China RoHS PBSS4350Z
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PBSS4350Z
本资料为Nexperia公司关于其产品PBSS4350Z的RoHS指令符合性声明。声明详细阐述了该产品中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯及多溴二苯醚等有害物质的含量情况，明确指出所有指标均符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。此外，Nexperia在资料中承诺该产品具有50年的环保使用期，并附带了关于信息准确性与变更权利的免责声明。针对文中所述器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该声明，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。平台专职FAE团队提供选型、设计验证及调试等全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350Z 50V低压VCEsat NPN晶体管
26 June 2018
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350Z 50V低压VCEsat NPN晶体管
2003 May 13
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| 测试报告 - 英文 |
PBSS4350Z型产品的可靠性结果
2017/12/30
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明为PBSS4350D
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350Z材料清单
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4350Z
2019/01/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4350Z
2018/10/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PBSS4350Z
2018/03/10
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350ZèZL
2018/04/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350ZèZL
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350Z-Q材料清单
2025/07/01
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明为PBSS4230QA
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS5350Z 50 V，3 A PNP低VCEsat（BISS）晶体管数据表
v.5
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| 技术文档 - 英文 |
PBSS4032ND材料清单全文
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
pbss4350x50v，3anpn低VCEsat（BISS）晶体管
2004 Nov 04
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明为PBSS4260QA
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350T材料清单声明
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350Z
2018/10/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350Z
2018/04/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350Z
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，适用于PBSS4240DPN
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350T 50 V；3 A NPN低VCEsat晶体管
v.3
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，适用于PBSS4160QA
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
完整材料声明，适用于PBSS4350D-Q
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
PBSS4350Z产品质量信息
2019/07/11
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| 技术文档 - 英文 |
PBSS4440D材料清单
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350PAS材料清单声明
2025/07/01
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，适用于PBSS4260PAN
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350SS 50 V，2.7 A NPN/NPN低VCEsat（BISS）晶体管产品数据表
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4350ZïZL
2018/04/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PBSS4350ZïZL
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
50v，2.7a NPN/NPN低VCEsat（BISS）晶体管
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350X材料清单
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4350X
2019/01/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4350X
2018/04/23
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PBSS4350X
2018/03/05
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350x 50 V、3 A NPN低VCEsat晶体管
v.3
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| 测试报告 - 英文 |
PBSS4350X型产品的可靠性结果
2017/12/20
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350D 50 V低压VCEsat NPN晶体管
2001 Jul 13
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| 测试报告 - 英文 |
产品类型PBSS4350X的质量信息
2017/12/20
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4350T 50 V；3 A NPN低VCEsat（BISS）晶体管
2004 Jan 09
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350X
Version 13
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350X
2018/04/23
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350X
2018/03/05
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| 数据手册 - 英文 |
50v，2.7a NPN/PNP低VCEsat（BISS）晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350T
2020/03/17
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350T
Version 10
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350T
2018/04/23
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世强AI
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应用/方案
BISS晶体管和超大肖特基整流器.分立半导体的改进技术
本资料主要介绍了Nexperia公司（原NXP Standard Product业务）的产品和技术发展，重点关注BISS晶体管和MEGA肖特基整流器等离散半导体器件。资料详细阐述了这些器件的技术优势，包括降低损耗、提高热传导性、降低饱和电压、提高电流增益等，以及它们在汽车、工业、计算、消费和可穿戴应用市场中的应用。此外，资料还提供了关于BISS晶体管和MEGA肖特基整流器的具体应用案例，如低边开关、反向极性保护二极管和OR’ing等。
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下一代NXP低VCEsat晶体管：分立半导体的改进技术
本文介绍了NXP半导体公司新一代低VCEsat晶体管的技术特点和性能提升。这些晶体管在性能上有了显著改进，降低了饱和电压，提高了能效，适用于更高功率要求的开关应用。文章详细阐述了低VCEsat晶体管的技术背景、设计架构、性能优势以及在负载开关、电压稳定器、DC-DC转换器和充电应用中的实例。此外，还比较了通用晶体管和低VCEsat晶体管在性能上的差异，并介绍了NXP BISS晶体管支持的多种封装类型。
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