China RoHS PMV30UN
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMV30UN
本环保合规性声明详细介绍了Nexperia公司PMV30UN元器件在中国RoHS指令下的合规情况。资料重点阐述了该元器件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量检测结果，确认均符合SJ/T11363-2006标准要求。此外，该产品具有长达50年的环保使用期限，体现了其在环保设计上的可靠性。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PMV30UNμTrenchMOS公司™ 超低电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV30UN
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
PMV30UN型设备产品质量信息
Apr 2014
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| 数据手册 - 英文 |
PMV30UN μTrenchMOS™ 超低电平FET 修订版01 — 2003年6月25日 产品数据
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMV30UN
Jun 2014
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| 技术文档 - 英文 |
PMV31XN型器件产品质量信息
Apr 2014
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| 数据手册 - 英文 |
20v，N沟道沟道MOSFET
24 April 2014
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN
2018/04/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
小型含铅SMD和无铅DFN封装中的汽车MOSFET
REV 0
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| 数据手册 - 英文 |
PMV30ENEA 40V N沟道MOSFET产品数据表
2 April 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PMV30XN 20 V，3.2 A N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PMV30XN 20 V，3.2 A N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
Quality Information for Product Type PMV30UN2
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
Reliability Results for Product Type PMV30UN2
2017/12/21
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| 数据手册 - 英文 |
20v，P沟道沟道MOSFET
30 October 2015
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30UN2
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30UN2
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30UN2
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV30UN2
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMV30XPA 20 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
30v，P沟道MOSFET
6 July 2016
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| 数据手册 - 英文 |
30v，N沟道沟道MOSFET
10 January 2017
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| 数据手册 - 英文 |
PMV37ENEA 60 V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
21 May 2019
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN2
Version 3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN2
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN2
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30UN2
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMV37ENE 60 V N沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMV37EN2 30 V、N沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.3
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| 数据手册 - 英文 |
20V，单P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PMV37EN 30V，3.1A N沟道沟槽型MOSFET
Rev. 1 — 9 May 2011
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMV30XN
Jun 2014
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| 数据手册 - 英文 |
20V，4A P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
PMV30ENEA中国RoHS
2019/07/17
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| 数据手册 - 英文 |
PMV37EN 30 V，3.1 A N沟道MOSFE
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
PMV30XPEA型产品的可靠性结果
2017/12/22
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| 数据手册 - 英文 |
NXP半导体PMV31XN
v.2
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30XPEA
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30XPEA
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV30XPEA
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV30XPEA
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMV31XN N沟道沟道场效应晶体管
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
小信号汽车MOSFET符合AEC-Q101标准的MOSFET，采用小型有引脚SMD和无引脚DFN封装
April 2018
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV30XPA
2020/03/17
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| 数据手册 - 英文 |
小信号汽车MOSFET 数据手册
2018年4月
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV30XPA
2020/03/17
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
PMN25ENEA 小信号汽车MOSFET 产品介绍
该资料介绍了符合AEC-Q101标准的汽车用小信号MOSFET产品，包括其封装类型、主要特性、参数和应用领域。产品具备低导通电阻、高ESD保护和多种封装选项，适用于车身控制、车门、车窗、座椅、娱乐系统、安全和控制系统等汽车电子应用。资料还提供了不同型号产品的详细参数和封装尺寸。
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PMN25ENEA Small-signal automotive MOSFETs 产品介绍
该资料主要介绍了小型信号汽车级MOSFET产品，包括其关键特性和优势、应用领域以及技术参数。产品具备多种封装形式，适用于车身控制单元、娱乐系统、安全控制系统等，具有高电气和热性能。资料还提供了不同封装尺寸、功率、电压、电流等参数的详细规格。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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