20131105-E141114 DS1643# UL CERTIFICATE OF COMPLIANCE
发布时间：
2019-03-28
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Maxim（美信）
型号：
DS1643#; DS1230ABP#; DS1230WP#; DS1230YP#; DS1245ABP#; DS1245WP#; DS1245YP#; DS1250ABP#; DS1250WP#; DS1250YP#; DS1330ABP#; DS1330WP#; DS1330YP#; DS1345ABP#; DS1345WP#; DS1345YP#; DS1350ABP#; DS1350WP#; DS1350YP#; DS1643P#; DS1644P#; DS1646#; DS1647P#; DS1486P#; DS1386P-8K#; DS1386-32K#; DS1742#; DS1743P#; DS1743W#
本UL合规证书详细证明了MAXIM INTEGRATED INC公司生产的锂离子电池供电集成电路及电源模块产品符合UL 60950-1和CAN/CSA C22.2 No. 60950-1-03安全标准。文件涵盖了DS1643系列、DS1230ABP系列、DS3800系列等多个具体产品线，确认其已通过UL认证，满足美国及加拿大市场的相关安全规范要求。该证书编号为E141114，签发于2013年11月5日，为相关器件在信息技术设备领域的安全应用提供了权威合规依据。MAXIM INTEGRATED在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该认证，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
DS9034PC/PCI PowerCap产品介绍
100102
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 测试报告 - 英文 |
文件E141114 SR6680308报告
Vol. 2
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| 数据手册 - 英文 |
DS1230Y/AB 256k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
模块封装达拉斯半导体可靠性监测报告
10/20/06
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| 测试报告 - 英文 |
模块封装达拉斯半导体可靠性监测报告
10/22/2007
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| 数据手册 - 英文 |
DS1250Y/AB 4096k Nonvolatile SRAM
Rev 12/10
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| 数据手册 - 英文 |
DS1245Y/AB 1024k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
高密度SMT达拉斯半导体DS1643 28引脚模块可靠性报告
09/14/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1245W 3.3V 1024k非易失性SRAM数据手册
11/10
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
6/25/2020
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
11/8/04
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模块包可靠性监测报告
8/2/05
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
10/14/2016
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
1/17/2017
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
4/14/2017
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| 测试报告 - 英文 |
模块包可靠性监测报告
7/10/2017
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| 数据手册 - 英文 |
DS1250W 3.3V 4096k非易失性SRAM
Rev 12/10
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| 数据手册 - 英文 |
DS1230W 3.3V 256k非易失性SRAM
Rev 11/10
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| 测试报告 - 英文 |
带SMT的DS1245W 32引脚模块的可靠性报告
09/16/2004
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| 数据手册 - 英文 |
DS1643/DS1643P Nonvolatile Timekeeping RAMs
Rev 5/10
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| 测试报告 - 英文 |
DS1230W，28针模块w/SMT达拉斯半导体可靠性报告
09/16/2004
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| 数据手册 - 英文 |
带晶体的DS9034PCX PowerCap
Rev 10/10
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| 测试报告 - 英文 |
模块包的可靠性监控报告
04/27/2005
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| 技术文档 - 英文 |
马克西姆综合REACH声明欧盟（EU）法规（EC）第1907/2006号，REACH
Revision 22
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| 数据手册 - 英文 |
DS1688/DS1691 3V/5V串行实时时钟，带NV RAM控制
REV:112205
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| 测试报告 - 英文 |
DS1230AB可靠性报告，28针模块，带SMT
09/16/2004
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| 电路原理图 - 英文 |
511Fig01 电路原理图
2018/10/27
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| 数据手册 - 英文 |
DS1685/DS1687 3V/5V Real-Time Clocks
Rev 10/12
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| 测试报告 - 英文 |
DS1500 Maxim集成产品的产品可靠性报告
Rev A4
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| 数据手册 - 英文 |
DS1673 Portable System Controller
REV: 080805
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| 测试报告 - 英文 |
DS1245Y可靠性报告，版本B1 Maxim集成产品
3/7/2009
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| 电路原理图 - 英文 |
3721，图4。电路原理图
Revision B
