DS1251/DS1251P 4096K NV SRAM with Phantom Clock
发布时间：
2019-03-28
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Maxim（美信）
型号：
DS1251; DS1251P; DS9034PCX; DS1251W-120+; DS1251W-120IND+; DS1251WP-120+; DS1251WP-120IND+; DS1251Y-70+; DS1251YP-70+; DS1251YP-70IND+; DS9034PCX+
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
带晶体的DS9034PCX PowerCap
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS9034PCX和DS9034PC0弹簧供应商（CHI CHENG）Dallas Semiconductor的可靠性报告
05/14/03
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS1265W勘误表
Rev: 122002
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| 商品功能框图 - 英文 |
电源盖™ ，990 34针电源盖™ 模块
REV A
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| 数据手册 - 英文 |
DS1250W 3.3V 4096k非易失性SRAM
Rev 12/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1251P，34针电源帽底座w/DS9034X帽达拉斯半导体可靠性报告
09/16/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1486/DS1486P分支式看门狗计时器
REV:012505
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| 测试报告 - 英文 |
DS1251 32引脚模块高密度SMT达拉斯半导体可靠性报告
09/13/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1250Y/AB 4096k Nonvolatile SRAM
Rev 12/10
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 数据手册 - 英文 |
DS1230W 3.3V 256k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1259可靠性报告
05/27/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1330W 3.3V 256k非易失性SRAM，带电池监控器
Rev 10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1254 BGA模块包MAXIM集成产品可靠性监控报告
4/20/2008
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| 数据手册 - 英文 |
DS1644/DS1644P Nonvolatile Timekeeping RAM
Rev 4/10
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| 测试报告 - 英文 |
达拉斯半导体可靠性监测报告
7/28/04
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| 测试报告 - 英文 |
达拉斯半导体可靠性监测报告
07/28/2004
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| 测试报告 - 英文 |
达拉斯半导体可靠性监测报告
11/8/04
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| 测试报告 - 英文 |
达拉斯半导体可靠性监测报告
1/20/2007
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| 测试报告 - 英文 |
达拉斯半导体可靠性监测报告
7/20/2007
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| 技术文档 - 英文 |
马克西姆综合REACH声明欧盟（EU）法规（EC）第1907/2006号，REACH
Revision 22
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| 数据手册 - 英文 |
DS1647/DS1647P Nonvolatile Timekeeping RAM
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1254W W/DS3800 Cap Fastech，单面PCB Dallas Semiconductor的可靠性报告
03/04/04
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| 数据手册 - 英文 |
DS1646/DS1646P Nonvolatile Timekeeping RAM
Rev 10/10
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| 数据手册 - 英文 |
DS1743/DS1743P Y2K-Compliant, Nonvolatile Timekeeping RAMs
Rev 9/13
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| 测试报告 - 英文 |
DS1258W，1Meg，3V，SRAM模块达拉斯半导体可靠性报告
06/03/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1345W 3.3V 1024k非易失性SRAM，带电池监控器
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1258Y，1Meg，5V，SRAM模块可靠性报告
06/03/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS9034PC/PCI PowerCap产品介绍
100102
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| 测试报告 - 英文 |
DS1244P、34针电源盖底座和DS9034X电源盖的可靠性报告
09/16/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1248/DS1248P 1024K NV SRAM with Phantom Clock
Rev 11/11
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| 测试报告 - 英文 |
DS1254Y W/DS3800 Cap、Fastech、Dallas Semiconductor单面PCB的可靠性报告
03/04/04
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| 数据手册 - 英文 |
DS1350W 3.3V 4096k非易失性SRAM，带电池监控器
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
20131105-E141114 DS1643#UL合规证书
2013-NOVEMBER-05
