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China RoHS BUK6E2R3-40C
发布时间: 2019-04-02
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
BUK6E2R3-40C
本环保合规性声明详细阐述了Nexperia公司生产的BUK6E2R3-40C元器件在有毒有害物质控制方面的具体指标。资料明确指出,该元器件中可能含有的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等物质,在所有均质材料中的含量均严格低于SJ/T11363-2006标准规定的限量要求,完全符合China RoHS环保法规。此外,声明还强调了Nexperia产品具备长达50年的环保友好使用期限,并涵盖了信息准确性说明及免责条款,为用户在绿色电子设计与制造中提供了权威的合规依据。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
数据手册 - 英文
BUK6E2R3-40C N沟道TrenchMOS中级场效应晶体管
Rev.1
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测试报告 - 中文
中国RoHS BUK6E2R3-40C
2018/03/09
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技术文档 - 英文
热RC网络(Foster)SPICE热模型BUK6E2R3-40C
Version:1
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测试报告 - 英文
化学成分BUK6E2R3-40C
2018/04/28
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测试报告 - 英文
化学成分BUK6E2R3-40C
2018/03/09
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技术文档 - 英文
领先的汽车功率MOSFET
September 2010
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数据手册 - 英文
2PA1576R-Q PNP通用晶体管产品数据表
3 January 2022
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PSMN047-100NSE N沟道100 V、49.7 mOhm标准电平MOSFET,采用DFN2020封装,专为高功率Poe应用而设计目标数据手册
21 January 2022
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74AUP1G17-Q100低功耗施密特触发器产品数据手册
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74AUP1G02-Q100低功耗双输入NOR门产品数据手册
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封装信息/封装结构图 - 英文
OL-PCMF2HDMI2BA-C晶圆级芯片尺寸封装;10凸点(4-2-4)封装信息
4 January 2022
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PSMN2R0-55YLH N沟道50 V、2.1 mOhm、200 A连续逻辑电平专用MOSFET,采用LFPAK56E封装产品数据手册
26 January 2022
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PESD15VW1UCSF极低电容单向ESD保护二极管数据手册简介
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
AN50005高功率应用中的并联功率MOSFET应用笔记
本文探讨了在高功率应用中并联功率MOSFET时,电流共享不平衡受各种参数的影响。提供了在设计时考虑这些参数的指南,并通过实际描述帮助设计者开发可靠且成本效益高的解决方案。文章重点介绍了开关模式和负载切换应用,分析了MOSFET损耗和参数对电流共享的影响,并讨论了温度依赖性对并联MOSFET性能的影响。
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双极离散Q-组合
Nexperia推出针对汽车行业的Bipolar Discretes Q-Portfolio,以满足自主驾驶、连接性、电动化和共享出行(ACES)对元器件可靠性的需求。该产品线采用超过AEC-Q101的最新质量标准,并针对特定行业需求提供长期供应保障。Nexperia承诺,Q-Portfolio的采用不会影响现有订单、供应链或合同价格,同时保证所有性能规格。
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