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| 数据手册 - 英文 |
DS1672 I²C 32-Bit Binary Counter RTC
Rev 9/11
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| 测试报告 - 英文 |
DS1643P，34针电源帽底座和DS9034X帽达拉斯半导体的可靠性报告
09/20/2004
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
NV SRAM设备编程器
本应用笔记列出了制造支持Dallas Semiconductor NV SRAM模块的第三方编程器的供应商。这些供应商包括BPM Microsystems、Xeltek、Data I/O、B+K Precision、EE Tools、Needham's Electronics、Dataman、Advin、Hi-LO SYSTEMS、Minato Electronics Inc.和Phyton等。该列表并非详尽无遗，但可作为寻找设备编程器时的起点。供应商列表无特定顺序，具体编程器信息请参考各公司网站。
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非易失性SRAM的低温数据保持
本文探讨了在低温环境下非易失性SRAM（静态随机存储器）的数据保持问题。文章详细介绍了在极端低温环境条件下支持非易失性存储器所需的电流特性。通过对比不同类型的锂电池（如BR2032和ML2020R）在不同温度下的性能，分析了SRAM的数据保持电流和电池寿命。文章指出，在低温环境下，电池性能会受到影响，但通过选择合适的电池和SRAM组件，可以实现超过5年的连续电池备份。
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使用NVSRAM时的时序考虑
本文介绍了Maxim非易失性SRAM（NVSRAM）在系统内存时序方面的考虑。内容包括NVSRAM模块的构成、操作模式、读写周期、时序图解析以及时序定义的重要性。文章强调了VCC电压、地址总线稳定性和周期时间等关键因素，并提供了读写操作的详细说明和时序要求。
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Maxim产品中锂电池含量应用说明
本文档介绍了Maxim产品中嵌入的锂电池内容。由于环境和运输法规的变化，客户询问了部分产品中的电池。表格1列出了含有锂硬币电池的活跃产品。文档还提供了如何查找相关电池的安全数据表（MSDS）的信息。
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DS1920 Engineering journal 第一期:改善8051系统用电效率的微控制器/光模块闪亮的背后/基于SHA-1的安全电子交易
这份资料主要介绍了多种元器件及其应用，包括8051微控制器、EconOscillator振荡器、Dallas 1-Wire总线技术、SHA-1加密算法、iButton身份认证技术等。资料详细描述了这些元器件的功能、特点、应用场景以及相关的技术参数。
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Engineering Journal 第四期:1-Wire技术及其应用概述/电信样板的测量与符合
本资料主要介绍了1-Wire技术及其应用，包括1-Wire网络的基本组成、数据传输方式、设备类型和接口电路等。资料中详细描述了1-Wire设备如DS2409、DS2406、DS2423等的功能和特性，以及如何通过1-Wire网络进行数据通信和设备控制。此外，还涉及了1-Wire技术在温度传感器、湿度传感器等领域的应用实例。
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非易失性存储器元件的替换规则
本文介绍了在现有设计中替换非易失性（NV）存储器组件的基本指南。文章详细解释了如何根据产品编号选择合适的存储器组件，包括内存密度、I/O配置、电源容忍度、功能速度和温度范围。此外，还提供了关于RoHS合规性和组件升级对系统性能影响的信息。文章强调了选择正确组件的重要性，并提供了替换规则和示例。
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NV SRAM常见问题
本应用笔记详细讨论了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）的理论、操作和应用，包括DS1220、DS1225和DS1230等型号。内容涵盖NV SRAM模块结构、电池、控制器和SRAM的概述，以及与8位Motorola和Intel总线结构的接口信息。此外，还解答了在设计、测试、制造和使用NV SRAM过程中常见的疑问，并讨论了某些旧型号产品的替代方案。
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NV SRAM对照表技术简介
本资料提供了一份NV SRAM（非易失性静态随机存储器）的交叉参考表，列出了Dallas Semiconductor、STMicroelectronics和TI公司生产的NV SRAM产品之间的对应关系。表格中包含了不同型号的NV SRAM及其对应的型号，方便用户进行产品选择和替换。资料还提供了获取相关数据表的网站链接。
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如何用等效密度的NV SRAM模块替换DS1213 SmartSocket
本文介绍了如何使用与DS1213 SmartSocket兼容的5V NV SRAM模块来替换已达到生命周期的DS1213产品。文章详细说明了替换决策过程，包括选择合适的NV SRAM模块，以及针对不同型号的SmartSocket进行PCB修改的步骤。此外，还提供了相关替换产品的信息和技术规格。
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Engineering journal 第四十八期：设计坚固、容错的运动控制反馈系统/中庸之道：高速8位微控制器的用武之地/无源元件会影响音质吗？
这份资料主要介绍了运动控制器模块的组成和功能，包括3相交流电源、驱动器或放大器、导轨螺母、移动机械臂等。详细描述了编码器输入、直流无刷电机、齿轮箱、位置编码器、速度编码器等组件的连接方式和功能。同时，资料还涉及了运动控制器模块的输入端子、电源、延迟、报警等功能，以及与运动控制器IC、DSP或ASIC的连接。此外，还提到了ESD保护、终端电阻、接地等电气安全措施。
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工业IO手册
本手册详细介绍了Maxim Integrated的工业I/O解决方案，包括数字I/O、模拟I/O、可配置I/O和相关互补IC。内容涵盖数字输入和输出模块的设计，包括高电流电感负载的数字输出模块设计、系统设计建议、数字输入类型、工业I/O评估板和外围模块等。此外，还介绍了模拟输入和输出模块，以及可配置模拟I/O。手册中还提供了多个参考设计，以帮助快速将产品推向市场。
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过程控制方案指南
本指南介绍了Maxim Integrated针对工业过程控制的解决方案，涵盖电源、测量与控制、通信和保护等方面。内容包括隔离电源、高压降压稳压器、超摆幅技术、DeepCover安全方案、模拟输入参考设计、ADC、DAC和输出调理器、传感器数字转换器、可靠通信、过压/过流保护器、IO-Link主机和设备收发器以及RS-485收发器等。指南旨在帮助工程师快速找到适合其应用的解决方案。
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DS1642使用非易失性计时RAM与微控制器的应用说明
本应用笔记介绍了如何使用非易失性时间保持RAM与8051型微控制器配合使用。详细描述了如何访问RTC寄存器，并提供了示例电路图和源代码，展示了如何读取和写入RTC。此外，还介绍了非易失性时间保持系列产品的详细信息，包括DS1642至DS1747等型号的RAM密度和VCC电压。
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