Chemical content PMZ390UN
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMZ390UN; 9340 601 56315
本化学成分分析报告详细介绍了PMZ390UN元器件的材料构成，涵盖了粘合剂、填充剂、聚合物、金属、模具化合物及颜料等关键成分的具体信息。报告内容详尽，列出了各成分的物质名称、CAS编号、质量（mg）及质量百分比（%），并明确标注了该器件的无铅焊接工艺特性及材料安全等级（MSL），为用户在产品合规性审查及环保认证方面提供了权威的数据支持。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该报告所涉器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
PMZ390UN N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMZ390UN
2019/01/10
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMZ390UN
2018/10/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMZ390UN
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
SOT883中的NXP功率mosfet
February 2008
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| 数据手册 - 英文 |
30v，N沟道沟道MOSFET
12 March 2015
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| 数据手册 - 英文 |
大容量小信号MOSFET
November 2019
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| 测试报告 - 英文 |
产品类型PMZ390UN的质量信息
2017
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| 测试报告 - 英文 |
PMZ390UN产品质量信息
2019/07/20
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMZ390UN
2018/10/25
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMZ390UN
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMZ390UN
2018/03/10
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| 测试报告 - 英文 |
产品型号PMZ390UN的可靠性结果
2017
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| 测试报告 - 英文 |
Reliability Results for Product Type PMZ390UNE
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMZ390UNE
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMZ390UNE
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMZ390UNE
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMZ390UNE
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
Quality Information for Product Type PMZ390UNE
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMZ390UNE
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMZ390UNE
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMZ390UNE
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMZ390UNE
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G74-Q100 单路D型触发器 产品数据表
Rev. 6.1
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| 数据手册 - 英文 |
74AVC2T45-Q100 双位、双电源电压电平转换器 产品数据表
Rev. 7.1
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| 数据手册 - 英文 |
NBM5100A-Q100 NBM5100B-Q100 纽扣电池寿命增强器 产品数据表
Rev. 1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
WLCSP6_SOT8090；适用于SMD的7英寸卷装干包装；Q2/T3产品方向修订版1 — 2024年1月22日包装信息
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
74AVCH2T45 双比特，双电源电压电平转换器/收发器；3态 Rev. 9.1 — 2024年8月12日 产品数据手册
Rev. 9.1 — 12 August 2024
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| 数据手册 - 英文 |
74HC4851-Q100；74HCT4851-Q100 8通道模拟多路选择器/解复用器，具有注入电流效应控制 Rev. 4 — 2023年5月15日 产品数据手册
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4521B 24级分频器和振荡器 修订版9 — 2024年8月19日 产品数据手册
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
NXB0106
Rev. 2.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOD110陶瓷，非常小的陶瓷矩形表面贴装封装；2个引脚；2毫米x1.25毫米x1.6毫米的封装体 2025年1月29日 封装信息
29 January 2025
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| 数据手册 - 英文 |
20V PNP BISS负载开关
PBLS2003D_2
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G125/74AHCT1G125 单缓冲/线驱动器；3态
SOT353-1
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| 数据手册 - 英文 |
肖特基势垒二极管 BAT17
2003 Mar 25
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| 数据手册 - 英文 |
74LVCU04A-Q100 六路非缓冲反相器 修订版 5 — 2025年1月20日 产品数据手册
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS48VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS6V3Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS6V3D1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
SMAJ系列 - 400W瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
版本 1.1 — 2024年7月31日 产品数据表
Rev. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia P4SMA系列 - 400W瞬态电压抑制器
v.1
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
AN10910通过外部旁路晶体管保护充电器接口和典型电池充电拓扑结构
本文档为Nexperia的应用笔记，主要介绍了如何保护移动设备充电接口免受过压和反极性损害，并概述了典型电池充电拓扑结构以及如何使用Nexperia的保护器件、双极型和MOS晶体管。内容涵盖了电池充电标准、USB接口充电、充电接口和USB保护、Li-Ion电池充电拓扑、保护器件等。
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采用WLCSP和无引脚DFN封装的移动和便携式大容量小信号MOSFET
该资料主要介绍了适用于移动和便携式设备的低噪声MOSFET，包括WLCSP和免铅DFN封装。产品特点包括高功率能力、最小DFN解决方案的空间效率、侧湿边设计以及自动光学检查（AOI）兼容性。应用领域涵盖笔记本、无线充电、智能手机、LED驱动、水平转换器等。资料还提供了不同型号的详细规格参数，包括功率、电压、电流和ESD保护等级。
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采用WLCSP和无引脚DFN封装的移动和便携式大容量小信号MOSFET
该资料主要介绍了适用于USB3.2、USB4、Thunderbolt、HDMI 2.1等应用的低噪声MOSFET产品。产品特点包括：高功率能力、空间效率、ESD保护等。产品适用于笔记本、智能手机、LCD电视、LED驱动器等多种应用场景。资料还详细列出了不同封装类型和型号的产品规格参数。
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适合移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装
本资料介绍了一种适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装。主要特点包括高功率性能、空间效率提升、可焊接侧面便于视觉焊接检测，以及取代较大型封装。产品适用于负载开关、无线充电、电池开关、LED驱动器等多种应用，特别适合空间受限的设备，如笔记本电脑、智能手机等。资料还提供了不同封装类型和规格的详细参数。
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适合移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装
本资料介绍了一种适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装。主要特点包括高功率性能、空间效率提升、可焊接侧面便于视觉焊接检测，以及取代较大型封装。产品适用于负载开关、无线充电、电池开关、LED驱动器等多种应用，特别适合空间受限的设备，如笔记本电脑、智能手机等。资料还提供了不同封装类型和配置的详细参数。
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适合移动和便携式设备的大批量小信号MOSFET, 采用WLCSP和无引脚DFN封装
该资料介绍了适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET产品，包括其特性、优势和应用领域。产品采用WLCSP和无引脚DFN封装，具有高功率性能、空间效率和可湿锡焊接侧翼等特点。这些MOSFET广泛应用于负载开关、无线充电、LED驱动器等领域，特别适合于笔记本、智能手机等空间受限的应用场景。资料还提供了不同型号产品的详细参数和技术规格。
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RC缓冲器的设计
**全文概述
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表面贴装回流焊接
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