Chemical content IP4285CZ9-TBB
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
IP4285CZ9-TBB; 9340 650 58115
本材料成分表详细介绍了IP4285CZ9-TBB型号元器件的化学构成与物理属性。资料内容涵盖了该器件的封装信息、材料组成、重量数据以及制造工艺，并精确列出了各部分材料的化学名称、CAS编号及质量百分比。此外，文件还提供了制造地点、MSL等级、无铅焊接处理规范及材料安全处理等关键技术信息，为产品的环保合规性与生产应用提供了详实的数据支持。基于该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台专职FAE团队可提供专业的选型指导、设计验证及调试支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
高速接口的IP4285CZ9-TBB ESD保护
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分IP4285CZ9-TBB
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
NXP消费者和计算接口解决方案
March 2012
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS IP4285CZ9-TBB
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS IP4285CZ9-TBB
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
带ESD保护的集成4、6和8通道无源滤波网络
Rev. 2
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| 技术文档 - 英文 |
IP4221CZ6-S型器件产品质量信息
Apr 2014
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| 数据手册 - 英文 |
带ESD保护的单通道和双通道无源滤波网络
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS IP4233CZ6
2019/01/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS IP4233CZ6
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS IP4233CZ6
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS IP4233CZ6
2018/03/06
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| 技术文档 - 英文 |
IP4221CZ6-XS型器件产品质量信息
Apr 2014
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| 数据手册 - 英文 |
IP4256CZ3-M/CZ5-W/CZ6-F带ESD保护的单通道和双通道无源滤波器网络产品数据表
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS IP4234CZ6
2019/01/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS IP4234CZ6
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS IP4234CZ6
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS IP4234CZ6
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
NXP多通道ESD保护和EMI滤波器IP425xCZ8-4/CZ12-6/CZ16-8 IP4256CZ3-M/CZ5-W/CZ6-F
September 2009
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| 数据手册 - 英文 |
用于超高速接口的IP4283CZ10系列ESD保护产品数据表
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：IP4233CZ6
Jun 2014
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| 技术文档 - 英文 |
ESD保护、TVS设备和EMI滤波
February 2017
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| 数据手册 - 英文 |
带ESD保护的集成（U）SIM卡无源滤波器阵列
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分IP4233CZ6
Version 8
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分IP4233CZ6
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分IP4233CZ6
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分IP4233CZ6
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
超高速接口的ESD保护
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
超高速接口的ESD保护
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
超高速接口的ESD保护
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分IP4234CZ6
Version 6
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分IP4234CZ6
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分IP4234CZ6
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分IP4234CZ6
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
IP4284CZ10-TBR；IP4284CZ10-TT超高速接口ESD保护
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
IP4284CZ10-TBR；IP4284CZ10-TT超高速接口ESD保护
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
符合IEC 61000-4-2 4级的单USB 2.0 ESD保护
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
以太网端口的超低电容ESD保护
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
IP4282CZ6 高速接口的ESD保护 Rev. 01 — 2009年3月30日 产品数据手册
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
IP4233CZ6型器件产品质量信息
Apr 2014
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| 数据手册 - 英文 |
IP4221CZ6-XS 高速接口的ESD保护 Rev. 2 — 2012年12月13日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
高速接口IP4221CZ6-XS ESD保护
Rev. 2
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS IP4221CZ6-S
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS IP4221CZ6-S
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
高速接口的IP4221CZ6-S ESD保护
Rev. 2
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技术论坛
你好，在USB保护上面用到了安世的IP4220CZ6，请帮忙看下有没有国产替代推荐，谢谢。
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应用/方案
SD（HC）-存储卡和MMC接口调节
本文档概述了SD存储卡和MMC接口的ESD保护和EMI滤波器设备。内容涵盖ESD保护和EMI滤波器在SD存储卡和MMC接口中的应用，包括不同类型的保护滤波器、接口电气特性、时序要求以及NXP半导体提供的相应产品。
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AN10910通过外部旁路晶体管保护充电器接口和典型电池充电拓扑结构
本文档为Nexperia的应用笔记，主要介绍了如何保护移动设备充电接口免受过压和反极性损害，并概述了典型电池充电拓扑结构以及如何使用Nexperia的保护器件、双极型和MOS晶体管。内容涵盖了电池充电标准、USB接口充电、充电接口和USB保护、Li-Ion电池充电拓扑、保护器件等。
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AN10753 USB 2.0接口的ESD保护应用笔记
本应用笔记介绍了如何使用Nexperia通用离散元件保护USB 2.0接口免受静电放电（ESD）损害，包括低电容ESD保护二极管PESD5V0X1BL、PRTR5V0U2F和PRTR5V0U2K。内容涵盖了ESD基础知识、USB接口保护、测量方法和Nexperia ESD保护器件的介绍。
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功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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