Chemical content BUK9506-75B
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK9506-75B; 9340 571 11127
本数据手册详细介绍了元器件BUK9506-75B的化学成分及物理属性，涵盖了封装类型、总产品重量、无铅焊接工艺、MSL等级、PPT等级以及组装地点等关键信息。资料中具体列出了该器件各组成部分的材料构成，包括掺杂硅、铜合金、镍、磷、环氧树脂系统、锡、银、铝等，并提供了对应的CAS编号、质量（mg）及质量百分比，为产品的合规性审查与环保评估提供了详实依据。此外，手册还包含了相关的免责声明与注意事项，确保用户在处理和使用过程中的安全性与规范性。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BUK9506-75B N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
Rev. 03
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK9506-75B
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道沟槽型MOS逻辑电平场效应晶体管 修订版03 — 2011年2月7日 产品数据手册
Rev. 03
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK9506-75B
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BUK9506-75B
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
BUK9506-40B
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道沟槽MOSFET 版本04 — 2009年7月23日 产品数据手册
Rev. 04
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK9506-40B
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BUK9506-40B
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
BUK9506-40B N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 02
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK9506-40B
2018/04/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK9506-40B
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
NXT4558-Q100 SIM卡接口电平转换器带使能引脚 版本2 — 2024年10月23日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS1503Y; PBLS1503V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月24日 产品数据手册
Rev. 03
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002BKV 60V，340mA双N沟道沟槽型MOSFET
v.4
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74LVC1G125 - 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.17.1
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| 数据手册 - 英文 |
肖特基势垒（双）二极管 1PS70SB82；1PS70SB84；1PS70SB85；1PS70SB86
2001年1月18日
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| 数据手册 - 英文 |
HEF40175B-Q100 四D型触发器 Rev. 2 — 2024年8月8日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G125-Q100 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.7.1
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| 数据手册 - 英文 |
NCR405U 50 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2013年12月10日产品数据手册
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NCR401U 10 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2014年2月20日产品数据手册
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS4V8Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V0Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
修订版10 — 2024年9月5日 产品数据表
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74LVC1G32 单元 2 输入 OR 门
v.16.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74AUP1G08 低功耗2输入与门
v.12.1
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| 数据手册 - 英文 |
BAS21AVD-Q 高压开关二极管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
74HC245；74HCT245 八路总线收发器；3态 修订版 8 — 2024年11月29日 产品数据手册
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
74VHC245; 74VHCT245 - 八通道总线收发器；3态 - 2024年11月29日 产品数据表
3
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V0Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS36VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS20VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
BC848W-Q 30V，100mA NPN通用晶体管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
30V，100mA NPN通用晶体管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
600W瞬态电压抑制器
SMBJ_SER v.1
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BFS20
2004 Feb 05
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BF570
2004年3月15日
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| 数据手册 - 英文 |
NXB0106-Q100
Rev. 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
BC850C NPN通用晶体管 2024年10月8日 产品数据手册
BC850C v.4
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS6022D 60V，1.5A PNP BISS负载开关
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS6021D 60V，1.5A PNP BISS负载开关
Rev. 01 — 12 August 2009
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT883塑料，无引脚超小型封装；3个终端；0.35毫米齿距；1毫米x 0.6毫米x 0.48毫米机身
27 February 2020
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| 数据手册 - 英文 |
PESD24VL1BL - 极低钳位双向ESD保护二极管 2024年7月5日 产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PSC2065J 650V，20A SiC肖特基二极管，封装为D2PAK R2P。
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
NXP半导体PMD3001D MOSFET驱动器
PMD3001D_2
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| 数据手册 - 英文 |
四重ESD瞬态电压抑制器
1999年5月25日
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| 测试报告 - 英文 |
PBSS9110Z材料清单
2025/07/01
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PBSS9110T-Q材料清单
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
PBSS8110T-Q材料清单
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS5540X材料清单声明
2025/07/01
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