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| 数据手册 - 英文 |
DS1245Y/AB 1024k非易失性SRAM
Rev 11/10
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世强AI
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应用/方案
如何用等效密度幻像时钟模块替换DS1216 SmartSocket应用说明
本文介绍了如何使用与DS1216 SmartSocket兼容的等效密度5V Phantom时钟模块来替换DS1216 SmartWatch产品。由于PDIP SRAM的供应减少，DS1216 SmartWatch产品正迅速接近停产。大多数SmartWatch产品可以使用这种模块进行替换，提供即插即用的解决方案，并保证至少10年的数据保留寿命。文章还提供了替换模块的选择表，以及有关模块的技术规格和订购信息。
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DS9034PCX PowerCap封装允许密度升级，表面贴装组件应用说明
本应用笔记概述了PowerCap产品线，该产品线允许在保持温度敏感的晶体和/或电池在单独的卡扣式组件中的同时，实现组件基座的表面贴装。PowerCap封装提供了易于升级内存密度的功能，无需更改PCB硬件布局。该产品支持从8k x 8到512k x 8不同密度的内存，并提供了多种时钟和NV SRAM选项。PowerCap和模块基座组装方式独特，保护锂电池免受回流焊高温的影响。
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Maxim产品中锂电池含量应用说明
本文档介绍了Maxim产品中嵌入的锂电池内容。由于环境和运输法规的变化，客户询问了部分产品中的电池。表格1列出了含有锂硬币电池的活跃产品。文档还提供了如何查找相关电池的安全数据表（MSDS）的信息。
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币形锂电池：应用寿命预测应用说明
本文探讨了锂电纽扣电池在无系统电源情况下的使用寿命预测。文章分析了影响IC使用寿命的主要因素，包括电池容量、电流需求、温度等。同时，介绍了Maxim的电池备份产品设计和制造过程，以及如何通过电池控制器和模块产品来延长系统寿命。文章还提供了电池寿命的计算方法和实例。
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DS1216使用达拉斯幻像实时时钟（RTCs）应用说明
本文档介绍了如何将达拉斯幽灵实时时钟（RTC）与微控制器内存系统接口，并描述了一些编程考虑因素和常见问题。达拉斯幽灵实时时钟是一种结合了透明CMOS计时器和非易失性静态RAM的设备，其时间保持器对RAM/ROM内存映射是透明的，不占用任何现有RAM/ROM位置。文档详细介绍了DS1315幽灵时间芯片、DS1216智能插座以及DS124x和DS1254非易失性SRAM模块，并提供了与8051微控制器接口的示例代码。此外，文档还讨论了故障排除、常见问题和常见陷阱。
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DS1216使用SmartWatch/Phantom时钟与微控制器应用说明
本应用笔记展示了如何将Phantom实时时钟（RTC）与微控制器接口连接。内容包括电路图和示例代码，介绍了如何通过独特的64位序列访问时间数据，以及如何使用DS1216C、DS1216E、DS1243Y或DS1244Y与DS2250微控制器进行连接。
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DS1553使用看门狗计时RAM与单片机的应用说明
本文介绍了使用微控制器与看门狗定时器RAM结合的实时时钟（RTC）应用。文章详细说明了非易失性RTC系列产品的特性，包括电池备份的静态RAM、时间和日期以及看门狗定时器。文章还提供了DS155系列RTC产品的引脚配置、软件示例以及与DS87C320高速微控制器的兼容性。此外，文章还涉及了RTC的初始化、时间日期设置、时钟寄存器访问、RAM读写操作以及看门狗定时器的测试。
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NV SRAM常见问题
本应用笔记详细讨论了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的理论、操作和应用，包括DS1220、DS1225和DS1230等型号。内容涵盖NV SRAM模块结构、电池、控制器和SRAM的概述，以及与8位Motorola和Intel总线结构的接口信息。此外，还解答了在设计、测试、制造和使用NV SRAM过程中常见的疑问，并讨论了某些旧型号产品的替代方案。
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DS1233如何在断电时保存数据而不损坏It应用程序说明
本文探讨了如何使用DS1233在电源故障期间保存数据而不会损坏NV SRAM。文章介绍了NV SRAM的特点，如易用性、写保护电路和10年的信息存储能力。此外，文章还讨论了如何通过使用第二电压监测设备（如DS1233B）来提前检测即将发生的电源故障，以便微处理器有足够的时间执行系统维护功能，从而在内存被写保护之前保存数据。文章通过计算和示例说明了在电源电压从5%下降到10%之间，微处理器能够执行的指令数量，强调了提前检测电源故障的重要性。
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二进制编码十进制（BCD）格式实时时钟中的状态机逻辑
本教程讨论了Maxim的BCD格式实时时钟（RTC）中使用的计数器链结构。它提供了对芯片行为的洞察，如果安装了不正确或不合法的内容。教程详细介绍了每个寄存器的正常状态机逻辑，以及在不正确写入数据时可能出现的后果。
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NV SRAM设备编程器
本应用笔记列出了制造支持Dallas Semiconductor NV SRAM模块的第三方编程器的供应商。这些供应商包括BPM Microsystems、Xeltek、Data I/O、B+K Precision、EE Tools、Needham's Electronics、Dataman、Advin、Hi-LO SYSTEMS、Minato Electronics Inc.和Phyton等。该列表并非详尽无遗，但可作为寻找设备编程器时的起点。供应商列表无特定顺序，具体编程器信息请参考各公司网站。
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使用非易失性静态RAM
本文介绍了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的特点和应用。NV SRAM结合了SRAM的高性能和EEPROM的非易失性，适用于需要快速读写和持久存储数据的应用。文章比较了NV SRAM与其他存储器技术，如DRAM、SRAM、EEPROM、Flash等，并讨论了NV SRAM在便携式设备、数据记录和系统BIOS存储等领域的应用。
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状态机逻辑在二进制编码十进制（BCD）格式的实时时钟教程
本教程讨论了Maxim公司BCD格式实时时钟（RTC）中使用的计数器链结构。它提供了对芯片在安装不正确或非法内容时的预期行为的洞察。教程详细介绍了每个寄存器的正常状态机逻辑，包括如何从最小值递增到最大值，然后回滚到最小值并应用进位到下一个寄存器。此外，还讨论了非法数据写入时的结果，包括可能的计数器行为和潜在的时间错误。
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