PMPB10EN 30 V, N-channel MOSFET Product data sheet
发布时间：
2019-03-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMPB10EN
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
大容量小信号MOSFET
November 2019
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产品类型PMPB10EN的可靠性结果产品可靠性
2019/05/24
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中国RoHS PMPB10EN
2019/02/25
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PMPB10EN产品质量信息
2019/07/13
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化学成分PMPB10EN
2019/02/25
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NXT4558-Q100 SIM卡接口电平转换器带使能引脚 版本2 — 2024年10月23日 产品数据手册
Rev. 2
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PBLS1503Y; PBLS1503V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月24日 产品数据手册
Rev. 03
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2N7002BKV 60V，340mA双N沟道沟槽型MOSFET
v.4
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Nexperia 74LVC1G125 - 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.17.1
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肖特基势垒（双）二极管 1PS70SB82；1PS70SB84；1PS70SB85；1PS70SB86
2001年1月18日
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HEF40175B-Q100 四D型触发器 Rev. 2 — 2024年8月8日 产品数据手册
Rev. 2
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74LVC1G125-Q100 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.7.1
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NCR405U 50 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2013年12月10日产品数据手册
Rev. 1
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NCR401U 10 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2014年2月20日产品数据手册
Rev. 1
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Nexperia PTVS4V8Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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Nexperia PTVS5V0Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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修订版10 — 2024年9月5日 产品数据表
Rev. 10
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Nexperia 74LVC1G32 单元 2 输入 OR 门
v.16.1
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Nexperia 74AUP1G08 低功耗2输入与门
v.12.1
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BAS21AVD-Q 高压开关二极管
v.1
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74HC245；74HCT245 八路总线收发器；3态 修订版 8 — 2024年11月29日 产品数据手册
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
74VHC245; 74VHCT245 - 八通道总线收发器；3态 - 2024年11月29日 产品数据表
3
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Nexperia PTVS5V0Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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Nexperia PTVS36VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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Nexperia PTVS20VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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BC848W-Q 30V，100mA NPN通用晶体管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
30V，100mA NPN通用晶体管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
600W瞬态电压抑制器
SMBJ_SER v.1
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BFS20
2004 Feb 05
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BF570
2004年3月15日
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| 数据手册 - 英文 |
NXB0106-Q100
Rev. 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
BC850C NPN通用晶体管 2024年10月8日 产品数据手册
BC850C v.4
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS6022D 60V，1.5A PNP BISS负载开关
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS6021D 60V，1.5A PNP BISS负载开关
Rev. 01 — 12 August 2009
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT883塑料，无引脚超小型封装；3个终端；0.35毫米齿距；1毫米x 0.6毫米x 0.48毫米机身
27 February 2020
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| 数据手册 - 英文 |
PESD24VL1BL - 极低钳位双向ESD保护二极管 2024年7月5日 产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PSC2065J 650V，20A SiC肖特基二极管，封装为D2PAK R2P。
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
NXP半导体PMD3001D MOSFET驱动器
PMD3001D_2
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| 数据手册 - 英文 |
四重ESD瞬态电压抑制器
1999年5月25日
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| 测试报告 - 英文 |
PBSS9110Z材料清单
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
PBSS9110T-Q材料清单
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
PBSS8110T-Q材料清单
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS5540X材料清单声明
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS5480X材料清单
2025/07/01
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| 技术文档 - 英文 |
PBSS5440D-Q材料清单
2025/07/01
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世强AI
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应用/方案
采用WLCSP和无引脚DFN封装的移动和便携式大容量小信号MOSFET
该资料主要介绍了适用于移动和便携式设备的低噪声MOSFET，包括WLCSP和免铅DFN封装。产品特点包括高功率能力、最小DFN解决方案的空间效率、侧湿边设计以及自动光学检查（AOI）兼容性。应用领域涵盖笔记本、无线充电、智能手机、LED驱动、水平转换器等。资料还提供了不同型号的详细规格参数，包括功率、电压、电流和ESD保护等级。
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采用WLCSP和无引脚DFN封装的移动和便携式大容量小信号MOSFET
该资料主要介绍了适用于USB3.2、USB4、Thunderbolt、HDMI 2.1等应用的低噪声MOSFET产品。产品特点包括：高功率能力、空间效率、ESD保护等。产品适用于笔记本、智能手机、LCD电视、LED驱动器等多种应用场景。资料还详细列出了不同封装类型和型号的产品规格参数。
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适合移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装
本资料介绍了一种适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装。主要特点包括高功率性能、空间效率提升、可焊接侧面便于视觉焊接检测，以及取代较大型封装。产品适用于负载开关、无线充电、电池开关、LED驱动器等多种应用，特别适合空间受限的设备，如笔记本电脑、智能手机等。资料还提供了不同封装类型和规格的详细参数。
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适合移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装
本资料介绍了一种适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装。主要特点包括高功率性能、空间效率提升、可焊接侧面便于视觉焊接检测，以及取代较大型封装。产品适用于负载开关、无线充电、电池开关、LED驱动器等多种应用，特别适合空间受限的设备，如笔记本电脑、智能手机等。资料还提供了不同封装类型和配置的详细参数。
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适合移动和便携式设备的大批量小信号MOSFET, 采用WLCSP和无引脚DFN封装
该资料介绍了适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET产品，包括其特性、优势和应用领域。产品采用WLCSP和无引脚DFN封装，具有高功率性能、空间效率和可湿锡焊接侧翼等特点。这些MOSFET广泛应用于负载开关、无线充电、LED驱动器等领域，特别适合于笔记本、智能手机等空间受限的应用场景。资料还提供了不同型号产品的详细参数和技术规格。
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