Chemical content PMN25UN
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMN25UN; 9340 659 16115
本数据手册详细介绍了PMN25UN型元器件的化学成分构成及物理特性。资料内容涵盖了该器件的封装类型、总产品重量、无铅焊接工艺规范，以及MPPT版本、MSL和PPT处理周期等关键制造参数。此外，手册还详细列出了组装地点信息，并提供了各组成部分材料的质量百分比、具体CAS编号及质量数据，同时附带了相关的注意事项与免责声明，旨在为用户提供全面的产品合规性与材料安全信息。针对文中所述的PMN25UN型元器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台提供单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台专职FAE团队可提供专业的选型指导、设计验证及调试支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PMN25UN20V，6AN沟道MOSFET
Rev. 1 — 28 July 2011
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| 数据手册 - 英文 |
PMN25UN20V，6AN沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMN25UN
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
PMN28UN型器件产品质量信息
Apr 2014
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN25UN
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMN25UN
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
小型含铅SMD和无铅DFN封装中的汽车MOSFET
REV 0
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| 数据手册 - 英文 |
PMN22XN 30V，单N沟道沟槽型MOSFET 修订版1 — 2012年1月19日 产品数据手册
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMN25UN
Jun 2014
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| 数据手册 - 英文 |
PMN20EN 30V，6.7A N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PMN28UN沟渠™ 超低电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
PMN28UN沟渠™ 超低电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
Quality Information for Product Type PMN27UP
2017/12/21
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| 数据手册 - 英文 |
PMN23UN∞沟渠™ 超低电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
Reliability Results for Product Type PMN27UP
2017/12/21
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| 数据手册 - 英文 |
PMN25EN 30 V，6.2 A N沟道MOSFET
Rev. 1 — 29 August 2011
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| 数据手册 - 英文 |
PMN25EN 30 V，6.2 A N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN27以上
2018/10/26
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN27以上
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMN27以上
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMN27UN沟渠™ 超低电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN230ENE
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN230ENE
2018/10/26
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| 数据手册 - 英文 |
单沟道PMN230 V MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN27XPE
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMN27XPE
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
PMN20EN 30V，6.7A N沟道沟槽型MOSFET 修订版1 — 2011年5月30日 产品数据手册
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMN20EN
Jun 2014
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| 数据手册 - 英文 |
PMN27XPE
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN27XPEA
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMN27XPEA
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMN27XPE 20V，单P沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
20V，5.7A P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMN25EN
Jun 2014
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| 数据手册 - 英文 |
PMN20ENA 40V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
30 April 2019
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMN22XN
Jun 2014
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| 数据手册 - 英文 |
PMN230ENE 60 V, N-channel Trench MOSFET
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
PMN20ENA中国RoHS
2019/07/17
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| 数据手册 - 英文 |
PMN28UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMN230ENEA 60 V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
26 April 2019
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| 数据手册 - 英文 |
20V，单P沟道MOSFET
19 June 2014
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| 测试报告 - 英文 |
PMN27XPE型产品可靠性调查结果
2017/12/29
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| 测试报告 - 英文 |
PMN28UN型产品可靠性调查结果
2017/12/29
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| 数据手册 - 英文 |
PMN25ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMN280ENEA 100V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
11 April 2019
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| 测试报告 - 英文 |
PMN230ENE型产品可靠性结果产品可靠性
2019/05/24
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| 数据手册 - 英文 |
PMN25ENEA 30V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
v.1
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
PMN25ENEA 小信号汽车MOSFET 产品介绍
该资料介绍了符合AEC-Q101标准的汽车用小信号MOSFET产品，包括其封装类型、主要特性、参数和应用领域。产品具备低导通电阻、高ESD保护和多种封装选项，适用于车身控制、车门、车窗、座椅、娱乐系统、安全和控制系统等汽车电子应用。资料还提供了不同型号产品的详细参数和封装尺寸。
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PMN25ENEA Small-signal automotive MOSFETs 产品介绍
该资料主要介绍了小型信号汽车级MOSFET产品，包括其关键特性和优势、应用领域以及技术参数。产品具备多种封装形式，适用于车身控制单元、娱乐系统、安全控制系统等，具有高电气和热性能。资料还提供了不同封装尺寸、功率、电压、电流等参数的详细规格。
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功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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