BUK7M15-40H N-channel 40 V, 15.0 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 Product data sheet
发布时间：
2019-03-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK7M15-40H
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BUK7M15-40H N沟道40V，15.0毫欧标准电平MOSFET，封装为LFPAK33，2025年1月10日产品数据手册。
10 January 2025
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK7M15-40H
2019/05/24
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化学成分BUK7M15-40H
2019/02/25
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| 商品功能框图 - 英文 |
BUK7M15-40H SPICE热工模型热工RC网络（Cauer）热工设计
24/1/2019
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
3/3/2016
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| 数据手册 - 英文 |
LFPAK33中的N沟道60 V、15 mΩ标准级MOSFET
19 September 2016
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK7M15-40H
2019/02/25
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LFPAK33缩小电源占用
February 2019
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| 数据手册 - 英文 |
LFPAK33缩小电源占用
January 2017
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| 技术文档 - 英文 |
LFPAK33缩小电源占用
March 2016
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK7M15-60E
2019/01/07
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中国RoHS BUK7M15-60E
2018/09/05
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中国RoHS BUK7M15-60E
2018/04/24
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中国RoHS BUK7M15-60E
2018/03/06
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LFPAK33缩小权力足迹
January 2017
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化学成分BUK7M15-60E
2019/05/24
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化学成分BUK7M15-60E
Version 1
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化学成分BUK7M15-60E
2018/09/05
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化学成分BUK7M15-60E
2018/04/24
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化学成分BUK7M15-60E
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
NXT4558-Q100 SIM卡接口电平转换器带使能引脚 版本2 — 2024年10月23日 产品数据手册
Rev. 2
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PBLS1503Y; PBLS1503V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月24日 产品数据手册
Rev. 03
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2N7002BKV 60V，340mA双N沟道沟槽型MOSFET
v.4
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Nexperia 74LVC1G125 - 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.17.1
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肖特基势垒（双）二极管 1PS70SB82；1PS70SB84；1PS70SB85；1PS70SB86
2001年1月18日
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HEF40175B-Q100 四D型触发器 Rev. 2 — 2024年8月8日 产品数据手册
Rev. 2
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74LVC1G125-Q100 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.7.1
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NCR405U 50 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2013年12月10日产品数据手册
Rev. 1
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NCR401U 10 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2014年2月20日产品数据手册
Rev. 1
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Nexperia PTVS4V8Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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Nexperia PTVS5V0Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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修订版10 — 2024年9月5日 产品数据表
Rev. 10
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Nexperia 74LVC1G32 单元 2 输入 OR 门
v.16.1
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Nexperia 74AUP1G08 低功耗2输入与门
v.12.1
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BAS21AVD-Q 高压开关二极管
v.1
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74HC245；74HCT245 八路总线收发器；3态 修订版 8 — 2024年11月29日 产品数据手册
Rev. 8
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74VHC245; 74VHCT245 - 八通道总线收发器；3态 - 2024年11月29日 产品数据表
3
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Nexperia PTVS5V0Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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Nexperia PTVS36VZ1UPC 瞬态电压抑制器
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Nexperia PTVS20VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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BC848W-Q 30V，100mA NPN通用晶体管
v.1
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30V，100mA NPN通用晶体管
v.1
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600W瞬态电压抑制器
SMBJ_SER v.1
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NPN中频晶体管BFS20
2004 Feb 05
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NPN中频晶体管BF570
2004年3月15日
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应用/方案
AN90003 LFPAK MOSFET热设计指南
本资料为Nexperia公司发布的LFPAK MOSFET热设计指南，旨在帮助设计工程师了解LFPAK系列封装MOSFET的功耗限制。内容涵盖MOSFET功耗、热环境、热传导、对流和辐射等热传播现象，以及热阻、热电容和热行为等热电类比。此外，还提供了LFPAK56D和LFPAK33等不同型号的MOSFET在不同PCB配置下的最大功耗计算方法。
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AN90003 LFPAK MOSFET热设计指南应用说明
本资料为Nexperia公司发布的LFPAK MOSFET热设计指南，旨在帮助设计工程师了解LFPAK系列封装MOSFET的功耗限制。指南分为两部分，分别针对低功耗LFPAK（LFPAK56D和LFPAK33）和高功耗LFPAK（LFPAK56和LFPAK88）进行讨论。内容涵盖了不同PCB设计配置下的MOSFET功耗能力估算，包括单层和多层PCB配置，以及不同铜面积对热性能的影响。此外，还比较了不同封装和配置下的热性能，并分析了热阻对热性能的影响。
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LFPAK33缩小电源占用
LFPAK33是一款由Nexperia推出的紧凑型MOSFET，采用铜夹技术，适用于3.3mm x 3.3mm的Power33封装，符合AEC-Q101标准。该产品具有超小尺寸、超低导通电阻、高电流额定值和良好的可靠性。产品系列包括多种型号，涵盖不同的电压和电流等级。
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LFPAK33 缩小功率器件的尺寸
LFPAK33是一种紧凑型功率器件封装，采用安世半导体的铜夹片技术，尺寸为3.3mm x 3.3mm，节省84%以上空间。该封装具有超低导通电阻，高电流额定值，符合AEC-Q101标准，适用于多种型号和电压等级。产品采用Trench 9硅技术，提供多种型号以满足不同应用需求。
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LFPAK33 缩小功率器件的尺寸 产品介绍
LFPAK33是一款采用铜夹片技术的功率器件，尺寸紧凑，符合AEC-Q101标准。该器件具有超低导通电阻、高电流额定值和良好的板级可靠性。产品范围包括多种型号，涵盖不同的VDS、RDSon和ID参数。此外，还介绍了基于Trench 9硅技术的最新产品。
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