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China RoHS PBLS2003S
发布时间: 2019-04-02
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PBLS2003S
本合规性声明详细介绍了Nexperia公司产品PBLS2003S的RoHS符合性情况。资料中明确列出了该产品所包含的粘合剂、晶粒、极片材料、注塑胶料、预电镀及引线等关键部件的物质构成,并针对铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质进行了含量检测。声明指出,上述所有有害物质的含量均严格符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。此外,Nexperia还承诺该产品具备长达50年的环保使用期限,充分体现了其在绿色环保与长期可靠性方面的技术优势。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该声明,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
PBLS2003S 20 V PNP BISS负载开关
Rev. 02
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测试报告 - 中文
中国RoHS PBLS2003S
2018/03/10
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技术文档 - 英文
PBLS2003S型器件产品质量信息
Apr 2014
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数据手册 - 英文
NXP半导体PBLS2003S 20V PNP BISS负载开关
PBLS2003S_2
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测试报告 - 英文
可靠性调查结果,类型:PBLS2003S时间2012年第4季度至2013年第3季度
Jun 2014
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技术文档 - 英文
PBLS6021D材料清单全文
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS4004Y; PBLS4004V 40V PNP BISS负载开关 修订版 03 — 2009年2月16日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS2003S
2018/04/28
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS2003S
2018/03/10
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技术文档 - 英文
PBLS6022D材料清单全文
2025/06/30
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4004D_3
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4002D_3
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4001D_3
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4003D_3
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技术文档 - 英文
完整材料声明为PBLS2021D
2025/06/30
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 02
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测试报告 - 英文
产品类型PBLS2023D的质量信息
2017/12/20
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技术文档 - 英文
PBLS2023D材料清单声明
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS1504Y; PBLS1504V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月25日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
PBLS6003D型产品的可靠性结果
2017/12/20
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技术文档 - 英文
PBLS4004Y材料清单全文
2025-06-24
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数据手册 - 英文
PBLS1502Y;PBLS1502V
Rev. 03
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测试报告 - 英文
产品类型PBLS6021D的质量信息
2017/12/20
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技术文档 - 英文
PBLS2024D材料清单声明
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS4001Y; PBLS4001V 40V PNP BISS负载开关 修订版 03 — 2009年2月12日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
产品类型PBLS6024D的质量信息
2017/12/20
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技术文档 - 英文
PBLS6024D-Q材料清单全文
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS1503Y; PBLS1503V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月24日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
PBLS6024D型产品的可靠性结果
2017/12/20
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技术文档 - 英文
完整材料声明为PBLS2022D
2025/06/30
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测试报告 - 英文
中国RoHS PBLS6021D
2019/01/05
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测试报告 - 中文
中国RoHS PBLS6021D
2018/04/23
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测试报告 - 中文
中国RoHS PBLS6021D
2018/03/05
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技术文档 - 英文
PBLS4004V型器件产品质量信息
Apr 2014
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS6021D
Version 8
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS2023D
Version 7
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数据手册 - 英文
PBLS4003Y; PBLS4003V 40V PNP BISS负载开关 修订版 03 — 2009年2月13日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS6023D
Version 7
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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