3666-QAG/21 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3666-QAG/21 | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package,卷带 | 封装/外壳/尺寸 | 16L-QFN |
| 最小包装量 | 120 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 5.8 | RF Bandwidth (GHz)max | 17 |
| Gain(dB) | 21 | Noise Figure(dB) | 1.8 |
| P1dB OUT(dBm) | 16 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 4 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥191.1053
库存：
1,753
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| 订货型号 | CHS2411-QDG/21/LOGS01K | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHS2411-QDG | 品类 | GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 23-26GHz Reflective SP4T Switch.GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 23 | RF Bandwidth (GHz)max | 26 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥177.5640
库存：
1,503
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| 订货型号 | CHX1191-98F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHX1191-98F | 品类 | Frequency Multiplier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 13.5-40.5GHz Frequency Multiplier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| Xn | X3 | Input Bandwidth (GHz)min | 11.25 |
| Input Bandwidth (GHz)max | 14.5 | Output Bandwidth (GHz)min | 33.75 |
| Output Bandwidth (GHz)max | 43.5 | Input Power(dBm) | -1 |
| Output Power(dBm) | 6 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 5 | Case | Die |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥225.1503
库存：
1,300
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| 订货型号 | CHA3218-99F/00 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3218 | 品类 | 低噪声放大器 |
| 描述/说明 | CHA3218-99F是一个两级甚宽带低噪声放大器。与2dB低噪声系数相关的宽频带使得该电路对于非常高性能的系统非常通用。它是为广泛的应用而设计的,从军事到商业通信系统。该电路采用pHEMT电子迁移率晶体管工艺制造,栅长0.15μm,通孔穿过衬底,空气桥和电子束栅光刻。它以芯片形式提供 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥449.5891
库存：
1,000
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| 订货型号 | CHV2411AQDG/20 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHV2411AQDG, CHV2411 | 品类 | Fully Integrated HBT K-band VCO, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | Fully Integrated HBT K-band VCO GaAs Monolithic Microwave IC in QFN package | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 90 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Central Output Freq(GHz) | 24.125 | Resonator Freq | 2 |
| Tuning(MHz) | -90 | Noise @ 100KHz(dBc/Hz) | 16 |
| Output Power(dBm) | 220 | Bias(mA) | 5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供CHV2411AQDG/20在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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CHV2411AQDG/20 交期查询 >>
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| 订货型号 | CHV2270-98F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHV2270-98F | 品类 | GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | Fully Integrated Ku-band HBT VCO Low cost / High linearity; GaAs Monolithic Microwave IC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| Central Output Freq(GHz) | 12.7 | Resonator Freq | 1.2 |
| Tuning(MHz) | -100 | Noise @ 100KHz(dBc/Hz) | 14 |
| Output Power(dBm) | 150 | Bias(mA) | 4.5 |
| Case | Die | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥178.3705
库存：
100
世强硬创平台提供CHV2270-98F在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CHV2270-98F 在线购买 >>
世强硬创平台提供CHV2270-98F样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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CHV2270-98F 交期查询 >>
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| 订货型号 | CHA5350-99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA5350-99F | 品类 | Medium Power Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 17-24GHz Medium Power Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 17 | RF Bandwidth (GHz)max | 24 |
| Gain(dB) | 26 | IP3(dBm) | 35.5 |
| P-1dB OUT(dBm) | 26.5 | Sat. Output Power(dBm) | 27 |
| Bias(mA) | 300 | Bias(V) | 6 |
| Case | Die | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥305.8959
库存：
100
世强硬创平台提供CHA5350-99F在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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资料平台
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| 数据手册 - 英文 |
CHX2089-99F 9-18GHz 倍频器
DSCHX20890301 - 27 Oct 20
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| 数据手册 - 英文 |
S波段6位数字移相器
DSCHP4012a0301
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| 数据手册 - 英文 |
CHA3801-99F L波段低噪声放大器GaAs单片微波集成电路
DSCHA38013066 - 07 Mar 23
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| 数据手册 - 英文 |
CHP3015-99F X波段6位数字移相器
DSCHP30155239 - 27 Aug 25
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| 数据手册 - 英文 |
10W 37.5-43.5GHz 高功率放大器
DSCHA84545349 - 15 Dec 25
