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RELIABILITY REPORT FOR DS12887 Dallas Semiconductor
发布时间: 2019-03-28
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Maxim(美信)
型号:
DS12887; DS12885; BR1225
本可靠性报告详细介绍了Dallas Semiconductor旗下DS12887元器件的测试结果与质量标准。报告内容涵盖机械寿命、包装测试、存储寿命、温度循环、温度湿度偏置及未偏置湿度抵抗等多项关键测试项目。通过详尽的测试数据与计算方法,报告证实DS12887在所有测试项目中均满足质量可靠性标准,为器件在实际应用中的稳定性与耐用性提供了有力依据。Dallas Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该报告所涉器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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资料平台
数据手册 - 英文
DS12885/DS12887/DS12887A/DS12C887/DS12C887A Real-Time Clocks
Rev 4
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测试报告 - 英文
DS12C887的可靠性报告,巴坦加斯弯架组件,无铅
10/9/2009
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产品勘误说明 - 英文
DS1265W勘误表
Rev: 122002
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数据手册 - 英文
DS1284/DS1286看门狗计时器
REV: 032406
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测试报告 - 英文
DS1286,24针模块,带弯框达拉斯半导体可靠性报告
09/16/2004
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数据手册 - 英文
带NV RAM控制的DS1689/DS1693 3V/5V串行实时时钟
REV: 112105
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测试报告 - 英文
DS12885达拉斯半导体可靠性报告
Rev B1
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数据手册 - 英文
DS1336加力燃烧室芯片数据表
050699
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测试报告 - 英文
模块包可靠性监测报告
11/8/04
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测试报告 - 英文
模块包可靠性监测报告
8/2/05
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测试报告 - 英文
模块包可靠性监测报告
9/2/2010
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电路原理图 - 英文
DS1305 Dallas Semiconductor Maxim 4401 South Beltwood Parkway Dallas TX 75224-3292 电路原理图
Revision A
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数据手册 - 英文
DS12R885/DS12CR887/DS12R887 RTCs with Constant-Voltage Trickle Charger
Rev 8
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测试报告 - 英文
PDIP包的可靠性监控报告
10/27/05
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测试报告 - 英文
PDIP包的可靠性监控报告
04/27/2005
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测试报告 - 英文
PDIP包的可靠性监控报告
7/20/2006
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数据手册 - 英文
DS12R885/DS12CR887/DS12R887 RTC
Rev 6
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数据手册 - 英文
DS1216智能手表RAM(DS1216B/c/D/h)智能手表ROM(DS1216E/F)
Rev 11/11
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测试报告 - 英文
PLCC包可靠性监测报告
10/28/05
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数据手册 - 英文
DS1259电池管理芯片
2020/03/24
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测试报告 - 英文
模块包的可靠性监控报告
04/27/2005
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数据手册 - 英文
DS1218非易失性控制器
Rev 6/12
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测试报告 - 英文
DS12CR887,版本A2-C0A达拉斯半导体可靠性报告
04/07/04
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数据手册 - 英文
DS1239微管理器芯片
111899
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数据手册 - 英文
DS1265Y/AB 8M非易失性SRAM
Rev 11/10
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测试报告 - 英文
DS1230W,28针模块w/SMT达拉斯半导体可靠性报告
09/16/2004
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技术文档 - 英文
马克西姆综合REACH声明欧盟(EU)法规(EC)第1907/2006号,REACH
Revision 22
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数据手册 - 英文
DS1260智能电池
2020/03/24
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数据手册 - 英文
DS1249Y/AB 2048k非易失性SRAM
Rev 11/10
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测试报告 - 英文
DS1220Y DS1220修订版D2 AD使用此部件的可靠性报告
02/11/2004
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数据手册 - 英文
DS1210非易失性控制器芯片
Rev 6/12
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测试报告 - 英文
DS1230AB可靠性报告,28针模块,带SMT
09/16/2004
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数据手册 - 英文
DS1258Y/AB 128k x 16非易失性SRAM
083006
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测试报告 - 英文
达拉斯半导体可靠性监测报告
7/28/04
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测试报告 - 英文
达拉斯半导体可靠性监测报告
07/28/2004
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测试报告 - 英文
达拉斯半导体可靠性监测报告
11/8/04
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测试报告 - 英文
达拉斯半导体可靠性监测报告
1/20/2007
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技术论坛
MAXIM RTC DS12887A有没有替代?
