Chemical content BC856BT
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BC856BT; 9340 510 90115
本数据手册详细介绍了BC856BT元器件的化学成分、封装类型、总产品重量及环保处理信息。资料涵盖了该器件的无铅焊接特性、MPPT版本、MSL等级以及PPT处理周期等关键技术指标，并具体列出了各部分材料的化学成分、CAS编号、质量百分比及其在总产品中的占比。此外，手册还包含免责声明，指出相关数据仅供参考，可能因制造地点不同而存在轻微差异。针对文中所述BC856BT器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BC846x系列65 V、100 mA NPN通用晶体管
Rev. 11
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BC856BT
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
BC856；BC857；BC858 PNP通用晶体管
2004 Jan 16
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| 测试报告 - 英文 |
BC856BT型设备产品质量信息
2017/12/29
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| 技术文档 - 英文 |
BC856完整材料声明
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
BC856；BC857；BC858 65 V、100 mA PNP通用晶体管
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
BC856；BC857；BC858 65 V、100 mA PNP通用晶体管
Rev. 7
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| 测试报告 - 英文 |
BC856BT型产品可靠性调查结果
2017/12/29
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| 技术文档 - 英文 |
BC856BQC-Q材料清单
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
BC856T；BC857T系列PNP通用晶体管
2000 Nov 15
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BC856BT
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BC856BT
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，型号BC856BQB
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
BC846x系列65 V、500 mA NPN通用晶体管产品数据表
Rev. 10
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| 技术文档 - 英文 |
BC856BMB材料清单
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
BC856B型产品的质量信息
2017/12/20
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，适用于BC856BQC
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
65v，100ma PNP/PNP通用晶体管
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
65v，100ma PNP/PNP通用晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
BC856B型产品的可靠性结果
2017/12/20
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| 技术文档 - 英文 |
BC856-Q材料清单
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BSH 65 V、100 mA PNP/PNP通用双晶体管
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BC856B
2019/01/05
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BC856B
2018/04/23
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BC856B
2018/03/04
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，适用于BC856S
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BS 65V，100mA PNP/PNP通用晶体管产品数据表
Rev. 01
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，BC856AQB
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
60v，100ma PNP通用晶体管
19 August 2015
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| 数据手册 - 英文 |
60v，100ma PNP通用晶体管
19 August 2015
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BC856B
Version 13
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BC856B
2018/04/23
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BC856B
2018/03/04
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明为BC856A-Q
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BQB-Q材料清单
2025/07/01
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| 技术文档 - 英文 |
BC856AQC-Q材料清单
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
完整材料声明，适用于BC856B
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
完整材料声明，型号BC856BS-Q
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
BC856xQB-Q系列65 V、100 mA PNP通用晶体管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
BC856xQB系列65 V、100 mA PNP通用晶体管
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
BC856化学成分
Version 13
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| 测试报告 - 英文 |
BC856化学成分
2018/04/23
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| 测试报告 - 英文 |
BC856化学成分
2018/03/04
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| 数据手册 - 英文 |
BC856xQC系列65 V、100 mA PNP通用晶体管
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BC856
2019/01/05
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BC856
2018/04/23
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BC856
2018/03/04
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| 数据手册 - 英文 |
BC856xQC-Q系列65 V、100 mA PNP通用晶体管
Rev. 1
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有没有可以替代NEXPERIA的BCM856BS的国产PMOS？
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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