Chemical content PMN27XPE
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMN27XPE; 9340 668 46115
本数据手册详细介绍了PMN27XPE型元器件的详细化学成分与物理属性，涵盖了封装类型、总产品重量、无铅焊接处理工艺、MPPT版本、MSL等级、处理周期及组装地点等关键信息。资料中深入剖析了器件各部分的材料构成，具体列出了粘合剂、硅片、引线框架、模具化合物、填充剂、锡焊、金等组件的物质名称、CAS编号、质量（mg）及其质量百分比，为产品的合规性审查与环保评估提供了精确的数据支持。此外，手册还包含了相关的免责声明与注意事项，确保用户在使用过程中的安全性与规范性。基于该器件的详细规格，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台提供单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，并拥有充足库存以满足从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台专职FAE团队将提供选型指导、设计验证及调试等全方位技术支持，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PMN27XPE 20V，单P沟道MOSFET
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
产品类型PMN27XPE的质量信息
2017/12/29
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| 技术文档 - 英文 |
PMN28UN型器件产品质量信息
Apr 2014
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| 数据手册 - 英文 |
PMN27XPE
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
XP7PMN2E化学成分
2018/03/09
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| 技术文档 - 英文 |
小型含铅SMD和无铅DFN封装中的汽车MOSFET
REV 0
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| 数据手册 - 英文 |
20V，单P沟道MOSFET
19 June 2014
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN27XPE
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMN27XPE
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
PMN22XN 30V，单N沟道沟槽型MOSFET 修订版1 — 2012年1月19日 产品数据手册
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
PMN27XPE型产品可靠性调查结果
2017/12/29
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| 数据手册 - 英文 |
PMN20EN 30V，6.7A N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PMN28UN沟渠™ 超低电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
PMN28UN沟渠™ 超低电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
PMN27XPEA型产品的可靠性结果
2017/12/22
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| 数据手册 - 英文 |
PMN25UN20V，6AN沟道MOSFET
Rev. 1 — 28 July 2011
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| 数据手册 - 英文 |
PMN25UN20V，6AN沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN27XPEA
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMN27XPEA
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMN23UN∞沟渠™ 超低电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
PMN25EN 30 V，6.2 A N沟道MOSFET
Rev. 1 — 29 August 2011
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| 数据手册 - 英文 |
PMN25EN 30 V，6.2 A N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMN27XPEA
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMN27XPEA
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMN27UN沟渠™ 超低电平场效应晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
产品类型PMN27XPEA的质量信息
2017/12/22
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| 数据手册 - 英文 |
单沟道PMN230 V MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PMN20EN 30V，6.7A N沟道沟槽型MOSFET 修订版1 — 2011年5月30日 产品数据手册
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
Quality Information for Product Type PMN27UP
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
Reliability Results for Product Type PMN27UP
2017/12/21
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| 数据手册 - 英文 |
20V，5.7A P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN27以上
2018/10/26
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN27以上
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMN27以上
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PMN20ENA 40V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
30 April 2019
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN230ENE
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN230ENE
2018/10/26
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| 数据手册 - 英文 |
PMN230ENE 60 V, N-channel Trench MOSFET
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMN20EN
Jun 2014
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| 数据手册 - 英文 |
PMN28UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMN25EN
Jun 2014
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| 数据手册 - 英文 |
PMN230ENEA 60 V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
26 April 2019
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性调查结果，类型：PMN22XN
Jun 2014
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| 测试报告 - 英文 |
PMN20ENA中国RoHS
2019/07/17
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| 数据手册 - 英文 |
PMN25ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN25UN
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMN25UN
2018/03/10
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
PMN25ENEA 小信号汽车MOSFET 产品介绍
该资料介绍了符合AEC-Q101标准的汽车用小信号MOSFET产品，包括其封装类型、主要特性、参数和应用领域。产品具备低导通电阻、高ESD保护和多种封装选项，适用于车身控制、车门、车窗、座椅、娱乐系统、安全和控制系统等汽车电子应用。资料还提供了不同型号产品的详细参数和封装尺寸。
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PMN25ENEA Small-signal automotive MOSFETs 产品介绍
该资料主要介绍了小型信号汽车级MOSFET产品，包括其关键特性和优势、应用领域以及技术参数。产品具备多种封装形式，适用于车身控制单元、娱乐系统、安全控制系统等，具有高电气和热性能。资料还提供了不同封装尺寸、功率、电压、电流等参数的详细规格。
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功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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