Chemical content PMV30UN
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMV30UN; 9340 577 73215
本数据手册详细介绍了PMV30UN型元器件的化学成分、封装信息及材料组成等关键参数。资料内容涵盖了各组成部分的CAS编号、具体质量（mg）及其占总产品的质量百分比，同时提供了制造地点、MSL等级和处理周期等制造与物流相关信息。该资料旨在为用户提供详尽的产品物质构成数据，但明确指出所有信息仅供参考，Nexperia不对信息的准确性或完整性提供任何保证。针对文中所述器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PMV30UN μTrenchMOS™ 超低电平FET 修订版01 — 2003年6月25日 产品数据
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
PMV30UN型设备产品质量信息
Apr 2014
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| 数据手册 - 英文 |
PMV30UNμTrenchMOS公司™ 超低电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30UN
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV30UN
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
PMV31XN型器件产品质量信息
Apr 2014
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| 数据手册 - 英文 |
20v，N沟道沟道MOSFET
24 April 2014
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMV30UN
Jun 2014
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| 技术文档 - 英文 |
小型含铅SMD和无铅DFN封装中的汽车MOSFET
REV 0
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| 数据手册 - 英文 |
PMV30ENEA 40V N沟道MOSFET产品数据表
2 April 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PMV30XN 20 V，3.2 A N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PMV30XN 20 V，3.2 A N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
Quality Information for Product Type PMV30UN2
2017/12/21
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| 数据手册 - 英文 |
PMV30XPA 20 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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| 测试报告 - 英文 |
Reliability Results for Product Type PMV30UN2
2017/12/21
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| 数据手册 - 英文 |
20v，P沟道沟道MOSFET
30 October 2015
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30UN2
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30UN2
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30UN2
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV30UN2
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
30v，P沟道MOSFET
6 July 2016
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| 数据手册 - 英文 |
30v，N沟道沟道MOSFET
10 January 2017
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| 数据手册 - 英文 |
PMV37ENE 60 V N沟道Trench MOSFET
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN2
Version 3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN2
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN2
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN2
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMV37EN2 30 V、N沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.3
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| 数据手册 - 英文 |
PMV37ENEA 60 V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
21 May 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PMV37EN 30V，3.1A N沟道沟槽型MOSFET
Rev. 1 — 9 May 2011
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| 数据手册 - 英文 |
20V，单P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
PMV30ENEA中国RoHS
2019/07/17
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| 数据手册 - 英文 |
20V，4A P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
PMV30XPEA型产品的可靠性结果
2017/12/22
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| 数据手册 - 英文 |
PMV37EN 30 V，3.1 A N沟道MOSFE
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMV30XN
Jun 2014
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| 数据手册 - 英文 |
NXP半导体PMV31XN
v.2
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30XPEA
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30XPEA
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30XPEA
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV30XPEA
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMV31XN N沟道沟道场效应晶体管
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
小信号汽车MOSFET符合AEC-Q101标准的MOSFET，采用小型有引脚SMD和无引脚DFN封装
April 2018
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| 数据手册 - 英文 |
小信号汽车MOSFET 数据手册
2018年4月
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV30XPA
2020/03/17
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30XPA
2020/03/17
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
PMN25ENEA 小信号汽车MOSFET 产品介绍
该资料介绍了符合AEC-Q101标准的汽车用小信号MOSFET产品，包括其封装类型、主要特性、参数和应用领域。产品具备低导通电阻、高ESD保护和多种封装选项，适用于车身控制、车门、车窗、座椅、娱乐系统、安全和控制系统等汽车电子应用。资料还提供了不同型号产品的详细参数和封装尺寸。
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PMN25ENEA Small-signal automotive MOSFETs 产品介绍
该资料主要介绍了小型信号汽车级MOSFET产品，包括其关键特性和优势、应用领域以及技术参数。产品具备多种封装形式，适用于车身控制单元、娱乐系统、安全控制系统等，具有高电气和热性能。资料还提供了不同封装尺寸、功率、电压、电流等参数的详细规格。
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功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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