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| 数据手册 - 英文 |
AI2414 - 17-21.5GHz 中功率放大器
AI24145302
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| 数据手册 - 英文 |
CHA4252-QKB
DSCHA42525239-QKB - 27 Aug 25
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CHR2270-QRG产品停产通知
February 25th 2025
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| 数据手册 - 英文 |
BES肖特基二极管铸造工艺数据表
2024/6/10
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| 数据手册 - 英文 |
高级信息：采用QFN封装的AI2214 24-27.5GHz 4W HPA氮化镓单片微波IC
26 Mar 24
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| 技术文档 - 英文 |
尝试氮化镓GH15 MPW与UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和代工服务2024-秋季
2024/2/2
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| 技术文档 - 英文 |
利用低噪声、高成本效益的UMS PH25 GaAs工艺
2024/2/2
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| 技术文档 - 英文 |
利用宽带、低噪声、中等功率UMS PH10 GaAs工艺2024-Winter
2024/2/2
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| 数据手册 - 英文 |
CHA6682-98F 24-27.5GHz 5W功率放大器氮化镓单片微波集成电路裸片
15 Dec 23
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技术论坛
雷达项目需求GaN HEMT芯片，最好是裸片，频段要求5G，功率暂无需求，请帮忙推荐一下？
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选型替换UMS的EC2612-99F，不过带宽不必要那么宽，10MHz-18GHz以上即可，低噪声的晶体管，具体增益和噪声系数可以和EC2612-99F一样或更好，需要那种供货快的
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有没有适用于RFOF光模块且带宽达到6GHz的射频放大器
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世强AI
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应用/方案
氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
本资料介绍了UMS公司提供的GaN和GaAs元器件产品，涵盖中频、固定无线5G、毫米波射频测量和室内无线回程等领域。产品包括GaN和GaAs集成前端、高功率放大器、低噪声放大器、开关、功率检测器等。产品具有高功率、低噪声、高隔离等特点，适用于多种频段，如26/28GHz、V、E波段等。此外，还提供了SiP封装和QFN封装选项，以满足不同应用需求。
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氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及晶圆代工解决方案，涵盖中频和毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器和室内设备等领域。产品包括线性高功率放大器、超低噪声放大器、快速高隔离开关等，支持多种频段，如26、28、39、47GHz等。此外，还提供了多种封装选项，包括QFN、DFN等，以满足不同应用需求。资料还展示了不同频段下的产品性能参数，如增益、IP3、OP1dB等。
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氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及代工解决方案，涵盖中频、毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器、室内设备以及V、E、W和D波段无线回程等领域。产品包括前端模块、高功率放大器、低噪声放大器、开关、系统级封装（SiP）、多芯片集成等。资料还展示了不同频段的产品参数，如增益、饱和功率、线性度等，并提供了UMS公司的联系方式和全球分销商信息。
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L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM Products提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供多种封装解决方案，满足传统GEO和新LEO上行链路和下行链路的需求。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。
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L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaN技术，满足客户对LNA、PA和频率转换的需求。公司产品经过空间评估和产品认证，适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供广泛的封装解决方案，覆盖GEO和LEO卫星通信。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。
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用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案
UMS公司提供适用于新太空、近地轨道（LEO）、地球同步轨道（GEO）、深空任务、地球观测和通信的太空解决方案。公司拥有超过100,000个飞行的MMICs，采用先进的GaAs和GaN技术，提供裸片或封装的目录产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS的产品已在GEO轨道以上飞行，并符合ESA/ESCC标准。
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我们最新发布的国防产品精选
UMS公司推出一系列新型GaN和GaAs元器件，用于雷达和电子战应用。产品包括LNA放大器和MPA放大器，涵盖不同频段和性能参数。详情请访问UMS官方网站www.ums-rf.com。
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UMS Bare Die GaN Power Bars are Available in Hermetic, Plastic, or Flange Packages
UMS introduced a range of bare die GaN power bars. These devices can be optimized in systems according to specific requirements: PAE, power, robustness… To fine-tune the overall performance, UMS ULRC technology, available in foundry mode, enables the design of needed matching elements.
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【产品】UMS新推15W GaN晶体管CHK8101-SYC，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用
UMS推出的CHK8101-SYC是一款优异的15W GaN晶体管，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用。CHK8101-SYC适用于多种射频功率应用的宽带解决方案，例如多用途、空间和电信应用。
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UMS Newly Launches a 15W GaN Transistor CHK8101-SYC with Low Consumption of 50V@100mA, Used for RF Power Applications
The CHK8101-SYC GaN transistor has been designed on UMS 0.5µm space evaluated proprietary GaN technology. It was the 1st one of a range of space-qualified hermetically packaged power transistors.
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利用UMS实现5G：氮化镓、GaAs产品和代工解决方案
本资料主要介绍了UMS公司提供的GaN和GaAs产品及代工解决方案，涵盖中频和毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器和室内设备等领域。产品包括前端模块、功率放大器、低噪声放大器、开关、功率检测器等，支持多种频段，如26、28、39、47GHz等。资料还提供了不同频段的产品参数和性能指标，以及UMS公司的联系方式和分销商信息。
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