China RoHS PMV170UN
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMV170UN
本资料为Nexperia公司关于PMV170UN器件符合中国RoHS指令的合规性声明。该文件详细阐述了产品各部件中铅、镉、汞等有害物质的含量情况，明确其符合SJ/T11363-2006标准要求。此外，声明指出所有Nexperia产品均具备50年的环保使用期限，并附带了相关的免责声明，强调所提供信息仅供参考。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PMV170UN20V，单沟道MOSFET
Rev.1
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV170UN
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
PMV170UN
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV170UN
2018/04/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMV170UN
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
小型含铅SMD和无铅DFN封装中的汽车MOSFET
REV 0
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| 数据手册 - 英文 |
PMV164ENE 60 V N沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
20v，N沟道沟道MOSFET
11 November 2014
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV16XN
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV16XN
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV16XN
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV16XN
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMV19xNEA30V，N沟道MOSFET数据表
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
Reliability Results for Product Type PMV16XN
2017/12/21
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| 数据手册 - 英文 |
PMV117EN μTrenchMOS™增强型逻辑电平场效应晶体管 修订版 02 — 2005年4月7日 产品数据手册
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
PMV15UNEA 20V，N沟道MOSFET产品数据表
6 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PMV16UN 20V，5.8A N沟道MOSFET
Rev. 1 — 4 April 2011
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| 数据手册 - 英文 |
PMV16UN 20V，5.8A N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
PMV19XNEA中国RoHS
2019/11/27
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| 数据手册 - 英文 |
PMV15UNEA - 20V，N沟道沟槽型MOSFET
v.2
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| 测试报告 - 英文 |
Quality Information for Product Type PMV16XN
2017/12/21
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| 数据手册 - 英文 |
PMV15ENE 30 V N沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
20V，1.2A P沟道MOSFET
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMV16UN
Jun 2014
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| 数据手册 - 英文 |
PMV164ENEA 60 V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
7 May 2019
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| 测试报告 - 英文 |
Quality Information for Product Type PMV160UP
2017/12/21
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| 数据手册 - 英文 |
PMV117EN∞沟渠™ 场效应晶体管增强逻辑电平
Rev. 02
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| 测试报告 - 英文 |
Reliability Results for Product Type PMV160UP
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV160以上
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV160以上
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV160以上
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV160以上
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMV185XN
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMV15ENEA 30V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
16 May 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PMV130ENEA 40V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
5 July 2018
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| 测试报告 - 英文 |
PMV164ENEA中国RoHS
2019/07/17
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| 数据手册 - 英文 |
PMV13XNEA 20 V、N沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV117EN
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMV117EN
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
40v，N沟道沟道MOSFET
12 June 2014
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| 测试报告 - 英文 |
PMV15UNEA中国RoHS
2019/11/20
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| 数据手册 - 英文 |
60v，N沟道沟道MOSFET
4 March 2016
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| 数据手册 - 英文 |
PMV100EPA 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMV100EPA 60V，P沟道沟槽型MOSFET 2025年4月21日产品数据手册
v.2
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV130ENEA
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV130ENEA
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMV130ENEA
2018/04/24
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应用/方案
PMN25ENEA 小信号汽车MOSFET 产品介绍
该资料介绍了符合AEC-Q101标准的汽车用小信号MOSFET产品，包括其封装类型、主要特性、参数和应用领域。产品具备低导通电阻、高ESD保护和多种封装选项，适用于车身控制、车门、车窗、座椅、娱乐系统、安全和控制系统等汽车电子应用。资料还提供了不同型号产品的详细参数和封装尺寸。
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PMN25ENEA Small-signal automotive MOSFETs 产品介绍
该资料主要介绍了小型信号汽车级MOSFET产品，包括其关键特性和优势、应用领域以及技术参数。产品具备多种封装形式，适用于车身控制单元、娱乐系统、安全控制系统等，具有高电气和热性能。资料还提供了不同封装尺寸、功率、电压、电流等参数的详细规格。
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