Chemical content PMFPB8040XP
发布时间:
2019-04-02
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PMFPB8040XP; 9340 665 84115
本数据手册详细介绍了PMFPB8040XP元器件的化学成分、封装信息及无铅焊接处理等关键属性。资料深入列出了该器件的材料清单,涵盖各组成部分的化学物质名称、CAS编号、具体质量及质量百分比,并明确了制造地点。针对部分涉及商业机密或无官方CAS编号的信息,文档也进行了相应说明,同时附带了免责声明,指出所载内容仅供参考,Nexperia不对信息的准确性或完整性提供保证。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PMFPB8040XP
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
产品类型PMFPB8040XP的质量信息
2017/12/29
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| 数据手册 - 英文 |
PMFPB8040XP 20 V,3.7 A/440 mV VF P沟道MOSFET肖特基组合
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMFPB8040XP
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
PMFPB6532UP
Rev. 2 — 1 June 2012
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| 测试报告 - 英文 |
PMFPB8040XP型产品可靠性调查结果
2017/12/29
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| 数据手册 - 英文 |
PMFPB6545UP
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMFPB8040XP
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMFPB8040XP
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
20 V,3.7 A/320 mV VF P沟道MOSFET肖特基组合
21 December 2012
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMFPB8032XP
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMFPB8032XP
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMFPB8032XP
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMFPB8032XP
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
Quality Information for Product Type PMFPB8032XP
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
Reliability Results for Product Type PMFPB8032XP
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMFPB8032XP
Version 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMFPB8032XP
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMFPB8032XP
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMFPB8032XP
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
NXT4558-Q100 SIM卡接口电平转换器带使能引脚 版本2 — 2024年10月23日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS1503Y; PBLS1503V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月24日 产品数据手册
Rev. 03
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002BKV 60V,340mA双N沟道沟槽型MOSFET
v.4
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Nexperia 74LVC1G125 - 总线缓冲器/线驱动器;3态
v.17.1
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| 数据手册 - 英文 |
肖特基势垒(双)二极管 1PS70SB82;1PS70SB84;1PS70SB85;1PS70SB86
2001年1月18日
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| 数据手册 - 英文 |
HEF40175B-Q100 四D型触发器 Rev. 2 — 2024年8月8日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G125-Q100 总线缓冲器/线驱动器;3态
v.7.1
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| 数据手册 - 英文 |
NCR405U 50 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2013年12月10日产品数据手册
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NCR401U 10 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2014年2月20日产品数据手册
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS4V8Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V0Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
修订版10 — 2024年9月5日 产品数据表
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74LVC1G32 单元 2 输入 OR 门
v.16.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74AUP1G08 低功耗2输入与门
v.12.1
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| 数据手册 - 英文 |
BAS21AVD-Q 高压开关二极管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
74HC245;74HCT245 八路总线收发器;3态 修订版 8 — 2024年11月29日 产品数据手册
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
74VHC245; 74VHCT245 - 八通道总线收发器;3态 - 2024年11月29日 产品数据表
3
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V0Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS36VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS20VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
BC848W-Q 30V,100mA NPN通用晶体管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
30V,100mA NPN通用晶体管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
600W瞬态电压抑制器
SMBJ_SER v.1
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BFS20
2004 Feb 05
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BF570
2004年3月15日
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| 数据手册 - 英文 |
NXB0106-Q100
Rev. 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
BC850C NPN通用晶体管 2024年10月8日 产品数据手册
BC850C v.4
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS6022D 60V,1.5A PNP BISS负载开关
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS6021D 60V,1.5A PNP BISS负载开关
Rev. 01 — 12 August 2009
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世强AI
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应用/方案
AN10910通过外部旁路晶体管保护充电器接口和典型电池充电拓扑结构
本文档为Nexperia的应用笔记,主要介绍了如何保护移动设备充电接口免受过压和反极性损害,并概述了典型电池充电拓扑结构以及如何使用Nexperia的保护器件、双极型和MOS晶体管。内容涵盖了电池充电标准、USB接口充电、充电接口和USB保护、Li-Ion电池充电拓扑、保护器件等。
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