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应用/方案
DS2250接口一个多路总线实时时钟到一个μP单独的地址和数据总线应用说明
本应用笔记介绍了如何将具有复用总线接口(如DS12887)的实时时钟(RTC)与具有独立地址和数据总线的微控制器连接。详细说明了如何通过外部逻辑创建控制信号,并实现RTC的内存映射。
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DS1287夏令时应用中的问题及解决方案
本文讨论了美国夏令时(DST)调整对使用实时时钟(RTC)的系统的影响。由于美国夏令时开始和结束日期的改变,依赖于RTC进行DST调整的系统可能需要更新。文章介绍了如何测试和调整RTC以适应DST变化,并建议在未来的设计中通过固件或软件实现DST功能,以便更容易地实施DST时间表的调整。
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Engineering Journal 第二期:为DS2155单片收发器提供次级保护的网络接口和电路设计/锂纽扣:应用寿命估算
本资料主要介绍了DS2155单芯片收发器的设计和应用。内容包括DS2155的内部结构、工作原理、电路设计、性能参数以及在不同应用场景下的使用方法。资料还涉及了1-Wire总线技术、ASIC设计、Verilog语言编程等内容。
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二进制编码十进制(BCD)格式实时时钟中的状态机逻辑
本教程讨论了Maxim的BCD格式实时时钟(RTC)中使用的计数器链结构。它提供了对芯片行为的洞察,如果安装了不正确或不合法的内容。教程详细介绍了每个寄存器的正常状态机逻辑,以及在不正确写入数据时可能出现的后果。
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状态机逻辑在二进制编码十进制(BCD)格式的实时时钟教程
本教程讨论了Maxim公司BCD格式实时时钟(RTC)中使用的计数器链结构。它提供了对芯片在安装不正确或非法内容时的预期行为的洞察。教程详细介绍了每个寄存器的正常状态机逻辑,包括如何从最小值递增到最大值,然后回滚到最小值并应用进位到下一个寄存器。此外,还讨论了非法数据写入时的结果,包括可能的计数器行为和潜在的时间错误。
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使用多路总线时钟与微控制器应用说明
本文介绍了如何使用多路复用总线实时时钟(RTC)产品,如DS12887、DS1687或DS17287,与8051微控制器进行接口。文章详细说明了如何通过8个I/O引脚传递地址信息和数据,从而减少引脚数量。此外,还提供了与DS87C320高速微控制器兼容的示例,并包含了初始化RTC、设置时间、读取时钟寄存器、显示控制寄存器、设置闹钟等功能的具体实现代码。
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编写防弹实时时钟控制代码教程的技巧
本文档提供关于编写可靠的实时时钟(RTC)控制代码的技巧。内容涵盖设备初始化、代码序列、时间同步、使用时间警报等关键方面。强调了正确初始化设备、设置中断输出、加载初始计数器值以及同步时间的重要性。此外,还介绍了如何使用时间警报以及如何处理中断。
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DS1672 Maxim实时时钟设计注意事项应用说明
本文档为Maxim公司关于实时时钟(RTC)的设计考虑因素提供了详细指南。内容涵盖RTC操作概述、设计问题、故障排除技术、接口选择、电池备份功能、时钟模块、晶振和精度、晶振连接、振荡器启动时间、检查振荡、备份电源输入、电池寿命计算、读取和写入时间和日期、故障排除新设计等方面。旨在帮助设计师避免设计问题,确保RTC在系统中的可靠运行。
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使用DS32kHz与Maxim实时时钟应用说明
本文档介绍了如何使用DS32kHz温度补偿晶振振荡器(TCXO)与Maxim实时时钟(RTC)降低功耗。详细讨论了DS32kHz的引脚配置、电源连接和输出信号,以及如何选择合适的RTC以优化功耗。文中提供了不同RTC型号在不同工艺下的功耗数据,并建议使用RC电路以实现最低的时间保持电流。
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币形锂电池:应用寿命预测应用说明
本文探讨了锂电纽扣电池在无系统电源情况下的使用寿命预测。文章分析了影响IC使用寿命的主要因素,包括电池容量、电流需求、温度等。同时,介绍了Maxim的电池备份产品设计和制造过程,以及如何通过电池控制器和模块产品来延长系统寿命。文章还提供了电池寿命的计算方法和实例。
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Maxim产品中锂电池含量应用说明
本文档介绍了Maxim产品中嵌入的锂电池内容。由于环境和运输法规的变化,客户询问了部分产品中的电池。表格1列出了含有锂硬币电池的活跃产品。文档还提供了如何查找相关电池的安全数据表(MSDS)的信息。
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DS12885低电流应用的振荡器设计注意事项
本文详细介绍了低功耗实时时钟(RTC)中振荡器设计和晶体选择对运行电流的影响。文章首先阐述了Maxim在设计和制造RTC时,如何通过优化振荡器设计来降低功耗,从而延长备用电源的使用寿命。接着,文章深入分析了晶体振荡器的工作原理,包括晶体等效串联电阻(ESR)、负载电容(CL)和振荡电流之间的关系。此外,文章还讨论了在设计振荡器时需要考虑的关键参数,如增益、工作电压范围和对外部噪声的敏感性。最后,文章总结了在设计低功耗RTC振荡器时需要权衡的多个因素,包括噪声免疫性、晶体选择和电路功能等。
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