China RoHS PDTC124EE_代理商_研发采购服务

China RoHS PDTC124EE

发布时间： 2019-04-02

类型：测试报告，认证报告、性能测试报告

品牌：

Nexperia（安世半导体）

型号：

PDTC124EE

本资料为Nexperia产品的China RoHS合规性声明，详细阐述了晶粒、极片、注塑胶料、后电镀及引线等关键部件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量情况。声明明确指出，所有相关部件的有害物质含量均严格符合SJ/T11363-2006标准要求，确保了产品的环保合规性。此外，该资料还强调了Nexperia产品具备长达50年的环保使用期限，体现了其在材料耐用性与环境责任方面的卓越表现。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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现有项目中使用安世-Nexperia的一款三极管PDTC123JT-QR，VCEO：50 V，IO：100 mA，R1：2.2KΩ，R2/R1：21，SOT-23，内置偏置电阻简化电路设计，减少组件数量，通过AEC-Q101认证，推荐用于汽车应用，有无合适的国产车规三极管产品推荐？

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应用/方案

功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度

GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。

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